JP3683369B2 - 荷電粒子露光方法及びその装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は荷電粒子露光装置に関し、電子ビーム等の荷電粒子を用いて試料の露光を行う装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
ウェーハ上にデバイスパターンを形成する際に、少品種大量生産の場合にはパターンの親としてマスクないしレチクルを作成し、アライナーないしステッパーでウェーハ上に転写する技術が広く使用されている。そのマスク・レチクルの製作の際の乾板露光には、電子ビーム等の荷電粒子を偏向・照射する荷電粒子露光装置が広く使用されている。また、多品種少量生産および短納期生産の場合にはウェーハ上に直接荷電粒子露光を行う。なお、乾板とはガラス基板の上に光を遮るための金属膜をスパッタし、その上にビームに感光するレジストを塗布したものであり、ウェーハの場合はウェーハ上に直接レジストを塗布する。
【0003】
このような露光装置では荷電粒子のビーム径(ビームサイズ)が常時一定となるよう管理する必要がある。
図6は従来の露光装置のビーム測定装置の一例の構成図を示す。なお、電子銃10〜ファラディーカップ18までは真空チャンバ内に設置されているが、図面を分り易くする為に省略している。同様の目的で本発明に直接は関らない機器も省略している。他の図においても同様である。同図中、電子銃10より発射された電子ビーム11は主アパーチャ12を通して整形され、縮小レンズ13及び対物絞り14を通して縮小し、更に偏向器15で静電偏向されて乾板の置かれる焦点位置に投影される。この投影面にナイフエッジ17を設けたファラディーカップ18が設置されている。
【0004】
ここで、CPU21から図7(B)に示すブランキング信号をブランキング電極23に供給して、その接地レベル期間に電子ビームを投影面に照射させると共に、偏向制御回路20に指示を出して偏向器15に図7(A)に示す偏向電圧を印加する。これによって投影面上で電子ビームをX方向に走査し、ファラディーカップ18で検出される図7(C)に示す検出信号を信号処理回路19に供給する。信号処理回路19では上記検出信号を微分して図7(D)に示す微分信号を得て、この微分信号が予め定められた設定レベルの閾値を越える期間T1を計測してビームサイズを推定している。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
従来装置では、微分信号を閾値と比較することでビームサイズを測定するため、閾値の設定そのものにあいまいさを含んでおり、また閾値の変動によってビームサイズが変動し、正確なビームサイズの測定が行えないという問題があった。本発明は上記の点に鑑みなされたもので、閾値の変動の影響を受けることなく、常時、ビームサイズの測定を正確に行いえる荷電粒子露光装置を提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】
請求項1に記載の発明は、アパーチャを通過した荷電粒子ビームを縮小レンズにより縮小して投影面上を走査し、上記投影面上の試料の露光を行う荷電粒子露光方法において、
上記アパーチャを上記走査方向に互いに離間させて複数配置して、それらを通過する電子ビームを独立にオン/オフし、
上記投影面上の所定位置で荷電粒子ビームを検出し、
上記複数のアパーチャを通過した荷電粒子ビームを走査して、一つのアパーチャを通過した荷電粒子ビームが上記検出手段で検出されてから次のアパーチャを通過した荷電粒子ビームが上記検出手段で検出されるまでの期間と、上記複数のアパーチャの離間距離とから縮小率を求め、上記縮小率と各アパーチャの走査方向幅とから上記投影面上の荷電粒子の走査方向幅であるビームサイズを計算する。
【0007】
請求項2に記載の発明は、アパーチャを通過した荷電粒子ビームを縮小レンズにより縮小して投影面上を走査し、上記投影面上の試料の露光を行う荷電粒子露光装置において、
上記アパーチャを上記走査方向に互いに離間させて複数配置して、それらを通過する電子ビームを独立にオン/オフする手段と、
上記投影面上の所定位置で荷電粒子ビームを検出する検出手段と、
上記複数のアパーチャを通過した荷電粒子ビームを走査して、一つのアパーチャを通過した荷電粒子ビームが上記検出手段で検出されてから次のアパーチャを通過した荷電粒子ビームが上記検出手段で検出されるまでの期間と、上記複数のアパーチャの離間距離とから縮小率を求め、上記縮小率と各アパーチャの走査方向幅とから上記投影面上の荷電粒子の走査方向幅であるビームサイズを計算する計算手段とを有する。
【0008】
