JPH06333528A - 信号合成方法および装置 - Google Patents
信号合成方法および装置Info
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- JPH06333528A JPH06333528A JP11675793A JP11675793A JPH06333528A JP H06333528 A JPH06333528 A JP H06333528A JP 11675793 A JP11675793 A JP 11675793A JP 11675793 A JP11675793 A JP 11675793A JP H06333528 A JPH06333528 A JP H06333528A
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- Japan
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- electron signal
- signal
- electron
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 反射電子信号のシミュレーションにおいて、
信号の生成時間を短縮する。 【構成】 反射電子信号保存部１から側壁角度αに対応
する反射電子信号を取り出し、反射電子信号保存部２か
ら側壁角度βに対応する反射電子信号を取り出し、反射
電子信号生成部３で、定められた式に基づき側壁角度γ
に対応する反射電子信号を生成する。
信号の生成時間を短縮する。 【構成】 反射電子信号保存部１から側壁角度αに対応
する反射電子信号を取り出し、反射電子信号保存部２か
ら側壁角度βに対応する反射電子信号を取り出し、反射
電子信号生成部３で、定められた式に基づき側壁角度γ
に対応する反射電子信号を生成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は微細加工により形成され
たパターンの形状測定方法に関するものである。
たパターンの形状測定方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、微細加工により形成されたパター
ン上にレーザ光あるいは電子線を走査し、検出器によっ
て得られた信号にしきい値レベルを設定し、信号の電圧
がしきい値レベルになる２点からパターンの線幅を測定
していた。また、パターンの厚さと側壁角度はパターン
を破壊し断面を出して電子顕微鏡で測定していた。しか
し、しきい値レベルを設定する方法で求める線幅はパタ
ーン形状の一部を測定しているだけであり、パターン形
状の全体は分からなかった。また、電子顕微鏡を用いる
方法は破壊測定であるという大きな欠点があった。
ン上にレーザ光あるいは電子線を走査し、検出器によっ
て得られた信号にしきい値レベルを設定し、信号の電圧
がしきい値レベルになる２点からパターンの線幅を測定
していた。また、パターンの厚さと側壁角度はパターン
を破壊し断面を出して電子顕微鏡で測定していた。しか
し、しきい値レベルを設定する方法で求める線幅はパタ
ーン形状の一部を測定しているだけであり、パターン形
状の全体は分からなかった。また、電子顕微鏡を用いる
方法は破壊測定であるという大きな欠点があった。
【０００３】この問題を解決するために、パターン上に
荷電粒子線を走査し、検出器によって得られた出力信号
波形と、種々の幅、厚さ、側壁角度のパターンに対して
シミュレーションにより得られた基準信号波形、あるい
は、パターンの幅、厚さ、側壁角度が既知の種々の基準
試料について予め測定して得られた基準信号波形との相
関を求めることにより、パターンの形状を求める形状測
定方法が提案された（特開昭６２−２１１６号公報およ
び特開昭６２−２６１９１１号公報参照）。
荷電粒子線を走査し、検出器によって得られた出力信号
波形と、種々の幅、厚さ、側壁角度のパターンに対して
シミュレーションにより得られた基準信号波形、あるい
は、パターンの幅、厚さ、側壁角度が既知の種々の基準
試料について予め測定して得られた基準信号波形との相
関を求めることにより、パターンの形状を求める形状測
定方法が提案された（特開昭６２−２１１６号公報およ
び特開昭６２−２６１９１１号公報参照）。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、この方法で
は、要求精度に対応した細かいピッチで多くの基準試料
