JPH06103950A - 走査電子顕微鏡における立体像取得方法 - Google Patents
走査電子顕微鏡における立体像取得方法Info
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- JPH06103950A JPH06103950A JP4254480A JP25448092A JPH06103950A JP H06103950 A JPH06103950 A JP H06103950A JP 4254480 A JP4254480 A JP 4254480A JP 25448092 A JP25448092 A JP 25448092A JP H06103950 A JPH06103950 A JP H06103950A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 試料の構造を非破壊で調べることができる走
査電子顕微鏡における立体像取得方法を実現する。 【構成】 試料２に照射される電子ビームＥＢの試料内
への侵入深さは加速電圧に応じて異なる。コンピュータ
８は加速電圧発生器１４を制御して電子銃１の加速電圧
を順々に変化させる。各加速電圧に基づく多数の画像デ
ータは、演算処理回路１０において差が求められる。第
３のフレームメモリ１１には試料２の表面部分から比較
的深い部分までの各層の画像データが得られる。この第
３のフレームメモリ１１の多数枚の画像データを三次元
処理回路１２に供給し、三次元画像を構築し、その結果
を陰極線管１３に供給すれば、陰極線管１３上には試料
２の三次元構造が表示される。
査電子顕微鏡における立体像取得方法を実現する。 【構成】 試料２に照射される電子ビームＥＢの試料内
への侵入深さは加速電圧に応じて異なる。コンピュータ
８は加速電圧発生器１４を制御して電子銃１の加速電圧
を順々に変化させる。各加速電圧に基づく多数の画像デ
ータは、演算処理回路１０において差が求められる。第
３のフレームメモリ１１には試料２の表面部分から比較
的深い部分までの各層の画像データが得られる。この第
３のフレームメモリ１１の多数枚の画像データを三次元
処理回路１２に供給し、三次元画像を構築し、その結果
を陰極線管１３に供給すれば、陰極線管１３上には試料
２の三次元構造が表示される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、試料の深さ方向の構造
を立体的に表示することを可能とする走査電子顕微鏡に
おける立体像取得方法に関する。
を立体的に表示することを可能とする走査電子顕微鏡に
おける立体像取得方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】特開昭６３−１９８２４９号では、走査
電子顕微鏡の２個の検出器からの信号を交互に画面表示
し、それに同期して左右の各眼用のフィルターの光の透
過，遮断を繰り返すことにより、試料の立体像効果を得
る技術が示されている。また、特開昭６２−２８５０４
９号では、反射電子による画像データを用いて表面分析
を行う技術が示されている。
電子顕微鏡の２個の検出器からの信号を交互に画面表示
し、それに同期して左右の各眼用のフィルターの光の透
過，遮断を繰り返すことにより、試料の立体像効果を得
る技術が示されている。また、特開昭６２−２８５０４
９号では、反射電子による画像データを用いて表面分析
を行う技術が示されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、試料の構造
を非破壊で探ることは非常に有益であり、特にこのこと
は、半導体分野でこれから本格的になるであろう三次元
ＩＣの検査において極めて重要となる。また、試料の深
さ方向に特定の材質が所定の厚みを持って形成されてい
るかを調べること、更には、生物の分野などで非破壊で
内部構造を探れることができれば、産業上，生物学上お
おいに意義がある。しかしながら、上記した従来の走査
電子顕微鏡における立体像表示方式では、このような要
求に答えることができない。
を非破壊で探ることは非常に有益であり、特にこのこと
は、半導体分野でこれから本格的になるであろう三次元
ＩＣの検査において極めて重要となる。また、試料の深
さ方向に特定の材質が所定の厚みを持って形成されてい
るかを調べること、更には、生物の分野などで非破壊で
内部構造を探れることができれば、産業上，生物学上お
