JPH04301345A - イオンビームの平行走査方法 - Google Patents
イオンビームの平行走査方法Info
- Publication number
- JPH04301345A JPH04301345A JP3091119A JP9111991A JPH04301345A JP H04301345 A JPH04301345 A JP H04301345A JP 3091119 A JP3091119 A JP 3091119A JP 9111991 A JP9111991 A JP 9111991A JP H04301345 A JPH04301345 A JP H04301345A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- scanning
- ion beam
- electrodes
- waveform
- parallelism
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 title claims abstract description 83
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 16
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims abstract description 17
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 claims abstract description 6
- 238000013459 approach Methods 0.000 claims abstract description 5
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 claims description 11
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 6
- 230000005684 electric field Effects 0.000 abstract description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 7
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 6
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 5
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 3
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000013213 extrapolation Methods 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、イオンビームを電気
的に平行走査(パラレルスキャン)する方式のイオン注
入装置において、イオンビームを正確に平行走査する方
法に関する。
的に平行走査(パラレルスキャン)する方式のイオン注
入装置において、イオンビームを正確に平行走査する方
法に関する。
【0002】
【従来の技術】イオンビーム2を静電的に平行走査する
ビームラインの従来例を図8に示す。即ちここでは、図
示しないイオン源から引き出され、かつ必要に応じて質
量分析、加速等の行われたスポット状のイオンビーム2
を、第1の組の走査電極4とその下流側にある第2の組
の走査電極6とを用いてx方向(紙面に沿う方向)に走
査するようにしている。
ビームラインの従来例を図8に示す。即ちここでは、図
示しないイオン源から引き出され、かつ必要に応じて質
量分析、加速等の行われたスポット状のイオンビーム2
を、第1の組の走査電極4とその下流側にある第2の組
の走査電極6とを用いてx方向(紙面に沿う方向)に走
査するようにしている。
【0003】この場合、2枚の走査電極間を通過する際
のイオンビーム2の偏向角θは、理想的には次の式で与
えられる。
のイオンビーム2の偏向角θは、理想的には次の式で与
えられる。
【0004】
【数1】tanθ=(VS/2E)・(L/D)ここで
、VS は走査電圧、Eはイオンビーム2のエネルギー
、Lは走査電極の長さ、Dは走査電極間隔である。
、VS は走査電圧、Eはイオンビーム2のエネルギー
、Lは走査電極の長さ、Dは走査電極間隔である。
【0005】従来は一つの走査電源から互いに180度
位相の異なる三角波状の走査電圧VS を、上記二組の
走査電極4および6に印加するようにしており、この場
合、両走査電極4、6の形状を、
位相の異なる三角波状の走査電圧VS を、上記二組の
走査電極4および6に印加するようにしており、この場
合、両走査電極4、6の形状を、
【数2】L1/D1=L2/D2
となるように設計することにより、理論的には、走査電
極4での偏向の影響は走査電極6で完全にキャンセルさ
れて、イオンビーム2は走査電極4へ入射したときと全
く同じ角度で走査電極6から出射することになる。
極4での偏向の影響は走査電極6で完全にキャンセルさ
れて、イオンビーム2は走査電極4へ入射したときと全
く同じ角度で走査電極6から出射することになる。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記数1は
