JPH0589811A - イオン注入均一性予測方法 - Google Patents
イオン注入均一性予測方法Info
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- JPH0589811A JPH0589811A JP3248812A JP24881291A JPH0589811A JP H0589811 A JPH0589811 A JP H0589811A JP 3248812 A JP3248812 A JP 3248812A JP 24881291 A JP24881291 A JP 24881291A JP H0589811 A JPH0589811 A JP H0589811A
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- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims abstract description 26
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- 238000002513 implantation Methods 0.000 claims abstract description 18
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- 238000004364 calculation method Methods 0.000 abstract description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 8
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- Measurement Of Radiation (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 走査速度とビームプロファイルとの関係から
求められる分布関数を用いてターゲットへの注入均一性
を予測するものである。そして、走査速度は、イオンビ
ーム１の軸線上における前後２個所に配置された第１お
よび第２多点モニタ８・１５から得られ、ビームプロフ
ァイルは、走査方向におけるビームスポットの電流分布
から得られる構成である。 【効果】 走査速度とビームプロファイルとの関係から
求められる正確な分布関数を用いて注入均一性を予測す
ることができるため、たとえビームスポットが大きな場
合でも、実際にターゲットにイオン注入することなく、
ターゲットの注入量分布を正確に予測することができ
る。
求められる分布関数を用いてターゲットへの注入均一性
を予測するものである。そして、走査速度は、イオンビ
ーム１の軸線上における前後２個所に配置された第１お
よび第２多点モニタ８・１５から得られ、ビームプロフ
ァイルは、走査方向におけるビームスポットの電流分布
から得られる構成である。 【効果】 走査速度とビームプロファイルとの関係から
求められる正確な分布関数を用いて注入均一性を予測す
ることができるため、たとえビームスポットが大きな場
合でも、実際にターゲットにイオン注入することなく、
ターゲットの注入量分布を正確に予測することができ
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ターゲットとドーズモ
ニタとを空間的に異なる配置で有したイオン注入装置の
イオン注入均一性予測方法に関するものであり、詳細に
は、イオン注入時の注入均一性を予測してイオン注入す
るイオン注入均一性予測方法に関するものである。
ニタとを空間的に異なる配置で有したイオン注入装置の
イオン注入均一性予測方法に関するものであり、詳細に
は、イオン注入時の注入均一性を予測してイオン注入す
るイオン注入均一性予測方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図１参照のイオン注入装置のターゲット