おいに意義がある。しかしながら、上記した従来の走査
電子顕微鏡における立体像表示方式では、このような要
求に答えることができない。
【０００４】本発明は、このような点に鑑みてなされた
もので、その目的は、試料の構造を非破壊で調べること
ができる走査電子顕微鏡における立体像取得方法を実現
するにある。
もので、その目的は、試料の構造を非破壊で調べること
ができる走査電子顕微鏡における立体像取得方法を実現
するにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明に基づく走査電子
顕微鏡における立体像取得方法は、電子銃と、電子銃か
らの電子ビームを試料上に集束するための電子レンズ
と、電子ビームを試料上で走査するための走査手段と、
試料への電子ビームの照射によって得られた反射電子を
検出する検出器と、検出器からの信号に基づいて走査像
を得るようにした走査電子顕微鏡において、試料へ入射
する電子ビームのエネルギーを変化させて異なったエネ
ルギーの電子ビームに基づく複数の走査像を得るステッ
プ、隣り合ったエネルギーに基づく２種の走査像の差分
の信号を得るステップ、複数の差分の信号に基づいて試
料の立体像を構築するステップとよりなることを特徴と
している。
顕微鏡における立体像取得方法は、電子銃と、電子銃か
らの電子ビームを試料上に集束するための電子レンズ
と、電子ビームを試料上で走査するための走査手段と、
試料への電子ビームの照射によって得られた反射電子を
検出する検出器と、検出器からの信号に基づいて走査像
を得るようにした走査電子顕微鏡において、試料へ入射
する電子ビームのエネルギーを変化させて異なったエネ
ルギーの電子ビームに基づく複数の走査像を得るステッ
プ、隣り合ったエネルギーに基づく２種の走査像の差分
の信号を得るステップ、複数の差分の信号に基づいて試
料の立体像を構築するステップとよりなることを特徴と
している。
【０００６】
【作用】本発明に基づく走査電子顕微鏡における立体像
取得方法は、試料へ入射する電子ビームのエネルギーを
変化させて異なったエネルギーの電子ビームに基づく複
数の走査像を得、複数の走査像の内隣り合ったエネルギ
ーに基づく２種の走査像の差分の信号を得、複数の差分
の信号に基づいて試料の立体像を構築する。
取得方法は、試料へ入射する電子ビームのエネルギーを
変化させて異なったエネルギーの電子ビームに基づく複
数の走査像を得、複数の走査像の内隣り合ったエネルギ
ーに基づく２種の走査像の差分の信号を得、複数の差分
の信号に基づいて試料の立体像を構築する。
【０００７】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細
に説明する。図１は、本発明を実施するための走査電子
顕微鏡の一例を示しており、１は電子銃である。電子銃
１から発生した電子ビームＥＢは、図示していない電子
レンズによって試料２上に細く集束される。試料２の電
子ビームＥＢの照射位置は、偏向器３に走査信号発生回
路４からの走査信号を印加することによって走査され
る。試料２への電子ビームの照射によって発生した反射
電子は、反射電子検出器５によって検出される。この検
出器としては、良く知られたロビンソン型や半導体の反
射電子検出器を用いることができ、更に、一般の２次電
子検出器でも取り付け角度を４５度以上とすることによ
っても使用することができるが、試料の真上に取り付け
ることができ、低いエネルギーの電子も検出できるマイ
クロチャンネルプレートを用いることが最も好ましい。
に説明する。図１は、本発明を実施するための走査電子
顕微鏡の一例を示しており、１は電子銃である。電子銃
１から発生した電子ビームＥＢは、図示していない電子
レンズによって試料２上に細く集束される。試料２の電
子ビームＥＢの照射位置は、偏向器３に走査信号発生回
路４からの走査信号を印加することによって走査され
る。試料２への電子ビームの照射によって発生した反射
電子は、反射電子検出器５によって検出される。この検
出器としては、良く知られたロビンソン型や半導体の反
射電子検出器を用いることができ、更に、一般の２次電
子検出器でも取り付け角度を４５度以上とすることによ
っても使用することができるが、試料の真上に取り付け
ることができ、低いエネルギーの電子も検出できるマイ
クロチャンネルプレートを用いることが最も好ましい。
【０００８】検出器５によって検出された信号は、信号
増幅器６によって増幅された後、第１のフレームメモリ
