JPS62261911A - 形状測定方法 - Google Patents
形状測定方法Info
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- JPS62261911A JPS62261911A JP61105942A JP10594286A JPS62261911A JP S62261911 A JPS62261911 A JP S62261911A JP 61105942 A JP61105942 A JP 61105942A JP 10594286 A JP10594286 A JP 10594286A JP S62261911 A JPS62261911 A JP S62261911A
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Landscapes
- Length-Measuring Devices Using Wave Or Particle Radiation (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は微細加工により形成されたパターンの形状測定
方法に関するものである。
方法に関するものである。
従来、微細加工により形成されたパターン形状の測定に
際し、パターン上にレーザ光あるいは電子線を走査し、
検出器によって得られた信号にしきい値レベルを設定し
、信号の電圧がしきい値レベルになる２点からパターン
の線幅を測定していた。またパターンの高さと、側壁角
とはパターンを破壊し、パターンの断面を電子顕微鏡で
観察することにより測定していた。
際し、パターン上にレーザ光あるいは電子線を走査し、
検出器によって得られた信号にしきい値レベルを設定し
、信号の電圧がしきい値レベルになる２点からパターン
の線幅を測定していた。またパターンの高さと、側壁角
とはパターンを破壊し、パターンの断面を電子顕微鏡で
観察することにより測定していた。
しかし、この方法で求まる線幅はパターンの形状の一部
を測定しているだけであり、パターン形状の全体を把握
することはできない、また電子顕微鏡を用いる方法は破
壊測定であるという大きな欠点がある。
を測定しているだけであり、パターン形状の全体を把握
することはできない、また電子顕微鏡を用いる方法は破
壊測定であるという大きな欠点がある。
本発明の目的は、パターン形状の全体を容易に測定しう
る形状測定方法を提供することにある。
る形状測定方法を提供することにある。
本発明は基体上のパターンを走査した荷電粒子線の出力
波形と、パターンの幅、高さ、側壁角度が既知の種々の
基準試料について予め測定して得られた信号波形との相
関を求め、相関関係が大きい基準試料のパターン形状に
基いて基板上の求めるパターン形状を特定することを特
徴とする形状測定方法である。
波形と、パターンの幅、高さ、側壁角度が既知の種々の
基準試料について予め測定して得られた信号波形との相
関を求め、相関関係が大きい基準試料のパターン形状に
基いて基板上の求めるパターン形状を特定することを特
徴とする形状測定方法である。
以下に本発明を図面を参照しながら説明する。
第１図に示すように、基体１上に形成されたパターン２
に荷電粒子線３を照射し、パターン２を走査する。同時
に、基体１及びパターン２から脱出してくる反射荷電粒
子４を検出器５で検出する。
に荷電粒子線３を照射し、パターン２を走査する。同時
に、基体１及びパターン２から脱出してくる反射荷電粒
子４を検出器５で検出する。
時間変化に対応して検出器５からは第２図のような出力
信号波形が得られる。荷電粒子線３による走査速度をＳ
、走査開始点の位置をｘｏとすれば。
信号波形が得られる。荷電粒子線３による走査速度をＳ
、走査開始点の位置をｘｏとすれば。
走査開始後の時間ｔと、その位置Ｘとの関係はＸ＝ｘ、
＋ｓｔである。一方、基体１上のパターン２はパターン
２の基体１に接する幅、パターン２の高さ、パターン２
の側壁角度により特徴づけられる。そこで基体１の材質
、パターン２の材質の各々について、パターンの幅、高
さ、側壁角度を種々異ならせたものを基準試料として予
め準備し、各々の試料上の既知のパターンを荷電粒子線
３で走査して第３図のような信号波形を求めておく。
＋ｓｔである。一方、基体１上のパターン２はパターン
２の基体１に接する幅、パターン２の高さ、パターン２
の側壁角度により特徴づけられる。そこで基体１の材質
、パターン２の材質の各々について、パターンの幅、高
さ、側壁角度を種々異ならせたものを基準試料として予
め準備し、各々の試料上の既知のパターンを荷電粒子線
３で走査して第３図のような信号波形を求めておく。
次に、パターン２の幅、高さ、側壁角度を求める第１の
