JPS62112005A - 形状測定方法 - Google Patents
形状測定方法Info
- Publication number
- JPS62112005A JPS62112005A JP25306985A JP25306985A JPS62112005A JP S62112005 A JPS62112005 A JP S62112005A JP 25306985 A JP25306985 A JP 25306985A JP 25306985 A JP25306985 A JP 25306985A JP S62112005 A JPS62112005 A JP S62112005A
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- JP
- Japan
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- pattern
- detector
- sample surface
- elevation angle
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- Pending
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- Length-Measuring Devices Using Wave Or Particle Radiation (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は微細加工により形成されたノ４ターンの形状測
定方法に関するものである。
定方法に関するものである。
従来、微細加工により形成された・ぐターン上に電子線
を走査し、検出器により反射電子を検出し、検出器出力
信号からパターンの形状を測定するに際して前記検出器
を試料面からの仰角９０″の位置Ｋｅいて測定を行りて
いた。
を走査し、検出器により反射電子を検出し、検出器出力
信号からパターンの形状を測定するに際して前記検出器
を試料面からの仰角９０″の位置Ｋｅいて測定を行りて
いた。
しかしながら、この方法によるときは強度の小さい信号
しか得られず、したがって、・苧ターン形状の測定精度
に限界があり、これを補うために電子ビームの電流値を
上げるなどの方法によって行わざるを得す、試料が汚染
され、また損傷を受けるという問題があった。
しか得られず、したがって、・苧ターン形状の測定精度
に限界があり、これを補うために電子ビームの電流値を
上げるなどの方法によって行わざるを得す、試料が汚染
され、また損傷を受けるという問題があった。
本発明は試料面に対する検出器の関係位ｊｕを規制して
信号強度を増大させることにより上記問題点を解消する
方法を提供するものである。
信号強度を増大させることにより上記問題点を解消する
方法を提供するものである。
すなわち、本発明は、基体上に混在する凸形及び凹形の
・マターン上に電子線を走査し、検出器により反射電子
を検出し、検出器出力信号からパターンの形状を測定す
る方法において、前記検出器を凸形及び凹形ノ４／ター
ンを有する試料面からの仰角３０’から６０°の間と仰
角３０°以下との２箇所の位置に置いて測定を行うこと
を特徴とする形状測定方法である。
・マターン上に電子線を走査し、検出器により反射電子
を検出し、検出器出力信号からパターンの形状を測定す
る方法において、前記検出器を凸形及び凹形ノ４／ター
ンを有する試料面からの仰角３０’から６０°の間と仰
角３０°以下との２箇所の位置に置いて測定を行うこと
を特徴とする形状測定方法である。
試料・ぐターンからの反射電子信号に基づいて・９ター
ンの形状を測定する場合、信号に含まれる雑音が測定結
果の誤差要因となる。従って、雑音に対する信号強度を
大きくすることが必要となる。
ンの形状を測定する場合、信号に含まれる雑音が測定結
果の誤差要因となる。従って、雑音に対する信号強度を
大きくすることが必要となる。
第２図は試料面からの仰角Ｏ０から３０°をカバーする
ように検出器を置いた場合の凸形パターンからの反射電
子信号のシミュレーション結果である。
ように検出器を置いた場合の凸形パターンからの反射電
子信号のシミュレーション結果である。
また、第３図は試料面からの仰角３０°から６０°をカ
バーするように検出器を置いた場合の第２図と同じ・リ
ーンからの反射電子信号のシミュレーション結果である
。また、第４図は試料面からの仰角６０°から９０ｃ′
をカバーするように検出器を置いた場合の第２図と同じ
パターンからの反射電子信号のシミュレーション結果で
ある。第２図と第３図、第４図とを比較すると第２図が
最も信号強度の大きいことがわかる。従って、凸形ツク
ターンの形状を測定する場合、検出器を試料面からの仰
角Ｏｃ′から３０°の間に置くことによって強度の大き
い信号を得ることができる。
