JPS62112008A - 形状測定方法 - Google Patents
形状測定方法Info
- Publication number
- JPS62112008A JPS62112008A JP25307085A JP25307085A JPS62112008A JP S62112008 A JPS62112008 A JP S62112008A JP 25307085 A JP25307085 A JP 25307085A JP 25307085 A JP25307085 A JP 25307085A JP S62112008 A JPS62112008 A JP S62112008A
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- JP
- Japan
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- pattern
- detector
- shape
- sample surface
- sample
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- Pending
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- Length-Measuring Devices Using Wave Or Particle Radiation (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は微細加工によ多形成された・やターンの形状測
定方法に関するものである。
定方法に関するものである。
従来、微細加工によ多形成されたパターン上に電子線を
走査し、検出器により反射電子を検出し、検出器出力信
号から・９ターンの形状を測定するに際して、前記検出
器を試料面からの仰角９０°の位置に置いた測定を行っ
ていた。
走査し、検出器により反射電子を検出し、検出器出力信
号から・９ターンの形状を測定するに際して、前記検出
器を試料面からの仰角９０°の位置に置いた測定を行っ
ていた。
しかしながら、この方法では強度の小さい信号しか得ら
れず、したがって、パターン形状の測定精度に限界があ
シ、これを補うために電子ビームの電流値を上げるなど
の方法によって行わざるを得す試料から汚染され、また
損傷を受けるという問題があった。
れず、したがって、パターン形状の測定精度に限界があ
シ、これを補うために電子ビームの電流値を上げるなど
の方法によって行わざるを得す試料から汚染され、また
損傷を受けるという問題があった。
本発明は試料面に対する検出器の関係位置を規制して信
号強度を増大させることにより上記問題点を解消する方
法を提供するものである。
号強度を増大させることにより上記問題点を解消する方
法を提供するものである。
すなわち、本発明は、基体上の凹形パターン上に電子線
を走査し、検出器により反射電子を検出し、検出器出力
信号から・ｅターンの形状を測定する方法において、前
記検出器凹形パターンを有する試料面からの仰角３００
から６０°の間の位置に置いて測定を行うことを特徴と
する形状測定方法である。
を走査し、検出器により反射電子を検出し、検出器出力
信号から・ｅターンの形状を測定する方法において、前
記検出器凹形パターンを有する試料面からの仰角３００
から６０°の間の位置に置いて測定を行うことを特徴と
する形状測定方法である。
試料パターンからの反射電子信号に基づいて・やターン
の形状を測定する場合、信号に含まれる雑音が測定結果
の誤差要因となる。従って、雑音に対する信号強度を大
きくすることが必要となる。
の形状を測定する場合、信号に含まれる雑音が測定結果
の誤差要因となる。従って、雑音に対する信号強度を大
きくすることが必要となる。
第２図は試料面からの仰角３０’から６０°を力・り−
するように検出器を置いた場合の凹形ｉ４ターンからの
反射電子信号のシミーレージ１ン結果である。
するように検出器を置いた場合の凹形ｉ４ターンからの
反射電子信号のシミーレージ１ン結果である。
また、第３図は試料面からの仰角Ｏ０から３０’をカバ
ーするように検出器を置いた場合の第２図と同じパター
ンからの反射電子信号のシミーレージ１ン結果である。
ーするように検出器を置いた場合の第２図と同じパター
ンからの反射電子信号のシミーレージ１ン結果である。
また、第４図は試料面からの仰角６０’から９０’をカ
バーするように検出器を置いた場合の第２図と同じパタ
ーンからの反射電子信号のシミーレージ１ン結果である
。第２図と第３図。
バーするように検出器を置いた場合の第２図と同じパタ
ーンからの反射電子信号のシミーレージ１ン結果である
。第２図と第３図。
第４図とを比較すると第２図が最も信号強度の大きいこ
