JPS63136322A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法Info
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- JPS63136322A JPS63136322A JP28297286A JP28297286A JPS63136322A JP S63136322 A JPS63136322 A JP S63136322A JP 28297286 A JP28297286 A JP 28297286A JP 28297286 A JP28297286 A JP 28297286A JP S63136322 A JPS63136322 A JP S63136322A
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Landscapes
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は蒸着法により形成された強磁性金属薄膜を磁気
記録層とする磁気記録媒体の製造方法に関するもので、
さらに詳しくは出力変動特性訃よびノイズ特性にすぐれ
る強磁性金属薄膜型磁気記録媒体の製造方法に関する。
記録層とする磁気記録媒体の製造方法に関するもので、
さらに詳しくは出力変動特性訃よびノイズ特性にすぐれ
る強磁性金属薄膜型磁気記録媒体の製造方法に関する。
従来より磁気記録媒体としては、非磁性支持体上にT−
Fe203、COをドープしfcr−Fe203、Fe
3O4、CoをドープしたF e 304、r Fe
2O3とFe3O4のベルトライド化合物、CrO2等
の磁性粉末あるいは強磁性合金粉末等を塩化ビニル−酢
酸ビニル共重合体、スチレン−ブタジェン共重合体、エ
ポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂等の有機バインダー中に
分散せしめたものを塗布し乾燥させる塗布型のものが広
く便用されてきている。
Fe203、COをドープしfcr−Fe203、Fe
3O4、CoをドープしたF e 304、r Fe
2O3とFe3O4のベルトライド化合物、CrO2等
の磁性粉末あるいは強磁性合金粉末等を塩化ビニル−酢
酸ビニル共重合体、スチレン−ブタジェン共重合体、エ
ポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂等の有機バインダー中に
分散せしめたものを塗布し乾燥させる塗布型のものが広
く便用されてきている。
近年高密度記録への要求の高まりと共に真空蒸着、スノ
ξツタリング、イオンブレーティング等のペーパーデポ
ジション法あるいは電気メッキ、無電解メッキ等のメッ
キ法により形成される強磁性金属薄膜を磁気記録層とす
る、バインダーを使用しない、いわゆる金属薄膜型磁気
記録媒体が注目を浴びておシ実用化への努力が種々行な
われている。
ξツタリング、イオンブレーティング等のペーパーデポ
ジション法あるいは電気メッキ、無電解メッキ等のメッ
キ法により形成される強磁性金属薄膜を磁気記録層とす
る、バインダーを使用しない、いわゆる金属薄膜型磁気
記録媒体が注目を浴びておシ実用化への努力が種々行な
われている。
従来の塗布型の磁気記録媒体では主として強磁性金属よ
り飽和磁化の小さい金W4e化物を磁性材料として使用
しているため、高密度記録に必要な薄形化が信号出力の
低下をもたらすため限界にきており、かつその製造工程
も複雑で、溶剤回収あるいは公害防止のための大きな附
帯設備を要するという欠点を有している。金属薄膜型の
磁気記録媒体では上記酸化物よシ大きな飽和磁化を有す
る強磁性金属をバインダーの如き非磁性物質を含有しな
い状態で薄膜として形成せしめる九め、高密度記録化の
ために超薄形にできるという利点を有し、しかもその製