を正確に作製して信号波形を測定するか、または、多く
の基準試料の代わりに膨大な計算時間を要して信号波形
をシミュレーションして、基準信号波形を得る必要があ
った。
は、要求精度に対応した細かいピッチで多くの基準試料
を正確に作製して信号波形を測定するか、または、多く
の基準試料の代わりに膨大な計算時間を要して信号波形
をシミュレーションして、基準信号波形を得る必要があ
った。
【０００５】本発明の目的は、上記の課題を解決し、短
時間で基準信号波形を得る信号合成方法および装置を提
供することにある。
時間で基準信号波形を得る信号合成方法および装置を提
供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】第１の発明の信号合成方
法は、第１の側壁角度を持つパターン上に電子ビームを
走査して得られる反射電子信号波形と、第２の側壁角度
を持つパターン上に電子ビームを走査して得られる反射
電子信号波形とを所定の関係式に従って演算し、任意の
側壁角度を持つパターン上に電子ビームを走査して得ら
れる反射電子信号を得ることを特徴とする。
法は、第１の側壁角度を持つパターン上に電子ビームを
走査して得られる反射電子信号波形と、第２の側壁角度
を持つパターン上に電子ビームを走査して得られる反射
電子信号波形とを所定の関係式に従って演算し、任意の
側壁角度を持つパターン上に電子ビームを走査して得ら
れる反射電子信号を得ることを特徴とする。
【０００７】第２の発明の信号合成装置は、第１および
第２の２つの反射電子信号保存部と、１つの反射電子信
号生成部とを有し、第１の反射電子信号保存部から第１
の側壁角度を持つパターン上に電子ビームを走査して得
られる反射電子信号を取り出し、第２の反射電子信号保
存部から第２の側壁角度を持つパターン上に電子ビーム
を走査して得られる反射電子信号を取り出して、所定の
関係式による演算機構を有する反射電子信号生成部にお
いて、任意の側壁角度を持つパターン上に電子ビームを
走査して得られる反射電子信号を得ることを特徴とす
る。
第２の２つの反射電子信号保存部と、１つの反射電子信
号生成部とを有し、第１の反射電子信号保存部から第１
の側壁角度を持つパターン上に電子ビームを走査して得
られる反射電子信号を取り出し、第２の反射電子信号保
存部から第２の側壁角度を持つパターン上に電子ビーム
を走査して得られる反射電子信号を取り出して、所定の
関係式による演算機構を有する反射電子信号生成部にお
いて、任意の側壁角度を持つパターン上に電子ビームを
走査して得られる反射電子信号を得ることを特徴とす
る。
【０００８】第３の発明の信号合成方法は、第１の厚さ
を持つパターン上に電子ビームを走査して左方向に検出
器をおいて得られる左方向反射電子信号波形と、第２の
厚さを持つパターン上に電子ビームを走査して左方向に
検出器をおいて得られる左方向反射電子信号波形を所定
の関係式に従って演算し、任意の厚さを持つパターン上
に電子ビームを走査して左方向に検出器をおいて得られ
る左方向反射電子信号を得、第１の厚さを持つパターン
上に電子ビームを走査して右方向に検出器をおいて得ら
れる右方向反射電子信号波形と、第２の厚さを持つパタ
ーン上に電子ビームを走査して右方向に検出器をおいて
得られる右方向反射電子信号波形を所定の関係式に従っ
て演算し、任意の厚さを持つパターン上に電子ビームを
走査して右方向に検出器を得られる右方向反射電子信号
を得、左方向反射電子信号波形と右方向反射電子信号波
形を所定の関係式に従って演算し、任意の厚さを持つパ
ターン上に電子ビームを走査して得られる反射電子信号
を得ることを特徴とする。
を持つパターン上に電子ビームを走査して左方向に検出
器をおいて得られる左方向反射電子信号波形と、第２の
厚さを持つパターン上に電子ビームを走査して左方向に
検出器をおいて得られる左方向反射電子信号波形を所定
の関係式に従って演算し、任意の厚さを持つパターン上
に電子ビームを走査して左方向に検出器をおいて得られ
る左方向反射電子信号を得、第１の厚さを持つパターン
上に電子ビームを走査して右方向に検出器をおいて得ら
れる右方向反射電子信号波形と、第２の厚さを持つパタ
ーン上に電子ビームを走査して右方向に検出器をおいて
得られる右方向反射電子信号波形を所定の関係式に従っ
て演算し、任意の厚さを持つパターン上に電子ビームを
走査して右方向に検出器を得られる右方向反射電子信号
を得、左方向反射電子信号波形と右方向反射電子信号波
形を所定の関係式に従って演算し、任意の厚さを持つパ
