JP2720651B2

JP2720651B2 - イオン注入装置

Info

Publication number: JP2720651B2
Application number: JP3248806A
Authority: JP
Inventors: 倫郎礒部
Original assignee: Nissin Electric Co Ltd
Current assignee: Nissin Electric Co Ltd
Priority date: 1991-09-27
Filing date: 1991-09-27
Publication date: 1998-03-04
Anticipated expiration: 2013-03-04
Also published as: JPH0589819A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、ターゲットとドーズモ
ニタとを空間的に異なる配置で有したイオン注入装置に
関するものであり、詳細には、ターゲットおよびドーズ
モニタでの注入量分布を予測し、ドーズモニタでの注入
量をターゲットへの注入量に換算して注入量制御を行う
イオン注入装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】一般に、ハイブリッドスキャン方式のイ
オン注入装置は、静電ラスタスキャン方式のように、タ
ーゲット部を注入ビーム電流のモニタとして使用するこ
とが困難であるため、注入量の制御に専用のドーズモニ
タを使用する場合が多い。

【０００３】即ち、従来のイオン注入装置は、図５に示
すように、走査波形発振器５１から相互に位相が反転す
るように走査電圧が印加される一対の走査電極５２・５
２と、荷電粒子と中性粒子とを分離する偏向電極５３・
５３と、ターゲット５４をビーム走査方向に対してＺ＝
Ｚ_T面で垂直方向に往復移動させるメカニカルスキャン
機構５６と、ターゲット５４と偏向電極５３との間のＺ
＝Ｚ_M面に配設されたマスクスリット５７とを有してい
る。そして、マスクスリット５７には、図６にも示すよ
うに、面積Ｓ₁のターゲット用開口部５７ａおよび面積
Ｓ₂のドーズ用開口部５７ｂが形成されており、ドーズ
用開口部５７ｂには、メカニカルスキャン機構５６を制
御するＣＰＵ部５８の接続されたドーズモニタ５９が設
けられている構成である。

【０００４】上記の構成を有するイオン注入装置は、走
査電極５２により走査されたイオンビーム５５がマスク
スリット５７のターゲット用開口部５７ａを介してター
ゲット５４に照射されるようになっていると共に、ドー
ズ用開口部５７ｂを介してドーズモニタ５９に照射され
るようになっており、ドーズモニタ５９から出力された
ビーム電流信号を基にしてターゲット５４への注入量制
御を実行するようになっている。

【０００５】上記の注入量制御の概念を説明すると、先
ず、イオンビーム５５は、Ｘ方向に周波数ｆで走査され
る。この際、走査されたイオンビーム５５のビームスポ
ット５５ａが一往復したときのマスクスリット５７を介
してターゲット５４へ照射された際に生じるビーム電流
Ｉ_Tは、単位面積当たり次のように表される。

【０００６】

【数１】

【０００７】ここで、Ｉ_Mは、イオンビーム５５が一往
復したときにドーズモニタ５９で計測されたビーム電流
量である。

【０００８】ターゲット５４上の任意の点Ａにイオンビ
ーム５５による不純物イオンが注入されるのは、図６に
示すように、スキャンによってマスクスリット５７のタ
ーゲット用開口部５７ａの後方に移動してきたときだけ
である。従って、点Ａがターゲット用開口部５７ａを通
過する時間に対して走査周期が充分に短い場合には、点
Ａを含むビーム走査方向に平行な直線上に一様な注入量
Ｄ_Aだけ注入されることになる。

【０００９】

【数２】

【００１０】ここで、Ｌ₁は、マスクスリット５７のタ
ーゲット用開口部５７ａおよびドーズ用開口部５７ｂの
高さであり、ｖは、メカニカルスキャンの速度である。

【００１１】このようにして、メカニカルスキャンの半
周期では、ターゲット５４の全面に（２）式で表される
注入量Ｄ_Aで一様に注入されることになり、実際の注入
動作においては、ドーズモニタ５９で測定したビーム電
流量Ｉ_Mに対応して、注入量Ｄ_Aが一定になるようにメ
カニカルスキャンの速度ｖが制御されることになる。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来のイオン注入装置では、ビーム走査方向に注入均一性
が一定でない場合、（１）式が成立しなくなる。

