JPH0626021B2 - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法Info
- Publication number
- JPH0626021B2 JPH0626021B2 JP20921585A JP20921585A JPH0626021B2 JP H0626021 B2 JPH0626021 B2 JP H0626021B2 JP 20921585 A JP20921585 A JP 20921585A JP 20921585 A JP20921585 A JP 20921585A JP H0626021 B2 JPH0626021 B2 JP H0626021B2
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- Japan
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- film
- magnetic recording
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- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は磁気記録媒体の製造方法に係り、特に強磁性金
属薄膜を磁気記録層とする磁気記録媒体の製造方法に関
する。
属薄膜を磁気記録層とする磁気記録媒体の製造方法に関
する。
従来の技術 磁気記録に関する方式としては、従来、記録媒体のほぼ
長手方向の磁化を用いる方式が専ら採用されている。
長手方向の磁化を用いる方式が専ら採用されている。
しかし、このように面内長手方向の磁化を用いる方式で
は、記録の高密度化を図ろうとすると、記録媒体内の減
磁界が増加するために、記録の高密度化にも自ずと限界
がある。そこで、そのような不具合を解消するために、
記録媒体の表面と直交する方向の磁化を利用する,いわ
ゆる垂直磁化記録方式が考えられている。この垂直磁化
記録方式を採用すると、記録密度の増加と共に、媒体内
減磁界が減少するため高密度記録化が可能となる。
は、記録の高密度化を図ろうとすると、記録媒体内の減
磁界が増加するために、記録の高密度化にも自ずと限界
がある。そこで、そのような不具合を解消するために、
記録媒体の表面と直交する方向の磁化を利用する,いわ
ゆる垂直磁化記録方式が考えられている。この垂直磁化
記録方式を採用すると、記録密度の増加と共に、媒体内
減磁界が減少するため高密度記録化が可能となる。
この方式には、特別の媒体が必要で、記録媒体面に直交
する方向に磁化容易軸を有する,いわゆる垂直磁化膜が
磁気記録層として配設されたものでなければならないと
考えられている。
する方向に磁化容易軸を有する,いわゆる垂直磁化膜が
磁気記録層として配設されたものでなければならないと
考えられている。
このような記録媒体の代表的なものは、ポリイミド等の
高分子フィルム上にCr を20wt%前後含むCo 合金薄
膜を0.1〜0.3μm形成したものが知られている。
高分子フィルム上にCr を20wt%前後含むCo 合金薄
膜を0.1〜0.3μm形成したものが知られている。
Co−Crの薄膜は、性能的にはスパッタリング法で形成
するのが最も優れているが、最近では、薄膜形成速度の
大きい電子ビーム蒸着法による垂直磁化膜の形成が検討
されている。〔例えば、電子通信学会論文誌Vol.J6
6−C,55〜61頁(1983)参照〕 発明が解決しようとする問題点 しかしながら、電子ビーム蒸着法では、高密度記録再生
特性を改良する上で重要な結晶配向性がスパッタリング
法に比べて劣るため、チタン,ゲルマニウム等をあらか
じめ蒸着して、その上にCo−Cr を蒸着することで、
結晶配向性を改良することが検討されているが、積層構
成にすることで、腐食の面は不利であるのと、工程が複
雑になるなどの問題もあり、例え積層構成をとっても、
スパッタリング法で得られるCo−Cr,Co−Cr−Nb
膜等よりも短波長再生出力が劣る問題がある。
するのが最も優れているが、最近では、薄膜形成速度の
大きい電子ビーム蒸着法による垂直磁化膜の形成が検討
されている。〔例えば、電子通信学会論文誌Vol.J6
6−C,55〜61頁(1983)参照〕 発明が解決しようとする問題点 しかしながら、電子ビーム蒸着法では、高密度記録再生
特性を改良する上で重要な結晶配向性がスパッタリング
法に比べて劣るため、チタン,ゲルマニウム等をあらか
じめ蒸着して、その上にCo−Cr を蒸着することで、
結晶配向性を改良することが検討されているが、積層構