このため、検出手段で得た検出信号、又はこの検出信号を微分した信号を閾値と比較して荷電粒子ビームの検出時点を決める場合、閾値が変動したとしても一つのアパーチャを通過した荷電粒子ビームの検出時点から次のアパーチャを通過した荷電粒子ビームの検出時点までの期間は変動することがなく、この変動のない期間とアパーチャの離間距離とアパーチャの幅とから常時正確なビームサイズを求めることができる。
【0009】
請求項3に記載の発明は、請求項2記載の荷電粒子露光装置において、
前記複数のアパーチャは第1のアパーチャを中心としてX方向及びこれと直交するY方向に離間した第2,第3のアパーチャであり、
上記第1,第2のアパーチャを通過した荷電粒子ビームをX方向に走査し、上記第1,第3のアパーチャを通過した荷電粒子ビームをY方向に走査する。
【0010】
このため、閾値の変動に拘らずX方向のビームサイズ、及びY方向のビームサイズを常時正確に求めることができ、更にX方向、Y方向夫々のビームサイズから非点収差を求めることが可能となる。
請求項4に記載の発明は、請求項3記載の荷電粒子露光装置において、
前記第1乃至第3のアパーチャはブランキングアパーチャアレイ内の任意のアパーチャを選定する。
【0011】
このようにブランキングアパーチャアレイではX方向、Y方向に離間するアパーチャを任意に選定してX方向のビームサイズ、Y方向のビームサイズ、及び非点収差を求めることができる。
【0012】
【発明の実施の形態】
図1は本発明装置の一実施例の構成図を示す。同図中、電子銃30より発射された電子ビーム31は主アパーチャ32a及び補助アパーチャ32b夫々を通して整形される。この主アパーチャ32a,補助アパーチャ32b夫々を通った電子ビームは縮小レンズ33及び対物絞り34を通して縮小され、更に偏向器35で静電偏向されて乾板の置かれる焦点位置に投影される。この投影面にはナイフエッジ37を設けた検出手段としてのファラディーカップ18が設置されている。計算手段としてのCPU41は偏向制御回路40を通して主アパーチャ32a,補助アパーチャ32b夫々のブランキング電極の作動制御、及び偏向制御回路40への指示等を行い、信号処理回路39から処理結果を通知されてビームサイズを算出する。
【0013】
ここで、主アパーチャ32a,補助アパーチャ32bについて図2,図3を用いて説明する。図2は図1の縮小レンズ33側から見た下面図、図3は図2の下方から見た側面図を示す。図2,図3において、支持部材50に貫通孔51,52,53が穿設されている。貫通孔51が主アパーチャ32aとなり、貫通孔52が補助アパーチャ32bとなり、貫通孔53は図1に示されていないが補助アパーチャ32cとなる。支持部材50上には貫通孔51,52,53夫々を囲むように略コ字状のシールド電極54,55,56,及びブランキング電極57,58,59夫々が立設されている。シールド電極54〜56は配線60によって接地され、ブランキング電極57〜59夫々には端子61〜63夫々よりブランキング信号が供給される。
【0014】
例えば端子61のブランキング信号が値0(電圧0V)のときはブランキング電極57とこれに対向するシールド電極54との間に電位差が生じないため、電子ビームは偏向されることなく貫通孔51を通過する。即ち主アパーチャ32aが開口する。ブランキング信号が値1(電圧V1 )のときはブランキング電極57とシールド電極54との間の電位差に応じた電界によって貫通孔51を通過する電子ビームは偏向され、対物絞り14の外側に到達し、投影面には到達することがない。なお、上記の主アパーチャ53aの貫通孔51と補助アパーチャ53b,53cの貫通孔52,53夫々との間の距離A,B夫々は所定値とされている。
【0015】
図1に戻って説明するに、CPU41から偏向制御回路40に指示を出して偏向器35に図4(A)に示す偏向電圧を印加する。これと共に主アパーチャ32aのブランキング電極57に図4(B)に示す主ブランキング信号を印加して、その値が0の期間に主アパーチャ32aを開口させる。そして補助アパーチャ32bのブランキング電極58に図4(C)に示す補助ブランキング信号を印加して、その値が0の期間に補助アパーチャ32bを開口させる。上記の主ブランキング信号と補助ブランキング信号夫々の値0の期間は重ならないように設定されている。
【0016】
これによって、まず主アパーチャ32aを通った電子ビームがX方向に走査されてファラディーカップ38に到達し、図4(D)の実線Iに示す検出信号が得られる。この後、補助アパーチャ32bを通った電子ビームがX方向走査によりファラディーカップ38に到達し、図4(D)の実線IIに示す検出信号が得られる。この検出信号は信号処理回路39に供給されて微分され、図4(E)に実線III ,IVで示す微分信号とされる。信号処理回路39は実線III の主アパーチャ32aの微分信号の立上り部分が閾値Vref を越える時点から実線IVの補助アパーチャ32bの微分信号の立上り部分が閾値Vref を越えるまでの期間T2を計測してCPU41に通知する。