、イオンビーム2が2枚の走査電極間を通過する際に、
電位の山や谷を越えるという点を無視している。
、イオンビーム2が2枚の走査電極間を通過する際に、
電位の山や谷を越えるという点を無視している。
【0007】特に下流側の走査電極6においては、走査
の幅が大きいときにイオンビーム2は+電位側の電極近
傍の非常に電位の高い部分を通過するため、電極内で一
旦減速されてから電極を出たところで再び加速されて元
の速度になる。従って、電極間を通過する時間は、ビー
ム通過点の電位が0であるときよりも長くなる。
の幅が大きいときにイオンビーム2は+電位側の電極近
傍の非常に電位の高い部分を通過するため、電極内で一
旦減速されてから電極を出たところで再び加速されて元
の速度になる。従って、電極間を通過する時間は、ビー
ム通過点の電位が0であるときよりも長くなる。
【0008】一方、イオンビーム2の偏向角θは、電極
間の電界が一定の場合、イオンビーム2が電極間を通過
する時間に比例し、真の偏向角θを表す式は次のように
なる。
間の電界が一定の場合、イオンビーム2が電極間を通過
する時間に比例し、真の偏向角θを表す式は次のように
なる。
【数3】
ここで、x(L) はイオンビーム2が電極間へLだけ
進んだときの走査幅、V(x) は電極間のx方向の電
位分布である。この式に示されているように、イオンビ
ーム2が高電位の部分を通るほど、V(x) は大にな
るから、偏向角θは大きくなる。
進んだときの走査幅、V(x) は電極間のx方向の電
位分布である。この式に示されているように、イオンビ
ーム2が高電位の部分を通るほど、V(x) は大にな
るから、偏向角θは大きくなる。
【0009】数3を用いて、図8のようなビームライン
において、下流側の走査電極6から出射するイオンビー
ム2の平行度αを計算した例を図9に示す。ここで平行
度αは、図8中に示すように、走査電極6から出射する
ときのイオンビーム2の走査方向に直交する方向からの
角度であり、内向きを+に、外向きを−にとっている。 図9に示すように、イオンビーム2の走査幅が大きくな
って走査電極6の高電位部を通ると、同電極6での偏向
角が大きくなり過ぎてイオンビーム2は内側に曲がって
行く傾向を持つ。
において、下流側の走査電極6から出射するイオンビー
ム2の平行度αを計算した例を図9に示す。ここで平行
度αは、図8中に示すように、走査電極6から出射する
ときのイオンビーム2の走査方向に直交する方向からの
角度であり、内向きを+に、外向きを−にとっている。 図9に示すように、イオンビーム2の走査幅が大きくな
って走査電極6の高電位部を通ると、同電極6での偏向
角が大きくなり過ぎてイオンビーム2は内側に曲がって
行く傾向を持つ。
【0010】より具体的には、上記走査電極4および6
に同一の走査電圧を印加する従来の走査方法では、走査
電極6から出射するイオンビーム2の平行度は、8イン
チの走査幅において、0.5度程度が限度であり、それ
より良くする(即ち0度に近づける)ことができなかっ
た。
に同一の走査電圧を印加する従来の走査方法では、走査
電極6から出射するイオンビーム2の平行度は、8イン
チの走査幅において、0.5度程度が限度であり、それ
より良くする(即ち0度に近づける)ことができなかっ
た。
【0011】ちなみに、イオンビーム2の平行度が悪い
と、ターゲットの表面にトレンチ構造等がある場合に陰
の影響が無視できなくなる他、ターゲット面内において
イオンビーム2の走査速度が不均一になり注入量の均一
性が悪化する、等の不具合が発生する。
と、ターゲットの表面にトレンチ構造等がある場合に陰
の影響が無視できなくなる他、ターゲット面内において
イオンビーム2の走査速度が不均一になり注入量の均一
性が悪化する、等の不具合が発生する。
【0012】そこでこの発明は、イオンビームを正確に
平行走査することができる方法を提供することを主たる
目的とする。
平行走査することができる方法を提供することを主たる
目的とする。
【0013】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
、この発明のイオンビームの平行走査方法は、前述した
ような第1の組および第2の組の走査電極に互いに別で
あるが同期した走査電圧をそれぞれ印加することができ
るようにしておき、まず両方の組の走査電極にそれぞれ
基本となる波形の走査電圧を印加してイオンビームを走
査して第2の組の走査電極から出射するイオンビームの
平行度分布を測定し、そしてこの測定結果に基づいて、
平行度がイオンビームの全走査領域において0度に近づ
くように、第2の組の走査電極に印加する走査電圧の波
形を整形することを特徴とする。
、この発明のイオンビームの平行走査方法は、前述した
ような第1の組および第2の組の走査電極に互いに別で
あるが同期した走査電圧をそれぞれ印加することができ
るようにしておき、まず両方の組の走査電極にそれぞれ
基本となる波形の走査電圧を印加してイオンビームを走
査して第2の組の走査電極から出射するイオンビームの
平行度分布を測定し、そしてこの測定結果に基づいて、
平行度がイオンビームの全走査領域において0度に近づ
くように、第2の組の走査電極に印加する走査電圧の波
形を整形することを特徴とする。
【0014】
【実施例】図1は、この発明に係るイオンビームの平行
走査方法を実施するイオン注入装置の一例を部分的に示
