JP2011186044A - 微細パターン測定方法及び微細パターン測定装置 - Google Patents

Abstract

【課題】走査型電子顕微鏡で得られる画像から微細パターンの側壁角度を精度良く測定することができる微細パターン測定方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の微細パターン測定方法は、微細パターンを電子線で走査し得られた走査画像から信号プロファイルを生成する。前記信号プロファイルから微細パターン中のパターン平坦部に相当する輝度値を抽出する。走査画像の各画素の輝度値は、画像中の最大輝度値を基準とした圧縮比による規格化処理を施したものである。したがって、パターン平坦部の輝度値は、微細パターンの側壁角度に依存した値となる。そのため、前記輝度値を側壁角度の指標値として、微細パターンの側壁角度を算出することで、走査型電子顕微鏡のビーム径よりも狭い幅に相当する急峻な側壁角度も精度良く測定することが出来る。
【選択図】図４

Description

本発明は、微細パターン測定方法及び微細パターン測定装置に関し、特に、走査型電子顕微鏡の二次電子像から微細パターンの側壁角度を測定する微細パターン測定方法及び微細パターン測定装置に関する。

近年、半導体を用いて実現する大規模集積回路装置（以下、ＬＳＩと称する）の微細化が進展した結果、ＬＳＩ製造工程のひとつであるリソグラフィ工程において、パターン寸法の微細化が進んできている。そのためパターン原版としてのフォトマスクも同様に微細化が進められてきており、尚且つパターンのエッジ部分の側壁形状も重要視されてきている。

例えば、次世代マスクとして期待されているＥＵＶ（Extreme Ultra Violet）マスクは、従来のフォトマスクの透過型とは異なり反射型であるため、パターンのエッジ部分の側壁形状をなるべく垂直にすることが求められている。

微細パターンの寸法を測定する技術として、試料に電子線を照射して試料内部から発生する二次電子を検出することによってパターンの電子像を得る走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ、Scanning Electron Microscope）が用いられている。半導体プロセスで最も普及しているＳＥＭは測長ＳＥＭと呼ばれ、この測長ＳＥＭを用いて二次電子線像による寸法計測が行われている。

半導体プロセスにおいては、パターン寸法の計測あるいはプロセス変動の監視を目的に、上記の測長ＳＥＭが用いられてきた。しかし、パターンの微細化が進むにつれ、様々な場面でパターンの３次元形状を計測するニーズが高まっており、測長ＳＥＭに求められる要求も増えてきている。その一つとして、エッチングプロセスの条件を決定するのに有効な情報であるパターンの断面形状の計測がある。

パターンの断面形状を計測する従来技術としては、（１）サンプルを断裁し断面をＳＥＭなどで観察する方法、（２）ＡＦＭ（原子間力顕微鏡）で観察する方法、（３）スキャトロメトリを用いる方法、等がある。

前記（１）から（３）に挙げた各方法は、近年特に求められている微細パターンの側壁角度を測定する方法としても利用することができる。しかし、これらの方法にはそれぞれ次のような問題点がある。

（１）のサンプルを断裁し断面をＳＥＭで観察する方法は、断面を観察するまでの準備に長時間を要する上、サンプルを断裁する破壊検査であるため当然ながらそのサンプルは製品として使用することができなくなるといった問題点がある。

（２）のＡＦＭによる観察は、非破壊で測定することが可能であるが、物理的に探針（カンチレバー）で試料の表面をなぞりながらスキャンすることで測定するため、スループットが非常に遅いという課題がある。また、測定回数に応じて探針が少しずつ磨耗してしまい測定値が不正確になってしまうこともあり、多くのパターンの側壁形状を測定したい場合には不適であるという問題がある。

（３）のスキャトロメトリは、高速で、かつ、非破壊で断面形状を計測可能なツールである。具体的には、パターンからの散乱光の分光強度分布がパターンの材質、断面形状によって異なることを利用するもので、実測したパターンの分光強度分布を、あらかじめシミュレーションで作成しておいた様々な断面形状モデルに対する分光強度ライブラリとマッチングすることによって、パターンの断面形状を計測する手法である。原理的には対象パターンの形状に限定はないが、あらゆる形状を網羅したライブラリを生成することは現在の計算機では難しく、現状で適用可能なパターンは、ライン＆スペースのパターンに限られている。またライブラリデータとして、パターンの光学定数（ｎ：屈折率、ｋ：消衰係数）と膜厚の、正確なデータが必要とされる。従って、スキャトロメトリは任意のパターンを計測するニーズには応えられないこと、パターンの光学定数のデータが不正確であると高精度な測定が困難であるという問題がある。
これら（１）から（３）の問題を解消し得る方法として、特許文献１においては、ＳＥＭを用いてパターンの側壁角度を非破壊で測定する方法が開示されている。この方法は、パターンエッジ部の二次電子信号を微分した信号を使って側壁角度に相当する幅を定義し、前記定義幅と側壁角度との間に相関があるものとして測定している。

