JPS60246023A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法Info
- Publication number
- JPS60246023A JPS60246023A JP10222084A JP10222084A JPS60246023A JP S60246023 A JPS60246023 A JP S60246023A JP 10222084 A JP10222084 A JP 10222084A JP 10222084 A JP10222084 A JP 10222084A JP S60246023 A JPS60246023 A JP S60246023A
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- JP
- Japan
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- chamber
- sputtering
- film
- gas
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- Pending
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- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
ｆｉ） 産業上の利用分野
本発明は、スパッタリングプロセスを利用したフロッピ
ーディスクやビデオテープ等の磁気記録媒体の製造方法
に関するものである。
ーディスクやビデオテープ等の磁気記録媒体の製造方法
に関するものである。
に）従来技術
蒸着法等により形成した磁気テープの磁性薄膜上に５ｉ
０２．ＡＪ２０５等の保１１層を設け、耐剥離特性を向
上せしめてドロップアウト率の向上を計ること岐公知で
ある。
０２．ＡＪ２０５等の保１１層を設け、耐剥離特性を向
上せしめてドロップアウト率の向上を計ること岐公知で
ある。
また、ベースフィルム上に蒸着またはメッキされた磁性
薄膜上に酸化膜を形成し磁性層の多層化を計る目的で、
非磁性基板に磁性金属による磁性層を形成した後に、そ
の磁性−の表面を酸素ガスの放電中罠晒らすことにより
異質な胴となすと共に同様な繰返しで多層化することを
特徴とする磁気記録媒体の製造方法は、例えば特公昭５
７−５１３５公報等によって公知に属する。
薄膜上に酸化膜を形成し磁性層の多層化を計る目的で、
非磁性基板に磁性金属による磁性層を形成した後に、そ
の磁性−の表面を酸素ガスの放電中罠晒らすことにより
異質な胴となすと共に同様な繰返しで多層化することを
特徴とする磁気記録媒体の製造方法は、例えば特公昭５
７−５１３５公報等によって公知に属する。
しかし乍ら前者は保護膜の厚みが１ｏｏｏＸ以上ないと
保ｌ！！膜としての役割を果さず、高密度記録磁気記録
媒体に適用する場合には磁気ヘッドのギャップと記録媒
体間のスペーシングが必要以上に大きくなってしまい高
周波出力が低下するという問題を余儀なくされ、又後者
は既に形成された磁性膜の一部を酸化層などの変質層と
するために予め磁性層を相当の肉厚に形成するか、或は
多層構造にせざるを得ないという欠点を余儀なくされて
いた。
保ｌ！！膜としての役割を果さず、高密度記録磁気記録
媒体に適用する場合には磁気ヘッドのギャップと記録媒
体間のスペーシングが必要以上に大きくなってしまい高
周波出力が低下するという問題を余儀なくされ、又後者
は既に形成された磁性膜の一部を酸化層などの変質層と
するために予め磁性層を相当の肉厚に形成するか、或は
多層構造にせざるを得ないという欠点を余儀なくされて
いた。
（ハ）発明の目的
本発明は上述の従来例の諸欠点ＫＳみ、連続プロセスを