す概略図である。図7の例と同一または相当する部分に
は同一符号を付し、以下においてはそれとの相違点を主
に説明する。
走査方法を実施するイオン注入装置の一例を部分的に示
す概略図である。図7の例と同一または相当する部分に
は同一符号を付し、以下においてはそれとの相違点を主
に説明する。
【0015】この装置においては、前述した第1の組の
走査電極4および第2の組の走査電極6にそれぞれ別の
走査電源14および16を接続して、両走査電極4、6
に互いに別ではあるが同期した走査電圧VS1およびV
S2をそれぞれ印加することができるようにしている。
走査電極4および第2の組の走査電極6にそれぞれ別の
走査電源14および16を接続して、両走査電極4、6
に互いに別ではあるが同期した走査電圧VS1およびV
S2をそれぞれ印加することができるようにしている。
【0016】走査電源14は、外部から(この例では後
述する制御装置20から)与えられる走査波形データに
基づいて当該走査波形データに対応する波形の走査信号
を発生する任意波形発生器141と、それからの走査信
号を昇圧して互いに逆極性の走査電圧+VS1および−
VS1をそれぞれ出力する高圧アンプ142および14
3を備えている。走査電源16もこれと同様の構成をし
ており、161は任意波形発生器、162および163
は高圧アンプである。
述する制御装置20から)与えられる走査波形データに
基づいて当該走査波形データに対応する波形の走査信号
を発生する任意波形発生器141と、それからの走査信
号を昇圧して互いに逆極性の走査電圧+VS1および−
VS1をそれぞれ出力する高圧アンプ142および14
3を備えている。走査電源16もこれと同様の構成をし
ており、161は任意波形発生器、162および163
は高圧アンプである。
【0017】走査電極4および6の長さおよび電極間隔
は、前述した数2で表されるように選択するのが適当で
ある。
は、前述した数2で表されるように選択するのが適当で
ある。
【0018】第2の組の走査電極6の下流側には、イオ
ン注入すべきターゲット(例えばウェーハ)8が設けら
れている。このターゲット8は、例えば、図示しない走
査機構によって、イオンビーム2を電気的に走査する方
向と実質的に直交する方向(図1では紙面の表裏方向)
に機械的に走査される。
ン注入すべきターゲット(例えばウェーハ)8が設けら
れている。このターゲット8は、例えば、図示しない走
査機構によって、イオンビーム2を電気的に走査する方
向と実質的に直交する方向(図1では紙面の表裏方向)
に機械的に走査される。
【0019】このターゲット8の近くに(この例ではそ
の前後に)、二つの多点ビームモニタ10および12を
配置している。各多点ビームモニタ10、12は、イオ
ンビーム2を電気的に検出する複数のビーム検出点がイ
オンビーム2の走査方向に並設されかつ各ビーム検出点
の位置が予め分かっているものである。例えば、各多点
ビームモニタ10、12は、イオンビーム2を受けてそ
のビーム電流Iをそれぞれ計測する複数の独立したビー
ム電流計測器(例えばファラデーカップ)をイオンビー
ム2の走査方向に並べたものでも良いし、同方向に長い
単一のビーム電流計測器の前方に、複数の孔が走査方向
に並んだマスクを設けたものでも良い。
の前後に)、二つの多点ビームモニタ10および12を
配置している。各多点ビームモニタ10、12は、イオ
ンビーム2を電気的に検出する複数のビーム検出点がイ
オンビーム2の走査方向に並設されかつ各ビーム検出点
の位置が予め分かっているものである。例えば、各多点
ビームモニタ10、12は、イオンビーム2を受けてそ
のビーム電流Iをそれぞれ計測する複数の独立したビー
ム電流計測器(例えばファラデーカップ)をイオンビー
ム2の走査方向に並べたものでも良いし、同方向に長い
単一のビーム電流計測器の前方に、複数の孔が走査方向
に並んだマスクを設けたものでも良い。
【0020】いずれにしても、この多点ビームモニタ1
0および12は、後述するようにイオンビーム2のビー
ム電流Iのピークを検出することが目的であるため、絶
対値としてのビーム電流Iの計測精度は必ずしも必要で
はない。
0および12は、後述するようにイオンビーム2のビー
ム電流Iのピークを検出することが目的であるため、絶
対値としてのビーム電流Iの計測精度は必ずしも必要で
はない。
【0021】両多点ビームモニタ10および12によっ
て計測したビーム電流Iは、データロガー18によって
収集かつ記録される。
て計測したビーム電流Iは、データロガー18によって
収集かつ記録される。
【0022】またこの実施例では、このデータロガー1
8によって収集したデータに基づいて、後述するような
演算処理等を行うと共に、走査電源14および16の任
意波形発生器141および161に前述した走査波形デ
ータを与える制御装置20がこのデータロガー18に接
続されている。
8によって収集したデータに基づいて、後述するような
演算処理等を行うと共に、走査電源14および16の任
意波形発生器141および161に前述した走査波形デ
ータを与える制御装置20がこのデータロガー18に接
続されている。
【0023】イオンビーム2を正確に平行走査するため
には、簡単に言えば、走査電極6に印加する走査電圧V
S2の波形を、イオンビーム2の走査幅が大きいところ
で(即ちVS2の絶対値が大きいところで)、走査電極
4へ印加する走査電圧VS1より低い電圧が印加される
ように整形すれば良い。