７に供給される。第１のフレームメモリ７に記憶された
信号は、コンピュータ８の指令によって第２のフレーム
メモリ９に転送されたり、演算処理回路１０に供給され
る。演算処理回路１０の処理結果は、第３のフレームメ
モリ１１に供給されて記憶される。
増幅器６によって増幅された後、第１のフレームメモリ
７に供給される。第１のフレームメモリ７に記憶された
信号は、コンピュータ８の指令によって第２のフレーム
メモリ９に転送されたり、演算処理回路１０に供給され
る。演算処理回路１０の処理結果は、第３のフレームメ
モリ１１に供給されて記憶される。
【０００９】１２は三次元処理回路であり、第３のフレ
ームメモリ１１に記憶された複数枚の画像信号に基づい
て三次元画像処理を行い、処理した信号を陰極線管１３
に供給する。コンピュータ８は電子銃１の加速電圧発生
器１４、電子ビームのシフト量調節器１５および輝度調
節器１６を制御する。この加速電圧発生器１４は、１０
０Ｖ〜５０ＫＶの範囲で電子銃１の加速電圧を変えるこ
とができる。シフト量調節器１５の出力は、加算器１７
において走査信号発生回路４からの走査信号に加算され
る。輝度調節器１６は、第１のフレームメモリ７に供給
されて第１のフレームメモリ７に取り込まれたディジタ
ルデータの輝度補正を行う。このような構成の動作を次
に詳述する。
ームメモリ１１に記憶された複数枚の画像信号に基づい
て三次元画像処理を行い、処理した信号を陰極線管１３
に供給する。コンピュータ８は電子銃１の加速電圧発生
器１４、電子ビームのシフト量調節器１５および輝度調
節器１６を制御する。この加速電圧発生器１４は、１０
０Ｖ〜５０ＫＶの範囲で電子銃１の加速電圧を変えるこ
とができる。シフト量調節器１５の出力は、加算器１７
において走査信号発生回路４からの走査信号に加算され
る。輝度調節器１６は、第１のフレームメモリ７に供給
されて第１のフレームメモリ７に取り込まれたディジタ
ルデータの輝度補正を行う。このような構成の動作を次
に詳述する。
【００１０】まず、通常の反射電子像を陰極線管１３上
に表示する動作について説明する。コンピュータ８によ
って加速電圧発生器１４が制御され、電子銃１における
電子ビームの加速電圧を任意に設定する。さらに、走査
信号発生回路４から２次元的な走査信号を偏向器３に供
給し、電子ビームを試料２上で２次元的に走査する。試
料２への電子ビームの照射によって発生した反射電子
は、検出器５によって検出され、その検出信号は増幅器
６を介して第１のフレームメモリ７に供給されて記憶さ
れる。この第１のフレームメモリ７に記憶されたデータ
を適宜読みだし、陰極線管１３に輝度信号として供給す
れば、陰極線管１３に反射電子像が表示される。なお、
第１のフレームメモリ７から陰極線管１３に信号を供給
する信号系は図示していない。
に表示する動作について説明する。コンピュータ８によ
って加速電圧発生器１４が制御され、電子銃１における
電子ビームの加速電圧を任意に設定する。さらに、走査
信号発生回路４から２次元的な走査信号を偏向器３に供
給し、電子ビームを試料２上で２次元的に走査する。試
料２への電子ビームの照射によって発生した反射電子
は、検出器５によって検出され、その検出信号は増幅器
６を介して第１のフレームメモリ７に供給されて記憶さ
れる。この第１のフレームメモリ７に記憶されたデータ
を適宜読みだし、陰極線管１３に輝度信号として供給す
れば、陰極線管１３に反射電子像が表示される。なお、
第１のフレームメモリ７から陰極線管１３に信号を供給
する信号系は図示していない。
【００１１】次に三次元の立体像を表示する動作につい
て説明する。まず、コンピュータ８は加速電圧発生器１
４を制御して最初の加速電圧を設定する。設定された加
速電圧により電子ビームが試料２の所定領域上で２次元
的に走査される。この走査に基づいて得られた反射電子
は検出器５によって検出され、信号増幅器６を介して第
１のフレームメモリ７に供給されて記憶される。
て説明する。まず、コンピュータ８は加速電圧発生器１
４を制御して最初の加速電圧を設定する。設定された加
速電圧により電子ビームが試料２の所定領域上で２次元
的に走査される。この走査に基づいて得られた反射電子
は検出器５によって検出され、信号増幅器６を介して第
１のフレームメモリ７に供給されて記憶される。
【００１２】次にコンピュータ８は加速電圧発生器１４
を制御し、２番目の加速電圧を設定する。この時、コン
