JPS622116A - 形状測定方法 - Google Patents
形状測定方法Info
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- JPS622116A JPS622116A JP14173985A JP14173985A JPS622116A JP S622116 A JPS622116 A JP S622116A JP 14173985 A JP14173985 A JP 14173985A JP 14173985 A JP14173985 A JP 14173985A JP S622116 A JPS622116 A JP S622116A
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- height
- width
- side wall
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- Length-Measuring Devices Using Wave Or Particle Radiation (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は微細加工により形成されたパターンの形状測定
方法に関するものである。
方法に関するものである。
（従来の技術）
従来、微細加工によシ形成されたパターン上にレーザ光
あるいは電子線を走査し、検出器によって得られ比信号
忙しきい値レベルを設定し、信号の電圧がしきい値レベ
ルになる２点からパターンの線幅を測定していた。また
パターンの高さはと側壁角はパターンを破壊し断面を出
して電子顕微鏡で測定して“た・
：（発明が解決しようとする問題
点） しかし、この方法で求まる線福はパターンの形状の一部
を測定しているだけであり、パターン形状０全体は分ら
なか°た・ま友電子顕微鏡を用″［る方法は破壊測定で
あるという大きな欠点がありた。本発明の目的は、上記
のような欠点を除去した形状測定方法を提供することに
ある。
あるいは電子線を走査し、検出器によって得られ比信号
忙しきい値レベルを設定し、信号の電圧がしきい値レベ
ルになる２点からパターンの線幅を測定していた。また
パターンの高さはと側壁角はパターンを破壊し断面を出
して電子顕微鏡で測定して“た・
：（発明が解決しようとする問題
点） しかし、この方法で求まる線福はパターンの形状の一部
を測定しているだけであり、パターン形状０全体は分ら
なか°た・ま友電子顕微鏡を用″［る方法は破壊測定で
あるという大きな欠点がありた。本発明の目的は、上記
のような欠点を除去した形状測定方法を提供することに
ある。
（問題を解決するための手段）
すなわち、本発明は基体上のパターン上に荷電粒子線を
走査し、検出器によって得られた出力信号波形と、種々
の様、高さ、側壁角度のパターンに対してシミ異し−ジ
■ンにより得られ比信号波形との相関を求めることによ
り該パターンの形状を求めることを特徴とする形状測定
方法である。
走査し、検出器によって得られた出力信号波形と、種々
の様、高さ、側壁角度のパターンに対してシミ異し−ジ
■ンにより得られ比信号波形との相関を求めることによ
り該パターンの形状を求めることを特徴とする形状測定
方法である。
（作用）
以下に本発明を図面を参照しながら説明する。
第１図に示すように１基体ｌ上のパターン２に荷電粒子
線３を照射し、荷電粒子線３を走査する。
線３を照射し、荷電粒子線３を走査する。
同時に、基体ｌ及びパターン２から脱出してくる反射荷
電粒子４を検出器５で検出する。時間に応じて検出器５
からは第２図めよう々出力信号波形が得られる。荷電粒
子線３の走査速度をＳ、走査開始点の位置？Ｘｏとすれ
ば、走査開始後の時間ｔは、位ｔｘとｘ ＝ ｘ６＋
ｓ ｔで関係づけられる。一方、基体１上のパターン２
はパターン２０基体ｌと接する幅、パターン２の高さ、
パターン２の側壁角度により特徴づけられる。基体１の
材質、パターン２の材質をもつ物に対して、種々の幅、
高さ、側壁角度についてシミーレージ・ンにより第３図
のような信号波形を求めておく。
電粒子４を検出器５で検出する。時間に応じて検出器５
からは第２図めよう々出力信号波形が得られる。荷電粒
子線３の走査速度をＳ、走査開始点の位置？Ｘｏとすれ
ば、走査開始後の時間ｔは、位ｔｘとｘ ＝ ｘ６＋
ｓ ｔで関係づけられる。一方、基体１上のパターン２
はパターン２０基体ｌと接する幅、パターン２の高さ、
パターン２の側壁角度により特徴づけられる。基体１の
材質、パターン２の材質をもつ物に対して、種々の幅、
高さ、側壁角度についてシミーレージ・ンにより第３図
のような信号波形を求めておく。
次に、パターン２０幅、高さ、側壁角度を求める第１の
方法について述べる。求める幅、高さ、側壁角度の精度
がそれぞれΔＷ、ΔＨ２ΔＡの場合、先のシミーレージ
冒ンでは幅、高さ、側壁角度がそれぞれΔＷ、ΔＨ９Δ
Ａの間隔で信号波形を求めて。
方法について述べる。求める幅、高さ、側壁角度の精度
がそれぞれΔＷ、ΔＨ２ΔＡの場合、先のシミーレージ
冒ンでは幅、高さ、側壁角度がそれぞれΔＷ、ΔＨ９Δ
Ａの間隔で信号波形を求めて。
おく。次に検出器５からの出力信号波形とシミーレージ
−、ンによって求められた種々の幅、高さ、側壁角度に
対する信号波形との統計学上の相関係数を求める。相関
係数の最も大きい幅、高さ、側壁角度によってパターン
の形状が特定される。
−、ンによって求められた種々の幅、高さ、側壁角度に
対する信号波形との統計学上の相関係数を求める。相関