には、簡単に言えば、走査電極6に印加する走査電圧V
S2の波形を、イオンビーム2の走査幅が大きいところ
で(即ちVS2の絶対値が大きいところで)、走査電極
4へ印加する走査電圧VS1より低い電圧が印加される
ように整形すれば良い。
【0024】このような波形整形は、理論上は、前述し
た数3を用いて、
た数3を用いて、
【数4】tanθ1=tanθ2
を解くことによって行うことができる。ここでθ1 、
θ2 は、それぞれ、走査電極4および6におけるイオ
ンビーム2の偏向角である。しかし現実的には、■走査
電極4、6の端部における電界の影響、■各走査電源1
4、16の特性、■ビームラインの工作精度、等による
影響を受けるため、上記計算による波形整形だけではイ
オンビーム2を正確に平行走査するには限界がある。
θ2 は、それぞれ、走査電極4および6におけるイオ
ンビーム2の偏向角である。しかし現実的には、■走査
電極4、6の端部における電界の影響、■各走査電源1
4、16の特性、■ビームラインの工作精度、等による
影響を受けるため、上記計算による波形整形だけではイ
オンビーム2を正確に平行走査するには限界がある。
【0025】そこでこの発明は、簡単に言えば、例えば
上記のような計算によって求めた基本波形を元にしてイ
オンビーム2の走査を行ってその平行度分布を測定し、
この測定結果に基づいて、走査電圧VS2の波形整形を
行うようにしている。
上記のような計算によって求めた基本波形を元にしてイ
オンビーム2の走査を行ってその平行度分布を測定し、
この測定結果に基づいて、走査電圧VS2の波形整形を
行うようにしている。
【0026】このような波形整形方法の具体例を、図2
を参照して説明する。なお、以下に述べるような処理は
、具体的には制御装置20において、あるいはその制御
下で行われる。
を参照して説明する。なお、以下に述べるような処理は
、具体的には制御装置20において、あるいはその制御
下で行われる。
【0027】まず、制御装置20において基本となる二
つの走査電圧波形VS1(t) およびVS2(t)
を設定し(ステップ31)、これが走査電源14および
16からそれぞれ出力されるようにする。第1の波形V
S1(t) は、例えば三角波あるいはそれに近いもの
であり、第2の波形VS2(t) は、前記数4を解く
ことによって第1の波形を理論的に整形したものである
。もっとも、上記第2の波形VS2(t)を設定する代
わりに、それと第1の波形VS1(t) との比
つの走査電圧波形VS1(t) およびVS2(t)
を設定し(ステップ31)、これが走査電源14および
16からそれぞれ出力されるようにする。第1の波形V
S1(t) は、例えば三角波あるいはそれに近いもの
であり、第2の波形VS2(t) は、前記数4を解く
ことによって第1の波形を理論的に整形したものである
。もっとも、上記第2の波形VS2(t)を設定する代
わりに、それと第1の波形VS1(t) との比
【数5】R(t)=VS2/VS1(t)を設定して、
この比R(t) に基づいて第1の波形VS2(t)
を作成するようにしても良く、以下ではそのようにする
場合を例に説明する。図3にこの比R(t)の一例を示
す。
この比R(t) に基づいて第1の波形VS2(t)
を作成するようにしても良く、以下ではそのようにする
場合を例に説明する。図3にこの比R(t)の一例を示
す。
【0028】次に、上記のようにして得られる走査電圧
波形VS1(t) およびVS2(t) を用いて、実
際にイオンビーム2を走査し(ステップ32)、そのと
きのイオンビーム2の平行度分布を多点ビームモニタ1
0および12を用いて測定する(ステップ33)。この
平行度分布の測定は、例えば次のようにして行う。
波形VS1(t) およびVS2(t) を用いて、実
際にイオンビーム2を走査し(ステップ32)、そのと
きのイオンビーム2の平行度分布を多点ビームモニタ1
0および12を用いて測定する(ステップ33)。この
平行度分布の測定は、例えば次のようにして行う。
【0029】■まず、上流側の多点ビームモニタ10お
よび下流側の多点ビームモニタ12にイオンビーム2が
入射する状態で最低1往復ずつ走査を行う。両多点ビー
ムモニタ10、12にイオンビーム2が入射するように
するには、例えば両多点ビームモニタ10、12を上下
に(紙面の表裏方向に)少しずらして配置しておくと共
に走査電極4、6間に偏向電極を設けておいてこれによ
ってイオンビーム2を上下に切り換えるようにしても良
いし、あるいはそのようにせずに上流側の多点ビームモ
ニタ10を移動させてビームラインから外すようにして
も良い。
よび下流側の多点ビームモニタ12にイオンビーム2が
入射する状態で最低1往復ずつ走査を行う。両多点ビー
ムモニタ10、12にイオンビーム2が入射するように
するには、例えば両多点ビームモニタ10、12を上下
に(紙面の表裏方向に)少しずらして配置しておくと共
に走査電極4、6間に偏向電極を設けておいてこれによ
ってイオンビーム2を上下に切り換えるようにしても良
いし、あるいはそのようにせずに上流側の多点ビームモ
ニタ10を移動させてビームラインから外すようにして
も良い。
【0030】■このとき、データロガー18は、いずれ
か一方の任意波形発生器、例えば任意波形発生器141
から与えられる同期信号(クロック信号)を用いて、任
意波形発生器141の1クロック分の動作に対応して、
両多点ビームモニタ10および12への入射イオンビー