【0017】
ところで、偏向器35の偏向量は較正されており、一定速度で偏向を行うため、期間T2は投影面における偏向量(長さ)とみなすことができる。
また、図2に示す既知の距離(貫通孔51,52夫々の対応する辺の距離)Aと測定値T2との比は縮小レンズ33の縮小率αを表わしており、既知の主アパーチャ32aの貫通孔51のX方向幅aと上記縮小率αとから投影面におけるX方向ビームサイズを知ることができる。CPU41では上記測定値T2と距離A及び幅aを用いてX方向ビームサイズを算出する。実際には測定値T2が予め定めた値となるように縮小レンズの縮小率αの調整を行うことによってX方向ビームサイズを一定の値に調整することができる。
【0018】
また、同様にして、電子ビームをX方向と直交するY方向に走査を行うことにより主アパーチャ32aと補助アパーチャ32cによる検出信号をファラディーカップ38で得て、その検出信号の微分信号を求め、主アパーチャ32aの微分信号の立上り部分が閾値Vref を越える時点から補助アパーチャ32cの微分信号の立上り部分が閾値Vref を越えるまでの期間T3を計測し、貫通孔51,53夫々の対応する辺の距離Bと期間T3との比と、貫通孔51のY方向幅bとから投影面におけるY方向ビームサイズを求めることができる。このように、X方向ビームサイズとY方向ビームサイズとを測定することにより非点収差の測定が可能となる。
【0019】
ところで、微分信号の比較の基準となる閾値Vref が多少変動しても、主アパーチャ32a,補助アパーチャ32b,32cは略同一形状であるため検出信号I,IIは略同一波形であり、微分信号III ,IVも略同一波形である。このため、閾値Vref が変動しても期間T2の変化はない。従って、閾値Vref の変動に拘らず常時、正確なビームサイズを計測することができる。なお、微分信号III ,IVの立下り時点の期間T2a,又はピーク時点の期間T2b夫々も上記期間T2と同一であるため、これらのどの期間を選んでも良い。
【0020】
ところで、複数形成された荷電粒子ビーム(例えば電子ビーム)を全体として所望のビーム形状となるように制御するマルチビーム方式の荷電粒子ビーム露光装置の1つであるブランキングアパーチャアレイ(BAA)を用いた電子ビーム露光装置が従来から開発されている。BAAは図5に示すように、矩形の貫通孔70とその周囲に形成されたシールド電極71とブランキング電極72からなる群を千鳥格子状に複数個配列し、シールド電極71をグランド電位に設定し、ブランキング電極72をグランド電位又はある電位に設定することにより、各貫通孔を通過する電子ビームの軌道を制御するものである。
【0021】
このようなBAAにおいては例えばアパーチャ75を主アパーチャと決め、この主アパーチャ75からX方向に延在した位置にあるアパーチャ76と、Y方向に延在した位置にあるアパーチャ77とを補助アパーチャと決めることにより前述と同様にしてX方向ビームサイズ、Y方向ビームサイズ、及び非点収差の測定が可能である。
【0022】
【発明の効果】
上述の如く、請求項1に記載の発明は、アパーチャを通過した荷電粒子ビームを縮小レンズにより縮小して投影面上を走査し、上記投影面上の試料の露光を行う荷電粒子露光方法において、
上記アパーチャを上記走査方向に互いに離間させて複数配置して、それらを通過する電子ビームを独立にオン/オフし、
上記投影面上の所定位置で荷電粒子ビームを検出し、
上記複数のアパーチャを通過した荷電粒子ビームを走査して、一つのアパーチャを通過した荷電粒子ビームが上記検出手段で検出されてから次のアパーチャを通過した荷電粒子ビームが上記検出手段で検出されるまでの期間と、上記複数のアパーチャの離間距離とから縮小率を求め、上記縮小率と各アパーチャの走査方向幅とから上記投影面上の荷電粒子の走査方向幅であるビームサイズを計算する。
【0023】
また、請求項2に記載の発明は、アパーチャを通過した荷電粒子ビームを縮小レンズにより縮小して投影面上を走査し、上記投影面上の試料の露光を行う荷電粒子露光装置において、
上記アパーチャを上記走査方向に互いに離間させて複数配置して、それらを通過する電子ビームを独立にオン/オフする手段と、
上記投影面上の所定位置で荷電粒子ビームを検出する検出手段と、
