JPH0973870A - 荷電粒子装置 - Google Patents
荷電粒子装置Info
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- JPH0973870A JPH0973870A JP7225098A JP22509895A JPH0973870A JP H0973870 A JPH0973870 A JP H0973870A JP 7225098 A JP7225098 A JP 7225098A JP 22509895 A JP22509895 A JP 22509895A JP H0973870 A JPH0973870 A JP H0973870A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 荷電粒子装置において、高い精度でのビーム
径の測定，調整を容易とする。 【解決手段】 荷電粒子を照射する荷電粒子装置におい
て、荷電粒子ビームのビーム電流を測定するビーム電流
測定手段８と、ビーム電流測定手段に対する荷電粒子ビ
ームの照射位置を走査するビームデフレクター５と、ビ
ーム電流の測定値に基づいて荷電粒子ビームのビーム径
ｄを求める演算手段９とを備え、ビーム電流測定手段８
は、ビームデフレクタ５によって荷電粒子ビームの照射
位置を走査させながら、荷電粒子ビームのビーム電流を
測定する。演算手段９は、この走査に対応して変化する
測定ビーム電流値に基づいてフォーカスポイントにおけ
るビーム径および輝度を求める。また、演算手段９はこ
のビーム径ｄおよび輝度を用いて、クロスオーバポイン
トでのビーム径ｄｃや試料上でのビーム径ｄｓを求め
る。
径の測定，調整を容易とする。 【解決手段】 荷電粒子を照射する荷電粒子装置におい
て、荷電粒子ビームのビーム電流を測定するビーム電流
測定手段８と、ビーム電流測定手段に対する荷電粒子ビ
ームの照射位置を走査するビームデフレクター５と、ビ
ーム電流の測定値に基づいて荷電粒子ビームのビーム径
ｄを求める演算手段９とを備え、ビーム電流測定手段８
は、ビームデフレクタ５によって荷電粒子ビームの照射
位置を走査させながら、荷電粒子ビームのビーム電流を
測定する。演算手段９は、この走査に対応して変化する
測定ビーム電流値に基づいてフォーカスポイントにおけ
るビーム径および輝度を求める。また、演算手段９はこ
のビーム径ｄおよび輝度を用いて、クロスオーバポイン
トでのビーム径ｄｃや試料上でのビーム径ｄｓを求め
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子線を用いた分
析装置や、半導体分野等においてイオンビームを使用し
た加工装置などの荷電粒子を試料に照射する荷電粒子装
置に関する。
析装置や、半導体分野等においてイオンビームを使用し
た加工装置などの荷電粒子を試料に照射する荷電粒子装
置に関する。
【０００２】
【従来の技術】電子線マイクロアナライザ等の電子線を
用いた分析装置においては、電子源からの電子ビームを
試料に照射することによって試料の表面分析等を行い、
また、イオンビームを使用した加工装置においては、イ
オン源からのイオンビームを被加工物に照射することに
よって配線等の加工を行っている。このような電子ビー
ムやイオンビーム等の荷電粒子のビームを用いた荷電粒
子装置において、分析精度や加工精度は試料に照射され
るビーム径に対する依存度が高く、ビーム径が小さいほ
ど分析精度や加工精度は向上する。
用いた分析装置においては、電子源からの電子ビームを
試料に照射することによって試料の表面分析等を行い、
また、イオンビームを使用した加工装置においては、イ
オン源からのイオンビームを被加工物に照射することに
よって配線等の加工を行っている。このような電子ビー
ムやイオンビーム等の荷電粒子のビームを用いた荷電粒
子装置において、分析精度や加工精度は試料に照射され
るビーム径に対する依存度が高く、ビーム径が小さいほ
ど分析精度や加工精度は向上する。
【０００３】従来、これら分析精度や加工精度を左右す
