JPS62120633A - 磁気記録媒体製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は、搬送中の基体上に、マグネトロンスパッタ法
によって連続膜からなる記録磁性層を連続的に形成する
磁気記録媒体製造方法に関する。

〔発明の技術的背景とその問題点〕

近年、情報処理技術の発達に伴ってメモリ装置が担う情
報量は飛躍的に増加し、フロッピーディスク等の磁気記
録媒体に対する大容量化の要求もますます高まっている
。この要求に応えるため、高密度記録の可能な磁気記録
媒体、特に最近では膜面に垂直な方向の磁化を利用して
記録を行なう垂直磁気記録用の磁気記録媒体の研究・開
発が活発になされている。垂直磁気記録用の磁気記録媒
体は垂直磁気異方性を有する記録磁性層を備えた媒体で
あり、現在実用されている面内記録用の磁気記録媒体の
多くを構成している塗布型媒体よりも、記録磁性層とし
てＣｏ　−Ｃｒ系合金等の金属薄膜をスパッタや蒸着に
よシ形成した金属薄膜型媒体、あるいはＢａフェライト
やＳｒフェライト等のマグネトプラムバイト型結晶構造
を有する酸化物薄膜型媒体が、高密度記録により適した
媒体として有望視されている。

ところで、Ｃｏ−Ｃｒ系合金薄膜磁性層をスパッタによ
り形成する場合、磁性層の結晶配向性を良好にし、記録
分解能を向上させる為に、磁性層形成初期におけるスパ
ッタ入射角を正確に制御する必要がある。ターゲットの
エロージョンが、円形、楕円、競馬場のトラック等その
他の形を保ちつつ、局所的に進行するマグネトロン・ス
パッタでは、スパッタ源がほぼ線状であると考えられる
。従って、ある基体上の一面を考えた時、あたかも複数
のスパッタ源が存在するようにふるまうマグネトロン書
スパッタ装置においては、スパッタ原子が二ローション
の形状にしたがって多数の方向から基体上に飛来するた
め、結晶配向を制御し、良好な磁気特性を得るのがむず
かしい。

〔発明の目的〕

この発明の目的は、ターゲット面の二ロージ１ンが局所
的であるマグネトロンスパッタ方式により記録磁性層を
形成する場合においても、高密度記録に適した良好な結
晶配向性や磁気特性を備えた磁気記録媒体の製造方法を
提供することにある。

〔発明の概要〕

この発明に係る磁気記録媒体製造方法は、搬送中の基体
上に、連続膜からなる記録磁性層をマグネトロン・スパ
ッタ法にて形成する方法において、基体搬送方向に平行
かつターゲット面に垂直な少なくとも１つの仮想平面を
考えた時に、その面内に２つのスパッタ源が存在し、か
つその面内にお　。

いて次の条件を満たしていることを特徴としている。

すなわち基体上の磁性層形成開始点（以下０点と称する
）と、基体搬送方向上流側に位置する第１のスパッタ源
の中心点（以下点Ａと称する）とを結ぶ線ＯＡと、点Ｏ
における基体面に対する法線００′のなす角度を０１と
し、点Ｏと第２のスパッタ源の中心点（以下点Ｂと称す
る）とを結ぶ線ＯＢと線００′とのなす角を０２とする
とき、θ１とθ２の差１θ１−θ２１が１８°以内にな
るようにする。

加えて、ターゲットがＣＯとＣｒを主成分とする強磁性
ターゲットであること、また、記録磁性層がＣｏ　−Ｃ
ｒ系合金であることを特徴としている。

ざらに、記録磁性層が垂直磁気異方性を有することを特
徴としている。

〔発明の効果〕

この発明によれば、基体搬送方向に平行、かつターゲッ
ト面に垂直な１つの仮想平面を考えた時に、その面内に
２ケ所のスパッタ源が存在するマグネトロン拳スパッタ
方式により記録磁性層を形成する場合においても、基体
上の磁性層形成開始点において、２ケ所のスパッタ源を
のぞむ角度をそれぞれ略等しくすることによって結晶配
向が良好で高密度記録に適した磁気記録媒体を製造でき
る。

特に、垂直磁気異方性を有し、垂直磁気記録媒体として
最も高警度記録に適しているＣｏ−Ｃｒ系合金媒体では
、磁性層形成初期の結晶配向が、その上に形成される磁
性層の結晶配向性を決定してしまう。このため、磁性層
形成開始点において２ケ所のスパッタ源よりそれぞれ略
等角度でスバッ原子を入射させることにより非常に結晶
配向性の良い記録磁性層を形成でき、高密度記録に適し
た磁気記録媒体を製造できる。