造工程はl@単である。
り飽和磁化の小さい金W4e化物を磁性材料として使用
しているため、高密度記録に必要な薄形化が信号出力の
低下をもたらすため限界にきており、かつその製造工程
も複雑で、溶剤回収あるいは公害防止のための大きな附
帯設備を要するという欠点を有している。金属薄膜型の
磁気記録媒体では上記酸化物よシ大きな飽和磁化を有す
る強磁性金属をバインダーの如き非磁性物質を含有しな
い状態で薄膜として形成せしめる九め、高密度記録化の
ために超薄形にできるという利点を有し、しかもその製
造工程はl@単である。
高密度化につれて記録再生磁気ヘッドのギャップ長も/
、0μm以下のものを便用するようになってきているが
、それに伴って磁気記録層への記録深さも浅くなる傾向
があり、磁性膜の厚み全部が磁気信号の記録に利用され
得る金属薄膜型磁気記録媒体は高出力高密度記録媒体と
して極めてすぐれている。
、0μm以下のものを便用するようになってきているが
、それに伴って磁気記録層への記録深さも浅くなる傾向
があり、磁性膜の厚み全部が磁気信号の記録に利用され
得る金属薄膜型磁気記録媒体は高出力高密度記録媒体と
して極めてすぐれている。
金属薄膜型磁気記録媒体の製造方法において、特に真空
蒸着による方法はメッキの場合のような排液処理を必要
とせず製造工程も簡単で膜の析出速度も大きくできるた
め非常にメリットが大きい。
蒸着による方法はメッキの場合のような排液処理を必要
とせず製造工程も簡単で膜の析出速度も大きくできるた
め非常にメリットが大きい。
真空蒸着により望ましい抗磁力および角型性を有する磁
性膜を製造する方法としては、米国特許3゜3≠λ、6
32号、同3.3≠コ、633号等に述べられている斜
め蒸着法が知られている。さらに近年従来の長手方向記
録用に代って例えば米国特許≠、≠77、≠Irt号に
開示されているような垂直方向記録用金属薄膜型磁気記
録媒体も提案されている。
性膜を製造する方法としては、米国特許3゜3≠λ、6
32号、同3.3≠コ、633号等に述べられている斜
め蒸着法が知られている。さらに近年従来の長手方向記
録用に代って例えば米国特許≠、≠77、≠Irt号に
開示されているような垂直方向記録用金属薄膜型磁気記
録媒体も提案されている。
真空蒸着法により強磁性薄膜を工業的規模で製造する上
で最もすぐれた方法の一つとして電子ビーム加熱による
真空蒸着法がある。従来、この電子ビーム加熱による真
空蒸着法においては、半導体工業を中心として水冷鋼ハ
ースが蒸発源用ルツボとして用いられている。しかし、
水冷銅ハースを用いt場合、金属あるいは合金の熔融体
への不純物の混入がないという特徴は有するものの、磁
気記録媒体の製造に用いられる高融点金属の大容量高速
蒸発には不適当であった。
で最もすぐれた方法の一つとして電子ビーム加熱による
真空蒸着法がある。従来、この電子ビーム加熱による真
空蒸着法においては、半導体工業を中心として水冷鋼ハ
ースが蒸発源用ルツボとして用いられている。しかし、
水冷銅ハースを用いt場合、金属あるいは合金の熔融体
への不純物の混入がないという特徴は有するものの、磁
気記録媒体の製造に用いられる高融点金属の大容量高速
蒸発には不適当であった。
そこで真空蒸着法による磁気記録媒体製造用蒸発源とし
てはヨーロッパ特許4LjAμ≠号、特開昭jJ−/J
5FJ、2P号、特開昭1G/−792O3j号に酸化
マグネシウムを主成分とする蒸発源用ルツボ、あるいは
待開昭rr−irri3r号に酸化ジルコニウムを主成
分とする蒸発源用ルツボが開示されている。さらに蒸発
源用ルツボとしてはBed、At203、Si3N4、
BN、 Th02等が検討されてきている。
てはヨーロッパ特許4LjAμ≠号、特開昭jJ−/J
5FJ、2P号、特開昭1G/−792O3j号に酸化
マグネシウムを主成分とする蒸発源用ルツボ、あるいは
待開昭rr−irri3r号に酸化ジルコニウムを主成