るビーム径についての測定は行われておらず、荷電粒子
源から照射される荷電粒子の輝度によって、経験則に基
づいてビーム径を推定したり、あるいは、試料の荷電粒
子ビームを照射した後に荷電粒子ビームによって変化し
た痕跡によって、ビーム径の観察を行っている。
るビーム径についての測定は行われておらず、荷電粒子
源から照射される荷電粒子の輝度によって、経験則に基
づいてビーム径を推定したり、あるいは、試料の荷電粒
子ビームを照射した後に荷電粒子ビームによって変化し
た痕跡によって、ビーム径の観察を行っている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来の荷電粒子装置で
は、高い精度でのビーム径の測定，調整が困難であると
いう問題点がある。荷電粒子の輝度によって経験則に基
づいて推定する場合には、荷電粒子装置の駆動条件や使
用環境によってビーム径が変化するため高い精度での推
定は困難であり、また、試料に形成された痕跡によって
ビーム径を求める場合には、分析中あるいは加工中にお
けるビーム径の測定や調整を行うことができない。その
ため、分析精度や加工精度を向上させることも困難であ
る。そこで、本発明は前記した従来の荷電粒子装置の問
題点を解決し、高い精度でのビーム径の測定，調整が容
易な荷電粒子装置を提供することを目的とする。
は、高い精度でのビーム径の測定，調整が困難であると
いう問題点がある。荷電粒子の輝度によって経験則に基
づいて推定する場合には、荷電粒子装置の駆動条件や使
用環境によってビーム径が変化するため高い精度での推
定は困難であり、また、試料に形成された痕跡によって
ビーム径を求める場合には、分析中あるいは加工中にお
けるビーム径の測定や調整を行うことができない。その
ため、分析精度や加工精度を向上させることも困難であ
る。そこで、本発明は前記した従来の荷電粒子装置の問
題点を解決し、高い精度でのビーム径の測定，調整が容
易な荷電粒子装置を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、荷電粒子を照
射する荷電粒子装置において、荷電粒子ビームのビーム
電流を測定するビーム電流測定手段と、ビーム電流測定
手段に対する荷電粒子ビームの照射位置を走査するビー
ムデフレクターと、ビーム電流の測定値に基づいて荷電
粒子ビームのビーム径を求める演算手段とを備えること
によって、前記目的を達成するものである。
射する荷電粒子装置において、荷電粒子ビームのビーム
電流を測定するビーム電流測定手段と、ビーム電流測定
手段に対する荷電粒子ビームの照射位置を走査するビー
ムデフレクターと、ビーム電流の測定値に基づいて荷電
粒子ビームのビーム径を求める演算手段とを備えること
によって、前記目的を達成するものである。
【０００６】本発明の荷電粒子装置は、電子ビームを用
いた分析装置やイオンビームを使用した加工装置等の荷
電粒子ビームを用いる装置に適用することができるもの
である。ビーム電流測定手段は、荷電粒子源から照射さ
れる荷電粒子ビームのビーム電流を測定する。このと
き、ビームデフレクタはビーム電流測定手段に対する荷
電粒ビームの照射位置を走査させる。この走査に対応し
て変化する測定ビーム電流値により、ビーム電流測定手
段の位置のフォーカスポイントにおけるビーム径を求め
ることができ、また、荷電粒子ビームの輝度を求めるこ
とができる。
いた分析装置やイオンビームを使用した加工装置等の荷
電粒子ビームを用いる装置に適用することができるもの
である。ビーム電流測定手段は、荷電粒子源から照射さ
れる荷電粒子ビームのビーム電流を測定する。このと
き、ビームデフレクタはビーム電流測定手段に対する荷
電粒ビームの照射位置を走査させる。この走査に対応し
て変化する測定ビーム電流値により、ビーム電流測定手
段の位置のフォーカスポイントにおけるビーム径を求め
ることができ、また、荷電粒子ビームの輝度を求めるこ
とができる。
【０００７】荷電粒子装置のレンズ形状を基にして、ビ
ーム電流測定手段の位置におけるビーム径から荷電粒子