ターン上に電子ビームを走査して得られる反射電子信号
を得ることを特徴とする。
【０００９】第４の発明の信号合成装置は、第１〜第４
の４つの反射電子信号保存部と、第１〜第３の３つの反
射電子信号生成部とを有し、第１の反射電子信号保存部
から第１の厚さを持つパターン上に電子ビームを走査し
て左方向に検出器をおいて得られる左方向反射電子信号
を取り出し、第２の反射電子信号保存部から第２の厚さ
を持つパターン上に電子ビームを走査して左方向に検出
器をおいて得られる左方向反射電子信号を取り出して、
所定の関係式による演算機構を有する第１の反射電子信
号生成部において、任意の厚さを持つパターン上に電子
ビームを走査して左方向に検出器をおいて得られる左方
向反射電子信号を得、第３の反射電子信号保存部から第
１の厚さを持つパターン上に電子ビームを走査して右方
向に検出器をおいて得られる右方向反射電子信号を取り
出し、第３の反射電子信号保存部から第２の厚さを持つ
パターン上に電子ビームを走査して右方向に検出器をお
いて得られる右方向反射電子信号を取り出して、所定の
関係式による演算機構を有する第２の反射電子信号生成
部において、任意の厚さを持つパターン上に電子ビーム
を走査して右方向に検出器をおいて得られる右方向反射
電子信号を得、第１の反射電子信号生成部から左方向反
射電子信号を取り出し、第２の反射電子信号生成部から
右方向反射電子信号を取り出して、所定の関係式による
演算機構を有する第３の反射電子信号生成部において、
任意の厚さを持つパターン上に電子ビームを走査して得
られる反射電子信号を得ることを特徴とする。
の４つの反射電子信号保存部と、第１〜第３の３つの反
射電子信号生成部とを有し、第１の反射電子信号保存部
から第１の厚さを持つパターン上に電子ビームを走査し
て左方向に検出器をおいて得られる左方向反射電子信号
を取り出し、第２の反射電子信号保存部から第２の厚さ
を持つパターン上に電子ビームを走査して左方向に検出
器をおいて得られる左方向反射電子信号を取り出して、
所定の関係式による演算機構を有する第１の反射電子信
号生成部において、任意の厚さを持つパターン上に電子
ビームを走査して左方向に検出器をおいて得られる左方
向反射電子信号を得、第３の反射電子信号保存部から第
１の厚さを持つパターン上に電子ビームを走査して右方
向に検出器をおいて得られる右方向反射電子信号を取り
出し、第３の反射電子信号保存部から第２の厚さを持つ
パターン上に電子ビームを走査して右方向に検出器をお
いて得られる右方向反射電子信号を取り出して、所定の
関係式による演算機構を有する第２の反射電子信号生成
部において、任意の厚さを持つパターン上に電子ビーム
を走査して右方向に検出器をおいて得られる右方向反射
電子信号を得、第１の反射電子信号生成部から左方向反
射電子信号を取り出し、第２の反射電子信号生成部から
右方向反射電子信号を取り出して、所定の関係式による
演算機構を有する第３の反射電子信号生成部において、
任意の厚さを持つパターン上に電子ビームを走査して得
られる反射電子信号を得ることを特徴とする。
【００１０】
【作用】第１，第２の発明の作用を説明する。図２にお
いて、側壁角度αのパターンと側壁角度βのパターンが
あり、それぞれのパターンに対応する反射電子信号をｆ
（ｘ），ｇ（ｘ）とする。この場合、側壁角度γに対応
する反射電子信号ｈ（ｘ）は図２中の記号を用いて、式
（１）〜（３）で与えられる。なお、３つのパターンの
厚さは同じとする。
いて、側壁角度αのパターンと側壁角度βのパターンが
あり、それぞれのパターンに対応する反射電子信号をｆ
（ｘ），ｇ（ｘ）とする。この場合、側壁角度γに対応
する反射電子信号ｈ（ｘ）は図２中の記号を用いて、式
（１）〜（３）で与えられる。なお、３つのパターンの
厚さは同じとする。
【００１１】 ｈ（ｘ）＝ｂ／（ａ＋ｂ）×ｆ（ｘ）＋ａ／（ａ＋ｂ）×ｇ（ｘ） （ｘ＜−ａ，ｘ≧ｂ＋ｅ） （１） ｈ（ｘ）＝ｇ（ｘ） （−ａ≦ｘ＜０） （２） ｈ（ｘ）＝ｄ（ｘ）／（ｃ（ｘ）＋ｄ（ｘ））×ｆ（ｘ）＋ｃ（ｘ）／（ｃ（ ｘ）＋ｄ（ｘ））×ｇ（ｘ） （０＜ｘ＜ｂ＋ｅ） （３） 次に、第３，第４の発明の作用を説明する。図４におい
て、厚さＨ1 のパターンと厚さＨ2 のパターンがあり、
厚さＨ１1 のパターンに対応する左方向反射電子信号ｆ
Ｌ（ｘ）と厚さＨ2 のパターンに対応する左方向反射電
子信号ｇＬ（ｘ）から、厚さＨ3 のパターンに対応する
左方向反射電子信号ｈＬ（ｘ）は図４（ａ）中の記号を