バーするように検出器を置いた場合の第２図と同じ・リ
ーンからの反射電子信号のシミュレーション結果である
。また、第４図は試料面からの仰角６０°から９０ｃ′
をカバーするように検出器を置いた場合の第２図と同じ
パターンからの反射電子信号のシミュレーション結果で
ある。第２図と第３図、第４図とを比較すると第２図が
最も信号強度の大きいことがわかる。従って、凸形ツク
ターンの形状を測定する場合、検出器を試料面からの仰
角Ｏｃ′から３０°の間に置くことによって強度の大き
い信号を得ることができる。
第５図は試料面からの仰角３０’から６０’をカッマー
するように検出器を置いた場合の凹形パターンからの反
射電子信号のシミュレーション結果である。
するように検出器を置いた場合の凹形パターンからの反
射電子信号のシミュレーション結果である。
また、第６図は試料面からの仰角ｏ０から３０’をカバ
ーするように検出器を置いた場合の第５図と同じ／４’
ターンからの反射電子信号のシミュレーション結果であ
る。また、第７図は試料面からの仰角６０°から９０°
をカッ々−するように検出器を置いた場合の第５図と同
じパターンの反射電子信号のシミュレーション結果であ
る。第５図と第６図、第７図とを比較すると第５図が最
も信号強度の大きいことがわかる。従って、凹形パター
ンの形状を測定する場合、検出器を試料面からの仰角３
０°から６０°の間に置くことによって強度の大きい信
号を得ることができる。このように、凸形パターンと凹
形ノ々ターンとでは強度の大きい信号を得るための検出
器位置が異なるが、測定対象となる試料には、両方のノ
リーンが混在している。従って、それぞれのパターンに
対して適した２箇所に検出器を置くことにより凸形パタ
ーン及び凹形パターンから強度の大きい信号を得ること
ができる。
ーするように検出器を置いた場合の第５図と同じ／４’
ターンからの反射電子信号のシミュレーション結果であ
る。また、第７図は試料面からの仰角６０°から９０°
をカッ々−するように検出器を置いた場合の第５図と同
じパターンの反射電子信号のシミュレーション結果であ
る。第５図と第６図、第７図とを比較すると第５図が最
も信号強度の大きいことがわかる。従って、凹形パター
ンの形状を測定する場合、検出器を試料面からの仰角３
０°から６０°の間に置くことによって強度の大きい信
号を得ることができる。このように、凸形パターンと凹
形ノ々ターンとでは強度の大きい信号を得るための検出
器位置が異なるが、測定対象となる試料には、両方のノ
リーンが混在している。従って、それぞれのパターンに
対して適した２箇所に検出器を置くことにより凸形パタ
ーン及び凹形パターンから強度の大きい信号を得ること
ができる。
以下、第１図に図示の実施例により本発明を説明する。
シリコン基板ｌ上にアルミニウムを蒸着後、アルミニウ
ムを凸形の線状・ぐターンに加工し、シリコン基板１を
凹形の線状パターンに加工した。
ムを凸形の線状・ぐターンに加工し、シリコン基板１を
凹形の線状パターンに加工した。
次に、シリコン基板１上のアルミニラムノ臂ターン（凸
形パターン）２及びシリコン／４’ターン（凹形ｉＪ？
ｐ−７）３（Ｄ上に、加速電圧４ｋＶ、電流２００ｐＡ
の電子ビーム４を走査し、凸形のアルミニウムパターン
２の上を走査中は試料面からの仰角２０°から３０°を
カバーするように置かれた検出器５（マイクロチャネル
グレートを使用）によって反射電子６を検出し、凹形の
シリコンパターン３のｌ−走査中は試料面からの仰角４
０°から５０°をカバーするように置かれた検出器７（
マイクロチャネルグレートを使用）によって反射電子８
を検出して出力信号波形を計算機のメモリ上に蓄積した
。出力信号の信号強度対雑音強度比は、凸形アルミニラ
ムノ卆ターン２．凹形のシリコンノぐターン３に対して
それぞれ１８及び１２であった。次て、信号波形の最大
値と最小値との平均値となる２点から、アルミニラムノ
ぐターンの線巾は１．２μｍ、シリコン／９ターンの線
巾は１．５μｍであることがわかった。
形パターン）２及びシリコン／４’ターン（凹形ｉＪ？
ｐ−７）３（Ｄ上に、加速電圧４ｋＶ、電流２００ｐＡ
の電子ビーム４を走査し、凸形のアルミニウムパターン
２の上を走査中は試料面からの仰角２０°から３０°を
カバーするように置かれた検出器５（マイクロチャネル
グレートを使用）によって反射電子６を検出し、凹形の
シリコンパターン３のｌ−走査中は試料面からの仰角４
０°から５０°をカバーするように置かれた検出器７（
マイクロチャネルグレートを使用）によって反射電子８
を検出して出力信号波形を計算機のメモリ上に蓄積した
。出力信号の信号強度対雑音強度比は、凸形アルミニラ
ムノ卆ターン２．凹形のシリコンノぐターン３に対して
それぞれ１８及び１２であった。次て、信号波形の最大
値と最小値との平均値となる２点から、アルミニラムノ
ぐターンの線巾は１．２μｍ、シリコン／９ターンの線