分とする蒸発源用ルツボが開示されている。さらに蒸発
源用ルツボとしてはBed、At203、Si3N4、
BN、 Th02等が検討されてきている。
しかしながら従来のルツボを使用して長尺の磁気記録媒
体を製造する場合、得られた磁気記録媒体の出力変動が
犬きか′)次υ、ノイズが大きかったシして改良が望ま
れていた。
体を製造する場合、得られた磁気記録媒体の出力変動が
犬きか′)次υ、ノイズが大きかったシして改良が望ま
れていた。
本発明の目的は、上記の欠点の改良された磁気記録媒体
、すなわち出力変動胃性およびノイズ特性にすぐれる磁
気記録媒体を真空蒸着法により製造する方法を提供する
ことにある。
、すなわち出力変動胃性およびノイズ特性にすぐれる磁
気記録媒体を真空蒸着法により製造する方法を提供する
ことにある。
前記問題点は下記の方法を行うことにより解決される。
すなわち、本発明は、真空下において強磁性金属又は合
金を電子ビーム加熱により熔融蒸発させ、蒸気流を基体
へ差し向け強磁性薄膜を形成させることにより磁気記録
媒体を製造する方法において、該金属又は合金の熔融物
を保持するルツボが酸化カルシウム(CaO)を主成分
とすることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法、であ
る。
金を電子ビーム加熱により熔融蒸発させ、蒸気流を基体
へ差し向け強磁性薄膜を形成させることにより磁気記録
媒体を製造する方法において、該金属又は合金の熔融物
を保持するルツボが酸化カルシウム(CaO)を主成分
とすることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法、であ
る。
本発明においてルツボはりOチ以上の酸化カルシウム(
CaO)、好ましくは11以上の酸化カルシウム(Ca
O)から構成されるものである。
CaO)、好ましくは11以上の酸化カルシウム(Ca
O)から構成されるものである。
上記ルツボ中に含着れる他の成分はとくに限定されない
が、S i02、M g 01At203などが好まし
い。
が、S i02、M g 01At203などが好まし
い。
第1図は本発明による製造方法全実施する次めの装置の
一例を示している。真空槽lの内部は上室コと下室3に
分離されておりそれぞれ排気口3、弘により独立に真空
排気されるようになっている。
一例を示している。真空槽lの内部は上室コと下室3に
分離されておりそれぞれ排気口3、弘により独立に真空
排気されるようになっている。
上室λには送出しロールよと巻取りロールtが配設され
ており上室λと下室3の間には円筒キャン7と隔壁rX
!Pが設けられている。送出しロール!から出た基体
10は円筒キャン7に沿って下室3内を移動後上室コに
戻って巻取りロール乙に巻取られるようになっている。
ており上室λと下室3の間には円筒キャン7と隔壁rX
!Pが設けられている。送出しロール!から出た基体
10は円筒キャン7に沿って下室3内を移動後上室コに
戻って巻取りロール乙に巻取られるようになっている。
下室3には酸化カルシウム(CaO)を主成分とするル
ツボ//、/コが配設されており、各ルツボ″//X
IZにチャージされた蒸着母材/3、/≠はそれぞれ電
子銃l!、/6からの電子ビーム/7、/Iより加熱さ
れ蒸発する。その蒸気流は円筒キャン7に沿って移動す
る基体IOに達し強磁性薄膜として形成される。円筒状
キャ/7の近傍にはマスクlり、20が円筒状キャン7
の面に沿って移動可であるように設けられている。マス
クlり、20を所望の位置へ移動してセットすることに
よりルツボ//、12よシ飛来する蒸気流の所望の入射
角成分のみを円筒状キャン7に沿って搬送される基体I
Q上に蒸着せしめることができる。真空槽lには窒素イ
オン等を照射せしめイオン化蒸着を行なうためのイオン
銃21.下室3内に酸素ガス、炭酸ガス等を導入する念