への注入均一性は、ビーム走査方向の注入量の分布関数
Ｄ（ｘ）により予測することが可能になっている。
への注入均一性は、ビーム走査方向の注入量の分布関数
Ｄ（ｘ）により予測することが可能になっている。
【０００３】即ち、従来のイオン注入均一性の予測方法
を説明すると、先ず、データロガーでサンプリングした
前後する第１および第２多点モニタの或るチャンネルの
ビーム電流波形からイオンビームが通過した時刻ｔを知
ることにより、その時刻に任意波形発生器３が出力した
電圧データ値ｊ（ｔ）を求める。これにより、第１およ
び第２多点モニタの全てのチャンネルにおいて、このよ
うな電圧データ値ｊ（ｔ）を求めることにより、予め判
っているモニタ位置Ｘ（ｉ）と併せて図３に示すような
一連のデータ点１７が得られることになる。そして、こ
の一連のデータ点１７に適当な内挿や外挿を加えること
で、電圧データ値ｊ（ｔ）とイオンビームの位置である
ビーム位置との関係曲線１８の関数Ｘ（ｊ）が求められ
ることになる。
を説明すると、先ず、データロガーでサンプリングした
前後する第１および第２多点モニタの或るチャンネルの
ビーム電流波形からイオンビームが通過した時刻ｔを知
ることにより、その時刻に任意波形発生器３が出力した
電圧データ値ｊ（ｔ）を求める。これにより、第１およ
び第２多点モニタの全てのチャンネルにおいて、このよ
うな電圧データ値ｊ（ｔ）を求めることにより、予め判
っているモニタ位置Ｘ（ｉ）と併せて図３に示すような
一連のデータ点１７が得られることになる。そして、こ
の一連のデータ点１７に適当な内挿や外挿を加えること
で、電圧データ値ｊ（ｔ）とイオンビームの位置である
ビーム位置との関係曲線１８の関数Ｘ（ｊ）が求められ
ることになる。
【０００４】このようにして得られる関数Ｘ（ｊ）を第
１多点モニタの存在するＺ＝ＺF 面および第２多点モニ
タの存在するＺ＝ＺB 面でそれぞれ求め、ＸF (j）およ
びＸB (j）とおく。イオンビームは、走査電極を通過す
るとき以外は直進するので、任意の面Ｚでの電圧データ
値ｊ（ｔ）とビーム位置との関数Ｘ（ｊ）は、下記のよ
うに表される。
１多点モニタの存在するＺ＝ＺF 面および第２多点モニ
タの存在するＺ＝ＺB 面でそれぞれ求め、ＸF (j）およ
びＸB (j）とおく。イオンビームは、走査電極を通過す
るとき以外は直進するので、任意の面Ｚでの電圧データ
値ｊ（ｔ）とビーム位置との関数Ｘ（ｊ）は、下記のよ
うに表される。
【０００５】
【数１】
【０００６】この関数Ｘ（ｊ）からＺ面上の任意の点Ｘ
における走査速度を下記のように求める。
における走査速度を下記のように求める。
【０００７】
【数２】
【０００８】波形データの逆関数をＴ（ｘ）とおくと、
Ｚ面上の任意の点Ｘにおける走査速度Ｖ（ｘ）は、下記
のように表される。
Ｚ面上の任意の点Ｘにおける走査速度Ｖ（ｘ）は、下記
のように表される。
【０００９】
【数３】
【００１０】上記の走査速度Ｖ（ｘ）をビーム走査の往
復それぞれについてを求め、走査速度Ｖup（ｘ）および
走査速度Ｖdn（ｘ）とおく。点Ｘは、イオンビームを１
周期走査する間にイオンビーム１が往復２回通過する。
これにより、注入量が大きく変動する（例えば１％程
度）距離に対してビームスポットが充分に小さな場合、
ビーム走査方向の注入量の分布関数Ｄ（ｘ）を下記のよ
うに表すことができる。
復それぞれについてを求め、走査速度Ｖup（ｘ）および
走査速度Ｖdn（ｘ）とおく。点Ｘは、イオンビームを１
周期走査する間にイオンビーム１が往復２回通過する。
これにより、注入量が大きく変動する（例えば１％程
度）距離に対してビームスポットが充分に小さな場合、
ビーム走査方向の注入量の分布関数Ｄ（ｘ）を下記のよ
うに表すことができる。
【００１１】
【数４】
【００１２】このような方法で求めた注入量分布の予測
と、シート抵抗値から求めた注入量分布を図４に示す。
この予測結果からも予測が可能になっている。
と、シート抵抗値から求めた注入量分布を図４に示す。
この予測結果からも予測が可能になっている。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来のイオン注入均一性予測方法では、ビームスポットが