巾は１．５μｍであることがわかった。
従って、本発明によれば検出器を２箇所に設置すること
Ｋより電子ビームの電流値を増やさずに信号強度が雑音
強度に比べて大きな信号が得られるため試料の汚染、損
傷なしに凸形、凹形パターンの形状を測定できる効果を
有するものである。
Ｋより電子ビームの電流値を増やさずに信号強度が雑音
強度に比べて大きな信号が得られるため試料の汚染、損
傷なしに凸形、凹形パターンの形状を測定できる効果を
有するものである。
第１図は反射電子信号を得る方法を表わす模式図、第２
図は検出器を試料面からの仰角Ｏ０から３０゜をカバー
するように置いた場合の凸形ツヤターンからの反射電子
信号のシミュレーシ！、／結果を示す図、第３図は検出
器を試料面からの仰角３０’から６０°をカバーするよ
うに置いた場合の凸形・ぐターンからの反射電子信号の
シミュレーション結果を示す図、第４図は検出器を試料
面からの仰角６０゜から９０°をカバーするよりに置い
た場合の凸形パターンからの反射電子信号のシミュレー
ション結果を示す図、第５図は検出器を試料面からの仰
角３０°から６０°をカバーするように置いた場合の凹
形パターンからの反射電子信号のシミュレーション結果
を示す図、第６図は検出器を試料面からの仰角０°から
３０°をカバーするように置いた場合の凹形・ぐターン
からの反射電子信号のシミ、レージ。 ン結果を示す図、第７図は検出器を試料面からの仰角６
０°から９０°をカバーするように置いた場合の凹形）
４ターンからの反射電子信号のシミュレーション結果を
示す図である。 １・・・基板、２・・・凸形ノセターン、３・・・凹形
ノｇターン、４・・・電子線、５・・・検出器、６・・
・反射電子、７・・・検出器、８・・・反射電子。 特許出願人 日本電気株式会社 ７・、
図は検出器を試料面からの仰角Ｏ０から３０゜をカバー
するように置いた場合の凸形ツヤターンからの反射電子
信号のシミュレーシ！、／結果を示す図、第３図は検出
器を試料面からの仰角３０’から６０°をカバーするよ
うに置いた場合の凸形・ぐターンからの反射電子信号の
シミュレーション結果を示す図、第４図は検出器を試料
面からの仰角６０゜から９０°をカバーするよりに置い
た場合の凸形パターンからの反射電子信号のシミュレー
ション結果を示す図、第５図は検出器を試料面からの仰
角３０°から６０°をカバーするように置いた場合の凹
形パターンからの反射電子信号のシミュレーション結果
を示す図、第６図は検出器を試料面からの仰角０°から
３０°をカバーするように置いた場合の凹形・ぐターン
からの反射電子信号のシミ、レージ。 ン結果を示す図、第７図は検出器を試料面からの仰角６
０°から９０°をカバーするように置いた場合の凹形）
４ターンからの反射電子信号のシミュレーション結果を
示す図である。 １・・・基板、２・・・凸形ノセターン、３・・・凹形
ノｇターン、４・・・電子線、５・・・検出器、６・・
・反射電子、７・・・検出器、８・・・反射電子。 特許出願人 日本電気株式会社 ７・、
Claims (1)
- （１）基体上に混在する凸形及び凹形のパターン上に電
子線を走査し、検出器により反射電子を検出し、検出器
出力信号からパターンの形状を測定する方法において、
前記検出器を凸形及び凹形パターンを有する試料面から
の仰角３０°から６０°の間と、仰角３０°以下との２
箇所の位置に置いて測定を行うことを特徴とする形状測
定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25306985A JPS62112005A (ja) | 1985-11-11 | 1985-11-11 | 形状測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25306985A JPS62112005A (ja) | 1985-11-11 | 1985-11-11 | 形状測定方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62112005A true JPS62112005A (ja) | 1987-05-23 |
Family
ID=17246056
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25306985A Pending JPS62112005A (ja) | 1985-11-11 | 1985-11-11 | 形状測定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62112005A (ja) |
-
1985
- 1985-11-11 JP JP25306985A patent/JPS62112005A/ja active Pending
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