係数の最も大きい幅、高さ、側壁角度によってパターン
の形状が特定される。
次に、パターン２の幅、高さ、側壁角度を求める第２の
方法について述べる。先のシず一し−ジ■ンでは、幅、
高さ、側キ角度についてそれぞれ３点以上信号波形ｔ−
求めておく。次に、検出器５からの出力信号波形とシミ
ーレーシーンによって求められ食、種々の幅、高さ、側
壁角度に対する信号波形との統計学上の相関係数を求め
、相関係数の最も大きい、幅ＷＯ２高さＨｏ、側壁角度
んの組み合せを求める。次に１幅Ｗ０およびＷ。より１
つ小さい幅Ｗ、およびＷｏより１つ大きい幅Ｗ２および
高さＨｏおよびｌ１０より１つ小さい高さＨＩおよびＨ
ｌより１つ大きい高さＨ２および側壁角度Ａ。およびＡ
ｎより１つ小さい側壁角度ＡＩおよびＡ６より１つ大き
い側壁角度Ａ２の組み合せから々る２７点の信号波形か
ら、幅、高さ、側壁角度にそれぞれ必要々精度ΔＷ、Δ
Ｈ９ΔＡごとの点について内挿により信号波形を求める
。次に、検出器５からの出力信号波形と内挿により求め
られた種々の幅、高さ１側壁角度に対する信号波形との
相関係数を求める。
方法について述べる。先のシず一し−ジ■ンでは、幅、
高さ、側キ角度についてそれぞれ３点以上信号波形ｔ−
求めておく。次に、検出器５からの出力信号波形とシミ
ーレーシーンによって求められ食、種々の幅、高さ、側
壁角度に対する信号波形との統計学上の相関係数を求め
、相関係数の最も大きい、幅ＷＯ２高さＨｏ、側壁角度
んの組み合せを求める。次に１幅Ｗ０およびＷ。より１
つ小さい幅Ｗ、およびＷｏより１つ大きい幅Ｗ２および
高さＨｏおよびｌ１０より１つ小さい高さＨＩおよびＨ
ｌより１つ大きい高さＨ２および側壁角度Ａ。およびＡ
ｎより１つ小さい側壁角度ＡＩおよびＡ６より１つ大き
い側壁角度Ａ２の組み合せから々る２７点の信号波形か
ら、幅、高さ、側壁角度にそれぞれ必要々精度ΔＷ、Δ
Ｈ９ΔＡごとの点について内挿により信号波形を求める
。次に、検出器５からの出力信号波形と内挿により求め
られた種々の幅、高さ１側壁角度に対する信号波形との
相関係数を求める。
相関係数の最も大きい幅、高さ、側壁角度によってパタ
ーンの形状が特定される。
ーンの形状が特定される。
（実施例）
シリコン基板上に金を蒸着後、金を線状パターンに加工
し比。次に、シリコン基板上の金の上に加速電圧４ｋＶ
の電子ビームを走査し、半導体検出器により反射電子
を検出して、出力信号波形を計算機のメモリ上に蓄積し
た。この実施例では前記（作用）の項の第１の方法を用
いている。次Ｋ。
し比。次に、シリコン基板上の金の上に加速電圧４ｋＶ
の電子ビームを走査し、半導体検出器により反射電子
を検出して、出力信号波形を計算機のメモリ上に蓄積し
た。この実施例では前記（作用）の項の第１の方法を用
いている。次Ｋ。
シリコン基板上の金に対して、幅０．５μｍから２μ簿
、高さ０．２μｍから１μｍ１側壁角度６０°から８０
°について、それぞれ０．０２μ扉、０．１μ陽、γの
間隔であらかじめ化学の領域３６−８の５４９頁から５
５６頁に記載されているモンテカルロ−シミ島レージ−
／によって求められている信号波形との相関係数を求め
友。この結果、相関係数が０．９８と最も大きかった幅
１．７４μｍ１高さ０．７μｍ１側壁角度６４６により
パターンの形状が特定された。
、高さ０．２μｍから１μｍ１側壁角度６０°から８０
°について、それぞれ０．０２μ扉、０．１μ陽、γの
間隔であらかじめ化学の領域３６−８の５４９頁から５
５６頁に記載されているモンテカルロ−シミ島レージ−
／によって求められている信号波形との相関係数を求め
友。この結果、相関係数が０．９８と最も大きかった幅
１．７４μｍ１高さ０．７μｍ１側壁角度６４６により
パターンの形状が特定された。
（発明の効果）
従って、本発明によれば基体上のパターンの幅、高さ、
側壁角度を特定してパターン形状を求めることができる
。
側壁角度を特定してパターン形状を求めることができる
。
第１図は出力信号波形を得る方法を表わす模式図、第２
図は出力信号波形図、２ｉ３図はシミーレージ讃ンによ
り得られ比信号波形図である。 １・・・基体、２・・・パターン、３・・・荷電粒子線
、４・・・反射荷電粒子線、５・・・検出器。
図は出力信号波形図、２ｉ３図はシミーレージ讃ンによ
り得られ比信号波形図である。 １・・・基体、２・・・パターン、３・・・荷電粒子線
、４・・・反射荷電粒子線、５・・・検出器。
Claims (1)
- （１）基体上のパターン上に荷電粒子線を走査し、検出
器によって得られた出力信号波形と、種々の幅、高さ、
側壁角度のパターンに対してシミュレーションにより得
られた信号波形との相関を求めることにより該パターン
の形状を求めることを特徴とする形状測定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60141739A JPH0621785B2 (ja) | 1985-06-28 | 1985-06-28 | 形状測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60141739A JPH0621785B2 (ja) | 1985-06-28 | 1985-06-28 | 形状測定方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS622116A true JPS622116A (ja) | 1987-01-08 |
| JPH0621785B2 JPH0621785B2 (ja) | 1994-03-23 |
Family