大きな場合、上述の（４）式の分布関数Ｄ（ｘ）が小さ
なビームスポットを前提としたものであるため、予測の
精度が低下することになる。
来のイオン注入均一性予測方法では、ビームスポットが
大きな場合、上述の（４）式の分布関数Ｄ（ｘ）が小さ
なビームスポットを前提としたものであるため、予測の
精度が低下することになる。
【００１４】ビームスポットが大きな場合には、正確な
分布関数Ｄ（ｘ）は下記のように表される。
分布関数Ｄ（ｘ）は下記のように表される。
【００１５】
【数５】
【００１６】従って、Ｘ方向（走査方向）のビームプロ
ファイルＰ（ｘ）を求めることが必要になる。よって、
本発明においては、上記のビームプロファイルを測定す
ることで、大きなビームスポットの場合でも正確な注入
均一性を予測することができるイオン注入均一性予測方
法を提供することを目的としている。
ファイルＰ（ｘ）を求めることが必要になる。よって、
本発明においては、上記のビームプロファイルを測定す
ることで、大きなビームスポットの場合でも正確な注入
均一性を予測することができるイオン注入均一性予測方
法を提供することを目的としている。
【００１７】
【課題を解決するための手段】本発明のイオン注入均一
性予測方法は、上記課題を解決するために、走査速度と
ビームプロファイルとの関係から求められる分布関数を
用いてターゲットへの注入均一性を予測するものであ
り、上記走査速度がイオンビームの軸線上における前後
２個所に配置された多点モニタから得られ、上記ビーム
プロファイルがビームスポットの走査方向における電流
分布から得られることを特徴としている。
性予測方法は、上記課題を解決するために、走査速度と
ビームプロファイルとの関係から求められる分布関数を
用いてターゲットへの注入均一性を予測するものであ
り、上記走査速度がイオンビームの軸線上における前後
２個所に配置された多点モニタから得られ、上記ビーム
プロファイルがビームスポットの走査方向における電流
分布から得られることを特徴としている。
【００１８】
【作用】上記の構成によれば、イオンビームの走査速度
がイオンビームの軸線上に配置された前後の多点モニタ
により求められ、ビームプロファイルがビームスポット
の走査方向における電流分布から求められる。従って、
このイオン注入均一性予測方法は、走査速度とビームプ
ロファイルとの関係から求められる正確な分布関数を用
いて注入均一性を予測することができるため、たとえビ
ームスポットが大きな場合でも、実際にターゲットにイ
オン注入することなく、ターゲットの注入量分布を正確
に予測することができる。
がイオンビームの軸線上に配置された前後の多点モニタ
により求められ、ビームプロファイルがビームスポット
の走査方向における電流分布から求められる。従って、
このイオン注入均一性予測方法は、走査速度とビームプ
ロファイルとの関係から求められる正確な分布関数を用
いて注入均一性を予測することができるため、たとえビ
ームスポットが大きな場合でも、実際にターゲットにイ
オン注入することなく、ターゲットの注入量分布を正確
に予測することができる。
【００１９】
【実施例】本発明の一実施例を図１および図２に基づい
て説明すれば、以下の通りである。
て説明すれば、以下の通りである。
【００２０】本実施例に係るイオン注入均一性予測方法
は、ハイブリッドスキャン方式のイオン注入装置で実行
されるようになっている。このイオン注入装置は、図１
に示すように、イオンビーム１をＸ方向に走査するビー
ム走査系を有している。このビーム走査系は、ＣＰＵ部
２による指示で走査電圧を出力する任意波形発生器３
と、この任意波形発生器３から出力された走査電圧を位
相反転する位相反転器６と、位相反転器６に接続された
高電圧アンプ４ａと、任意波形発生器３に接続された高
電圧アンプ４ｂと、上記の両高電圧アンプ４ａ・４ｂに
より増幅された走査電圧が印加される一対の走査電極５
・５とからなっている。
は、ハイブリッドスキャン方式のイオン注入装置で実行