成にすることで、腐食の面は不利であるのと、工程が複
雑になるなどの問題もあり、例え積層構成をとっても、
スパッタリング法で得られるCo−Cr,Co−Cr−Nb
膜等よりも短波長再生出力が劣る問題がある。
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、結晶配向性
の面でもスパッタリング法で得られるものと同等以上の
ものが得られる磁気記録媒体の製造方法を提供するもの
である。
の面でもスパッタリング法で得られるものと同等以上の
ものが得られる磁気記録媒体の製造方法を提供するもの
である。
問題点を解決するための手段 上記した問題点を解決するために本発明の磁気記録媒体
の製造方法は、長手方向に運動する高分子フィルム上に
強磁性薄膜を形成する時に、該強磁性薄膜の誘導加熱と
グロー放電の維持を誘導磁界で同時に行うものである。
の製造方法は、長手方向に運動する高分子フィルム上に
強磁性薄膜を形成する時に、該強磁性薄膜の誘導加熱と
グロー放電の維持を誘導磁界で同時に行うものである。
作 用 本発明の方法は上記した構成により、グロー放電によ
り、蒸気流が活性化されるのと、誘導加熱により強磁性
薄膜表面が渦電流により加熱されるので、高分子フィル
ムを加熱するよりも、実効的に高温に保持されたように
なるため、結晶配向性が膜形減速度が大きいにもかかわ
らず良好になるものである。
り、蒸気流が活性化されるのと、誘導加熱により強磁性
薄膜表面が渦電流により加熱されるので、高分子フィル
ムを加熱するよりも、実効的に高温に保持されたように
なるため、結晶配向性が膜形減速度が大きいにもかかわ
らず良好になるものである。
実施例 以下、図面を参照しながら本発明の実施例について説明
する。図は本発明の実施に用いた蒸着装置の内部構成概
略図で、1は高分子フィルム、2は送り出し軸、3は巻
取り軸、4はチタン箔(厚み25μm)の周長1.4m
のエンドレスベルト、5,6は温調可能な回転ローラ
(直径30cm)、7は誘導コイルで、7ターンで、回転
ローラ下端より蒸発源容器8側に4ターン配設する構成
とした。9は電子ビーム発生源、10は遮蔽マスク、1
1は蒸気流の入射角成分を限定するためのスリットであ
る。12は真空容器、13は真空排気系、14は絶縁導
入端子である。
する。図は本発明の実施に用いた蒸着装置の内部構成概
略図で、1は高分子フィルム、2は送り出し軸、3は巻
取り軸、4はチタン箔(厚み25μm)の周長1.4m
のエンドレスベルト、5,6は温調可能な回転ローラ
(直径30cm)、7は誘導コイルで、7ターンで、回転
ローラ下端より蒸発源容器8側に4ターン配設する構成
とした。9は電子ビーム発生源、10は遮蔽マスク、1
1は蒸気流の入射角成分を限定するためのスリットであ
る。12は真空容器、13は真空排気系、14は絶縁導
入端子である。
本発明の実施に用いた主要構成部の寸法は、回転ロール
6と蒸発源の距離を37cm蒸発源とスリットとの距離を
20cm、スリットのフィルム移動方向の幅を3cmとし
た。
6と蒸発源の距離を37cm蒸発源とスリットとの距離を
20cm、スリットのフィルム移動方向の幅を3cmとし
た。
厚み12μmのポリエチレンテレフタレートフィルム上
に直接Co−Cr垂直磁化膜を0.15μm形成し、磁気
テープを製造し、0.12μmのギャップ長を有するセ
ンダストリングヘッドにより、0.25μmの記録再生
を行い、再生出力を相対比較した。
に直接Co−Cr垂直磁化膜を0.15μm形成し、磁気
テープを製造し、0.12μmのギャップ長を有するセ
ンダストリングヘッドにより、0.25μmの記録再生
を行い、再生出力を相対比較した。
Cr は20.6wt%になるよう調整した。得られた垂直
磁化膜については磁気特性の他に結晶配向性をX線回析
法により調べ、ロッキング曲線の半値幅Δθ50で比較
した。
磁化膜については磁気特性の他に結晶配向性をX線回析
法により調べ、ロッキング曲線の半値幅Δθ50で比較
した。
主な製造条件と測定結果を次表にまとめて示した。
表より明らかなように、本発明の方法により製造された
磁気テープは、高周波スパッタリング法で得られたCo
−Cr垂直磁化膜のΔθ50とほぼ同等であり、記録再
生性能も同等であり、生産性については、約50倍の速
さである。
磁気テープは、高周波スパッタリング法で得られたCo
−Cr垂直磁化膜のΔθ50とほぼ同等であり、記録再
生性能も同等であり、生産性については、約50倍の速
さである。
また、本発明の方法によれば、ポリエチレンテレフタレ
ートフィルムを用いて、該フィルムを高温に保持しなく