【００１３】

【数３】

【００１４】また、Ｚ_T＝Ｚ_Mでなく、走査されたイオ
ンビーム５５が完全に平行でない場合には、マスクスリ
ット５７を通過したイオンビーム５５のターゲット面Ｚ
_Tでの投影面積は、マスクスリット５７のターゲット用
開口部５７ａの面積Ｓ₁と異なることになる。従って、
この投影面積を面積Ｓ₁'とすると、（１）式は、次のよ
うに変形されることになる。

【００１５】

【数４】

【００１６】上記の（３）式や（４）式が成立するよう
な場合には、メカニカルスキャンの半周期当たりに注入
される注入量Ｄ_A' は、

【００１７】

【数５】

【００１８】となり、（２）式を用いた制御では目的と
する注入量Ｄ_Aを注入することができないことになる。
尚、上記のαは、補正係数である。

【００１９】従って、本発明においては、ビーム走査方
向に注入均一性が一定でない場合でも、高精度な注入量
制御を行うことができるイオン注入装置を提供すること
を目的としている。

【００２０】

【課題を解決するための手段】本発明のイオン注入装置
は、上記課題を解決するために、走査されたイオンビー
ムが入射されるターゲットとは、異なる位置に配された
ドーズモニタと、当該ドーズモニタで測定したビーム電
流量に基づいて、上記ターゲットへの注入量を制御する
制御手段とを有しており、下記の特徴を有している。

【００２１】即ち、イオン注入装置は、イオンビームの
軸線上における前後２個所に配置された多点モニタを有
している。また、上記ドーズモニタおよびターゲット
は、上記前方の多点モニタと後方の多点モニタとの間に
配されている。さらに、上記制御手段は、上記多点モニ
タから求められたイオンビームの走査速度と、走査方向
におけるビームスポットの電流分布とで、ターゲット上
およびドーズモニタ上の走査方向での注入量分布を予測
し、この注入量分布を積分して求めたターゲット上の予
測注入量とドーズモニタ上の予測注入量との比率で上記
ビーム電流を補正して、上記ターゲットへの注入量を制
御することを特徴としている。

【００２２】

【作用】上記の構成によれば、制御手段は、走査された
イオンビームの走査速度をイオンビームの軸線上に配置
された前後の多点モニタを用いて求め、この走査速度お
よび走査方向におけるビームスポットの電流分布からタ
ーゲット上およびドーズモニタ上の走査方向での注入量
分布を予測し、これらの注入量分布を積分して求めたタ
ーゲット上の予測注入量およびドーズモニタ上の予測注
入量の比率を求めることになる。そして、制御手段は、
ドーズモニタで測定したビーム電流量を上記の比率で補
正してターゲットへの注入量を制御することになる。

【００２３】これにより、イオン注入装置は、ドーズモ
ニタでの注入量をターゲットへの注入量に換算して注入
量制御を行うことができるため、例えばビームスポット
の形状や走査速度等の原因により注入均一性が悪い場合
でも、高精度な注入量制御を行うことが可能になってい
る。

【００２４】

【実施例】本発明の一実施例を図１ないし図４に基づい
て説明すれば、以下の通りである。

【００２５】本実施例に係るイオン注入装置は、図１に
示すように、イオンビーム１をＸ方向に走査するビーム
走査系を有している。このビーム走査系は、制御手段で
あるＣＰＵ部２による指示で任意の波形の走査電圧を出
力可能な任意波形発生器３と、この任意波形発生器３か
ら出力された走査電圧を位相反転する位相反転器６と、
位相反転器６に接続された高電圧アンプ４ａと、任意波
形発生器３に接続された高電圧アンプ４ｂと、上記の両
高電圧アンプ４ａ・４ｂにより増幅された走査電圧が印
加される一対の走査電極５・５とからなっている。

【００２６】上記の走査電極５・５のイオンビーム１の
進行方向側には、所定電圧を印加された一対の偏向電極
７・７が配設されている。これらの偏向電極７・７は、
イオンビーム１の進行中に荷電粒子の進行方向を第１多
点モニタ８および第２多点モニタ１５方向へ曲折させる
一方、中性粒子を直進させることで、荷電粒子と中性粒
子とを分離するようになっており、分離された荷電粒子
からなるイオンビーム１の進行方向であるビーム進行方
向のＺ＝Ｚ_F面には、イオンビーム１の入射によりビー
ム電流信号を出力する複数のチャンネルを有した第１多
点モニタ８が配設されている。