されるようになっている。このイオン注入装置は、図１
に示すように、イオンビーム１をＸ方向に走査するビー
ム走査系を有している。このビーム走査系は、ＣＰＵ部
２による指示で走査電圧を出力する任意波形発生器３
と、この任意波形発生器３から出力された走査電圧を位
相反転する位相反転器６と、位相反転器６に接続された
高電圧アンプ４ａと、任意波形発生器３に接続された高
電圧アンプ４ｂと、上記の両高電圧アンプ４ａ・４ｂに
より増幅された走査電圧が印加される一対の走査電極５
・５とからなっている。
【００２１】上記の走査電極５・５のイオンビーム１の
進行方向側には、所定電圧を印加された一対の偏向電極
７・７が配設されている。これらの偏向電極７・７は、
イオンビーム１の進行中に荷電粒子の進行方向を第１多
点モニタ８および第２多点モニタ１５方向へ曲折させる
一方、中性粒子を直進させることで、荷電粒子と中性粒
子とを分離するようになっており、分離された荷電粒子
からなるイオンビーム１の進行方向であるビーム進行方
向のＺ＝ＺF 面には、イオンビーム１の入射によりビー
ム電流信号を出力する複数のチャンネルを有した第１多
点モニタ８が配設されている。
進行方向側には、所定電圧を印加された一対の偏向電極
７・７が配設されている。これらの偏向電極７・７は、
イオンビーム１の進行中に荷電粒子の進行方向を第１多
点モニタ８および第２多点モニタ１５方向へ曲折させる
一方、中性粒子を直進させることで、荷電粒子と中性粒
子とを分離するようになっており、分離された荷電粒子
からなるイオンビーム１の進行方向であるビーム進行方
向のＺ＝ＺF 面には、イオンビーム１の入射によりビー
ム電流信号を出力する複数のチャンネルを有した第１多
点モニタ８が配設されている。
【００２２】また、Ｚ＝ＺF 面からビーム進行方向に位
置したＺ＝ＺM 面には、不要なイオンビーム１を遮断す
るマスクスリット９が配設されている。このマスクスリ
ット９には、面積Ｓ1 のターゲット用開口部９ａ、面積
Ｓ2 のドーズモニタ用開口部９ｂが設けられている。こ
のドーズモニタ用開口部９ｂには、図示しないメカニカ
ルスキャン制御システムに接続されたドーズモニタ１０
が設けられており、このドーズモニタ１０は、イオン注
入中にビーム電流量を測定してメカニカルスキャンの速
度を制御させるようになっている。
置したＺ＝ＺM 面には、不要なイオンビーム１を遮断す
るマスクスリット９が配設されている。このマスクスリ
ット９には、面積Ｓ1 のターゲット用開口部９ａ、面積
Ｓ2 のドーズモニタ用開口部９ｂが設けられている。こ
のドーズモニタ用開口部９ｂには、図示しないメカニカ
ルスキャン制御システムに接続されたドーズモニタ１０
が設けられており、このドーズモニタ１０は、イオン注
入中にビーム電流量を測定してメカニカルスキャンの速
度を制御させるようになっている。
【００２３】また、Ｚ＝ＺM 面からビーム進行方向に位
置したＺ＝ＺT 面には、ＣＰＵ部２に接続されたビーム
プロファイルモニタ１４が設けられていると共に、イオ
ン照射対象物であるターゲット１３がメカニカルスキャ
ン機構１２により位置されている。そして、上記のメカ
ニカルスキャン機構１２は、ビーム走査方向（Ｘ方向）
に対して垂直方向にターゲット１３を往復移動させるよ
うになっている。
置したＺ＝ＺT 面には、ＣＰＵ部２に接続されたビーム
プロファイルモニタ１４が設けられていると共に、イオ
ン照射対象物であるターゲット１３がメカニカルスキャ
ン機構１２により位置されている。そして、上記のメカ
ニカルスキャン機構１２は、ビーム走査方向（Ｘ方向）
に対して垂直方向にターゲット１３を往復移動させるよ
うになっている。
【００２４】さらに、Ｚ＝ＺT 面からビーム進行方向に
位置したＺ＝ＺB 面には、イオンビーム１の入射により
ビーム電流信号を出力する複数のチャンネルを有した第
２多点モニタ１５が配設されている。この第２多点モニ
タ１５は、上述の第１多点モニタ８と共にデータロガー
１６に接続されており、このデータロガー１６は、ＣＰ
Ｕ部２に接続されている。
位置したＺ＝ＺB 面には、イオンビーム１の入射により
