JPS62112007A - 形状測定方法 - Google Patents
形状測定方法Info
- Publication number
- JPS62112007A JPS62112007A JP25306885A JP25306885A JPS62112007A JP S62112007 A JPS62112007 A JP S62112007A JP 25306885 A JP25306885 A JP 25306885A JP 25306885 A JP25306885 A JP 25306885A JP S62112007 A JPS62112007 A JP S62112007A
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- JP
- Japan
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- pattern
- detector
- shape
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- Prior art date
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- Pending
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- Length-Measuring Devices Using Wave Or Particle Radiation (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は微細加工により形成された・卆ターンの形状測
定方法に関するものである。
定方法に関するものである。
従来、微細加工により形成された・ンターン上に電子線
を走査し、検出器により反射電子を検出し、検出器出力
信号からパターンの形状を測定するに際して前記検出器
を試料面からの仰角９０°の位置に置いてその測定を行
っていた。
を走査し、検出器により反射電子を検出し、検出器出力
信号からパターンの形状を測定するに際して前記検出器
を試料面からの仰角９０°の位置に置いてその測定を行
っていた。
しかしながら、この方法によるときには強度、つ小さい
信号しか得られず、したがって、・やターン形状の測定
精度に限界があり、これを補うために電子ビームの電流
値を上げるなどの方法によって行わざるを得す、試料が
汚染され、また損傷を受けるという問題があった。
信号しか得られず、したがって、・やターン形状の測定
精度に限界があり、これを補うために電子ビームの電流
値を上げるなどの方法によって行わざるを得す、試料が
汚染され、また損傷を受けるという問題があった。
本発明は試料面に対する検出器の関係位置全規制して信
号強度を増大させることにより上記間１点を解消する方
法を提供するものである。
号強度を増大させることにより上記間１点を解消する方
法を提供するものである。
〔問題点を解決するための手段］
すなわち、本発明は、基体上の凸形パターン上に電子線
を走査し、検出器により反射′ｉヱ子含検出し、検出器
出力信号から・ぐターンの形状全測定する方法において
、前記検出器を凸形・にターンを有する試料面からの仰
角４５°以下の位Ｒ１に１．２いてＪｌ：１定を行うこ
とを特徴とする形状測定方法である。
を走査し、検出器により反射′ｉヱ子含検出し、検出器
出力信号から・ぐターンの形状全測定する方法において
、前記検出器を凸形・にターンを有する試料面からの仰
角４５°以下の位Ｒ１に１．２いてＪｌ：１定を行うこ
とを特徴とする形状測定方法である。
試料パターンからの反射電子信号に基づいて・ぜターン
の形状を測定する場合、信号に含まれる雑音が測定結果
の誤差要因となる。従って、雑音に対する信号強度を大
きくすることが必要となる。
の形状を測定する場合、信号に含まれる雑音が測定結果
の誤差要因となる。従って、雑音に対する信号強度を大
きくすることが必要となる。
第２図は試料面からの仰角Ｏ０から４５°をカバーする
ように検出器を置いた場合の凸形−！ターンからの反射
電子信号のシミュレーション結果である。
ように検出器を置いた場合の凸形−！ターンからの反射
電子信号のシミュレーション結果である。
また、第３図は試料面からの仰角４５０から９０°をカ
バーするように検出器を置いた場合の第２図と同じツヤ
ターンからの反射電子信号のシミーレージ璽ン結果であ
る。第２図と第３図とを比較すると、第２図の方が信号
強度の大きいことがわかる。従って、検出器を試料面か
らの仰角４５°以下に置くことによって凸形パターンか
ら強度の大きな信号を得ることができる。
バーするように検出器を置いた場合の第２図と同じツヤ
ターンからの反射電子信号のシミーレージ璽ン結果であ
る。第２図と第３図とを比較すると、第２図の方が信号
強度の大きいことがわかる。従って、検出器を試料面か
らの仰角４５°以下に置くことによって凸形パターンか
ら強度の大きな信号を得ることができる。
以下、第１図に図示の実施例によシ本発明を説明する。
シリコン基板１上にアルミニウムを蒸着後、アルミニウ
ムを凸形の線状ツクターンに加工した。次にシリコン基
板１上のアルミニウムパターン２の上に加速電圧４ ｋ
Ｖ 、電流１００ ｐＡの電子ビーム３を走査し、試料
面からの仰角２０°から３０°をカバーするように置か
れた検出器４（マイクロチャネルプレートを使用）によ
って反射電子５を検出し、その出力信号波形を計算機の
メモリ上に蓄積した。
ムを凸形の線状ツクターンに加工した。次にシリコン基
板１上のアルミニウムパターン２の上に加速電圧４ ｋ
Ｖ 、電流１００ ｐＡの電子ビーム３を走査し、試料
面からの仰角２０°から３０°をカバーするように置か
れた検出器４（マイクロチャネルプレートを使用）によ
って反射電子５を検出し、その出力信号波形を計算機の
メモリ上に蓄積した。
出力信号は信号強度対雑音強度比が１８であった。
次に、信号波形の最大値と最小値の平均値となる２点か
らアルミニウムパターン２の線幅が１．２μｍであるこ
とがわかった。
らアルミニウムパターン２の線幅が１．２μｍであるこ
とがわかった。
従って、本発明によれば、電子ビームの電流値を増やさ
ずに信号強度が雑音強度に比べて十分大きな信号が得ら
れるため、試料の汚染、損傷なしに凸形・ぐターンの形
状を測定できる効果を有するものである。
ずに信号強度が雑音強度に比べて十分大きな信号が得ら
れるため、試料の汚染、損傷なしに凸形・ぐターンの形
状を測定できる効果を有するものである。
第１図は反射電子信号を得る方法を表わす模式図、第２
図は検出器を試料面からの仰角ＯＯから４５゜をカバー
するように置いた場合の反射電子信号のシミ、レーショ
ン結果を示す図、Ｋ３図は検出器を試料面からの仰角４
５°から９０°をカバーするように置いた場合の反射電
子信号のシミーレーション結果を示す図である。 １・・・基板、２・・・・やターン、３・・・電子線、
４・・・検出器、５・・・反射電子。 特許出題人 日本電気株式会社 代 理 人 弁理士 内 原 晋 ゝ〆１
図は検出器を試料面からの仰角ＯＯから４５゜をカバー
するように置いた場合の反射電子信号のシミ、レーショ
ン結果を示す図、Ｋ３図は検出器を試料面からの仰角４
５°から９０°をカバーするように置いた場合の反射電
子信号のシミーレーション結果を示す図である。 １・・・基板、２・・・・やターン、３・・・電子線、
４・・・検出器、５・・・反射電子。 特許出題人 日本電気株式会社 代 理 人 弁理士 内 原 晋 ゝ〆１
Claims (1)
- （１）基板上の凸形パターン上に電子線を走査し、検出
器により反射電子を検出し、検出器出力信号からパター
ンの形状を測定する方法において、前記検出器を凸形パ
ターンを有する試料面からの仰角４５°以下の位置に置
いて測定を行うことを特徴とする形状測定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25306885A JPS62112007A (ja) | 1985-11-11 | 1985-11-11 | 形状測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25306885A JPS62112007A (ja) | 1985-11-11 | 1985-11-11 | 形状測定方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62112007A true JPS62112007A (ja) | 1987-05-23 |
Family
ID=17246042
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25306885A Pending JPS62112007A (ja) | 1985-11-11 | 1985-11-11 | 形状測定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62112007A (ja) |
-
1985
- 1985-11-11 JP JP25306885A patent/JPS62112007A/ja active Pending
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