ム2のビーム電流Iのサンプリングを行う。
か一方の任意波形発生器、例えば任意波形発生器141
から与えられる同期信号(クロック信号)を用いて、任
意波形発生器141の1クロック分の動作に対応して、
両多点ビームモニタ10および12への入射イオンビー
ム2のビーム電流Iのサンプリングを行う。
【0031】■上記サンプリングにより、任意波形発生
器141からの同期信号のクロック数で数えた時間t(
=クロック数×周期)とビーム電流Iとの関係を表すデ
ータが、上流側の多点ビームモニタ10および下流側の
多点ビームモニタ12についてそれぞれ得られる。この
上下流側のデータは、例えば図4(A)に示すように、
多点ビームモニタ10、12の複数のビーム検出点の中
心にイオンビーム2が入射している状態に対応する複数
のピークを持つ(ちなみに図4(A)は、多点ビームモ
ニタ10、12が前述した単一のビーム電流計測器の前
方に多孔マスクを設けたタイプの場合の例である)。
器141からの同期信号のクロック数で数えた時間t(
=クロック数×周期)とビーム電流Iとの関係を表すデ
ータが、上流側の多点ビームモニタ10および下流側の
多点ビームモニタ12についてそれぞれ得られる。この
上下流側のデータは、例えば図4(A)に示すように、
多点ビームモニタ10、12の複数のビーム検出点の中
心にイオンビーム2が入射している状態に対応する複数
のピークを持つ(ちなみに図4(A)は、多点ビームモ
ニタ10、12が前述した単一のビーム電流計測器の前
方に多孔マスクを設けたタイプの場合の例である)。
【0032】この各ピークの位置の時間t1 、t2
、・・・は、そのときの同期信号のクロック数から求め
ることができる。
、・・・は、そのときの同期信号のクロック数から求め
ることができる。
【0033】また、両多点ビームモニタ10および12
の各ビーム検出点の位置は予め分かっている。例えば、
図1中に示すように、多点ビームモニタ10のビーム検
出点a、bの位置は、それぞれ、−xa、−xbである
。
の各ビーム検出点の位置は予め分かっている。例えば、
図1中に示すように、多点ビームモニタ10のビーム検
出点a、bの位置は、それぞれ、−xa、−xbである
。
【0034】■このようにして求めた離散的な位置と時
間の関係を示すデータに適当な内挿および外挿を行うこ
とにより、例えば図4(B)に示すように、イオンビー
ム2の走査位置xの連続的な時間的変化を示す関数を、
上流側の多点ビームモニタ10および下流側の多点ビー
ムモニタ12についてそれぞれ求める。この場合、イオ
ンビーム2の平行度が全走査領域において一定である場
合は、上記関数例えば図4(B)に示すようなきれいな
三角波になり、平行度が一定でない場合は歪んだ三角波
になる。
間の関係を示すデータに適当な内挿および外挿を行うこ
とにより、例えば図4(B)に示すように、イオンビー
ム2の走査位置xの連続的な時間的変化を示す関数を、
上流側の多点ビームモニタ10および下流側の多点ビー
ムモニタ12についてそれぞれ求める。この場合、イオ
ンビーム2の平行度が全走査領域において一定である場
合は、上記関数例えば図4(B)に示すようなきれいな
三角波になり、平行度が一定でない場合は歪んだ三角波
になる。
【0035】■上記二つの(即ち上流側および下流側に
ついての)関数から、互いに対応する時刻tにおけるイ
オンビーム2の上流側の多点ビームモニタ10での走査
位置xu(t) および下流側の多点ビームモニタ12
での走査位置xd(t) を求め、この両方の位置関係
によって、イオンビーム2の時刻tにおける平行度を求
める。
ついての)関数から、互いに対応する時刻tにおけるイ
オンビーム2の上流側の多点ビームモニタ10での走査
位置xu(t) および下流側の多点ビームモニタ12
での走査位置xd(t) を求め、この両方の位置関係
によって、イオンビーム2の時刻tにおける平行度を求
める。
【0036】例えば、図5を参照して、両多点ビームモ
ニタ10および12間の距離をMとし、イオンビーム2
の走査方向に直交する方向をZとした場合、この明細書
ではイオンビーム2のこのZ方向に対する角度αを平行
度と定義しており、時刻tにおける平行度α(t) は
、
ニタ10および12間の距離をMとし、イオンビーム2
の走査方向に直交する方向をZとした場合、この明細書
ではイオンビーム2のこのZ方向に対する角度αを平行
度と定義しており、時刻tにおける平行度α(t) は
、
【数6】
α(t)=tan−1{(xu(t)−xd(t))/
M}で定量的に求めることができる。例えば、ある時刻
におけるイオンビーム2がZ方向に完全に平行な場合は
、α=0°となる。また、この注目する時刻tを変える
ことより、イオンビーム2の走査領域内での複数点の平
行度を、即ち平行度分布を求めることができる。その一
例を図6に示す。
M}で定量的に求めることができる。例えば、ある時刻
におけるイオンビーム2がZ方向に完全に平行な場合は
、α=0°となる。また、この注目する時刻tを変える
ことより、イオンビーム2の走査領域内での複数点の平
行度を、即ち平行度分布を求めることができる。その一
例を図6に示す。
【0037】次に、再び図2を参照して、上記のように
して測定した平行度分布が所定の基準を満たしているか
否かをチェックし(ステップ34)、満たしていなけれ
ば、ステップ36へ進んで、走査電極6に印加する走査
電圧VS2の波形整形を行う。
して測定した平行度分布が所定の基準を満たしているか