【００２７】また、Ｚ＝Ｚ_F面からビーム進行方向に位
置したＺ＝Ｚ_M面には、不要なイオンビーム１を遮断す
るマスクスリット９が配設されている。このマスクスリ
ット９には、面積Ｓ₁のターゲット用開口部９ａ、面積
Ｓ₂のドーズ用開口部９ｂ、およびプロファイル用開口
部９ｃが形成されており、プロファイル用開口部９ｃに
は、上述のＣＰＵ部２に接続された第１ビームプロファ
イルモニタ１１が設けられている。また、ドーズ用開口
部９ｂには、図示しないメカニカルスキャン制御システ
ムに接続されたドーズモニタ１０が設けられており、こ
のドーズモニタ１０は、イオン注入中にビーム電流量を
測定してメカニカルスキャンの速度を制御させるように
なっている。

【００２８】また、Ｚ＝Ｚ_M面からビーム進行方向に位
置したＺ＝Ｚ_T面には、ＣＰＵ部２に接続された第２ビ
ームプロファイルモニタ１４が設けられていると共に、
イオン照射対象物であるターゲット１３がメカニカルス
キャン機構１２により位置されている。そして、上記の
メカニカルスキャン機構１２は、ビーム走査方向（Ｘ方
向）に対して垂直方向にターゲット１３を往復移動させ
るようになっている。

【００２９】さらに、Ｚ＝Ｚ_T面からビーム進行方向に
位置したＺ＝Ｚ_B面には、イオンビーム１の入射により
ビーム電流信号を出力する複数のチャンネルを有した第
２多点モニタ１５が配設されている。この第２多点モニ
タ１５は、上述の第１多点モニタ８と共にデータロガー
１６に接続されており、このデータロガー１６は、ＣＰ
Ｕ部２に接続されている。そして、ＣＰＵ部２は、イオ
ンビーム１のビームスポットが充分に小さな場合、第１
多点モニタ８および第２多点モニタ１５の各チャンネル
のビーム電流信号を信号処理して（５）式の補正係数α
を求め、注入均一性を予測してドーズモニタ１０での注
入量をターゲット１３への注入量に換算して任意波形発
生器３を制御するようになっている。

【００３０】また、ビームスポットが大きな場合には、
第１多点モニタ８および／または第２多点モニタ１５、
或いは第１および第２ビームプロファイルモニタ１１・
１４によりビームプロファイルを確認した後、このビー
ムプロファイルと第１および第２多点モニタ８・１５の
各チャンネルのビーム電流信号とを信号処理して（５）
式の補正係数αを求め、注入均一性を予測してドーズモ
ニタ１０での注入量をターゲット１３への注入量に換算
して任意波形発生器３を制御するようになっている。

【００３１】次に、上記の補正係数αを求める信号処理
方法について説明する。

【００３２】データロガー１６でサンプリングした第１
および第２多点モニタ８・１５の或るチャンネルのビー
ム電流波形からイオンビーム１が通過した時刻ｔを知る
ことにより、その時刻に任意波形発生器３が出力した電
圧データ値ｊ（ｔ）を求める。これにより、第１および
第２多点モニタ８・１５の全てのチャンネルにおいて、
このような電圧データ値ｊ（ｔ）を求めることにより、
予め判っているモニタ位置Ｘ（ｉ）と併せて図２に示す
ような一連のデータ点１７が得られることになる。そし
て、この一連のデータ点１７に適当な内挿や外挿を加え
ることで、電圧データ値ｊ（ｔ）とイオンビーム１の位
置であるビーム位置との関係曲線１８の関数Ｘ（ｊ）が
求められることになる。

【００３３】このようにして得られる関数Ｘ（ｊ）をＺ
＝Ｚ_F面およびＺ＝Ｚ_B面でそれぞれ求め、Ｘ_F(j）お
よびＸ_B(j）とおく。イオンビーム１は、走査電極５・
５を通過するとき以外は直進するので、任意の面Ｚでの
電圧データ値ｊ（ｔ）とビーム位置との関数Ｘ（ｊ）
は、下記のように表される。