ビーム電流信号を出力する複数のチャンネルを有した第
２多点モニタ１５が配設されている。この第２多点モニ
タ１５は、上述の第１多点モニタ８と共にデータロガー
１６に接続されており、このデータロガー１６は、ＣＰ
Ｕ部２に接続されている。
【００２５】そして、ＣＰＵ部２は、イオンビーム１の
ビームスポットが充分に小さな場合、第１多点モニタ８
および第２多点モニタ１５の各チャンネルのビーム電流
信号を信号処理して注入均一性を予測するようになって
いる。また、ビームスポットが大きな場合には、第１多
点モニタ８および／または第２多点モニタ１５、或いは
ビームプロファイルモニタ１４によりビームプロファイ
ルを確認した後、このビームプロファイルと第１および
第２多点モニタ８・１５の各チャンネルのビーム電流信
号とを信号処理して注入均一性を予測するようになって
いる。
ビームスポットが充分に小さな場合、第１多点モニタ８
および第２多点モニタ１５の各チャンネルのビーム電流
信号を信号処理して注入均一性を予測するようになって
いる。また、ビームスポットが大きな場合には、第１多
点モニタ８および／または第２多点モニタ１５、或いは
ビームプロファイルモニタ１４によりビームプロファイ
ルを確認した後、このビームプロファイルと第１および
第２多点モニタ８・１５の各チャンネルのビーム電流信
号とを信号処理して注入均一性を予測するようになって
いる。
【００２６】尚、上記のイオン注入装置には、非パラレ
ルスキャン型が用いられているが、これに限定されるこ
とはなく、パラレルスキャン型が用いられていても良
い。
ルスキャン型が用いられているが、これに限定されるこ
とはなく、パラレルスキャン型が用いられていても良
い。
【００２７】次に、ビームスポットが大きな場合のイオ
ン注入均一性予測方法について説明する。
ン注入均一性予測方法について説明する。
【００２８】先ず、ビームスポットが大きな場合には、
上述の（５）式の正確な分布関数Ｄ（ｘ）を使用する必
要があるため、Ｘ方向（走査方向）のビームプロファイ
ルを知る必要がある。このビームプロファイルは、ビー
ムプロファイルモニタ１４を用いて知ることができると
共に、第１多点モニタ８および／または第２多点モニタ
１５の１チャンネルをビームプロファイルモニタとして
用いて知ることができる。
上述の（５）式の正確な分布関数Ｄ（ｘ）を使用する必
要があるため、Ｘ方向（走査方向）のビームプロファイ
ルを知る必要がある。このビームプロファイルは、ビー
ムプロファイルモニタ１４を用いて知ることができると
共に、第１多点モニタ８および／または第２多点モニタ
１５の１チャンネルをビームプロファイルモニタとして
用いて知ることができる。
【００２９】即ち、ビームプロファイルモニタ１４や第
１および第２多点モニタ８・１５のビームプロファイル
モニタから得られるビーム電流波形は、図２に示すよう
になる。ビームプロファイルモニタ１４で測定したビー
ムプロファイルをＰｍ（ｔ）とおくと、（５）式におけ
るビームプロファイル関数Ｐ（ｘ）は、下記のように表
される。
１および第２多点モニタ８・１５のビームプロファイル
モニタから得られるビーム電流波形は、図２に示すよう
になる。ビームプロファイルモニタ１４で測定したビー
ムプロファイルをＰｍ（ｔ）とおくと、（５）式におけ
るビームプロファイル関数Ｐ（ｘ）は、下記のように表
される。
【００３０】
【数６】
【００３１】尚、ビームプロファイルデータの収集の際
には、ビーム走査の往復で違いがないはずなのでビーム
プロファイル関数Ｐ（ｘ）を往復の平均として求める。
には、ビーム走査の往復で違いがないはずなのでビーム
プロファイル関数Ｐ（ｘ）を往復の平均として求める。
【００３２】この際、ビームスポットが非常に大きな場
合には、イオンビーム１の発散角も大きなものであると
予測される。従って、第１および第２多点モニタ８・１
５をビームプロファイルモニタとして使用する場合に
は、注入量分布を求めるために必要なターゲット１３上
でのビームスポットとモニタしたビームプロファイルと
が一致しない可能性があり、この場合には、次のように
ビームプロファイル関数Ｐ（ｘ）を求めることができ