否かをチェックし(ステップ34)、満たしていなけれ
ば、ステップ36へ進んで、走査電極6に印加する走査
電圧VS2の波形整形を行う。
【0038】即ち、図6に示すような平行度分布が分か
れば、平行度αがイオンビーム2の全走査領域において
、0度に近づくようにするためには、図3に示した比R
(t)をどのように補正すれば良いかを知ることができ
る。まず、第1の組の走査電極4ではイオンビーム2が
電極間の真中付近を通過するため電位の効果が無視でき
ると仮定する。この時求められた平行度αは、前記数1
を参照すれば分かるように、次のように表される。
れば、平行度αがイオンビーム2の全走査領域において
、0度に近づくようにするためには、図3に示した比R
(t)をどのように補正すれば良いかを知ることができ
る。まず、第1の組の走査電極4ではイオンビーム2が
電極間の真中付近を通過するため電位の効果が無視でき
ると仮定する。この時求められた平行度αは、前記数1
を参照すれば分かるように、次のように表される。
【数7】
ここでC(t) は第2の組の走査電極6の効率である
。 波形整形の目的はα(t)=0、即ちtan{α(t)
}=0であるから、新しいR(t)は、
。 波形整形の目的はα(t)=0、即ちtan{α(t)
}=0であるから、新しいR(t)は、
【数8】
なる演算を行って求められる。ここで電極効率C(t)
は数7より次のように求めることができる。
は数7より次のように求めることができる。
【数9】
このようにして新たに求めたR(t)を用いて走査電圧
波形VS2(t)を作成する。
波形VS2(t)を作成する。
【0039】このようにして作られる走査電圧VS2の
波形の一例を図7中に破線で示す。即ち、この例では図
6から分かるように2枚の走査電極6間の電極に近いと
ころでイオンビーム2が内側に偏向され過ぎて平行度α
が悪化しているから、電極に近いところで(即ち走査電
圧VS2の絶対値が一番大きくなる付近で)走査電圧V
S2の絶対値が三角波よりも小さくなるようにしている
。
波形の一例を図7中に破線で示す。即ち、この例では図
6から分かるように2枚の走査電極6間の電極に近いと
ころでイオンビーム2が内側に偏向され過ぎて平行度α
が悪化しているから、電極に近いところで(即ち走査電
圧VS2の絶対値が一番大きくなる付近で)走査電圧V
S2の絶対値が三角波よりも小さくなるようにしている
。
【0040】上記のようにして走査電圧VS2の波形整
形を行ったら、再び前記と同様にしてビーム走査(ステ
ップ32)、平行度分布測定(ステップ33)および平
行度分布チェック(ステップ34)を行い、これらを所
望の平行度分布が得られるまで繰り返せば良い。
形を行ったら、再び前記と同様にしてビーム走査(ステ
ップ32)、平行度分布測定(ステップ33)および平
行度分布チェック(ステップ34)を行い、これらを所
望の平行度分布が得られるまで繰り返せば良い。
【0041】上記のようにして走査電圧VS2の波形整
形を行い、これをイオンビーム2の走査に用いることに
よって、■走査電極4、6の端部における電界の影響、
■各走査電源14、16の特性、■ビームラインの工作
精度、等による影響を排除して、イオンビーム2を極め
て正確に(例えば最大でも0.2度以下に)平行走査す
ることができる。
形を行い、これをイオンビーム2の走査に用いることに
よって、■走査電極4、6の端部における電界の影響、
■各走査電源14、16の特性、■ビームラインの工作
精度、等による影響を排除して、イオンビーム2を極め
て正確に(例えば最大でも0.2度以下に)平行走査す
ることができる。
【0042】なお、上記のようにしてイオンビーム2の
正確な平行走査が達成できれば、平行度が悪い場合に比
べて、ターゲット8上でのイオンビーム2の走査速度も
均一になるため、それに見合った分だけ、ターゲット面
内でのイオン注入量の均一性も向上するが、厳密に見れ
ば、上記のようにして走査電圧VS2の波形整形を行っ
た場合、大振幅の部分ではイオンビーム2の走査速度が
若干小さくなるため、これが原因で、ターゲット8の面
内でのイオン注入量の均一性を低下させることにもなり
かねない。
正確な平行走査が達成できれば、平行度が悪い場合に比
べて、ターゲット8上でのイオンビーム2の走査速度も
均一になるため、それに見合った分だけ、ターゲット面
内でのイオン注入量の均一性も向上するが、厳密に見れ
ば、上記のようにして走査電圧VS2の波形整形を行っ
た場合、大振幅の部分ではイオンビーム2の走査速度が
若干小さくなるため、これが原因で、ターゲット8の面
内でのイオン注入量の均一性を低下させることにもなり
かねない。
【0043】これを防止するためには、図2に示すよう
に、均一性チェックのステップ35および走査電圧VS
1の波形整形ステップ37を追加しても良い。即ち、タ
ーゲット8にイオン注入を行ってその面内での注入量の
均一性をチェックし(ステップ35)、それが所定の基
準を満たしていなければ、第1の組の走査電極4に対す
る走査電圧VS1の波形整形を次のようにして行う(ス
テップ37)。
に、均一性チェックのステップ35および走査電圧VS
1の波形整形ステップ37を追加しても良い。即ち、タ
ーゲット8にイオン注入を行ってその面内での注入量の
均一性をチェックし(ステップ35)、それが所定の基
準を満たしていなければ、第1の組の走査電極4に対す
る走査電圧VS1の波形整形を次のようにして行う(ス
テップ37)。