〔発明の実施例〕

以下、図面を参照して本発明の磁気記録媒体製造方法の
一実施例を説明する。マグネトロンスパッタでは、ター
ゲット裏面にマグネ”ｚトが配置され、この配置の形態
により、第２図に示すようにターゲットｌの衣面に競馬
場のトラック形あるいは円形、楕円形その他の形の二ロ
ーション領域２が、スパッタを続けることにより形成さ
れる。すなわちスパッタ原子はターゲット全面から飛び
出すのではなく特定の領域２０部分から飛び出す。

この時第３図に示すように、基体３の搬送方向に平行か
つターゲット面に垂直な少なくとも１つの仮想平面４を
考えた時に、その面内に２つのスパッタ源５，６が存在
することになる。

そこで第１図に示すように可撓性搬送基体３とＣｏ−Ｃ
ｒターゲットｌとを上記の関係、即ち基体３の搬送方向
に平行でかつターゲット１面に垂直な仮想平面内に２つ
のスパッタ源５，６が存在するように配置してＣｏ−Ｃ
ｒ記録磁性層７を形成するようになすとともに、Ｃｏ−
Ｃｒターゲット１と基体３０間に、２つのマスク８．９
を設ける。このマスク８，９Ｑま次のような位置関係で
設けられる。すなわち、マスク８により記録磁性層形成
開始点Ｏは、マスク８の端部の真下の基体３の表面に相
当する。そこで点０における基体３の表面に対する法＃
！■′と、点Ｏとスパッタ源５の中心点Ａとを結ぶ線Ｏ
Ａとのなす角を０１％同様に法線■′と、点Ｏとスパッ
タ源６の中心点Ｂとを結ぶ線ＯＢとのなす角をθ２とす
るとき、θｌと０２との差が１８’以内になる様にマス
ク８を設置しである。

すなわち、このような構成によると磁性層形成開始点Ｏ
において、２つのスパッタ源５．６から法線ω′に対し
て、それぞれ角度差１８°以内の角度でＣｏ−Ｃｒスパ
ッタ原子が入射するので、磁性層形成初期の段階から良
好な結晶配向性が得られる。

このようにして形成１れたＣｏ−Ｃｒ薄膜媒体は、垂直
磁気記録媒体として要求されるＣｏ−Ｃｒの結晶軸であ
るＣ軸が基体面垂直方向に非常に良く配向してお夛、か
つ優れた記録密度特性を有するものであった。

第１表は、種々の基体・ターゲット間距離の粂件のもと
でおよそθ１＝θ２を満足する様にマスク７８を配置し
て作成した厚さ０．５μｍの磁性層を有する媒体の結晶
配向性と記録密度特性を調べた実験結果を示したもので
ある。このとき、２つのスパッタ源５．６の距離は８０
顛でちった。

結晶配向性は、　Ｃｏ−Ｃｒ結晶の（００２）面に対す
るＸ線回折強度Ｉ　００２を測定して評価した。１００
２が大きいほど結晶配向性が良好であることを示す。

記録密度特性は、３．５インチ径フロッピーディスク状
に形成した媒体を毎分３００回転で回転させながら、ギ
ャップ長０．３μｍのフェライト製すングｉッドを接触
走行させ測定したものである。記録信号はＮＲＺＩ　ａ
ｌｌ　Ｉ’ｓで、低記録密度（ＩＫＢＰＩ　：ｂｉｔｐ
ｅｒ　１ｎｃｈ）における再生出力の１／２の再生出力
を与える記録密度（Ｄｓｏ）を測定し、記録密度特性を
評価した。Ｄｓｏは大きいほど、高密度まで記録再生が
できることを示している。

以下余白 第１表 （Ｖ１人Ｔ？ｆｊ） 第１表から明らかなように、θ１と０２を等しくするか
、あるいはそれに近い状態、具体的には、θ１と６２の
差が１８’以内の場合において、良好な結晶配向性を示
した。また結晶配向性が良好な媒体はＩ）ｓｏＯ値も大
きく、高密度配録がなされている。

第４図は、基体・ターゲット距離が８０顛の場合につい
て、θ１と０２を若干変化させてｓ　　１００２とＤｓ
ｏの変化を調べた結果を示したものである。横軸はθｌ
と０２の差の絶対値、縦軸は１００２とＤｓｏでらる。

これによると、θ１と０２が等しいか、あるい（Ｌｉθ
ｌとθ２の差が非常に小ざ＜、１８°以内である場合に
良好な結晶配向性と高密度記録特性が得られることが明
らかである。　　。