特開２００５−７７１９２号公報

しかし実際には、ＳＥＭのビーム径はある有限の幅をもっている。そのためパターンの側壁角度が急峻になり、パターンエッジの幅がＳＥＭのビーム径よりも狭くなると、パターンエッジの外側のパターン部分に照射された電子線に対応する二次電子情報によって、パターンエッジに照射された電子線に対応する側壁角度部分の二次電子情報が相殺されてしまい、前記定義幅から側壁角度を算出することは困難になる。
本発明は上記の事情に鑑みなされたもので、その目的は、微細パターンを精度良く測定することができる微細パターン測定方法及び微細パターン測定装置を提供することにある。

請求項１に記載の本発明は、
ＳＥＭでフォトマスクの微細パターンの側壁角度を測定する方法において、
ＳＥＭにより電子線で走査した前記微細パターンを撮像して該微細パターンの画像を取得する工程と、
前記取得した画像を画像処理して前記微細パターンの輝度値を示す信号の信号プロファイルを生成する工程と、
前記信号プロファイルから、前記微細パターンの平坦部の輝度値を算出する工程と、
前記平坦部の輝度値から、該平坦部の輝度値と前記微細パターンの側壁角度とがあらかじめ関連付けられた相関データに基づいて、前記微細パターンの側壁角度を算出する工程と、
を具備することを特徴とする微細パターン測定方法である。

請求項２に記載の本発明は、
請求項１記載の微細パターン測定方法であって、
前記相関データは、あらかじめ複数の微細パターンについて求めた前記輝度値と側壁角度の相関関係を示す近似式である
ことを特徴とする微細パターン測定方法である。

請求項３に記載の本発明は、
請求項１又は２記載の微細パターン測定方法であって、
前記微細パターンの画像を取得する前記工程は、前記微細パターンのパターンエッジの幅よりも大きいビーム径の電子線で前記微細パターンを走査する工程を含んでいる、
ことを特徴とする微細パターン測定方法である。
請求項４に記載の本発明は、
請求項１、２又は３記載の微細パターン測定方法であって、
前記微細パターンの画像を取得する前記工程は、前記取得した画像の各画素の輝度値に対し所定の圧縮比で規格化処理を施す工程を含んでおり、
前記信号プロファイルを生成する前記工程は、前記各画素の輝度値に前記規格化処理を施した後の前記画像を画像処理する工程を含んでいる、
ことを特徴とする微細パターン測定方法である。
請求項５に記載の本発明は、
請求項４記載の微細パターン測定方法であって、
前記所定の圧縮比を、前記取得した画像における最大輝度値を基準にして決定するようにした、
ことを特徴とする微細パターン測定方法である。

ＳＥＭでフォトマスクの微細パターンの側壁角度を測定する装置において、
ＳＥＭにより電子線で走査した前記微細パターンを撮像して該微細パターンの画像を取得する画像取得手段と、
前記画像取得手段により取得した画像を画像処理して前記微細パターンの輝度値を示す信号の信号プロファイルを生成する信号プロファイル生成手段と、
前記信号プロファイルから、前記微細パターンの平坦部の輝度値を算出する平坦部輝度値算出手段と、
前記平坦部の輝度値から、該平坦部の輝度値と前記微細パターンの側壁角度とがあらかじめ関連付けられた相関データに基づいて、前記微細パターンの側壁角度を算出する側壁角度算出手段と、
を具備することを特徴とする微細パターン測定装置である。

請求項７に記載の本発明は、
請求項６記載の微細パターン測定装置であって、
前記相関データは、あらかじめ複数の微細パターンについて求めた前記輝度値と側壁角度の相関関係を示す近似式である
ことを特徴とする微細パターン測定装置である。

請求項８に記載の本発明は、
請求項６又は７記載の微細パターン測定装置であって、
前記画像取得手段は、
前記画像取得手段により取得した画像の各輝度値に対し所定の圧縮比で規格化処理を施す規格化処理手段を有している、
ことを特徴とする微細パターン測定装置である。