る。
合には、イオンビーム１の発散角も大きなものであると
予測される。従って、第１および第２多点モニタ８・１
５をビームプロファイルモニタとして使用する場合に
は、注入量分布を求めるために必要なターゲット１３上
でのビームスポットとモニタしたビームプロファイルと
が一致しない可能性があり、この場合には、次のように
ビームプロファイル関数Ｐ（ｘ）を求めることができ
る。
【００３３】即ち、Ｚ＝ＺF 面およびＺ＝ＺB 面でのビ
ームプロファイル関数をそれぞれＰF (x）およびＰ
B (x）とし、半値幅ＸF1/2およびＸB1/2を求める。Ｚ＝
ＺF 面とＺ＝ＺB 面との間でイオンビーム１が一様に発
散していると仮定すると、ターゲット１３上でのビーム
プロファイル関数Ｐ（ｘ）は、下記のように求められ
る。
ームプロファイル関数をそれぞれＰF (x）およびＰ
B (x）とし、半値幅ＸF1/2およびＸB1/2を求める。Ｚ＝
ＺF 面とＺ＝ＺB 面との間でイオンビーム１が一様に発
散していると仮定すると、ターゲット１３上でのビーム
プロファイル関数Ｐ（ｘ）は、下記のように求められ
る。
【００３４】
【数７】
【００３５】または、
【００３６】
【数８】
【００３７】（７）式または（８）式のようにして求め
たビームプロファイル関数Ｐ（ｘ）を用いることで、
（５）式による注入量分布の予測を行うことができる。
尚、実際の数値計算においては、（５）式の積分範囲
は、ビームプロファイルの１／１０程度（正規分布を仮
定するとビーム電流の約９８％が納まる）として求め
る。
たビームプロファイル関数Ｐ（ｘ）を用いることで、
（５）式による注入量分布の予測を行うことができる。
尚、実際の数値計算においては、（５）式の積分範囲
は、ビームプロファイルの１／１０程度（正規分布を仮
定するとビーム電流の約９８％が納まる）として求め
る。
【００３８】
【数９】
【００３９】これにより、注入量分布の予測は、ビーム
スポットの大きさやビームプロファイルの形状に影響を
受けることがない。
スポットの大きさやビームプロファイルの形状に影響を
受けることがない。
【００４０】このように、本実施例のイオン注入均一性
予測方法は、走査されたイオンビーム１の軌道をイオン
ビーム１の軸線上の前後２個所に配置された第１および
第２多点モニタ８・１５を用いて求めてターゲット１３
上およびドーズモニタ１０上のビーム位置および走査速
度を求め、第１または第２多点モニタ８・１５の１チャ
ンネル、ビームプロファイルモニタ１４を走査方向にお
けるビームスポットの電流分布の測定に用い、（５）式
や（５）’式によりターゲット１３上およびドーズモニ
タ１０上の走査方向での注入量分布を予測するようにな
っている。
予測方法は、走査されたイオンビーム１の軌道をイオン
ビーム１の軸線上の前後２個所に配置された第１および
第２多点モニタ８・１５を用いて求めてターゲット１３
上およびドーズモニタ１０上のビーム位置および走査速
度を求め、第１または第２多点モニタ８・１５の１チャ
ンネル、ビームプロファイルモニタ１４を走査方向にお
けるビームスポットの電流分布の測定に用い、（５）式
や（５）’式によりターゲット１３上およびドーズモニ
タ１０上の走査方向での注入量分布を予測するようにな
っている。
【００４１】従って、本実施例のイオン注入均一性予測
方法は、たとえビームスポットが大きな場合でも、実際
にターゲット１３にイオン注入することなく、ターゲッ
ト１３の注入量分布を上述の（５）式や（５）’式等の
計算式により求めることができる。また、Ｚ＝ＺT 面を
適当に選択することにより、イオンビーム１に垂直な任
意の面での注入量分布を容易に把握することができると
共に、注入量の測定が困難な注入条件でも容易に注入均
一性を把握することができる。
方法は、たとえビームスポットが大きな場合でも、実際
にターゲット１３にイオン注入することなく、ターゲッ
ト１３の注入量分布を上述の（５）式や（５）’式等の
計算式により求めることができる。また、Ｚ＝ＺT 面を
適当に選択することにより、イオンビーム１に垂直な任
意の面での注入量分布を容易に把握することができると