用いて、式（４），（５）で与えられる。また、図４
（ｂ）中の記号を用いて、式（６）で与えられる。な
お、３つのパターンの側壁角度は同じとする。
て、厚さＨ1 のパターンと厚さＨ2 のパターンがあり、
厚さＨ１1 のパターンに対応する左方向反射電子信号ｆ
Ｌ（ｘ）と厚さＨ2 のパターンに対応する左方向反射電
子信号ｇＬ（ｘ）から、厚さＨ3 のパターンに対応する
左方向反射電子信号ｈＬ（ｘ）は図４（ａ）中の記号を
用いて、式（４），（５）で与えられる。また、図４
（ｂ）中の記号を用いて、式（６）で与えられる。な
お、３つのパターンの側壁角度は同じとする。
【００１２】 ｈＬ（ｘ）＝（ｆＬ（ｘ）＋ｇＬ（ｘ））／２ （ｘ≦−ａ） （４） ｈＬ（ｘ）＝ｇＬ（ｘ） （−ａ＜ｘ≦０） （５） ｈＬ（ｘ）＝（（ｈＬ（０）−ｆＬ（０））×ｇＬ（ｘ）＋（ｇＬ（０）−ｈ Ｌ（０））×ｆＬ（ｘ））／（ｆＬ（０）−ｇＬ（０）） （０＜ｘ） （６） また、厚さＨ1 のパターンに対応する右方向反射電子信
号ｆＲ（ｘ）と厚さＨ2のパターンに対応する右方向反
射電子信号ｇＲ（ｘ）から、厚さＨ3 のパターンに対応
する右方向反射電子信号ｈＲ（ｘ）は図４（ａ）中の記
号を用いて、式（７）で与えられる。また、図４（ｂ）
中の記号を用いて、式（８），（９）で与えられる。
号ｆＲ（ｘ）と厚さＨ2のパターンに対応する右方向反
射電子信号ｇＲ（ｘ）から、厚さＨ3 のパターンに対応
する右方向反射電子信号ｈＲ（ｘ）は図４（ａ）中の記
号を用いて、式（７）で与えられる。また、図４（ｂ）
中の記号を用いて、式（８），（９）で与えられる。
【００１３】 ｈＲ（ｘ）＝（（ηｈ−ηｆ）×ｇＲ（ｘ）＋（ηｇ−ηｈ）×ｆＲ（ｘ）） ／（ηｆ−ηｇ） （ｘ＜−ａ） （７） ｈＲ（ｘ）＝ｇＲ（ｘ） （−ａ≦ｘ≦０） （８） ｈＲ（ｘ）＝（ｆＲ（ｘ）＋ｇＲ（ｘ））／２ （０＜ｘ） （９） なお、式（７）のηは図５中の記号を用いて、式（１
０）〜（１５）で与えられる。
０）〜（１５）で与えられる。
【００１４】
【数１】
【００１５】さらに、厚さＨ3 のパターンに対する反射
電子信号ｈ（ｘ）は、左方向反射電子信号ｈＬ（ｘ）と
右方向反射電子信号ｈＲ（ｘ）から、式（１６）で与え
られる。
電子信号ｈ（ｘ）は、左方向反射電子信号ｈＬ（ｘ）と
右方向反射電子信号ｈＲ（ｘ）から、式（１６）で与え
られる。
【００１６】 ｈ（ｘ）＝ｈＬ（ｘ）＋ｈＲ（ｘ） （16）
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。図１は、本発明の第１の実施例の説明図で
ある。図１において、反射電子信号保存部１から側壁角
度６５度のパターンに対応する反射電子信号を取り出
し、反射電子保存部２から側壁角度８５度のパターンに
対応する反射電子信号を取り出し、反射電子信号生成部
３で式（１）〜（３）に基づき、側壁角度７５度のパタ
ーンに対応する反射電子信号を生成した。得られた反射
電子信号を、本発明の簡便な方法によらず直接の計算に
より求めた側壁角度７５度のパターンに対応する反射電
子信号と図６に比較して示した。パターンの厚さはいず
れも０．５μｍである。
て説明する。図１は、本発明の第１の実施例の説明図で
ある。図１において、反射電子信号保存部１から側壁角
度６５度のパターンに対応する反射電子信号を取り出
し、反射電子保存部２から側壁角度８５度のパターンに
対応する反射電子信号を取り出し、反射電子信号生成部
３で式（１）〜（３）に基づき、側壁角度７５度のパタ
ーンに対応する反射電子信号を生成した。得られた反射
電子信号を、本発明の簡便な方法によらず直接の計算に
より求めた側壁角度７５度のパターンに対応する反射電
子信号と図６に比較して示した。パターンの厚さはいず
れも０．５μｍである。
【００１７】図３は、第２の実施例を説明する図であ
る。図３において、反射電子信号保存部４から厚さ０．
２μｍに対応する左方向反射電子信号を取り出し、反射
電子信号保存部５から厚さ０．８に対応する左方向反射
電子信号を取り出し、第１反射電子信号生成部６で式
（４）〜（６）に基づき厚さ０．５μｍに対応する左方
向反射電子信号を生成し、保存した。
る。図３において、反射電子信号保存部４から厚さ０．
２μｍに対応する左方向反射電子信号を取り出し、反射
電子信号保存部５から厚さ０．８に対応する左方向反射
電子信号を取り出し、第１反射電子信号生成部６で式
（４）〜（６）に基づき厚さ０．５μｍに対応する左方
向反射電子信号を生成し、保存した。
【００１８】次に、反射電子信号保存部７から厚さ０．