ピュータ８は第１のフレームメモリに記憶されている最
初の加速電圧に基づく画像データを第２のフレームメモ
リ９に転送する。設定された２番目の加速電圧により電
子ビームが試料２の所定領域上で２次元的に走査され
る。この走査に基づいて得られた反射電子は検出器５に
よって検出され、信号増幅器６を介して第１のフレーム
メモリ７に供給されて記憶される。
を制御し、２番目の加速電圧を設定する。この時、コン
ピュータ８は第１のフレームメモリに記憶されている最
初の加速電圧に基づく画像データを第２のフレームメモ
リ９に転送する。設定された２番目の加速電圧により電
子ビームが試料２の所定領域上で２次元的に走査され
る。この走査に基づいて得られた反射電子は検出器５に
よって検出され、信号増幅器６を介して第１のフレーム
メモリ７に供給されて記憶される。
【００１３】次にコンピュータ８は加速電圧発生器１４
を制御し、３番目の加速電圧を設定する。この時、コン
ピュータ８は第１のフレームメモリ７に記憶されている
２番目の画像データと第２のフレームメモリに記憶され
ている最初の画像データとを読み出して演算処理回路１
０に供給する。演算処理回路１０では、２種の画像デー
タについて各画素ごとに信号強度の差を演算し、その結
果を第３のフレームメモリ１１に供給して記憶させる。
さらに、コンピュータ８は、第１と第２のフレームメモ
リ７，８に記憶されているデータを読み出して演算処理
回路１０に供給した後、第１のフレームメモリに記憶さ
れている２番目の加速電圧に基づく画像データを第２の
フレームメモリ９に転送し、第２のフレームメモリ９の
記憶内容を書き替える。このような信号の転送処理を行
った後、設定された３番目の加速電圧により電子ビーム
が試料２の所定領域上で２次元的に走査される。この走
査に基づいて得られた反射電子は検出器５によって検出
され、信号増幅器６を介して第１のフレームメモリ７に
供給されて記憶される。
を制御し、３番目の加速電圧を設定する。この時、コン
ピュータ８は第１のフレームメモリ７に記憶されている
２番目の画像データと第２のフレームメモリに記憶され
ている最初の画像データとを読み出して演算処理回路１
０に供給する。演算処理回路１０では、２種の画像デー
タについて各画素ごとに信号強度の差を演算し、その結
果を第３のフレームメモリ１１に供給して記憶させる。
さらに、コンピュータ８は、第１と第２のフレームメモ
リ７，８に記憶されているデータを読み出して演算処理
回路１０に供給した後、第１のフレームメモリに記憶さ
れている２番目の加速電圧に基づく画像データを第２の
フレームメモリ９に転送し、第２のフレームメモリ９の
記憶内容を書き替える。このような信号の転送処理を行
った後、設定された３番目の加速電圧により電子ビーム
が試料２の所定領域上で２次元的に走査される。この走
査に基づいて得られた反射電子は検出器５によって検出
され、信号増幅器６を介して第１のフレームメモリ７に
供給されて記憶される。
【００１４】その後、同様にして、４番目の加速電圧が
設定されると、２番目と３番目の加速電圧に基づく検出
信号データの差が求められ、その値は第３のフレームメ
モリ１１に供給されて記憶される。このようにして、ｎ
の数の加速電圧を設定し、ｎの数の加速電圧に基づく画
像信号が得られると、ｎ−１の数の差の画像データが第
３のフレームメモリ１１に記憶されることになる。
設定されると、２番目と３番目の加速電圧に基づく検出
信号データの差が求められ、その値は第３のフレームメ
モリ１１に供給されて記憶される。このようにして、ｎ
の数の加速電圧を設定し、ｎの数の加速電圧に基づく画
像信号が得られると、ｎ−１の数の差の画像データが第
３のフレームメモリ１１に記憶されることになる。
【００１５】ここで、試料２に照射される電子ビームＥ
Ｂの試料内への侵入深さは加速電圧に応じて異なる。例
えば、上記した例で、最初の加速電圧を最も低い電圧と
すると、最初の加速電圧による電子ビームの走査によ
り、試料２の比較的浅い表層部分からの反射電子に基づ
く画像データが得られる。すなわち、図２の試料の断面
図で、Ａの層からのトータルの反射電子に基づくデータ
が得られる。そして、次の２番目の加速電圧による電子
ビームの走査により、試料２のより深い部分まで入射電
子ビームが侵入することから、最初の加速電圧のときよ
りも深い層部分であるＢ層からの反射電子が検出され
る。すなわち、図２でＡとＢの層からのトータルの反射
電子に基づくデータが得られる。したがって、この１番