【００３４】

【数６】

【００３５】この関数Ｘ（ｊ）からＺ面上の任意の点Ｘ
における走査速度と走査速度の時間変化Ｖ_T(t）とを下
記のように求める。

【００３６】

【数７】

【００３７】波形データの逆関数をＴ（ｘ）とおくと、
Ｚ面上の任意の点Ｘにおける走査速度Ｖ（ｘ）は、下記
のように表される。

【００３８】

【数８】

【００３９】このようにしてビーム走査の往復それぞれ
について走査速度Ｖ（ｘ）を求め、走査速度Ｖ_up（ｘ）
および走査速度Ｖ_dn（ｘ）とおく。点Ｘは、イオンビー
ム１を１回走査する間に往復２回イオンビーム１が通過
する。従って、ビームスポットが注入量分布の大きく変
動する（例えば１％程度）距離に対して充分に小さな場
合には、ビーム走査方向の注入量の分布関数Ｄ（ｘ）が
下記のように表される。

【００４０】

【数９】

【００４１】図３に上記の（９）式から算出したビーム
走査の往復および平均の予測注入量分布をシート抵抗値
から求めた注入量分布と比較した例を示す。

【００４２】次に、ビームスポットが大きな場合につい
て説明すると、ビームスポットが充分に小さな場合に
は、（９）式により精度良く注入量分布を求めることが
できるが、大きなビームスポットの場合には、正確な分
布関数Ｄ（ｘ）を使用する必要がある。

【００４３】

【数１０】

【００４４】上記の（１０）式を使用する場合には、Ｘ
方向（走査方向）のビームプロファイルを知る必要があ
る。このビームプロファイルは、第１および第２ビーム
プロファイルモニタ１１・１４を用いて知ることができ
ると共に、第１多点モニタ８および／または第２多点モ
ニタ１５の１チャンネルをビームプロファイルモニタと
して用いて知ることができる。

【００４５】即ち、第１および第２ビームプロファイル
モニタ１１・１４や第１および第２多点モニタ８・１５
のビームプロファイルモニタから得られるビーム電流波
形は、図４に示すようになり、このビームプロファイル
をＰｍ（ｔ）とおくと、（１０）式におけるビームプロ
ファイル関数Ｐ（ｘ）は、下記のように表される。

【００４６】

【数１１】

【００４７】尚、ビームプロファイルデータの収集の際
には、ビーム走査の往復で違いがないはずなのでビーム
プロファイル関数Ｐ（ｘ）を往復の平均として求める。

【００４８】この際、ビームスポットが非常に大きな場
合には、イオンビーム１の発散角も大きなものであると
予測される。従って、第１および第２多点モニタ８・１
５をビームプロファイルモニタとして使用する場合に
は、ターゲット１３上でのビームスポットとモニタした
ビームプロファイルとが一致しない可能性があり、この
場合には、次のようにビームプロファイル関数Ｐ（ｘ）
を求めることができる。

【００４９】即ち、Ｚ＝Ｚ_F面およびＺ＝Ｚ_B面でのビ
ームプロファイル関数をそれぞれＰ_F(x）およびＰ
_B(x）とし、半値幅Ｘ_F1/2およびＸ_B1/2を求める。Ｚ＝
Ｚ_F面とＺ＝Ｚ_B面との間でイオンビーム１が一様に発
散していると仮定すると、ビームプロファイル関数Ｐ
（ｘ）は、下記のように求められる。

【００５０】

【数１２】

【００５１】または、

【００５２】

【数１３】

【００５３】（１２）式または（１３）式のようにして
求めたビームプロファイル関数Ｐ（ｘ）を用いること
で、（１０）式による注入量分布の予測を行うことがで
きる。

【００５４】尚、実際の数値計算においては、（１０）
式の積分範囲は、ビームプロファイルの１／１０程度
（正規分布を仮定するとビーム電流の約９８％が納ま
る）として求める。

【００５５】

【数１４】

【００５６】そして、上述の（９）式、（１０）式、ま
たは上記の（１０）’式からＺ＝Ｚ_T面およびＺ＝Ｚ_M
面での注入量分布Ｄ（ｘ）を求め、それぞれＤ_T(x）お
よびＤ_M(x）とし、注入量分布Ｄ_T(x）のターゲット１
３上での平均Ｄ_Tと注入量分布Ｄ_M(x）のドーズモニタ
１０上での平均Ｄ_Mとを求める。