源のクロスオーバポイントにおけるビーム径あるいは試
料上におけるビーム径を求めることができる。また、荷
電粒子装置のレンズ形状を基にして、荷電粒子ビームの
輝度から試料上におけるビーム径を求めることができ
る。
ーム電流測定手段の位置におけるビーム径から荷電粒子
源のクロスオーバポイントにおけるビーム径あるいは試
料上におけるビーム径を求めることができる。また、荷
電粒子装置のレンズ形状を基にして、荷電粒子ビームの
輝度から試料上におけるビーム径を求めることができ
る。
【０００８】さらに、求めたビーム径を基に荷電粒子源
のフィラメント電流やセルフバイアスを調節することに
より、ビーム径の調整を行うことができる。本発明の実
施態様は、ビーム電流測定手段をビーム絞り用のアパー
チャと下流側に設けたファラデーカップとを含むもので
あり、これによって、荷電粒子ビームのビーム電流を測
定することができる。
のフィラメント電流やセルフバイアスを調節することに
より、ビーム径の調整を行うことができる。本発明の実
施態様は、ビーム電流測定手段をビーム絞り用のアパー
チャと下流側に設けたファラデーカップとを含むもので
あり、これによって、荷電粒子ビームのビーム電流を測
定することができる。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図を
参照しながら詳細に説明する。図１は本発明の荷電粒子
装置の実施の形態を説明するための概略図である。図１
において、符号１はフィラメント電流やセルフバイアス
を調整する電圧源や抵抗を含む荷電粒子源であり、荷電
粒子ビームを試料側に照射する。この荷電粒子源１のク
ロスオーバポイント１１におけるビーム径をｄｃとす
る。第１電磁コイル２，第２電磁コイル３、およびビー
ム絞り４は、荷電粒子装置の荷電粒子ビームの軌道を定
める一レンズ系である。
参照しながら詳細に説明する。図１は本発明の荷電粒子
装置の実施の形態を説明するための概略図である。図１
において、符号１はフィラメント電流やセルフバイアス
を調整する電圧源や抵抗を含む荷電粒子源であり、荷電
粒子ビームを試料側に照射する。この荷電粒子源１のク
ロスオーバポイント１１におけるビーム径をｄｃとす
る。第１電磁コイル２，第２電磁コイル３、およびビー
ム絞り４は、荷電粒子装置の荷電粒子ビームの軌道を定
める一レンズ系である。
【００１０】本発明の荷電粒子装置は、このレンズ系の
下流側にビームデフレクタ５とビーム電流測定手段８を
備えている。ビーム電流測定手段８は、ビーム絞りアパ
ーチャ６とファラデーカップ７とを備え、ファラデーカ
ップ７はビーム絞りアパーチャ６に対して移動可能であ
る。また、ビームデフレクタ５は荷電粒子ビームを偏向
させ、ビーム絞りアパーチャ６に対する荷電粒子ビーム
の照射位置を変えながら走査を行う。ビーム絞りアパー
チャ６における荷電粒子ビームはビーム径ｄを有してい
るため、ファラデーカップ７が検出するビーム電流値は
荷電粒子ビームの走査に応じて変化する。
下流側にビームデフレクタ５とビーム電流測定手段８を
備えている。ビーム電流測定手段８は、ビーム絞りアパ
ーチャ６とファラデーカップ７とを備え、ファラデーカ
ップ７はビーム絞りアパーチャ６に対して移動可能であ
る。また、ビームデフレクタ５は荷電粒子ビームを偏向
させ、ビーム絞りアパーチャ６に対する荷電粒子ビーム
の照射位置を変えながら走査を行う。ビーム絞りアパー
チャ６における荷電粒子ビームはビーム径ｄを有してい
るため、ファラデーカップ７が検出するビーム電流値は
荷電粒子ビームの走査に応じて変化する。
【００１１】演算手段９は、ビーム電流測定手段８が測
定したビーム電流に基づいて、ビーム電流測定手段８に
おけるビーム径ｄ、クロスオーバポイント１１における
ビーム径をｄｃ、試料上におけるビーム径ｄｓを求め
る。
定したビーム電流に基づいて、ビーム電流測定手段８に
おけるビーム径ｄ、クロスオーバポイント１１における
ビーム径をｄｃ、試料上におけるビーム径ｄｓを求め
る。
【００１２】次に、図２を用いて本発明の荷電粒子装置