請求項９に記載の本発明は、
請求項８に記載の微細パターン測定装置であって、
前記規格化処理手段は、前記信号プロファイルにおける最大輝度値を基準にした前記所定の圧縮比により、前記信号プロファイルの各輝度値に対し前記規格化処理を施す、
ことを特徴とする微細パターン測定装置である。

本発明によれば、フォトマスク上の微細パターンの側壁角度を精度高く測定することができる。

微細構造パターンのＳＥＭ像の一例である。 微細構造パターンの信号プロファイル図である。 ＳＥＭの傾斜効果を説明する図である。 本発明の原理を説明する図である。 本発明の原理を説明する図である。 本発明の原理を説明する図である。 本発明のブロック図である。 実施例における測定パターンのＳＥＭ像である。 実施例における測定パターンの信号プロファイル図である。 実施例における測定パターンの断面ＳＥＭ像である。 実施例における測定パターンの平坦部に相当する輝度値と側壁角度の関係図である。

以下、本発明による微細パターン測定方法について、図示の実施の形態により詳細に説明する。なお、以下の説明では、フォトマスク上に形成されるラインもしくはスペースパターンに適応した場合について述べるが、本発明の適応範囲は、それのみに限定されるものではない。

ＳＥＭは、電子線を照射した微細パターンを表面に有する試料の試料面から発生する二次電子を検出器で集め、光電子増倍管で電気信号に変えて増幅し、その信号を電子プローブと同期して走査するディスプレイに送り、テレビジョンと同様な方式により２次元的な走査像を得る走査型電子顕微鏡である。主にＳＥＭの走査像では二次電子発生量を２５６階調（８ビット）のグレイ画像で表現している。

図１のＳＥＭ画像のように、ＳＥＭで微細パターンを観察すると、パターンのエッジ部分から二次電子が多く放出されるため、エッジ部分が明るく見える。これはパターンエッジに電子線が当たると、入射電子が侵入した深い場所からの二次電子がそのパターン側面からも放出されるためであり、一般的にエッジ効果と呼ばれている。図２は図１のＳＥＭ画像の輝度分布を表している。この輝度分布は、二次電子放出量が多いパターンエッジ部で輝度値が高くなる分布となる。

次に、側壁角度と二次電子放出量の関係に着目する。図３（ａ），（ｂ）に示すように、試料ｙに対する入射電子の入射方向と試料面とのなす角度によって、二次電子の発生量は異なる。すなわち、試料面の入射電子が照射される箇所を含む平面が、図３（ａ）に示すように、入射電子に対して直角な面（テーパー角）である場合よりも、入射電子に対して平行に近くなる面（垂直角）である方が、発生二次電子量は多くなり、ディスプレイ面の像は明るくなる。これは、図３（ｃ）に示す、入射電子が試料ｙに侵入する際の侵入深さｘが、入射電子のエネルギーが同じであれば試料面に対する入射電子の入射角度に関わらず一定であり、かつ、入射電子と試料面の法線とのなす角度θが大きくなるほど、試料面の法線方向に二次電子が出射する際の試料内の通過距離ｘｃｏｓθが短くなるからである。すなわち、図３（ｃ）のＡ点で発生した二次電子の試料ｙ内での吸収量が相対的に少なく、発生した二次電子の多くが試料ｙの表面に現れ易くなるためである。これは一般的に傾斜効果と呼ばれており、入射電子線の幅が無限に細い理想的な場合に起こる現象である。

しかし、実際のＳＥＭでは、一般的に入射電子線はある有限な幅を持っているため、側壁角度が垂直である方がテーパーであるよりも、輝度ピーク値が大きくなるとは限らない。入射電子線の幅がパターンエッジ幅より大きくなる場合の角度範囲（垂直角から或るテーパー角までの範囲）においては、側壁角度がテーパーである方が垂直であるよりも輝度ピーク値が大きくなる。これは、図３（ａ），（ｂ）を比較すると分かるように、側壁角度がテーパーであるほど、二次電子の放出領域がより広くなる事に起因するものである。一方、入射電子線のビーム径がパターンエッジ幅より狭い場合には、入射電子線の照射箇所がパターンエッジ部の平坦部側に近づくにつれて、照射箇所の角度がテーパー寄りになってくると、傾斜面が平坦へと近づいていくため、傾斜効果の関係により、輝度ピーク値は小さくなる。