採用１７得、且つ保咥膜が比較的薄く高周波特性に影Ｗ
を与えぬ膜厚でも十分な耐ドロップアウト或は耐剥離性
能を維持し得る磁気記録媒体を製造し得る方法を提供す
るものである。
採用１７得、且つ保咥膜が比較的薄く高周波特性に影Ｗ
を与えぬ膜厚でも十分な耐ドロップアウト或は耐剥離性
能を維持し得る磁気記録媒体を製造し得る方法を提供す
るものである。
に）発明の構成
スパッタリングプロセスにより形成したフィルムペルス
上の強磁性金属薄膜上に、酸化ガス雰囲気中において１
強磁性金ＩＰ％をターゲットとしてスパッタリングを行
い、その酸化膜を重畳形成することを特徴とする磁気記
録媒体の製造方法。
上の強磁性金属薄膜上に、酸化ガス雰囲気中において１
強磁性金ＩＰ％をターゲットとしてスパッタリングを行
い、その酸化膜を重畳形成することを特徴とする磁気記
録媒体の製造方法。
（ホ）実施例
以下本発明の詳細をビデオテープ製造装置の模式図を示
す第１図乃至第６図を参照しつつ説明する。
す第１図乃至第６図を参照しつつ説明する。
＄１実施例
第１図において図番００１は真窒室を示す。この真９室
はスパッタリング遮蔽板１１１Ｇ２１によって不完全で
はあるが相当気密に分離された第１．第２小室圓のを備
える。各小室ｆ２１１１２３は共通の排気装置０３１に
よって排気されスパッタリングに必要な真ｑ度を確保さ
れる。前記第１小室ｃ２１）には供給ローラＣ３］］と
第１ガイドローク０ａを、第２小室のには巻取ローラ（
ハ）と第２ガイドローラＣ委をそれぞれ略対称的に配置
する。
はスパッタリング遮蔽板１１１Ｇ２１によって不完全で
はあるが相当気密に分離された第１．第２小室圓のを備
える。各小室ｆ２１１１２３は共通の排気装置０３１に
よって排気されスパッタリングに必要な真ｑ度を確保さ
れる。前記第１小室ｃ２１）には供給ローラＣ３］］と
第１ガイドローク０ａを、第２小室のには巻取ローラ（
ハ）と第２ガイドローラＣ委をそれぞれ略対称的に配置
する。
ビデオテープの累材となるＰＨ！Ｔ（ポリエチレンテレ
フタレート）等の樹脂製のフィルムベース（１）は、供
給ローラＣ３１１から′＠１ガイドローラ０４を経て前
記スパッタリング遮蔽板ｔｏｏｔｚ間の微小間隙ａ４を
通り抜け、更に＠２ガイドローラ（ロ）を経由して前記
巻取ローラ（ハ）に至るテープ移送装置によって低定速
で移送される。
フタレート）等の樹脂製のフィルムベース（１）は、供
給ローラＣ３１１から′＠１ガイドローラ０４を経て前
記スパッタリング遮蔽板ｔｏｏｔｚ間の微小間隙ａ４を
通り抜け、更に＠２ガイドローラ（ロ）を経由して前記
巻取ローラ（ハ）に至るテープ移送装置によって低定速
で移送される。
第１．第２ガイドローラ曽（至）は例示的に一対を示し
ているが１両ガイドローラＣ３３（ロ）間のフィルムベ
ースの平面度を確保し、更に＠１．第２小室間の気密性
を確保するために、前記遮蔽板ｕｔ１７Ｊの間隙Ｑ４の
近傍等に補助ローラを設けてもよい。（４１）は前記第
１小室Ｑυに不活性ガス（例えばＡｒ、Ｋｒ。
ているが１両ガイドローラＣ３３（ロ）間のフィルムベ
ースの平面度を確保し、更に＠１．第２小室間の気密性
を確保するために、前記遮蔽板ｕｔ１７Ｊの間隙Ｑ４の
近傍等に補助ローラを設けてもよい。（４１）は前記第
１小室Ｑυに不活性ガス（例えばＡｒ、Ｋｒ。
Ｘθ等）を導入する＄１給気装置、０２は前記第２小室
のに不活性ガス（Ａｒ％ｌ（ｒ、）（ｅ等）を導入する
第２給気装置％（４３は前記第２小室圓のみに酸化雰囲
気ガス（例えば酸素等）ｆ、給気する第５給気装置であ
る。前記第１小室（２１Ｊ中を定速移送されるフィルム
ベース（′Ｉ５の下面（外面）には、ターゲットをテー
プ下面に而して第１スパツタリ、ング装置（５１）ｉｔ
−配置し、同様に前記＠２小室の中前記微少間隙Ｉと＄
２ガイドロール（ロ）の間を定速移送されるフィルムベ