２μｍに対応する右方向反射電子信号を取り出し、反射
電子信号保存部８から厚さ０．８μｍに対応する右方向
反射電子信号を取り出し、第１反射電子信号生成部９で
式（７）〜（１５）に基づき厚さ０．５μｍに対応する
右方向反射電子信号を生成し、保存した。
２μｍに対応する右方向反射電子信号を取り出し、反射
電子信号保存部８から厚さ０．８μｍに対応する右方向
反射電子信号を取り出し、第１反射電子信号生成部９で
式（７）〜（１５）に基づき厚さ０．５μｍに対応する
右方向反射電子信号を生成し、保存した。
【００１９】さらに、第１反射電子生成部６から左方向
反射電子信号を取り出し、第１反射電子生成部９から右
方向反射電子信号を取り出し、第２反射電子生成部１０
で式（１６）に基づき反射電子信号を生成した。得られ
た反射電子信号を、本発明の簡便な方法によらず直接の
計算により求めた厚さ０．５μｍのパターンに対応する
反射電子信号と図７に比較して示した。パターンの側壁
角度はいずれも７５度である。
反射電子信号を取り出し、第１反射電子生成部９から右
方向反射電子信号を取り出し、第２反射電子生成部１０
で式（１６）に基づき反射電子信号を生成した。得られ
た反射電子信号を、本発明の簡便な方法によらず直接の
計算により求めた厚さ０．５μｍのパターンに対応する
反射電子信号と図７に比較して示した。パターンの側壁
角度はいずれも７５度である。
【００２０】
【発明の効果】以上説明したように、従来、大型計算機
で２時間を要した信号生成が、本発明によれば、信号の
劣化を生じずに、パーソナルコンピュータで１秒で生成
できた。
で２時間を要した信号生成が、本発明によれば、信号の
劣化を生じずに、パーソナルコンピュータで１秒で生成
できた。
【図１】第２の発明のブロック図である。
【図２】第１，第２の発明の説明図である。
【図３】第４の発明のブロック図である。
【図４】第３，第４の発明の説明図である。
【図５】第３，第４の発明の説明図である。
【図６】本発明の第１の実施例の結果を示した図であ
る。
る。
【図７】本発明の第２の実施例の結果を示した図であ
る。
る。
１，２，４，５，７，８ 反射電子信号保存部 ３ 反射電子信号生成部 ６，９ 第１反射電子信号生成部 １０ 第２反射電子信号生成部
Claims (4)
- 【請求項１】第１の側壁角度を持つパターン上に電子ビ
ームを走査して得られる反射電子信号波形と、第２の側
壁角度を持つパターン上に電子ビームを走査して得られ
る反射電子信号波形とを所定の関係式に従って演算し、
任意の側壁角度を持つパターン上に電子ビームを走査し
て得られる反射電子信号を得ることを特徴とする信号合
成方法。 - 【請求項２】第１および第２の２つの反射電子信号保存
部と、１つの反射電子信号生成部とを有し、第１の反射
電子信号保存部から第１の側壁角度を持つパターン上に
電子ビームを走査して得られる反射電子信号を取り出
し、第２の反射電子信号保存部から第２の側壁角度を持
つパターン上に電子ビームを走査して得られる反射電子
信号を取り出して、所定の関係式による演算機構を有す
る反射電子信号生成部において、任意の側壁角度を持つ
パターン上に電子ビームを走査して得られる反射電子信
号を得ることを特徴とする信号合成装置。 - 【請求項３】第１の厚さを持つパターン上に電子ビーム
を走査して左方向に検出器をおいて得られる左方向反射
電子信号波形と、第２の厚さを持つパターン上に電子ビ
ームを走査して左方向に検出器をおいて得られる左方向
反射電子信号波形を所定の関係式に従って演算し、任意
の厚さを持つパターン上に電子ビームを走査して左方向
に検出器をおいて得られる左方向反射電子信号を得、第
１の厚さを持つパターン上に電子ビームを走査して右方
向に検出器をおいて得られる右方向反射電子信号波形
と、第２の厚さを持つパターン上に電子ビームを走査し
て右方向に検出器をおいて得られる右方向反射電子信号
波形を所定の関係式に従って演算し、任意の厚さを持つ
パターン上に電子ビームを走査して右方向に検出器を得
られる右方向反射電子信号を得、左方向反射電子信号波
形と右方向反射電子信号波形を所定の関係式に従って演
算し、任意の厚さを持つパターン上に電子ビームを走査
して得られる反射電子信号を得ることを特徴とする信号
合成方法。 - 【請求項４】第１〜第４の４つの反射電子信号保存部
と、第１〜第３の３つの反射電子信号生成部とを有し、
第１の反射電子信号保存部から第１の厚さを持つパター
ン上に電子ビームを走査して左方向に検出器をおいて得