めのガス導入管コλが設けられている。
ツボ//、/コが配設されており、各ルツボ″//X
IZにチャージされた蒸着母材/3、/≠はそれぞれ電
子銃l!、/6からの電子ビーム/7、/Iより加熱さ
れ蒸発する。その蒸気流は円筒キャン7に沿って移動す
る基体IOに達し強磁性薄膜として形成される。円筒状
キャ/7の近傍にはマスクlり、20が円筒状キャン7
の面に沿って移動可であるように設けられている。マス
クlり、20を所望の位置へ移動してセットすることに
よりルツボ//、12よシ飛来する蒸気流の所望の入射
角成分のみを円筒状キャン7に沿って搬送される基体I
Q上に蒸着せしめることができる。真空槽lには窒素イ
オン等を照射せしめイオン化蒸着を行なうためのイオン
銃21.下室3内に酸素ガス、炭酸ガス等を導入する念
めのガス導入管コλが設けられている。
本発明において真空蒸着とは一気圧以下の圧力の気体中
で膜として形成せしめようとする物質を加熱熔融させて
蒸発させ、その蒸気をそのまま、あるいは少なくとも一
部をイオン化させて基体へさし向け基体上に膜として形
成させる方法を指すものである。合金あるいは化合物を
含む磁性薄膜を形成する場合には、構成材料を各個独立
に蒸発せしめ基体上で合金あるいは化合物として析出さ
せる方法、あるいは磁性金属材料を加熱熔融蒸発せしめ
ると同時に所望のガスを真空槽中に導入せしめそれらの
反応生成物を薄膜として形成させる方法、あるいは磁性
金属材料を加熱熔融して蒸発せしめると同時に、イオン
ビームを基体へ差し向け化合物を含む磁性薄膜を形成さ
せる方法も取り得るものである。
で膜として形成せしめようとする物質を加熱熔融させて
蒸発させ、その蒸気をそのまま、あるいは少なくとも一
部をイオン化させて基体へさし向け基体上に膜として形
成させる方法を指すものである。合金あるいは化合物を
含む磁性薄膜を形成する場合には、構成材料を各個独立
に蒸発せしめ基体上で合金あるいは化合物として析出さ
せる方法、あるいは磁性金属材料を加熱熔融蒸発せしめ
ると同時に所望のガスを真空槽中に導入せしめそれらの
反応生成物を薄膜として形成させる方法、あるいは磁性
金属材料を加熱熔融して蒸発せしめると同時に、イオン
ビームを基体へ差し向け化合物を含む磁性薄膜を形成さ
せる方法も取り得るものである。
本発明における強磁性金W4薄膜としては、鉄、コバル
ト、ニッケルその他の強磁性金属、あるいはFe−Co
、 Fe−Ni、 Co−Ni、 Fe−Co −Ni
、Fe−RhXCo−P、Co−B、Co−Cu。
ト、ニッケルその他の強磁性金属、あるいはFe−Co
、 Fe−Ni、 Co−Ni、 Fe−Co −Ni
、Fe−RhXCo−P、Co−B、Co−Cu。
Co−Zn、Co−Y、Co−La、Co−Ce、C。
−PrXCo−Gd、Co−8m、Co−Pt、Co−
MnXFe−Gd、Fe−Tb、Fe−CrXCo−C
rXNi−Cr、Fe−Co−Cr、Ni−Co−Cr
。
MnXFe−Gd、Fe−Tb、Fe−CrXCo−C
rXNi−Cr、Fe−Co−Cr、Ni−Co−Cr
。
Fe−Ni−Cr、 Fe−Co−Ni−Cr、 Co
−Ni−NdXCo−Ni−Ce、Co−Ni−Zn、
Co−N i −Cu、 Co −N i −W、 C
o −N 1−Re等の強磁性合金を真空蒸着方法によ
って薄膜状に形成するもので、その膜厚としては磁気記
録媒体として使用する場合0.0λ〜−μmの範囲であ
シ、詩に0.0!〜0.4Aμmの範囲が望ましい。上
記の強磁性金属薄膜は他に0、NS CXG a 、
A S %5rXZr、NbXMo、Sn、Sb、Te
、Os。
−Ni−NdXCo−Ni−Ce、Co−Ni−Zn、
Co−N i −Cu、 Co −N i −W、 C
o −N 1−Re等の強磁性合金を真空蒸着方法によ
って薄膜状に形成するもので、その膜厚としては磁気記
録媒体として使用する場合0.0λ〜−μmの範囲であ