ース（′Ｉ５の下面（外面）には。
のに不活性ガス（Ａｒ％ｌ（ｒ、）（ｅ等）を導入する
第２給気装置％（４３は前記第２小室圓のみに酸化雰囲
気ガス（例えば酸素等）ｆ、給気する第５給気装置であ
る。前記第１小室（２１Ｊ中を定速移送されるフィルム
ベース（′Ｉ５の下面（外面）には、ターゲットをテー
プ下面に而して第１スパツタリ、ング装置（５１）ｉｔ
−配置し、同様に前記＠２小室の中前記微少間隙Ｉと＄
２ガイドロール（ロ）の間を定速移送されるフィルムベ
ース（′Ｉ５の下面（外面）には。
ターゲットをテープ下面に向けて第２スパツタリング装
置（５２）を配置する。
置（５２）を配置する。
前記１１に１．ＩＲ２スパッタリング装置（５１）（５
２）は、基本的に同じ構造をしている。
２）は、基本的に同じ構造をしている。
ターゲット（６１）（６２）は１例えばｏＯ（コバルト
）の強磁性ブロック（６５）（６４）！：磁化方がその
％以下の例えばＣｏ−０ｒ（コバルトクローム）の磁性
ブロック（６５）（６６）の積層板で形成されるターゲ
ツト板（６７）（６８）とその裏面に図示せる如く配置
される永久磁石（７１）（７２）（７５）、（７４）（
７５）（７６）及び支持板（７７）（７８）で構成され
。
）の強磁性ブロック（６５）（６４）！：磁化方がその
％以下の例えばＣｏ−０ｒ（コバルトクローム）の磁性
ブロック（６５）（６６）の積層板で形成されるターゲ
ツト板（６７）（６８）とその裏面に図示せる如く配置
される永久磁石（７１）（７２）（７５）、（７４）（
７５）（７６）及び支持板（７７）（７８）で構成され
。
前記ターゲツト板（６７）（６８）にはターゲットホル
ダ（５５）（ｓ４）を介して高圧の負電圧 ゛が供給さ
れる。前記ターゲットホルダと真９容器ａ〔の枠とは完
全に絶縁されている。
ダ（５５）（ｓ４）を介して高圧の負電圧 ゛が供給さ
れる。前記ターゲットホルダと真９容器ａ〔の枠とは完
全に絶縁されている。
この様な構成で第１小室圓中に第１給気装置（４υによ
りＡｒガスを供給し２０ｍ”１’ｏｒｒ程度の不活性ガ
ス雰囲気を形成し第２小室の中には第２．第３給気装置
１３ （４１によってそれぞれＡｒガス及びｏ２ガスを
供給してＡｒガｘ２ｍＴｏｒｒ（＋２ガｘＱ、５ｍＴｏ
ｒｒの雰囲気を形成する。この様な雰囲気中でフィルム
ベース（１）を５０儂／分程度の低定速で走行させつつ
ターゲットに５００Ｖ１０Ａ の負電圧を印加し乍らス
パッタリングを行うと、′＠１小室中においてｏｏ−ｏ
ｒのスパッタリング膜が略１０００〜！１０００Ｘ程度
以上の厚膜に形成される。続いて前記第２小室の中にお
いて第２スパツタリング装置（５２）のターゲツト板に
７００Ｖ（４Ａ）の負電圧を印加しつつスパッタリング
を行い少くとも＠１小室中で形成された磁化膜（Ｏｏ−
Ｏｒ）上に２０ＯＡ以上の酸化膜が形成される様にする
。
りＡｒガスを供給し２０ｍ”１’ｏｒｒ程度の不活性ガ
ス雰囲気を形成し第２小室の中には第２．第３給気装置
１３ （４１によってそれぞれＡｒガス及びｏ２ガスを
供給してＡｒガｘ２ｍＴｏｒｒ（＋２ガｘＱ、５ｍＴｏ
ｒｒの雰囲気を形成する。この様な雰囲気中でフィルム
ベース（１）を５０儂／分程度の低定速で走行させつつ
ターゲットに５００Ｖ１０Ａ の負電圧を印加し乍らス
パッタリングを行うと、′＠１小室中においてｏｏ−ｏ
ｒのスパッタリング膜が略１０００〜！１０００Ｘ程度
以上の厚膜に形成される。続いて前記第２小室の中にお
いて第２スパツタリング装置（５２）のターゲツト板に
７００Ｖ（４Ａ）の負電圧を印加しつつスパッタリング
を行い少くとも＠１小室中で形成された磁化膜（Ｏｏ−
Ｏｒ）上に２０ＯＡ以上の酸化膜が形成される様にする
。
第２実施例
次に、第２図を参照しつつ第２実施例について説明する
。この実施例では対抗ターゲット方式の第１．第２スパ