【００５７】

【数１５】

【００５８】

【数１６】

【００５９】これにより、（５）式の補正係数αは、下
記のように求められることになる。

【００６０】

【数１７】

【００６１】上記の構成において、イオン注入装置の動
作について説明する。

【００６２】先ず、図１に示すように、イオンビーム１
が走査電極５・５によりＸ方向に走査された後、イオン
ビーム１の荷電粒子の進行方向が偏向電極７により曲折
され、荷電粒子と中性粒子とが分離されることになる。
そして、分離された荷電粒子からなるイオンビーム１
が、第１多点モニタ８に入射されると共に第２多点モニ
タ１５に入射されることになる。

【００６３】上記の第１多点モニタ８および第２多点モ
ニタ１５は、イオンビーム１の入射により各チャンネル
からビーム電流信号を出力することになり、これらのビ
ーム電流信号は、データロガー１６によりサンプリング
されることになる。そして、データロガー１６でサンプ
リングされた第１および第２多点モニタ８・１５の或る
チャンネルのビーム電流波形からイオンビーム１が通過
した時刻ｔが検知されることになり、この時刻に任意波
形発生器３が出力した電圧データ値ｊ（ｔ）が求められ
ることになる。

【００６４】第１および第２多点モニタ８・１５の全て
のチャンネルにおいて、上記の電圧データ値ｊ（ｔ）が
求められることにより、予め判っているモニタ位置Ｘ
（ｉ）と併せて図２に示すような一連のデータ点１７が
得られることになる。そして、この一連のデータ点１７
に適当な内挿や外挿が加えられ、電圧データ値ｊ（ｔ）
とイオンビーム１の位置であるビーム位置との関係曲線
１８の関数Ｘ（ｊ）が求められることになる。この後、
上記の関数Ｘ（ｊ）は、Ｚ＝Ｚ_F面およびＺ＝Ｚ_B面で
それぞれ求められることになり、この関数Ｘ（ｊ）から
Ｚ面上の任意の点Ｘにおける走査速度Ｖ（ｘ）が求めら
れることになる。

【００６５】次いで、ビームスポットが注入量分布の大
きく変動する距離に対して充分に小さな場合には、
（９）式の分布関数Ｄ（ｘ）が選択されることになる。
一方、ビームスポットが大きな場合には、（１０）式の
分布関数Ｄ（ｘ）が選択されることになり、さらに、第
１および第２多点モニタ８・１５をビームプロファイル
モニタとして使用する場合には、（１０）’式の分布関
数Ｄ（ｘ）が選択されることになる。

【００６６】次いで、（９）式、（１０）式、または
（１０）’式の分布関数Ｄ（ｘ）からＺ＝Ｚ_T面および
Ｚ＝Ｚ_M面におけるターゲット１３上での平均Ｄ_Tとド
ーズモニタ１０上での平均Ｄ_Mとが求められた後、（１
６）式から補正係数αが算出されることになる。そし
て、ＣＰＵ部２は、算出された補正係数αを（５）式に
代入し、ドーズモニタ１０で測定したビーム電流量Ｉ_M
からターゲット１３上での注入量を制御することにな
る。

【００６７】このように、本実施例のイオン注入装置
は、走査されたイオンビーム１の軌道をイオンビーム１
の軸線上の前後２個所に配置された第１および第２多点
モニタ８・１５を用いて求め、ターゲット１３上のビー
ム位置および走査速度を求めると共に、第１または第２
多点モニタ８・１５の１チャンネル、第１および第２ビ
ームプロファイルモニタ１１・１４、第１および第２多
点モニタ８・１５のそれぞれ１チャンネルを走査方向に
おけるビームスポットの電流分布の測定に用い、（９）
式や（１０）式、（１０）’式の計算式からターゲット
１３上およびドーズモニタ１０上の走査方向での注入量
分布を予測し、これらの予測注入量分布を積分して求め
たターゲット１３上の予測注入量およびドーズモニタ１
０上の予測注入量の比率を求め、この比率と注入中にド
ーズモニタ１０で測定したビーム電流量Ｉ_Mとを基にし
てターゲット１３への注入量を制御するようになってい
る。