目と２番目の加速電圧に基づく２種の画像データの差を
得ると、Ａの層からの反射電子信号分が除かれ、実質的
にＢの層からの反射電子信号のみが得られることにな
る。
Ｂの試料内への侵入深さは加速電圧に応じて異なる。例
えば、上記した例で、最初の加速電圧を最も低い電圧と
すると、最初の加速電圧による電子ビームの走査によ
り、試料２の比較的浅い表層部分からの反射電子に基づ
く画像データが得られる。すなわち、図２の試料の断面
図で、Ａの層からのトータルの反射電子に基づくデータ
が得られる。そして、次の２番目の加速電圧による電子
ビームの走査により、試料２のより深い部分まで入射電
子ビームが侵入することから、最初の加速電圧のときよ
りも深い層部分であるＢ層からの反射電子が検出され
る。すなわち、図２でＡとＢの層からのトータルの反射
電子に基づくデータが得られる。したがって、この１番
目と２番目の加速電圧に基づく２種の画像データの差を
得ると、Ａの層からの反射電子信号分が除かれ、実質的
にＢの層からの反射電子信号のみが得られることにな
る。
【００１６】このことから明らかなように、第３のフレ
ームメモリ１１には試料２の表面部分から比較的深い部
分までの各層の画像データが得られることなる。この第
３のフレームメモリ１１の多数枚の画像データを三次元
処理回路１２に供給し、三次元画像を構築し、その結果
を陰極線管１３に供給すれば、陰極線管１３上には試料
２の三次元構造が表示されることになる。図３は陰極線
管１３への立体像の表示例であり、各切片像Ｉ１〜Ｉ
ｎ−１が同時に表示されている。なおＺ方向が試料の深
さ方向であり、このスケールは、モンテカルロ法などで
理論的に求めることができる。この図３の表示におい
て、差分値が大きく表れた時点で表示する色を変える
と、試料の材質の変化がより鮮明となり、好ましい。
ームメモリ１１には試料２の表面部分から比較的深い部
分までの各層の画像データが得られることなる。この第
３のフレームメモリ１１の多数枚の画像データを三次元
処理回路１２に供給し、三次元画像を構築し、その結果
を陰極線管１３に供給すれば、陰極線管１３上には試料
２の三次元構造が表示されることになる。図３は陰極線
管１３への立体像の表示例であり、各切片像Ｉ１〜Ｉ
ｎ−１が同時に表示されている。なおＺ方向が試料の深
さ方向であり、このスケールは、モンテカルロ法などで
理論的に求めることができる。この図３の表示におい
て、差分値が大きく表れた時点で表示する色を変える
と、試料の材質の変化がより鮮明となり、好ましい。
【００１７】ところで、電子銃１の加速電圧を変え、試
料に入射する電子ビームＥＢのエネルギーを変えると、
偏向器３への偏向信号が同じでも電子ビームの偏向量が
変化してしまう。その結果、演算処理回路１０における
２枚の画像データの差の演算において位置誤差が生じ、
分解能の高い像が得られなくなる。そのため、図１の実
施例では、コンピュータ８からシフト量調節器１５に加
速電圧情報が供給され、加速電圧に応じた偏向器３によ
る偏向誤差を補正するための信号がシフト量調節器１５
から加算器１７に供給される。
料に入射する電子ビームＥＢのエネルギーを変えると、
偏向器３への偏向信号が同じでも電子ビームの偏向量が
変化してしまう。その結果、演算処理回路１０における
２枚の画像データの差の演算において位置誤差が生じ、
分解能の高い像が得られなくなる。そのため、図１の実
施例では、コンピュータ８からシフト量調節器１５に加
速電圧情報が供給され、加速電圧に応じた偏向器３によ
る偏向誤差を補正するための信号がシフト量調節器１５
から加算器１７に供給される。
【００１８】なお、シフト調節器１５は、各加速電圧に
対応したシフト量がテーブルの形で記憶されている。走
査信号発生回路４からの走査信号は、加算器１７におい
て補正信号と加算され、偏向誤差が補正されることか
ら、加速電圧を変化させても、常に試料の一定領域を正
確に電子ビームによって走査することができる。したが
って、演算処理回路１０における演算結果も高い分解能
を維持することができる。また、電子ビームの加速電圧
により、同じ材質であっても反射電子の量が相違する。
すなわち、加速電圧が高くなれば、それにつれて反射電
子の量も多くなる。そのため、コンピュータ８からの加
速電圧情報に基づき、輝度調節器１７は加速電圧の違い
による信号輝度の補正信号を第１のフレームメモリ７に
供給し、検出器５から第１のフレームメモリ７に供給さ