ツタリング装置（８１）（８２）を用いる。この装置は
各々一対のスパッタリングターゲット（８！１）（８４
）（８５）（８６）をスパッタリングすべき磁気テープ
（１）の被スパツタリング面に対して垂直で且つ磁気テ
ープ（１）の長手方向に直角に配置することを特徴とし
ており、各ターゲツト板は、ＱＯ−Ｏｒの平板で構成さ
れる。
。この実施例では対抗ターゲット方式の第１．第２スパ
ツタリング装置（８１）（８２）を用いる。この装置は
各々一対のスパッタリングターゲット（８！１）（８４
）（８５）（８６）をスパッタリングすべき磁気テープ
（１）の被スパツタリング面に対して垂直で且つ磁気テ
ープ（１）の長手方向に直角に配置することを特徴とし
ており、各ターゲツト板は、ＱＯ−Ｏｒの平板で構成さ
れる。
その他ｍ１、第２各小室１２１１１２２１の雰囲気等の
条件及び構成は′＠１実施例に準するので、同じ構成要
素に同じ符号を付しその説明を割愛する。
条件及び構成は′＠１実施例に準するので、同じ構成要
素に同じ符号を付しその説明を割愛する。
第３実施例
次に第６図を参照しつつ第３実施例について説明する。
この実施例においては給気装置として第２、第３給気装
置（４Ｈ３のみを備え、スパッタリング装置（９０）は
−基のみを備える。一対の供給。
置（４Ｈ３のみを備え、スパッタリング装置（９０）は
−基のみを備える。一対の供給。
巻取リールｏｎｅ３１とガイドローラ０り■デ構成され
るテープ移送装置は可逆移送可能とされる点で第１゜第
２実施例とは異る。
るテープ移送装置は可逆移送可能とされる点で第１゜第
２実施例とは異る。
この実施例では、排気装置ｔ１３１によって高真伊に保
たれた真９室■内に第２給気装置（、旬からＡｒガス全
導入して２３ ｍ ’ｌ’ｏｒｒの不活性ガス雰囲気を
作り、フィルムベース（１）を供給ロールｔ３１）から
巻取ロール０３に向けて５Ｑｃｍ／分の低定速で移送し
乍ら、スパッタリング装置Ｎ（９０）を作動せしめてフ
ィルムベースσ）上に強磁性スパッタ膜を形成する。
たれた真９室■内に第２給気装置（、旬からＡｒガス全
導入して２３ ｍ ’ｌ’ｏｒｒの不活性ガス雰囲気を
作り、フィルムベース（１）を供給ロールｔ３１）から
巻取ロール０３に向けて５Ｑｃｍ／分の低定速で移送し
乍ら、スパッタリング装置Ｎ（９０）を作動せしめてフ
ィルムベースσ）上に強磁性スパッタ膜を形成する。
一巻のフィルムベースのスパッタリングカ完了すると、
前記排気装置ｌｌ［３１を稼動して、Ａｒガス濃度を２
ｍ Ｔｏｒｒｉで下げると共に第６給気装置（４３を作
動せしめて、０２ガス濃度がＱ、５ｍＴＯｒｒとなる様
に調整する。次にテープ移送装置を逆転せしめ、５０（
１）７分の低定速度で巻取ロール（２）から供給ロール
３１Ｊに向けてフィルムベースｃ′ｒ）を走行しつつ、
スパッタリング装置（９ｏ）を作動せしめ。
前記排気装置ｌｌ［３１を稼動して、Ａｒガス濃度を２
ｍ Ｔｏｒｒｉで下げると共に第６給気装置（４３を作
動せしめて、０２ガス濃度がＱ、５ｍＴＯｒｒとなる様
に調整する。次にテープ移送装置を逆転せしめ、５０（
１）７分の低定速度で巻取ロール（２）から供給ロール
３１Ｊに向けてフィルムベースｃ′ｒ）を走行しつつ、
スパッタリング装置（９ｏ）を作動せしめ。
既に形成されている強磁性スパッタ膜の上にＣ。
−Ｏｒの酸化膜を形成する。いずれの実施例においても
この酸化膜の膜厚は２ｏｏＸ以上とする。
この酸化膜の膜厚は２ｏｏＸ以上とする。
この膜厚は強磁性スパッタ膜５０００Ｘの上に形成され
る酸化膜の厚みをパラメータ（０，１００Ａ、２００大
、５ＱＱＸ）とする試料テープを用意し、各テープの耐
摩耗性をＪＩＳ Ｋ５４０１の「塗膜用鉛筆引かき試験
機」を用いて肝価し九下記の結果に基づいて決定した。
る酸化膜の厚みをパラメータ（０，１００Ａ、２００大