ID=15299076
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60141739A Expired - Lifetime JPH0621785B2 (ja) | 1985-06-28 | 1985-06-28 | 形状測定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0621785B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06333528A (ja) * | 1993-05-19 | 1994-12-02 | Nec Corp | 信号合成方法および装置 |
| WO2001081862A1 (fr) * | 2000-04-26 | 2001-11-01 | Advantest Corporation | Instrument de mesure de longueur a faisceau d'electrons et procede de mesure de longueur |
| JP2007218711A (ja) * | 2006-02-16 | 2007-08-30 | Hitachi High-Technologies Corp | 電子顕微鏡装置を用いた計測対象パターンの計測方法 |
| JP2009198338A (ja) * | 2008-02-22 | 2009-09-03 | Hitachi High-Technologies Corp | 電子顕微鏡システム及びそれを用いたパターン寸法計測方法 |
| WO2010073360A1 (ja) * | 2008-12-26 | 2010-07-01 | 株式会社アドバンテスト | パターン測定装置及びパターン測定方法 |
| JP2011154223A (ja) * | 2010-01-28 | 2011-08-11 | Hitachi High-Technologies Corp | パターンマッチング用画像作成方法、及びパターンマッチング用画像作成装置 |
| JP2013200319A (ja) * | 2013-07-10 | 2013-10-03 | Hitachi High-Technologies Corp | 電子顕微鏡システム及びそれを用いたパターン寸法計測方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51147260A (en) * | 1975-06-13 | 1976-12-17 | Fujitsu Ltd | Inspecting method of resist pattern |
| JPS61290313A (ja) * | 1985-06-19 | 1986-12-20 | Hitachi Ltd | 立体形状測定装置 |
| JPS61290312A (ja) * | 1985-06-19 | 1986-12-20 | Hitachi Ltd | 断面形状測定装置 |
-
1985
- 1985-06-28 JP JP60141739A patent/JPH0621785B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51147260A (en) * | 1975-06-13 | 1976-12-17 | Fujitsu Ltd | Inspecting method of resist pattern |
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Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| WO2010073360A1 (ja) * | 2008-12-26 | 2010-07-01 | 株式会社アドバンテスト | パターン測定装置及びパターン測定方法 |
| JP4862096B2 (ja) * | 2008-12-26 | 2012-01-25 | 株式会社アドバンテスト | パターン測定装置及びパターン測定方法 |
| US8330104B2 (en) | 2008-12-26 | 2012-12-11 | Advantest Corp. | Pattern measurement apparatus and pattern measurement method |
| JP2011154223A (ja) * | 2010-01-28 | 2011-08-11 | Hitachi High-Technologies Corp | パターンマッチング用画像作成方法、及びパターンマッチング用画像作成装置 |
| US8774493B2 (en) | 2010-01-28 | 2014-07-08 | Hitachi High-Technologies Corporation | Apparatus for forming image for pattern matching |
| JP2013200319A (ja) * | 2013-07-10 | 2013-10-03 | Hitachi High-Technologies Corp | 電子顕微鏡システム及びそれを用いたパターン寸法計測方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0621785B2 (ja) | 1994-03-23 |
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