とがわかる。従って検出器と試料面からの仰角３０°か
ら６０°の間に置くことによって凹形パターンから強度
の大きい信号を得ることができる。
とがわかる。従って検出器と試料面からの仰角３０°か
ら６０°の間に置くことによって凹形パターンから強度
の大きい信号を得ることができる。
以下、第１図に図示の実施例により本発明を説明する。
シリコン基板１上にアルミニウム蒸着後、アルミニウム
を凹形の線状パターンに加工した。
を凹形の線状パターンに加工した。
次に、シリコン基板１上のアルミニラムノ臂ターン２の
上に、加速電圧４ｋＶ、電流２００ Ａの電子ビーム３
を走査し、試料面からの仰角４０°から５０°をカバー
するように置かれた検出器４（マイクロチャネルグレー
トを使用）によって反射電子５を検出して出力信号波形
を計算機のメモリ上に蓄積した。
上に、加速電圧４ｋＶ、電流２００ Ａの電子ビーム３
を走査し、試料面からの仰角４０°から５０°をカバー
するように置かれた検出器４（マイクロチャネルグレー
トを使用）によって反射電子５を検出して出力信号波形
を計算機のメモリ上に蓄積した。
出力信号は信号強度対雑音強度が化であった。次に信号
波形の最大値と最小値の平均値となる２点からアルミニ
ウムパターンの線幅は１．５μｍであることがわかった
。
波形の最大値と最小値の平均値となる２点からアルミニ
ウムパターンの線幅は１．５μｍであることがわかった
。
従って、本発明によれば、電子ビームの電流値を増やさ
ずに信号強度が雑音強度に比べて十分大きな信号が得ら
れるため試料の汚染、損傷なしに凹形・やグーの形状を
測定できる効果を有するものである。
ずに信号強度が雑音強度に比べて十分大きな信号が得ら
れるため試料の汚染、損傷なしに凹形・やグーの形状を
測定できる効果を有するものである。
第１図は反射電子信号を得る方法を表わす模式図、第２
図は検出器を試料面からの仰角３０’から６０°をカバ
ーするよりに置いた場合の反射電子信号のシミーレージ
１ン結果を示す図、第３図は検出器を試料面からの仰角
Ｏ０から３０’をカバーするｊ５に置いた場合の反射電
子信号のシミーレージ１ン、結果を示す図、第４図は検
出器を試料面からの仰角６０°から９００をカバーする
よ５に置いた場合の反射電子信号のシミーレージ１ン結
果を示す図である。 ■・・・基板、２・・・／ｆターン、３・・・電子線、
４・・・検出器、５・・・反射電子。
図は検出器を試料面からの仰角３０’から６０°をカバ
ーするよりに置いた場合の反射電子信号のシミーレージ
１ン結果を示す図、第３図は検出器を試料面からの仰角
Ｏ０から３０’をカバーするｊ５に置いた場合の反射電
子信号のシミーレージ１ン、結果を示す図、第４図は検
出器を試料面からの仰角６０°から９００をカバーする
よ５に置いた場合の反射電子信号のシミーレージ１ン結
果を示す図である。 ■・・・基板、２・・・／ｆターン、３・・・電子線、
４・・・検出器、５・・・反射電子。
Claims (1)
- （１）基体上の凹形パターン上に電子線を走査し、検出
器により反射電子を検出し、検出器出力信号からパター
ンの形状を測定する方法において、前記検出器を凹形パ
ターンを有する試料面からの仰角３０°から６０°の間
の位置に置いて測定を行うことを特徴とする形状測定方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25307085A JPS62112008A (ja) | 1985-11-11 | 1985-11-11 | 形状測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25307085A JPS62112008A (ja) | 1985-11-11 | 1985-11-11 | 形状測定方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62112008A true JPS62112008A (ja) | 1987-05-23 |
Family
ID=17246072
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25307085A Pending JPS62112008A (ja) | 1985-11-11 | 1985-11-11 | 形状測定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62112008A (ja) |
-
1985
- 1985-11-11 JP JP25307085A patent/JPS62112008A/ja active Pending
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