によるビーム径の測定手順について説明する。はじめに
荷電粒子源１の電圧源や抵抗等の制御によりフィラメン
ト電流やセルフバイアスを調整して荷電粒子ビームの照
射を行い、ビーム絞りアパーチャ６に焦点を結ばせる。
このとき、荷電粒子源１のクロスオーバポイント１１で
のビーム径をｄｃ、ビーム絞りアパーチャ６の焦点位置
（以下、フォーカスポイント１２と呼ぶ）でのビーム径
をｄとする（ステップＳ１）。
によるビーム径の測定手順について説明する。はじめに
荷電粒子源１の電圧源や抵抗等の制御によりフィラメン
ト電流やセルフバイアスを調整して荷電粒子ビームの照
射を行い、ビーム絞りアパーチャ６に焦点を結ばせる。
このとき、荷電粒子源１のクロスオーバポイント１１で
のビーム径をｄｃ、ビーム絞りアパーチャ６の焦点位置
（以下、フォーカスポイント１２と呼ぶ）でのビーム径
をｄとする（ステップＳ１）。
【００１３】ファラデーカップ７を荷電粒子ビームのビ
ーム軸上に移動させ、第１電磁コイル２，第２電磁コイ
ル３、ビーム絞り４等のレンズ系、およびビーム径絞り
アパーチャ６を通過した荷電粒子ビームをファラデーカ
ップ７で受けてビーム電流測定を行う。このビーム電流
測定において、ビームデフレクタ５による荷電粒子ビー
ムの走査を行う。
ーム軸上に移動させ、第１電磁コイル２，第２電磁コイ
ル３、ビーム絞り４等のレンズ系、およびビーム径絞り
アパーチャ６を通過した荷電粒子ビームをファラデーカ
ップ７で受けてビーム電流測定を行う。このビーム電流
測定において、ビームデフレクタ５による荷電粒子ビー
ムの走査を行う。
【００１４】図３は荷電粒子ビームの走査と測定ビーム
電流Ｉａとの関係を説明するための図である。図３にお
いて、フォーカスポイント１２におけるビーム径ｄによ
り、測定ビーム電流Ｉａの立ち上がりあるいは立ち下が
りの状態は変化する。図３（ａ）〜（ｅ）はフォーカス
ポイント１２におけるビーム径ｄが小さい場合を示し、
図３（ｆ）〜（ｊ）は大きい場合を示している。ビーム
デフレクタ５によって荷電粒子ビームが走査されると、
フォーカスポイント１２における荷電粒子ビームの位置
は図３（ａ）〜（ｄ），および図３（ｆ）〜（ｉ）に示
すように順に移動し、この移動に応じてファラデーカッ
プ７が測定する測定ビーム電流Ｉａも変化する。ビーム
径ｄが小さい場合には図３（ｅ）に示すように測定ビー
ム電流Ｉａの変化は急峻となり、ビーム径ｄが大きい場
合には、図３（ｊ）に示すように測定ビーム電流Ｉａの
変化は緩やかとなる。そこで、本発明は、以下のステッ
プＳ４において、測定ビーム電流Ｉａの変化からビーム
径ｄを求める（ステップＳ２）。
電流Ｉａとの関係を説明するための図である。図３にお
いて、フォーカスポイント１２におけるビーム径ｄによ
り、測定ビーム電流Ｉａの立ち上がりあるいは立ち下が
りの状態は変化する。図３（ａ）〜（ｅ）はフォーカス
ポイント１２におけるビーム径ｄが小さい場合を示し、
図３（ｆ）〜（ｊ）は大きい場合を示している。ビーム
デフレクタ５によって荷電粒子ビームが走査されると、
フォーカスポイント１２における荷電粒子ビームの位置
は図３（ａ）〜（ｄ），および図３（ｆ）〜（ｉ）に示
すように順に移動し、この移動に応じてファラデーカッ
プ７が測定する測定ビーム電流Ｉａも変化する。ビーム
径ｄが小さい場合には図３（ｅ）に示すように測定ビー
ム電流Ｉａの変化は急峻となり、ビーム径ｄが大きい場
合には、図３（ｊ）に示すように測定ビーム電流Ｉａの
変化は緩やかとなる。そこで、本発明は、以下のステッ
プＳ４において、測定ビーム電流Ｉａの変化からビーム
径ｄを求める（ステップＳ２）。
【００１５】また、図３において測定ビーム電流Ｉａが
平坦な部分は、ファラデーカップ７が全荷電粒子ビーム
を受けた場合であり、この測定ビーム電流Ｉａの電流値
から荷電粒子ビームの輝度を測定することができる。
平坦な部分は、ファラデーカップ７が全荷電粒子ビーム
を受けた場合であり、この測定ビーム電流Ｉａの電流値
から荷電粒子ビームの輝度を測定することができる。
【００１６】次に、フォーカスポイント１２でのビーム