上記複数のアパーチャを通過した荷電粒子ビームを走査して、一つのアパーチャを通過した荷電粒子ビームが上記検出手段で検出されてから次のアパーチャを通過した荷電粒子ビームが上記検出手段で検出されるまでの期間と、上記複数のアパーチャの離間距離とから縮小率を求め、上記縮小率と各アパーチャの走査方向幅とから上記投影面上の荷電粒子の走査方向幅であるビームサイズを計算する計算手段とを有する。
【0024】
このため、検出手段で得た検出信号、又はこの検出信号を微分した信号を閾値と比較して荷電粒子ビームの検出時点を決める場合、閾値が変動したとしても一つのアパーチャを通過した荷電粒子ビームの検出時点から次のアパーチャを通過した荷電粒子ビームの検出時点までの期間は変動することがなく、この変動のない期間とアパーチャの離間距離とアパーチャの幅とから常時正確なビームサイズを求めることができる。
【0025】
また、請求項3に記載の発明は、請求項2記載の荷電粒子露光装置において、前記複数のアパーチャは第1のアパーチャを中心としてX方向及びこれと直交するY方向に離間した第2,第3のアパーチャであり、
上記第1,第2のアパーチャを通過した荷電粒子ビームをX方向に走査し、上記第1,第3のアパーチャを通過した荷電粒子ビームをY方向に走査する。
【0026】
このため、閾値の変動に拘らずX方向のビームサイズ、及びY方向のビームサイズを常時正確に求めることができ、更にX方向、Y方向夫々のビームサイズから非点収差を求めることが可能となる。
また、請求項4に記載の発明は、請求項3記載の荷電粒子露光装置において、前記第1乃至第3のアパーチャはブランキングアパーチャアレイ内の任意のアパーチャを選定する。
【0027】
このようにブランキングアパーチャアレイではX方向、Y方向に離間するアパーチャを任意に選定してX方向のビームサイズ、Y方向のビームサイズ、及び非点収差を求めることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明装置の構成図である。
【図2】アパーチャを説明するための図である。
【図3】アパーチャを説明するための図である。
【図4】本発明の信号波形図である。
【図5】BAAを説明するための図である。
【図6】従来装置の構成図である。
【図7】従来の信号波形図である。
【符号の説明】
30 電子銃
31 電子ビーム
32a 主アパーチャ
32b 補助アパーチャ
33 縮小レンズ
34 対物絞り
35 偏向器
37 ナイフエッジ
38 ファラディーカップ
39 信号処理回路
40 偏向制御回路
41 CPU
Claims (4)
- アパーチャを通過した荷電粒子ビームを縮小レンズにより縮小して投影面上を走査し、上記投影面上の試料の露光を行う荷電粒子露光方法において、
上記アパーチャを上記走査方向に互いに離間させて複数配置して、それらを通過する電子ビームを独立にオン/オフし、
上記投影面上の所定位置で荷電粒子ビームを検出し、
上記複数のアパーチャを通過した荷電粒子ビームを走査して、一つのアパーチャを通過した荷電粒子ビームが上記検出手段で検出されてから次のアパーチャを通過した荷電粒子ビームが上記検出手段で検出されるまでの期間と、上記複数のアパーチャの離間距離とから縮小率を求め、上記縮小率と各アパーチャの走査方向幅とから上記投影面上の荷電粒子の走査方向幅であるビームサイズを計算することを特徴とする荷電粒子露光方法。 - アパーチャを通過した荷電粒子ビームを縮小レンズにより縮小して投影面上を走査し、上記投影面上の試料の露光を行う荷電粒子露光装置において、
上記アパーチャを上記走査方向に互いに離間させて複数配置して、それらを通過する電子ビームを独立にオン/オフする手段と、
上記投影面上の所定位置で荷電粒子ビームを検出する検出手段と、
上記複数のアパーチャを通過した荷電粒子ビームを走査して、一つのアパーチャを通過した荷電粒子ビームが上記検出手段で検出されてから次のアパーチャを通過した荷電粒子ビームが上記検出手段で検出されるまでの期間と、上記複数のアパーチャの離間距離とから縮小率を求め、上記縮小率と各アパーチャの走査方向幅とから上記投影面上の荷電粒子の走査方向幅であるビームサイズを計算する計算手段とを有することを特徴とする荷電粒子露光装置。 - 請求項2記載の荷電粒子露光装置において、
前記複数のアパーチャは第1のアパーチャを中心としてX方向及びこれと直交するY方向に離間した第2,第3のアパーチャであり、
上記第1,第2のアパーチャを通過した荷電粒子ビームをX方向に走査し、上記第1,第3のアパーチャを通過した荷電粒子ビームをY方向に走査することを特徴とする荷電粒子露光装置。 - 請求項3記載の荷電粒子露光装置において、
前記第1乃至第3のアパーチャはブランキングアパーチャアレイ内の任意のアパーチャを選定することを特徴とする荷電粒子露光装置。
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