シ、詩に0.0!〜0.4Aμmの範囲が望ましい。上
記の強磁性金属薄膜は他に0、NS CXG a 、
A S %5rXZr、NbXMo、Sn、Sb、Te
、Os。
Ir、Au、AgXPbXB1等を含有しても良い。
本発明に用いられる基体としては、ポリエチレンテレフ
タレート、ポリイミド、ポリアミド、ポリ塩化ビニル、
三酢酸セルロース、ポリカーボネート、ポリエチレンナ
フタレート、ポリフェニレンサルファイド等のプラスチ
ックベース、ま次はA t % T l sおよびこれ
らの合金、ステンレス鋼である。
タレート、ポリイミド、ポリアミド、ポリ塩化ビニル、
三酢酸セルロース、ポリカーボネート、ポリエチレンナ
フタレート、ポリフェニレンサルファイド等のプラスチ
ックベース、ま次はA t % T l sおよびこれ
らの合金、ステンレス鋼である。
本発明に用いられる電子ビーム加熱の九めの電子銃とし
ては熱陰極電子銃、電界放出電子銃、プラズマ電子銃等
があるが、待に好ましいのはピアス型電子銃に代表され
る高いパービアンス型熱陰極電子銃である。電子ビーム
の加速電圧は電子銃の型式、必要とされる蒸発速度等に
よって異なるが、ピアス型電子銃を用いる場合にはjk
V−/j OkV 、好ましくは/Qkv〜!Okvで
ある。
ては熱陰極電子銃、電界放出電子銃、プラズマ電子銃等
があるが、待に好ましいのはピアス型電子銃に代表され
る高いパービアンス型熱陰極電子銃である。電子ビーム
の加速電圧は電子銃の型式、必要とされる蒸発速度等に
よって異なるが、ピアス型電子銃を用いる場合にはjk
V−/j OkV 、好ましくは/Qkv〜!Okvで
ある。
次に実施例をもって本発明を具体的に説明するが本発明
はこれらに限定されるものではない。
はこれらに限定されるものではない。
実施例1゜
第1図に示した蒸着装置により、基体IOとして/2.
jtμm厚のポリエチレンテレフタレートフィルムを用
いCoNi合金母材(Ni/よwt慢)を蒸発させ厚み
2000Aの磁性薄膜を形成させ友。CoNi合金母材
が純度り1%の酸化カルシウム(Ca O)ルツボ//
にチャージされ、ピアス型電子銃l!からの電子ビーム
/7により加熱される。電子ビームの加速電圧は/≠k
Vとし、ガス導入管22より酸素ガスを導入し、下室3
の圧力が7X10 ’Torrとなる状態にて蒸着を行
なった。円筒キャン7に沿って移動する基体IOヘルツ
ボ/lから入射角I/−Qo以上の蒸気流のみが到達す
るようにマスクlりをセットじ念。こうしてポリエチレ
ンテレフタレートフィルム基体10上に連続蒸着を行な
って得次長尺テープサンプルを試料人とする。
jtμm厚のポリエチレンテレフタレートフィルムを用
いCoNi合金母材(Ni/よwt慢)を蒸発させ厚み
2000Aの磁性薄膜を形成させ友。CoNi合金母材
が純度り1%の酸化カルシウム(Ca O)ルツボ//
にチャージされ、ピアス型電子銃l!からの電子ビーム
/7により加熱される。電子ビームの加速電圧は/≠k
Vとし、ガス導入管22より酸素ガスを導入し、下室3
の圧力が7X10 ’Torrとなる状態にて蒸着を行
なった。円筒キャン7に沿って移動する基体IOヘルツ
ボ/lから入射角I/−Qo以上の蒸気流のみが到達す
るようにマスクlりをセットじ念。こうしてポリエチレ
ンテレフタレートフィルム基体10上に連続蒸着を行な
って得次長尺テープサンプルを試料人とする。
一方ルツボ/lとして従来よシ使用されてる純度り1%
のアルミナ(At203)ルツボを用い、その他の条件
を同じにして作製したサンプルを試料Bとする。
のアルミナ(At203)ルツボを用い、その他の条件
を同じにして作製したサンプルを試料Bとする。
こうして得られ念テープ原反tIrwx幅にスリン)L
rm聾VTR(富士写真フィルム■:FUJIX−4M
A)で/MHzの信号の再生出力変動を調べた。さらに
変調ノイズとして!MHzの信号を記録し再生し次場合