径ｄを求める。図４は図３（ｊ）と同様に、ビーム走査
による測定ビーム電流Ｉａ変化を示している。前記図３
に示したように、測定ビーム電流Ｉａの立ち上がりある
いは立ち下がり部分のｘ軸方向の長さは、フォーカスポ
イント１２におけるビーム径ｄを表している。そこで、
本発明では、測定ビーム電流Ｉａの最大値の２０％と８
０％におけるｘ軸方向の走査位置を求め、その差をフォ
ーカスポイント１２におけるビーム径ｄとする。
径ｄを求める。図４は図３（ｊ）と同様に、ビーム走査
による測定ビーム電流Ｉａ変化を示している。前記図３
に示したように、測定ビーム電流Ｉａの立ち上がりある
いは立ち下がり部分のｘ軸方向の長さは、フォーカスポ
イント１２におけるビーム径ｄを表している。そこで、
本発明では、測定ビーム電流Ｉａの最大値の２０％と８
０％におけるｘ軸方向の走査位置を求め、その差をフォ
ーカスポイント１２におけるビーム径ｄとする。
【００１７】なお、測定ビーム電流Ｉａの最大値の２０
％と８０％の値を用いるのは、図５に示すビーム絞りア
パーチャと荷電粒子ビームとの位置関係図に示すよう
に、境界部分においては、それらの形状によって測定ビ
ーム電流Ｉａの値と位置との間の直線性が不十分である
ためである。また、図５に示すように、ｘ方向の走査に
おいてビーム絞りアパーチャと荷電粒子ビームとの位置
がビーム径測定に適した位置関係と必ずしもならないた
め、ビームデフレクタ５はｘ，ｙ方向の２次元の走査を
行うことによりビーム径ｄの正確な測定を行う（ステッ
プＳ３）。
％と８０％の値を用いるのは、図５に示すビーム絞りア
パーチャと荷電粒子ビームとの位置関係図に示すよう
に、境界部分においては、それらの形状によって測定ビ
ーム電流Ｉａの値と位置との間の直線性が不十分である
ためである。また、図５に示すように、ｘ方向の走査に
おいてビーム絞りアパーチャと荷電粒子ビームとの位置
がビーム径測定に適した位置関係と必ずしもならないた
め、ビームデフレクタ５はｘ，ｙ方向の２次元の走査を
行うことによりビーム径ｄの正確な測定を行う（ステッ
プＳ３）。
【００１８】次に、前記ステップＳ４で求めたフォーカ
スポイント１２におけるビーム径ｄを用いてクロスオー
バポイントにおけるビーム径ｄｃを求める。クロスオー
バポイント１１とフォーカスポイント１２との間には、
図１に示すようなレンズ系が設けられ、第１電磁コイル
２とビーム絞り４との距離をＬ１，第２電磁コイル３と
ビーム絞り４との距離をＬ２とすると、クロスオーバポ
イント１１でのビーム径ｄｃは以下の式（１）により表
すことができる。
スポイント１２におけるビーム径ｄを用いてクロスオー
バポイントにおけるビーム径ｄｃを求める。クロスオー
バポイント１１とフォーカスポイント１２との間には、
図１に示すようなレンズ系が設けられ、第１電磁コイル
２とビーム絞り４との距離をＬ１，第２電磁コイル３と
ビーム絞り４との距離をＬ２とすると、クロスオーバポ
イント１１でのビーム径ｄｃは以下の式（１）により表
すことができる。
【００１９】 ｄｃ＝（Ｌ１／Ｌ２）・ｄ …（１） なお、前記Ｌ１，Ｌ２は、レンズ系のレンズ形状に表面
荷電法や有限要素法等の数値解析を適用して行う電磁場
解析によって得ることができる（ステップＳ４）。
荷電法や有限要素法等の数値解析を適用して行う電磁場
解析によって得ることができる（ステップＳ４）。
【００２０】また、ビーム電流Ｉとビームの広がり角度
Ωとビームの面積Ｓとの間には、以下の式（２）で示さ
れる関係がある。 Ｉ＝β・Ω・Ｓ …（２） なお、図６はビームの広がりを示す概略図であり、αは
ビーム軸とビームの外縁部となすビーム角度、βは輝
度、Ωは立体角、Ｓはビーム径ｄにおけるビーム面積で
ある。
Ωとビームの面積Ｓとの間には、以下の式（２）で示さ
れる関係がある。 Ｉ＝β・Ω・Ｓ …（２） なお、図６はビームの広がりを示す概略図であり、αは
ビーム軸とビームの外縁部となすビーム角度、βは輝
度、Ωは立体角、Ｓはビーム径ｄにおけるビーム面積で
ある。