れたディジタルデータの信号強度を補正している。その
結果、同じ材質であれば、加速電圧が異なっても同じ強
度の信号となるように調整される。なお、輝度調節器１
７は、各加速電圧に対応した補正量がテーブルの形で記
憶されている。
対応したシフト量がテーブルの形で記憶されている。走
査信号発生回路４からの走査信号は、加算器１７におい
て補正信号と加算され、偏向誤差が補正されることか
ら、加速電圧を変化させても、常に試料の一定領域を正
確に電子ビームによって走査することができる。したが
って、演算処理回路１０における演算結果も高い分解能
を維持することができる。また、電子ビームの加速電圧
により、同じ材質であっても反射電子の量が相違する。
すなわち、加速電圧が高くなれば、それにつれて反射電
子の量も多くなる。そのため、コンピュータ８からの加
速電圧情報に基づき、輝度調節器１７は加速電圧の違い
による信号輝度の補正信号を第１のフレームメモリ７に
供給し、検出器５から第１のフレームメモリ７に供給さ
れたディジタルデータの信号強度を補正している。その
結果、同じ材質であれば、加速電圧が異なっても同じ強
度の信号となるように調整される。なお、輝度調節器１
７は、各加速電圧に対応した補正量がテーブルの形で記
憶されている。
【００１９】なお、上記した実施例では、電子ビームの
加速電圧を変化させ、各加速電圧ごとに試料の一定領域
の電子ビームの走査を行って複数の画像データを得るよ
うに構成したが、この方式では、電子ビームの加速電圧
が５ＫＶ以下の低加速で、Ｚ軸（深さ）方向の分解能の
向上が求められる場合には不向きである。すなわち、低
加速電圧になると、電子ビームを細く集束することがで
きなくなり、また、電子ビームが外部磁場により強く影
響を受けることになって、像のずれ量が大幅に増えるこ
とになる。このような場合には、例えは、電子ビームの
加速電圧を５ＫＶで固定し、試料に＋５ＫＶ〜−５ＫＶ
の範囲で電圧が印加できるようにし、試料の印加電圧を
変化させて実効的に加速電圧を変えるようにすると、電
子ビームの集束の問題や外部磁場の影響もクリアーで
き、像のずれ量を低減することができる。
加速電圧を変化させ、各加速電圧ごとに試料の一定領域
の電子ビームの走査を行って複数の画像データを得るよ
うに構成したが、この方式では、電子ビームの加速電圧
が５ＫＶ以下の低加速で、Ｚ軸（深さ）方向の分解能の
向上が求められる場合には不向きである。すなわち、低
加速電圧になると、電子ビームを細く集束することがで
きなくなり、また、電子ビームが外部磁場により強く影
響を受けることになって、像のずれ量が大幅に増えるこ
とになる。このような場合には、例えは、電子ビームの
加速電圧を５ＫＶで固定し、試料に＋５ＫＶ〜−５ＫＶ
の範囲で電圧が印加できるようにし、試料の印加電圧を
変化させて実効的に加速電圧を変えるようにすると、電
子ビームの集束の問題や外部磁場の影響もクリアーで
き、像のずれ量を低減することができる。
【００２０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に基づく走
査電子顕微鏡における立体像取得方法は、試料へ入射す
る電子ビームのエネルギーを変化させて異なったエネル
ギーの電子ビームに基づく複数の走査像を得、複数の走
査像の内隣り合ったエネルギーに基づく２種の走査像の
差分の信号を得、複数の差分の信号に基づいて試料の立
体像を構築するようにしたので、試料の構造を非破壊で
調べることができる。
査電子顕微鏡における立体像取得方法は、試料へ入射す
る電子ビームのエネルギーを変化させて異なったエネル
ギーの電子ビームに基づく複数の走査像を得、複数の走
査像の内隣り合ったエネルギーに基づく２種の走査像の
差分の信号を得、複数の差分の信号に基づいて試料の立
体像を構築するようにしたので、試料の構造を非破壊で
調べることができる。
【図１】本発明の一実施例である走査電子顕微鏡を示す
図である。
図である。
【図２】試料の断面を示す図である。
【図３】立体像表示の一例を示す図である。
１ 電子銃 ２ 試料 ３ 偏向器 ４ 走査信号発生回路 ５ 反射電子検出器 ６ 信号増幅器 ７，９，１１ フレームメモリ ８ コンピュータ １０ 演算処理回路 １２ 三次元処理回路 １３ 陰極線管 １４ 加速電圧発生器 １５ シフト量調節器 １６ 輝度調節器 １７ 加算器
Claims (3)
- 【請求項１】 電子銃と、電子銃からの電子ビームを試
料上に集束するための電子レンズと、電子ビームを試料