共に、注入量の測定が困難な注入条件でも容易に注入均
一性を把握することができる。
【００４２】
【発明の効果】本発明のイオン注入均一性予測方法は、
以上のように、走査速度とビームプロファイルとの関係
から求められる分布関数を用いてターゲットへの注入均
一性を予測するものであり、上記走査速度がイオンビー
ムの軸線上における前後２個所に配置された多点モニタ
から得られ、上記ビームプロファイルが走査方向におけ
るビームスポットの電流分布から得られる構成である。
以上のように、走査速度とビームプロファイルとの関係
から求められる分布関数を用いてターゲットへの注入均
一性を予測するものであり、上記走査速度がイオンビー
ムの軸線上における前後２個所に配置された多点モニタ
から得られ、上記ビームプロファイルが走査方向におけ
るビームスポットの電流分布から得られる構成である。
【００４３】これにより、走査速度とビームプロファイ
ルとの関係から求められる正確な分布関数を用いて注入
均一性を予測することができるため、たとえビームスポ
ットが大きな場合でも、実際にターゲットにイオン注入
することなく、ターゲットの注入量分布を正確に予測す
ることができるという効果を奏する。
ルとの関係から求められる正確な分布関数を用いて注入
均一性を予測することができるため、たとえビームスポ
ットが大きな場合でも、実際にターゲットにイオン注入
することなく、ターゲットの注入量分布を正確に予測す
ることができるという効果を奏する。
【図１】本発明のイオン注入装置の概略構成を示す説明
図である。
図である。
【図２】ビーム電流波形の説明図である。
【図３】従来の電圧データ値とビーム位置との関係を示
す説明図である。
す説明図である。
【図４】従来の注入量分布の予測と実測値との関係を示
す説明図である。
す説明図である。
１ イオンビーム ２ ＣＰＵ部 ３ 任意波形発生器 ４ａ・４ｂ 高電圧アンプ ５ 走査電極 ６ 位相反転器 ７ 偏向電極 ８ 第１多点モニタ ９ マスクスリット ９ａ ターゲット用開口部 ９ｂ ドーズモニタ用開口部 １０ ドーズモニタ １２ メカニカルスキャン機構 １３ ターゲット １４ ビームプロファイルモニタ １５ 第２多点モニタ １６ データロガー １７ データ点 １８ 関係曲線
Claims (1)
- 【請求項１】走査速度とビームプロファイルとの関係か
ら求められる分布関数を用いてターゲットへの注入均一
性を予測するイオン注入均一性予測方法であって、 上記走査速度がイオンビームの軸線上における前後２個
所に配置された多点モニタから得られ、上記ビームプロ
ファイルが走査方向におけるビームスポットの電流分布
から得られることを特徴とするイオン注入均一性予測方
法。
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|---|---|---|---|
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Applications Claiming Priority (1)
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| JP3248812A JP2625292B2 (ja) | 1991-09-27 | 1991-09-27 | イオン注入均一性予測方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0589811A true JPH0589811A (ja) | 1993-04-09 |
| JP2625292B2 JP2625292B2 (ja) | 1997-07-02 |
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ID=17183777
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-
1991
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