【００２１】 Ω＝π・α2 …（３） Ｓ＝π・ｄ2 ／４ …（４） したがって、前記式（２）の輝度βは以下の式（５）で
表される。 β＝Ｉ／｛（π・α１2 ）・（π・ｄ2 ／４）｝ …（５） なお、α１は図１に示すようにフォーカスポイント１２
におけるビーム角度である（ステップＳ５）。
表される。 β＝Ｉ／｛（π・α１2 ）・（π・ｄ2 ／４）｝ …（５） なお、α１は図１に示すようにフォーカスポイント１２
におけるビーム角度である（ステップＳ５）。
【００２２】次に、前記ステップＳ５で求めたビーム径
ｄｃ，あるいはステップＳ６で求めた輝度βを用いて試
料上におけるビーム径ｄｓを求める。以下、図７の３段
のレンズを用いた場合のビームの概略図の場合を例とし
て説明する。荷電粒子装置のレンズ系中の第１段，第２
段，および第３段に、図７に示すようなＬ１〜Ｌ６の関
係があり、第３段中にファラデーカップを設けた場合に
は、ステップＳ５で求めたビーム径ｄｃを用いて以下の
式（６）によって試料上におけるビーム径ｄｓを求める
ことができる。
ｄｃ，あるいはステップＳ６で求めた輝度βを用いて試
料上におけるビーム径ｄｓを求める。以下、図７の３段
のレンズを用いた場合のビームの概略図の場合を例とし
て説明する。荷電粒子装置のレンズ系中の第１段，第２
段，および第３段に、図７に示すようなＬ１〜Ｌ６の関
係があり、第３段中にファラデーカップを設けた場合に
は、ステップＳ５で求めたビーム径ｄｃを用いて以下の
式（６）によって試料上におけるビーム径ｄｓを求める
ことができる。
【００２３】 ｄｓ＝（Ｌ２／Ｌ１）・（Ｌ４／Ｌ３）・（Ｌ６／Ｌ５）・ｄｃ …（６） また、試料位置における角度をα２とすると、ステップ
Ｓ５で求めた輝度βを用いて以下の式（７）によって試
料上におけるビーム径ｄｓを求めることができる。
Ｓ５で求めた輝度βを用いて以下の式（７）によって試
料上におけるビーム径ｄｓを求めることができる。
【００２４】 ｄｓ＝［Ｉ／｛β・（π・α２2 ）・（π／４）｝］1/2 …（７） なお、前記Ｌ１〜Ｌ６，α２は、レンズ系のレンズ形状
に表面荷電法や有限要素法等の数値解析を適用して行う
電磁場解析によって得ることができる（ステップＳ
６）。
に表面荷電法や有限要素法等の数値解析を適用して行う
電磁場解析によって得ることができる（ステップＳ
６）。
【００２５】さらに、前記ステップＳ６で求めたビーム
径ｄｓを評価し、測定や加工に適していない場合には、
荷電粒子源のフィラメント電流やセルフバイアスを調整
して最適な条件を求め、良好なビーム径ｄｓに調整する
ことができる（ステップＳ７）。この試料上でのビーム
径ｄｓの正確な測定および調整を行うことによって、分
析精度および加工精度を向上させることができる。
径ｄｓを評価し、測定や加工に適していない場合には、
荷電粒子源のフィラメント電流やセルフバイアスを調整
して最適な条件を求め、良好なビーム径ｄｓに調整する
ことができる（ステップＳ７）。この試料上でのビーム
径ｄｓの正確な測定および調整を行うことによって、分
析精度および加工精度を向上させることができる。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
高い精度でのビーム径の測定，調整が容易な荷電粒子装
置を提供することができる。
高い精度でのビーム径の測定，調整が容易な荷電粒子装
置を提供することができる。
【図１】本発明の荷電粒子装置の実施の形態を説明する
ための概略図である。
ための概略図である。
【図２】本発明の荷電粒子装置によるビーム径の測定手
順について説明するための図である。
順について説明するための図である。
【図３】荷電粒子ビームの走査と測定ビーム電流Ｉａと
の関係を説明するための図である。
の関係を説明するための図である。
【図４】ビーム走査による測定ビーム電流Ｉａの変化を
示す図である。
示す図である。
【図５】ビーム絞りアパーチャと荷電粒子ビームとの位
置関係図である。
置関係図である。
【図６】ビームの広がりを示す概略図である。
【図７】３段のレンズを用いた場合のビームの概略図で
ある。