方法について述べる。求める幅、高さ、側壁角度の精度
がそれぞれΔＷ、ΔＨ９ΔＡの場合、基準試料の測定で
は幅、高さ、測定角度がそれぞれΔＶ、ΔＨ９ΔＡの間
隔で信号波形を求めておく。
方法について述べる。求める幅、高さ、側壁角度の精度
がそれぞれΔＷ、ΔＨ９ΔＡの場合、基準試料の測定で
は幅、高さ、測定角度がそれぞれΔＶ、ΔＨ９ΔＡの間
隔で信号波形を求めておく。
次に検出器５からの出力信号波形と基準試料の測定によ
って求められた既知の種々の幅、高さ、側壁角度に対す
る信号波形との統計学上の相関係数を求める。相関係数
の最も大きい幅、高さ、側壁角度によってパターンの形
状が特定される。
って求められた既知の種々の幅、高さ、側壁角度に対す
る信号波形との統計学上の相関係数を求める。相関係数
の最も大きい幅、高さ、側壁角度によってパターンの形
状が特定される。
次に、パターン２の幅、高さ、側壁角度を求める第２の
方法について述べる。基準試料の測定では、幅、高さ、
側壁角度についてそれぞれ３点以上信号波形を求めてお
く。次に、検出器５からの出力信号波形と基準試料の測
定によって求められた、種々の幅、高さ、側壁角度に対
する信号波形との統計学上の相関係数を求め、相関係数
の最も大きい１幅ｖ０．高さＨｏ、側壁角度へ〇の組み
合せを求める。次に、幅Ｖ。およびｖｏより１つ小さい
幅ＩＪ１およびす。より１つ大きい幅ｖ２および高さＨ
６およびＨｏより１つ小さい高さＨｌおよびＨｏより１
つ大きい高さＨ２および側壁角度Ａ。およびＡ。より１
つ小さい側壁角度Ａ１およびＡｏより１つ大きい側壁角
度Ａ２の組み合せからなる２７点の信号波形から、＠、
高さ、側壁角度にそれぞれ必要な精度ΔＶ、ΔＨ９ΔＡ
ごとの点について内挿により信号波形を求める。次に、
検出器５からの出力信号波形と内挿により求められた種
々の幅、高さ、側壁角度に対する信号波形との相関係数
を求める。相関係数の最も大きい基準試料の幅、高さ、
側壁角度によって求めるパターンの形状が特定される。
方法について述べる。基準試料の測定では、幅、高さ、
側壁角度についてそれぞれ３点以上信号波形を求めてお
く。次に、検出器５からの出力信号波形と基準試料の測
定によって求められた、種々の幅、高さ、側壁角度に対
する信号波形との統計学上の相関係数を求め、相関係数
の最も大きい１幅ｖ０．高さＨｏ、側壁角度へ〇の組み
合せを求める。次に、幅Ｖ。およびｖｏより１つ小さい
幅ＩＪ１およびす。より１つ大きい幅ｖ２および高さＨ
６およびＨｏより１つ小さい高さＨｌおよびＨｏより１
つ大きい高さＨ２および側壁角度Ａ。およびＡ。より１
つ小さい側壁角度Ａ１およびＡｏより１つ大きい側壁角
度Ａ２の組み合せからなる２７点の信号波形から、＠、
高さ、側壁角度にそれぞれ必要な精度ΔＶ、ΔＨ９ΔＡ
ごとの点について内挿により信号波形を求める。次に、
検出器５からの出力信号波形と内挿により求められた種
々の幅、高さ、側壁角度に対する信号波形との相関係数
を求める。相関係数の最も大きい基準試料の幅、高さ、
側壁角度によって求めるパターンの形状が特定される。
以下に本発明の実施例を示す。
シリコン基板上に金を蒸着後、金を線状パターンに加工
した。次に、シリコン基板上の金パターンの上に加速電
圧４ｋＶの電子ビームを走査し、半導体検出器により反
射電子を検出して、出力信号波形を計算機のメモリ上に
蓄積した。この実施例では前記〔作用〕の項の第１の方
法を用いている。
した。次に、シリコン基板上の金パターンの上に加速電
圧４ｋＶの電子ビームを走査し、半導体検出器により反
射電子を検出して、出力信号波形を計算機のメモリ上に
蓄積した。この実施例では前記〔作用〕の項の第１の方
法を用いている。
次に、シリコン基板上の金パターンに対して、幅０．５
４から２ｔｍ、高さ０．２４から１ｔＩＭ１、側壁角度
＋５０″から８０″について、それぞれ０．１−１０．
１廓、２°の間隔で金線パターンを有する基準試料につ
いて、予め測定によって求められている信号波形との相
関係数を求めた。この結果、基準試料との相関係数が０
．９８と最も大きかった幅１．７１ｒｍ、高さ０．７−
、側壁角度６４″によって求めるパターンの形状が特定
された。
４から２ｔｍ、高さ０．２４から１ｔＩＭ１、側壁角度
＋５０″から８０″について、それぞれ０．１−１０．
１廓、２°の間隔で金線パターンを有する基準試料につ
いて、予め測定によって求められている信号波形との相
関係数を求めた。この結果、基準試料との相関係数が０
．９８と最も大きかった幅１．７１ｒｍ、高さ０．７−
、側壁角度６４″によって求めるパターンの形状が特定
された。
従って、本発明によれば既知の基準試料のパターンとの
比較によって基体上の求めるパターンの幅、高さ、側壁
角度を特定でき、したがって、パターンを破壊すること