〔発明の他の実施例〕

第５図に、この発明の他の実施例を示す。Ｃｏ−Ｃｒ合
合金ターゲット２１衷 ２２、２３が存在し、冷却ロール２４に接しながら搬送
されるフィルム状基体２５上にＣｏ−Ｃｒ記録磁性層２
６を形成する。冷却ロール２４の外側には２つの外側に
は２つのマスク２７．２８が設けてあり、スパッタ原子
を選択的に基体２５上に被着させる。

冷却ロール２４と基体２５は５時計方向に回転し，マス
ク２７の端部ＰでＣｏ−Ｃｒ磁性層２６が基体２４上に
形成されはじめる。

磁性層形成開始点Ｐにおける基体２５の表面に対する法
線ＰＰ’と点Ｐとスパッタ源２２の中心点Ｃとを結ぶ線
ＰＣとのなす角を０３とし，同様に法線■′と点Ｐとス
パッタ源２３の中心点りとを結ぶ線ＰＤとのなす角を０
４とするとき、θ３と０４の差が１８°以内になる様に
マスク２７を設置しである。

このようにして形成されたＣｏ−Ｃｒ薄膜媒体において
も．前記実施例で説明した磁気記録媒体製造装置と同様
に優れた結晶配向性が得られる。

この発明は上述した実施例に限定されるものではなく、
その要旨を逸脱しない範囲で種々変形することが可能で
ある。

例えば、記録磁性層としては，　Ｃｏ−Ｃｒ−Ｎｔ合金
薄膜でもよく、またターゲットも同様にＣｏ，Ｃｒ以外
の成分を含んでもよい。

さらに基体の材質、形状も種々選択することが可能でる
る。実施例では可撓性基体を使用する場合について述べ
たが、例えば陽極酸化アルミ板のように非可撓性基体を
搬送しながらその上に磁性層を形成する場合にも本発明
を通用できるのは勿論で必る。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の一実施例に係る磁気記録媒体製造方
法を説明するだめの図、第２図は、ターゲットのエロー
ジョン領域を示す図、第３図は第１図の実施例における
仮想平面の概念図、第４図は第１図の実施例の磁性層形
成時におけるθ１と０２の差（絶対値）とｓ　　１００
２及びＤｓｏの関係を示した図、第５図はこの発明の他
の実施例を説明するだめの図である。 １　１　２　１　〜Ｃｏ−Ｃｒターゲット、２〜工ロー
ジｇ７領域、３〜〜撓性基体，４〜仮想平面、５、６〜
仮仮想面４上のスパッタ源、 ７　、　２　６　〜Ｃｏ−Ｃｒ薄膜磁性層、８、９，２
７．２８〜マスク、 ２２、２３〜スパツタ源、 ２４〜冷却コール、 ２５〜フィルム状基体、 代理人　弁理士　則　近　憲　佑 同　　　　竹　花　官久男 第１図 第２図 ？ 第３図 第４図 第５図

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. （１）基体を搬送しながら該基体上に連続膜からなる記
   録磁性層をマグネトロンスパッタ法にて形成する磁気記
   録媒体製造方法において、前記基体の搬送方向に平行で
   、かつターゲット面に垂直な少なくとも１つの仮想平面
   内に第１および第２のスパッタ源が存在するとともに、
   その平面内において、前記基体上の磁性層形成開始点お
   よび前記基体の移動方向に対して上流側にある第１のス
   パッタ源の中心を結ぶ線と、前記磁性層形成開始点にお
   ける前記基体面に対する法線とのなす角度をθ＿１とす
   るとともに前記磁性層形成開始点および前記基体の移動
   方向下流側にある前記第２のスパッタ源の中心を結ぶ線
   と、前記法線とのなす角度をθ＿２とするとき、｜θ＿
   １−θ＿２｜≦１８°の関係にあるようにして記録磁性
   層を形成することを特徴とする磁気記録媒体製造方法。
2. （２）ターゲットがＣｏとＣｒを主成分とする強磁性タ
   ーゲットであることを特徴とする特許請求の範囲第１項
   記載の磁気記録媒体製造方法。
3. （３）記録磁性層がＣｏ−Ｃｒ系合金薄膜であることを
   特徴とする特許請求の範囲第１項記載の磁気記録媒体製
   造方法。
4. （４）記録磁性層が、垂直磁気異方性を有することを特
   徴とする特許請求の範囲第１項記載の磁気記録媒体製造
   方法。