の44 M Hzでのノイズ出力を調べ念。結果は第1
表に示すごとくであつ友。
rm聾VTR(富士写真フィルム■:FUJIX−4M
A)で/MHzの信号の再生出力変動を調べた。さらに
変調ノイズとして!MHzの信号を記録し再生し次場合
の44 M Hzでのノイズ出力を調べ念。結果は第1
表に示すごとくであつ友。
第1表
さらにルツボを繰返し使用してテープサンプルを作製し
ていつ九場合、酸化カルシウム(CaO)ルツボでは再
生出力変動、ノイズが劣化することがないが、アルミナ
(At203)ルツボでは再生出力変動、ノイズが第1
表に示された値より徐々に劣化するのが認められた。
ていつ九場合、酸化カルシウム(CaO)ルツボでは再
生出力変動、ノイズが劣化することがないが、アルミナ
(At203)ルツボでは再生出力変動、ノイズが第1
表に示された値より徐々に劣化するのが認められた。
実施例2゜
第1図に示し九蒸着装置を用いてCoCr磁性薄膜(C
r/Jrwt%)を形成させた。基体i。
r/Jrwt%)を形成させた。基体i。
としては2!μm厚のポリイミドフィルムを用い純度り
r、zsの酸化カルシウムルツボl/、/λにそれぞれ
Co、Crをチャージし、電子銃l!1/1からの電子
ビーム/7、/lrにより独立に加熱することによ、9
CoCrO共蒸着を行なつた。電子ビーム/7、/rの
加速電圧は、2jkVとし、マスク/り、λOの設定に
よりCoおよびCrの蒸気流の円筒キャン7上の基体I
Oに対する入射角が200以下となるようにして膜厚3
QOOAの磁性薄膜を形成させた。蒸着時の圧力はrx
io Torrとし、円筒キャン7の表面温度をi
io 0cに維持して連続蒸着を行ない長尺テープサン
プルを得次。こうして得られたサンプルを試料Cとする
。
r、zsの酸化カルシウムルツボl/、/λにそれぞれ
Co、Crをチャージし、電子銃l!1/1からの電子
ビーム/7、/lrにより独立に加熱することによ、9
CoCrO共蒸着を行なつた。電子ビーム/7、/rの
加速電圧は、2jkVとし、マスク/り、λOの設定に
よりCoおよびCrの蒸気流の円筒キャン7上の基体I
Oに対する入射角が200以下となるようにして膜厚3
QOOAの磁性薄膜を形成させた。蒸着時の圧力はrx
io Torrとし、円筒キャン7の表面温度をi
io 0cに維持して連続蒸着を行ない長尺テープサン
プルを得次。こうして得られたサンプルを試料Cとする
。
一方ルツボii、tsとして従来より使用されている純
度りt、1%のマグネシア(M g O)ルツボを用い
、その他の条件を同じにして作製し友サンプルを試料り
とする。
度りt、1%のマグネシア(M g O)ルツボを用い
、その他の条件を同じにして作製し友サンプルを試料り
とする。
実施例/と同様にして再生出力変動およびノイズを測定
し次ところ第−表に示すような結果であった。
し次ところ第−表に示すような結果であった。
第2表
実施例3゜
第1図に示した蒸着装置を用いてFe−N磁性薄膜を1
0μm厚ポリエチレンテレフタレートフィルム上に形成
した。純度り1%の酸化カルシウム(CaO)ルツボl
/にFeをチャージし、ピアス型電子銃/jからの加速
電圧j OkVの電子ビーム17により加熱し蒸発せし
めた。マスクlりにより最低入射角を700に規制し、
イオン銃コlより窒素イオンビームを円筒キャン7に沿
って移動する基体IOに照射しFe−N磁性薄膜を厚み
λooohとなるよう形成した。こうして得られ次長尺
サンプルを試料Eとする。
0μm厚ポリエチレンテレフタレートフィルム上に形成
した。純度り1%の酸化カルシウム(CaO)ルツボl
/にFeをチャージし、ピアス型電子銃/jからの加速
電圧j OkVの電子ビーム17により加熱し蒸発せし
めた。マスクlりにより最低入射角を700に規制し、
イオン銃コlより窒素イオンビームを円筒キャン7に沿