なく容易にパターンの全体形状を求めることができる効
果を有するものである。
比較によって基体上の求めるパターンの幅、高さ、側壁
角度を特定でき、したがって、パターンを破壊すること
なく容易にパターンの全体形状を求めることができる効
果を有するものである。
第１図は出力信号波形を得る方法を表わす模式図、第２
図は出力信号波形図、第３図は基準試料の測′定により
得られた信号波形図である。 １・・・４５体、２・・・パターン、３・・・荷電粒子
線、４・・・反射荷電粒子線、５・・・検出器 第２図 第３図
図は出力信号波形図、第３図は基準試料の測′定により
得られた信号波形図である。 １・・・４５体、２・・・パターン、３・・・荷電粒子
線、４・・・反射荷電粒子線、５・・・検出器 第２図 第３図
Claims (1)
- （１）基体上のパターンを走査した荷電粒子線の出力波
形と、パターンの幅、高さ、側壁角度が既知の種々の基
準試料について予め測定して得られた信号波形との相関
を求め、相関関係が大きい基準試料のパターン形状に基
いて基板上の求めるパターン形状を特定することを特徴
とする形状測定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61105942A JPS62261911A (ja) | 1986-05-08 | 1986-05-08 | 形状測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61105942A JPS62261911A (ja) | 1986-05-08 | 1986-05-08 | 形状測定方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62261911A true JPS62261911A (ja) | 1987-11-14 |
Family
ID=14420900
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61105942A Pending JPS62261911A (ja) | 1986-05-08 | 1986-05-08 | 形状測定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62261911A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06333528A (ja) * | 1993-05-19 | 1994-12-02 | Nec Corp | 信号合成方法および装置 |
| JP2011186044A (ja) * | 2010-03-05 | 2011-09-22 | Toppan Printing Co Ltd | 微細パターン測定方法及び微細パターン測定装置 |
| JP2016057216A (ja) * | 2014-09-11 | 2016-04-21 | 株式会社アドバンテスト | パターン高さ測定装置及びパターン高さ測定方法 |
| KR20200118756A (ko) * | 2019-04-08 | 2020-10-16 | 주식회사 히타치하이테크 | 패턴 단면 형상 추정 시스템, 및 프로그램 |
-
1986
- 1986-05-08 JP JP61105942A patent/JPS62261911A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06333528A (ja) * | 1993-05-19 | 1994-12-02 | Nec Corp | 信号合成方法および装置 |
| JP2011186044A (ja) * | 2010-03-05 | 2011-09-22 | Toppan Printing Co Ltd | 微細パターン測定方法及び微細パターン測定装置 |
| JP2016057216A (ja) * | 2014-09-11 | 2016-04-21 | 株式会社アドバンテスト | パターン高さ測定装置及びパターン高さ測定方法 |
| KR20200118756A (ko) * | 2019-04-08 | 2020-10-16 | 주식회사 히타치하이테크 | 패턴 단면 형상 추정 시스템, 및 프로그램 |
| US11211226B2 (en) | 2019-04-08 | 2021-12-28 | Hitachi High-Tech Corporation | Pattern cross-sectional shape estimation system and program |
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