ある。
１…荷電粒子源、２…第１電磁コイル、３…第２電磁コ
イル、４…ビーム絞り、５…ビームデフレクタ、６…ビ
ーム絞りアパーチャ、７…ファラデーカップ、８…ビー
ム電流測定手段、９…演算手段、１１…クロスオーバポ
イント、１２…フォーカスポイント、ｄ，ｄｃ，ｄｓ…
ビーム径。
イル、４…ビーム絞り、５…ビームデフレクタ、６…ビ
ーム絞りアパーチャ、７…ファラデーカップ、８…ビー
ム電流測定手段、９…演算手段、１１…クロスオーバポ
イント、１２…フォーカスポイント、ｄ，ｄｃ，ｄｓ…
ビーム径。
Claims (1)
- 【請求項１】 荷電粒子を照射する荷電粒子装置におい
て、荷電粒子ビームのビーム電流を測定するビーム電流
測定手段と、前記ビーム電流測定手段に対する荷電粒子
ビームの照射位置を走査するビームデフレクターと、前
記ビーム電流の測定値に基づいて荷電粒子ビームのビー
ム径を求める演算手段とを備えたことを特徴とする荷電
粒子装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22509895A JP3758214B2 (ja) | 1995-09-01 | 1995-09-01 | 荷電粒子装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22509895A JP3758214B2 (ja) | 1995-09-01 | 1995-09-01 | 荷電粒子装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0973870A true JPH0973870A (ja) | 1997-03-18 |
| JP3758214B2 JP3758214B2 (ja) | 2006-03-22 |
Family
ID=16823961
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22509895A Expired - Fee Related JP3758214B2 (ja) | 1995-09-01 | 1995-09-01 | 荷電粒子装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3758214B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004105077A1 (ja) * | 1999-02-24 | 2004-12-02 | Katsuto Goto | 高密度記録走査顕微鏡 |
| JP2006302724A (ja) * | 2005-04-22 | 2006-11-02 | Hitachi High-Technologies Corp | 電子線分光器を備えた透過型電子顕微鏡 |
-
1995
- 1995-09-01 JP JP22509895A patent/JP3758214B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004105077A1 (ja) * | 1999-02-24 | 2004-12-02 | Katsuto Goto | 高密度記録走査顕微鏡 |
| JP2006302724A (ja) * | 2005-04-22 | 2006-11-02 | Hitachi High-Technologies Corp | 電子線分光器を備えた透過型電子顕微鏡 |
| JP4512514B2 (ja) * | 2005-04-22 | 2010-07-28 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 電子線分光器を備えた透過型電子顕微鏡 |
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| JP3758214B2 (ja) | 2006-03-22 |
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