って移動する基体IOに照射しFe−N磁性薄膜を厚み
λooohとなるよう形成した。こうして得られ次長尺
サンプルを試料Eとする。
一方ルツボ//として従来より便用されている純度り1
%のマグネシア(MgO)ルツボを用い、その他の条件
を同じにして作製し念サンプルを試料Fとする。
%のマグネシア(MgO)ルツボを用い、その他の条件
を同じにして作製し念サンプルを試料Fとする。
実施例/と同様にして再生出力変動およびノイズを測定
し友ところ第3表のような結果であった。
し友ところ第3表のような結果であった。
第3表
上の実施例から明らかなように酸化カルシウム(CaO
)を主成分とするルツボを用いて電子ビーム加熱により
強磁性材料を熔融蒸発して製造される磁気記録媒体は出
力変動特性およびノイズ置注にすぐれるものである。
)を主成分とするルツボを用いて電子ビーム加熱により
強磁性材料を熔融蒸発して製造される磁気記録媒体は出
力変動特性およびノイズ置注にすぐれるものである。
このように本発明の方法によれば再生出力変動特性およ
びノイズ置注にすぐれる蒸着型磁気記録媒体を製造でき
るもので蒸着型磁気記録媒体の実用化の上でメリットが
大きい。
びノイズ置注にすぐれる蒸着型磁気記録媒体を製造でき
るもので蒸着型磁気記録媒体の実用化の上でメリットが
大きい。
第1図は本発明による磁気記録媒体の製造方法を実施す
るための装置の一例を概略的に示している。 /・・・真空槽 /7、/、1’・・・電子
ピームコ・・・上室 lり、20・・・マ
スク3・・・下室 2/・・・イオン銃!
・・・送出しロール 2コ・・・ガス導入管乙・・
・巻取りロール 7・・・円筒キャン 10・・・基体 //、/、2・・・ルツボ /J、/l・・・電子銃
るための装置の一例を概略的に示している。 /・・・真空槽 /7、/、1’・・・電子
ピームコ・・・上室 lり、20・・・マ
スク3・・・下室 2/・・・イオン銃!
・・・送出しロール 2コ・・・ガス導入管乙・・
・巻取りロール 7・・・円筒キャン 10・・・基体 //、/、2・・・ルツボ /J、/l・・・電子銃
Claims (1)
- (1)真空下において強磁性金属又は合金を電子ビーム
加熱により熔融蒸発させ、蒸気流を基体へ差し向け強磁
性薄膜を形成させることにより磁気記録媒体を製造する
方法において、該金属又は合金の熔融物を保持するルツ
ボが酸化カルシウム(CaO)を主成分とすることを特
徴とする磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28297286A JPS63136322A (ja) | 1986-11-27 | 1986-11-27 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28297286A JPS63136322A (ja) | 1986-11-27 | 1986-11-27 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63136322A true JPS63136322A (ja) | 1988-06-08 |
Family
ID=17659519
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP28297286A Pending JPS63136322A (ja) | 1986-11-27 | 1986-11-27 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63136322A (ja) |
-
1986
- 1986-11-27 JP JP28297286A patent/JPS63136322A/ja active Pending
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