【0044】即ち、前記二つの多点ビームモニタ10お
よび12でのイオンビーム2の走査速度は分かるから、
そのデータを用いて補間法によって、ターゲット8上の
各点でのイオンビーム2の走査速度とそのときの走査電
圧VS1との関係を求め、この関係から、ターゲット8
上の全域でイオンビーム2の走査速度が一定になるよう
に、走査電圧VS1の波形を整形する。例えば、前述し
たように大振幅の部分で走査速度が小さければ、それを
補うように、図7中に1点鎖線で示すように、大振幅部
分の走査電圧VS1の絶対値を三角波よりも少し大きく
すれば良い。
よび12でのイオンビーム2の走査速度は分かるから、
そのデータを用いて補間法によって、ターゲット8上の
各点でのイオンビーム2の走査速度とそのときの走査電
圧VS1との関係を求め、この関係から、ターゲット8
上の全域でイオンビーム2の走査速度が一定になるよう
に、走査電圧VS1の波形を整形する。例えば、前述し
たように大振幅の部分で走査速度が小さければ、それを
補うように、図7中に1点鎖線で示すように、大振幅部
分の走査電圧VS1の絶対値を三角波よりも少し大きく
すれば良い。
【0045】そしてこのようにして走査電圧VS1の波
形整形を行ったら、図2中のステップ32に戻り、所望
の平行度分布および均一性が得られるまで上記のような
処理を繰り返せば良い。
形整形を行ったら、図2中のステップ32に戻り、所望
の平行度分布および均一性が得られるまで上記のような
処理を繰り返せば良い。
【0046】
【発明の効果】以上のようにこの発明によれば、第1お
よび第2の組の走査電極に互いに別であるが同期した走
査電圧を印加することができるようにしておき、そして
第2の組の走査電極から出射するイオンビームの平行度
分布を測定し、平行度がイオンビームの全走査領域にお
いて0度に近づくように、第2の組の走査電極に印加す
る走査電圧の波形を整形するようにしたので、走査電極
の端部における電界の影響、各走査電源の特性、ビーム
ラインの工作精度等による影響を排除して、イオンビー
ムを極めて正確に平行走査することができる。
よび第2の組の走査電極に互いに別であるが同期した走
査電圧を印加することができるようにしておき、そして
第2の組の走査電極から出射するイオンビームの平行度
分布を測定し、平行度がイオンビームの全走査領域にお
いて0度に近づくように、第2の組の走査電極に印加す
る走査電圧の波形を整形するようにしたので、走査電極
の端部における電界の影響、各走査電源の特性、ビーム
ラインの工作精度等による影響を排除して、イオンビー
ムを極めて正確に平行走査することができる。
【図1】 この発明に係るイオンビームの平行走査方
法を実施するイオン注入装置の一例を部分的に示す概略
図である。
法を実施するイオン注入装置の一例を部分的に示す概略
図である。
【図2】 走査電圧の波形整形方法の一例を示すフロ
ーチャートである。
ーチャートである。
【図3】 二つの走査電圧波形の比R(t) の一例
を示す概略図である。
を示す概略図である。
【図4】 (A)は多点ビームモニタで計測したビー
ム電流波形の一例を示す概略図であり、(B)はこの波
形に基づいて得られるイオンビームの走査位置の時間的
変化の一例を示す概略図である。
ム電流波形の一例を示す概略図であり、(B)はこの波
形に基づいて得られるイオンビームの走査位置の時間的
変化の一例を示す概略図である。
【図5】 イオンビームの平行度を求める方法を示す
図である。
図である。
【図6】 イオンビームの平行度分布の測定結果の一
例を示す概略図である。
例を示す概略図である。
【図7】 整形された走査電圧波形の例を示す概略図
である。
である。
【図8】 イオンビームを静電的に平行走査するビー
ムラインの従来例を示す図である。
ムラインの従来例を示す図である。
【図9】 従来の平行走査方法によるイオンビームの
平行度分布の一例を示す概略図である。
平行度分布の一例を示す概略図である。
2 イオンビーム
4,6 走査電極
10,12 多点ビームモニタ
14,16 走査電源
18 データロガー
20 制御装置
Claims (1)
- 【請求項1】 第1の組の走査電極とその下流側にあ
る第2の組の走査電極とを用いてイオンビームを平行走
査する方法において、両方の組の走査電極に互いに別で
あるが同期した走査電圧をそれぞれ印加することができ
るようにしておき、まず両方の組の走査電極にそれぞれ
基本となる波形の走査電圧を印加してイオンビームを走
査して第2の組の走査電極から出射するイオンビームの
平行度分布を測定し、そしてこの測定結果に基づいて、
平行度がイオンビームの全走査領域において0度に近づ
くように、第2の組の走査電極に印加する走査電圧の波
形を整形することを特徴とするイオンビームの平行走査
方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3091119A JPH04301345A (ja) | 1991-03-28 | 1991-03-28 | イオンビームの平行走査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3091119A JPH04301345A (ja) | 1991-03-28 | 1991-03-28 | イオンビームの平行走査方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04301345A true JPH04301345A (ja) | 1992-10-23 |