【００６８】従って、このイオン注入装置は、例えばビ
ームスポットの形状や走査速度等の原因により注入均一
性が悪い場合でも、注入量を予測できるため正確な注入
量制御を行うことが可能になっており、ひいては、ドー
ズモニタ１０の配設位置の制約を解消することを可能に
している。また、この予測注入量を用いた注入量制御
は、注入量補正専用のモニタを使用した場合よりも、モ
ニタ個別の感度に影響を受けることが少なく、さらに、
第１および第２多点モニタ８・１５や第１および第２ビ
ームプロファイルモニタ１１・１４は、ビーム形状を求
めるために使用するだけであるため、上記の注入量補正
専用のモニタのように高精度である必要もない。

【００６９】尚、本実施例のイオン注入装置には、非パ
ラレルスキャン型が用いられているが、これに限定され
ることはなく、パラレルスキャン型が用いられていても
良い。

【００７０】

【発明の効果】本発明のイオン注入装置は、以上のよう
に、走査されたイオンビームが入射されるターゲットと
は、異なる位置に配されたドーズモニタと、当該ドーズ
モニタで測定したビーム電流量に基づいて、上記ターゲ
ットへの注入量を制御する制御手段とを有するものであ
り、上記イオンビームの軸線上における前後２個所に配
置された多点モニタを備え、上記ドーズモニタおよびタ
ーゲットは、上記前方の多点モニタと後方の多点モニタ
との間に配されていると共に、上記制御手段は、上記多
点モニタから求められたイオンビームの走査速度と、走
査方向におけるビームスポットの電流分布とで、ターゲ
ット上およびドーズモニタ上の走査方向での注入量分布
を予測し、この注入量分布を積分して求めたターゲット
上の予測注入量とドーズモニタ上の予測注入量との比率
と、ドーズモニタで測定したビーム電流量とを基にして
ターゲットへの注入量を制御する構成である。

【００７１】これにより、ターゲット上の予測注入量お
よびドーズモニタ上の予測注入量の比率を基に、ドーズ
モニタでの注入量をターゲットへの注入量に換算して注
入量制御を行うため、例えばビームスポットの形状や走
査速度等の原因により注入均一性が悪い場合でも、高精
度な注入量制御を行うことが可能であるという効果を奏
する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のイオン注入装置の概略構成を示す説明
図である。

【図２】電圧データ値とビーム位置との関係を示す説明
図である。

【図３】注入量分布の予測と実測値との関係を示す説明
図である。

【図４】ビーム電流波形の説明図である。

【図５】従来例を示すものであり、イオン注入装置の概
略構成を示す説明図である。

【図６】ターゲット上の任意の点Ａにイオンビームが照
射される状態を示す説明図である。

【符号の説明】

１イオンビーム２ＣＰＵ部（制御手段）３任意波形発生器４ａ・４ｂ高電圧アンプ５走査電極６位相反転器７偏向電極８第１多点モニタ９マスクスリット９ａターゲット用開口部９ｂドーズ用開口部９ｃプロファイル用開口部１０ドーズモニタ１１第１ビームプロファイルモニタ１２メカニカルスキャン機構１３ターゲット１４第２ビームプロファイルモニタ１５第２多点モニタ１６データロガー１７データ点１８関係曲線

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】走査されたイオンビームが入射されるター
ゲットとは、異なる位置に配されたドーズモニタと、当
該ドーズモニタで測定したビーム電流量に基づいて、上
記ターゲットへの注入量を制御する制御手段とを有する
イオン注入装置において、上記イオンビームの軸線上における前後２箇所に配置さ
れた多点モニタを備え、上記ドーズモニタおよびターゲットは、上記前方の多点
モニタと後方の多点モニタとの間に配されていると共
に、上記制御手段は、上記多点モニタから求められたイオン
ビームの走査速度と、走査方向におけるビームスポット
の電流分布とで、ターゲット上およびドーズモニタ上の
走査方向での注入量分布を予測し、この注入量分布を積
分して求めたターゲット上の予測注入量とドーズモニタ
上の予測注入量との比率で上記ビーム電流を補正して、
上記ターゲットへの注入量を制御することを特徴とする
イオン注入装置。