以上のことから、パターンエッジの側壁角度と輝度ピーク値との間には相関関係が見られることが予想される。しかし、実際には、パターンエッジの側壁角度が異なるＳＥＭ画像の輝度ピーク値を比較しても差異は見られず、両者の間に相関関係は見られない。

これは、電気信号から輝度データに変換する際の規格化処理が関係している。ＳＥＭの走査像は試料面から放出される二次電子量を基に２５６階調のグレイ画像で表示されるが、規格化処理を備えているＳＥＭにおいては、ある閾値を超えた輝度データが存在すると、所定の範囲内に輝度値が収まるように、全ての画素に対して一律な圧縮比による規格化処理が行われる。この圧縮比は、画像中の全ての輝度データ（画像の各画素の輝度値）が所定の範囲内（閾値以内の輝度値）に収まるようにするのに適した値に設定される。そのため、同一画像内に複数の角度があり、各角度部分に対応する各画素の輝度値に対して一律な圧縮比による規格化処理が行われる場合には、各角度部分の輝度ピーク値の比較によって角度の差を計測できる可能性がある。しかし、通常は同一画像内に、複数の角度を持つパターンはなく、したがって、様々なＳＥＭ画像間でパターン角度を比較するのが一般的である。よって通常は、規格化処理による輝度値の圧縮比、即ち、規格化処理の比が異なるＳＥＭ画像間で比較することになり、一つの画像の中で単純に輝度ピーク値を比較するだけでは、側壁角度の特定に関して良好な結果は得られない。

図４は側壁角度が垂直とテーパーである場合の規格化処理の機構を説明する図である。図４（ａ）は側壁角度が垂直、（ｂ）はテーパーである場合の輝度分布、（ｃ）、（ｄ）はそれぞれ規格化処理後の輝度分布を表している。一般的に図４（ｃ）、（ｄ）に示すように、前記規格化処理の機構は輝度値の大小に関らず、画面内の全輝度データに対して行われる。その規格化処理の比は、例えば、画像中の輝度データの最大値を基準として決定される。図４のように、側壁角度が異なると輝度データの最大値が異なるため、各パターンのＳＥＭ画像の規格化処理の比に違いが生じる。規格化処理の比が異なれば、パターンエッジの側壁角度に依らず、同等であるはずのパターン平坦部の輝度値に差（図４（ｃ），（ｄ）の規格化後の平坦部の輝度値どうしの差：引用符号１０）が生じると考えられ、この差から側壁角度を算出することが出来ると考えられる。パターン平坦部に相当する輝度値の定義は、パターンエッジの輝度値が急激に変化する部分を除く、輝度値が一定である部分とすれば良い。このように、本発明は、パターン平坦部の輝度値から側壁角度の情報を見出すという特徴を有している。

そして、本発明の微細パターン測定方法は、前記パターン平坦部の輝度値を使って、微細パターンの側壁角度を算出する工程を備えていることを特徴とする。以下、具体的に、本発明の微細パターン測定方法について説明を行う。

＜側壁角度の指標値を算出するステップ＞
図５の１０１、１０２は微細パターンの断面形状を表している。図５（ａ）は側壁角度が垂直、（ｂ）はテーパーである例を示している。１０３、１０４は側壁形状１０１、１０２に対応するＳＥＭ信号量のラインプロファイルを表している。このラインプロファイルは、二次電子の電子量に対応した輝度信号を表すものであり、パターンの側壁形状を反映すると考えられている。

側壁角度の指標値として、パターン平坦部に相当する輝度値１１、１２を定義する。前記指標値は、上述したように、電子線により走査した微細パターンの画像における最大輝度値と規格化処理における輝度値の圧縮比との関係から、側壁角度に依存して変化することが分かっている。

＜側壁角度を算出するステップ＞
次に、微細パターンの側壁角度を算出する。図６のようにあらかじめ実験などにより、前記指標値とパターンエッジ部の側壁角度との相関グラフおよび近似式（請求項中の相関データに相当）を求めておき、それを基にして側壁角度を決定すればよい。二次電子信号量はサンプルとする微細パターンの膜種や膜厚に依存するため、同種の膜種や膜厚を有する微細パターンの側壁角度を算出する際には、あらかじめ実験などにより作成しておいた相関図を利用することが出来る。