Family
ID=14017639
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3091119A Pending JPH04301345A (ja) | 1991-03-28 | 1991-03-28 | イオンビームの平行走査方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04301345A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100846110B1 (ko) * | 2000-12-06 | 2008-07-14 | 가부시키가이샤 아루박 | 이온주입장치 및 이온주입방법 |
JP2008269961A (ja) * | 2007-04-20 | 2008-11-06 | Sen Corp An Shi & Axcelis Company | ビーム処理装置 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH025343A (ja) * | 1988-06-15 | 1990-01-10 | Teru Barian Kk | イオン注入方法 |
-
1991
- 1991-03-28 JP JP3091119A patent/JPH04301345A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH025343A (ja) * | 1988-06-15 | 1990-01-10 | Teru Barian Kk | イオン注入方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100846110B1 (ko) * | 2000-12-06 | 2008-07-14 | 가부시키가이샤 아루박 | 이온주입장치 및 이온주입방법 |
JP2008269961A (ja) * | 2007-04-20 | 2008-11-06 | Sen Corp An Shi & Axcelis Company | ビーム処理装置 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR940009197B1 (ko) | 이온비임의 평행도 측정방법, 주사파형 정형방법 및 이온주입장치 | |
Ekstrom et al. | Measurement of the electric polarizability of sodium with an atom interferometer | |
US6366100B1 (en) | Apparatus and method for testing circuit board | |
US6690022B2 (en) | Ion beam incidence angle and beam divergence monitor | |
KR880004560A (ko) | 이온비임 이식검사 조정장치 | |
JP2007531219A (ja) | 被走査イオンビームの精確なコリメーション及び精密整合用の方法と精密制御コリメーター | |
EP0233123B1 (en) | An improved apparatus for pulsing electron beams | |
CN102683153A (zh) | 质量分析器和具有该质量分析器的质谱仪 | |
JPS639807A (ja) | 膜厚測定方法およびその装置 | |
JPH04301345A (ja) | イオンビームの平行走査方法 | |
JP2625292B2 (ja) | イオン注入均一性予測方法 | |
US10734212B2 (en) | Homogenization of the pulsed electric field created in a ring stack ion accelerator | |
Liu et al. | Nonintrusive emittance measurement of 1 GeV H− beam | |
US3886357A (en) | Multiple ion beam type double focusing mass spectrometer | |
JPS6143641B2 (ja) | ||
JP3257205B2 (ja) | イオン注入装置 | |
JP3358235B2 (ja) | イオンビームの走査電圧波形整形方法 | |
Cassidy et al. | Recent refinements and developments in Kerr system electrical measurement techniques | |
JP3683369B2 (ja) | 荷電粒子露光方法及びその装置 | |
JPH05312892A (ja) | コロナ電流測定器 | |
CN109697270B (zh) | 一种基于空间光谱干涉的光束色散特性反演算法 | |
JPH08504945A (ja) | 干渉測定装置 | |
JPH049682A (ja) | 集積回路の導電路上の電位測定方法 | |
JPH0428155A (ja) | 集束荷電粒子ビームのビーム径測定方法 | |
JPS6028151A (ja) | 走査形ストロボイオン顕微鏡 |