ても600〔Oe〕以上の大きい抗磁力を得ることができ
る点、GeやTi等の下地を介さなくても直接、高分子フ
ィルム上にCo−Cr垂直磁化膜を形成して、十分高性能
な記録再生を実現できる点も特徴といえる。
ートフィルムを用いて、該フィルムを高温に保持しなく
ても600〔Oe〕以上の大きい抗磁力を得ることができ
る点、GeやTi等の下地を介さなくても直接、高分子フ
ィルム上にCo−Cr垂直磁化膜を形成して、十分高性能
な記録再生を実現できる点も特徴といえる。
なお、本実施例で用いたポリエチレンテレフタレートフ
ィルムの他にポリエチレンナフタレート,ポリアミド,
ポリイミド等でもよく、Co−Crの他にCo−Ti,Co
−Ru,Co−Mo,Co−W,Co−Ta,Co−Cr−N
b,Co−Cr−Rh等でもよい。
ィルムの他にポリエチレンナフタレート,ポリアミド,
ポリイミド等でもよく、Co−Crの他にCo−Ti,Co
−Ru,Co−Mo,Co−W,Co−Ta,Co−Cr−N
b,Co−Cr−Rh等でもよい。
また、必要であれば、下地層,軟磁性層と積層してもよ
い。
い。
さらに、垂直磁化膜でなくても、角型比の良好な強磁性
薄膜,Co−O,Co−Ni−Ni,Co−Ni−O,Co−
Fe−O膜等でもよい。
薄膜,Co−O,Co−Ni−Ni,Co−Ni−O,Co−
Fe−O膜等でもよい。
発明の効果 本発明の方法は上記したように、強磁性薄膜を形成する
際、該強磁性薄膜の誘導加熱とグロー放電の維持を誘導
磁界で同時に行うことにより、高分子フィルムを高温に
しなくても、結晶配向性の改良された大きい保磁力の強
磁性薄膜を高速で得ることができるといったすぐれた効
果がある。
際、該強磁性薄膜の誘導加熱とグロー放電の維持を誘導
磁界で同時に行うことにより、高分子フィルムを高温に
しなくても、結晶配向性の改良された大きい保磁力の強
磁性薄膜を高速で得ることができるといったすぐれた効
果がある。
図は本発明の方法を実施するために用いた蒸着装置の一
例の内部構成図である。 4……エンドレスベルト、7……誘導コイル、8……蒸
発源容器、10……遮蔽マスク。
例の内部構成図である。 4……エンドレスベルト、7……誘導コイル、8……蒸
発源容器、10……遮蔽マスク。
Claims (1)
- 【請求項1】長手方向に運動する高分子フィルム上に強
磁性薄膜を形成する際、該強磁性薄膜の誘導加熱とグロ
ー放電の維持を誘導磁界で同時に行うことを特徴とする
磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20921585A JPH0626021B2 (ja) | 1985-09-20 | 1985-09-20 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20921585A JPH0626021B2 (ja) | 1985-09-20 | 1985-09-20 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6267728A JPS6267728A (ja) | 1987-03-27 |
JPH0626021B2 true JPH0626021B2 (ja) | 1994-04-06 |
Family
ID=16569253
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP20921585A Expired - Lifetime JPH0626021B2 (ja) | 1985-09-20 | 1985-09-20 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0626021B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013506855A (ja) | 2009-10-05 | 2013-02-28 | ベーリンガー インゲルハイム マイクロパーツ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | マイクロフルイディック部品の接合方法及び接合部 |
-
1985
- 1985-09-20 JP JP20921585A patent/JPH0626021B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6267728A (ja) | 1987-03-27 |
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