上で走査するための走査手段と、試料への電子ビームの
照射によって得られた反射電子を検出する検出器と、検
出器からの信号に基づいて走査像を得るようにした走査
電子顕微鏡において、試料へ入射する電子ビームのエネ
ルギーを変化させて異なったエネルギーの電子ビームに
基づく複数の走査像を得るステップ、隣り合ったエネル
ギーに基づく２種の走査像の差分の信号を得るステッ
プ、複数の差分の信号に基づいて試料の立体像を構築す
るステップとよりなる走査電子顕微鏡における立体像取
得方法。 - 【請求項２】 試料に入射する電子ビームのエネルギー
に応じて電子ビームの走査位置の補正を行うようにした
請求項１記載の走査電子顕微鏡における立体像取得方
法。 - 【請求項３】 試料に入射する電子ビームのエネルギー
に応じて検出信号の輝度の補正を行うようにした請求項
１記載の走査電子顕微鏡における立体像取得方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4254480A JPH06103950A (ja) | 1992-09-24 | 1992-09-24 | 走査電子顕微鏡における立体像取得方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4254480A JPH06103950A (ja) | 1992-09-24 | 1992-09-24 | 走査電子顕微鏡における立体像取得方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06103950A true JPH06103950A (ja) | 1994-04-15 |
Family
ID=17265641
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4254480A Withdrawn JPH06103950A (ja) | 1992-09-24 | 1992-09-24 | 走査電子顕微鏡における立体像取得方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06103950A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011233523A (ja) * | 2010-04-29 | 2011-11-17 | Fei Co | Ｓｅｍ画像化法 |
| JP2012043651A (ja) * | 2010-08-19 | 2012-03-01 | Fukuoka Univ | ３次元像測定装置及び３次元像測定方法 |
| WO2022064668A1 (ja) * | 2020-09-28 | 2022-03-31 | 株式会社日立ハイテク | 荷電粒子線装置 |
| WO2023213534A1 (en) * | 2022-05-04 | 2023-11-09 | Asml Netherlands B.V. | Systems, methods, and software for multilayer metrology |
-
1992
- 1992-09-24 JP JP4254480A patent/JPH06103950A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011233523A (ja) * | 2010-04-29 | 2011-11-17 | Fei Co | Ｓｅｍ画像化法 |
| JP2012043651A (ja) * | 2010-08-19 | 2012-03-01 | Fukuoka Univ | ３次元像測定装置及び３次元像測定方法 |
| WO2022064668A1 (ja) * | 2020-09-28 | 2022-03-31 | 株式会社日立ハイテク | 荷電粒子線装置 |
| WO2023213534A1 (en) * | 2022-05-04 | 2023-11-09 | Asml Netherlands B.V. | Systems, methods, and software for multilayer metrology |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
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