られる左方向反射電子信号を取り出し、第２の反射電子
信号保存部から第２の厚さを持つパターン上に電子ビー
ムを走査して左方向に検出器をおいて得られる左方向反
射電子信号を取り出して、所定の関係式による演算機構
を有する第１の反射電子信号生成部において、任意の厚
さを持つパターン上に電子ビームを走査して左方向に検
出器をおいて得られる左方向反射電子信号を得、第３の
反射電子信号保存部から第１の厚さを持つパターン上に
電子ビームを走査して右方向に検出器をおいて得られる
右方向反射電子信号を取り出し、第３の反射電子信号保
存部から第２の厚さを持つパターン上に電子ビームを走
査して右方向に検出器をおいて得られる右方向反射電子
信号を取り出して、所定の関係式による演算機構を有す
る第２の反射電子信号生成部において、任意の厚さを持
つパターン上に電子ビームを走査して右方向に検出器を
おいて得られる右方向反射電子信号を得、第１の反射電
子信号生成部から左方向反射電子信号を取り出し、第２
の反射電子信号生成部から右方向反射電子信号を取り出
して、所定の関係式による演算機構を有する第３の反射
電子信号生成部において、任意の厚さを持つパターン上
に電子ビームを走査して得られる反射電子信号を得るこ
とを特徴とする信号合成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5116757A JP2734337B2 (ja) | 1993-05-19 | 1993-05-19 | 信号合成方法および装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5116757A JP2734337B2 (ja) | 1993-05-19 | 1993-05-19 | 信号合成方法および装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06333528A true JPH06333528A (ja) | 1994-12-02 |
| JP2734337B2 JP2734337B2 (ja) | 1998-03-30 |
Family
ID=14694992
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5116757A Expired - Lifetime JP2734337B2 (ja) | 1993-05-19 | 1993-05-19 | 信号合成方法および装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2734337B2 (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61161644A (ja) * | 1984-12-31 | 1986-07-22 | インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション | 試料の正確な像を表わす合成信号を形成する装置 |
| JPS622116A (ja) * | 1985-06-28 | 1987-01-08 | Nec Corp | 形状測定方法 |
| JPS62261911A (ja) * | 1986-05-08 | 1987-11-14 | Nec Corp | 形状測定方法 |
-
1993
- 1993-05-19 JP JP5116757A patent/JP2734337B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61161644A (ja) * | 1984-12-31 | 1986-07-22 | インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション | 試料の正確な像を表わす合成信号を形成する装置 |
| JPS622116A (ja) * | 1985-06-28 | 1987-01-08 | Nec Corp | 形状測定方法 |
| JPS62261911A (ja) * | 1986-05-08 | 1987-11-14 | Nec Corp | 形状測定方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2734337B2 (ja) | 1998-03-30 |
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