、５ＱＱＸ）とする試料テープを用意し、各テープの耐
摩耗性をＪＩＳ Ｋ５４０１の「塗膜用鉛筆引かき試験
機」を用いて肝価し九下記の結果に基づいて決定した。
記
伊し、鉛筆硬度 ５Ｈ
Ｏ・・・変化なし、△・・・一部剥離、×・・・刺着（
へ）発明の効果 １等の磁気記録媒体が連続プロセスで形成し得る。
へ）発明の効果 １等の磁気記録媒体が連続プロセスで形成し得る。
図面はいずれも本発明に係り、第１図は第１実施例を示
す装置図、第２図は第２実施例を示す装置図、第３図は
第３実施例を示す装置図である。 （２１）（燭・・・第１、第２小室、（４ｍ）（４２）
（ロ））・・・第１、第２・第３給気装置、（５１）（
財）・・・４＄１、￥Ｊ２スパッタリング装置、（８１
）・・・供給ロール、（８Ｂ）・・・巻取ロール。 出願人 三洋電機株式会社 代理人 弁理士 佐 野 静 夫
す装置図、第２図は第２実施例を示す装置図、第３図は
第３実施例を示す装置図である。 （２１）（燭・・・第１、第２小室、（４ｍ）（４２）
（ロ））・・・第１、第２・第３給気装置、（５１）（
財）・・・４＄１、￥Ｊ２スパッタリング装置、（８１
）・・・供給ロール、（８Ｂ）・・・巻取ロール。 出願人 三洋電機株式会社 代理人 弁理士 佐 野 静 夫
Claims (1)
- （１） 不活性ガス雰囲気中で強磁性金属をターゲット
としてスパッタリングを行い、フィルムベース上圧前記
強磁性金属の薄膜を形成し、その後酸素雰囲気中におい
て前記フィルムベースの薄膜上に前記強磁性金属をター
ゲットとしてスパッタリングを行い、その酸化膜を重畳
形成することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10222084A JPS60246023A (ja) | 1984-05-21 | 1984-05-21 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10222084A JPS60246023A (ja) | 1984-05-21 | 1984-05-21 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60246023A true JPS60246023A (ja) | 1985-12-05 |
Family
ID=14321578
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10222084A Pending JPS60246023A (ja) | 1984-05-21 | 1984-05-21 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60246023A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5328631A (en) * | 1976-08-30 | 1978-03-17 | Dainippon Toryo Co Ltd | Dispersible compositions for coating metals |
-
1984
- 1984-05-21 JP JP10222084A patent/JPS60246023A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5328631A (en) * | 1976-08-30 | 1978-03-17 | Dainippon Toryo Co Ltd | Dispersible compositions for coating metals |
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