以上説明した方法によれば、微細パターンの側壁角度の情報をＳＥＭを使って高速かつ高精度に取得することができるため、この方法で取得した情報を転写シミュレーションに利用することも可能である。転写シミュレータは、ＳＥＭによって得られた寸法値などの２次元情報及び側壁形状などの３次元情報を入力し、所望する寸法パターンの転写像が得られるかのシミュレーションを行う。本発明によって取得した情報を転写シミュレーションに利用することで、マスク検査の精度及びスピードを向上させることが出来る。
また、パターン平坦部に相当する輝度値１１、１２に基づいて側壁角度を算出するので、パターンエッジの幅がＳＥＭのビーム径よりも狭く、パターンエッジ部分からの二次電子情報を正確に取得できない急峻な側壁角度についても、精度良く測定することができる。

図７は本発明に係るＳＥＭ装置の測定方法および測定装置の一実施形態における構成を示すブロック図である。この図において、引用符号１は測定したいパターンの画像を取得する画像取得部（請求項中の画像取得手段に相当）である。この画像取得部１に、上述した各画素の輝度値に対する規格化処理を行う規格化処理部１ａ（請求項中の規格化処理手段に相当）が設けられている。引用符号２は取得した画像に対してノイズ除去処理などの測定前処理を実施する画像前処理部である。このとき処理された画像は引用符号３の画像表示部に表示されると共に、引用符号４の画像データ保存部にビットマップ形式で保存される。次に引用符号５の画像処理部（請求項中の信号プロファイル生成手段に相当）では保存されたパターン画像の信号プロファイルを生成し、引用符号６のデータ処理部（請求項中の平坦部輝度値算出手段に相当）で微細パターンの平坦部に相当する輝度データを算出する処理が行われ、引用符号７の数値データ保存部に輝度データが保存される。次に、引用符号８のデータ解析部（請求項中の側壁角度算出手段に相当）で、前記輝度データと図６の相関を示す近似式とを基に、測定対象の微細パターンの側壁角度を算出する処理が行われる。最後に、この結果がファイルやプリンタ、モニタ等の結果表示部９に表示される。

以下、本発明の微細パターン測定方法について具体的な実施例を示す。

本実施例ではマスク上の微細パターンに対して測定を行った。測定したマスクはＣｒとＱｚで構成されたバイナリタイプのマスクであり、Ｃｒがパターン部分に相当する。

＜側壁角度とパターン平坦部輝度値との関係図を作成＞
まず、側壁角度とパターン平坦部輝度値との関係図を作成するため、いくつかの微細パターンに対して測定を行った。以下、一つの微細パターンに対して実施した測定例を図を用いて説明する。まず試料に対してビームを走査させ、走査画像を取得した（図８）。次に、画像処理を施し、信号プロファイルを生成した（図９）。次に、信号プロファイルからパターン平坦部Ｆに相当する輝度値を抽出した。抽出した値を任意の範囲で平均化し、これをパターン平坦部輝度値とした。次に、同一形状の試料を断裁し、断面ＳＥＭ観察により実際のパターンの断面像を取得し（図１０）、側壁角度を取得した。同様の測定を他の微細パターンに対しても行い、側壁角度とパターン平坦部輝度値の関係をグラフにプロットした（図１１）。次に、グラフから近似直線式（ｙ＝１．４８ｘ−０．８２、ｙ：側壁角度 ｘ：パターン平坦部輝度値）を導出した。本実施例での両者の相関係数（Ｒ^２ 値）は０．９７であり、大変良好な相関結果が得られた。

＜側壁角度の算出＞
次に、膜種、膜厚が同じで側壁角度が未知である試料を用意し測定を行った。試料に対し電子線を走査させ、試料の走査画像を取得し、信号プロファイルを生成した。信号プロファイルにおいてパターン平坦部に相当する輝度値を抽出した。このとき得られた輝度値は５５．８であった。取得した輝度値を前記近似直線式に代入し、側壁角度８１．８度を算出した。
なお、断面ＳＥＭを使って、この微細パターンの側壁角度を測定した結果が８２．０度となり、本発明手法による測定結果とほぼ一致した。
このことからも、微細パターンのＳＥＭによる撮影画像の輝度値から取得したパターン平坦部の輝度値に基づいて、微細パターンの側壁角度を測定する本実施例の方法は、精度良く側壁角度の測定を行えるものであることが分かった。

本発明の微細パターン測定方法は、微細構造体のパターンの側壁角度を測定することが出来ることから、半導体、フォトマスク、ナノインプリントなどの微細パターンを有する分野に利用することが期待される。

１・・・画像取得部
１ａ・・・規格化処理部
２・・・画像処理部
３・・・画像表示部
４・・・画像データ保存部
５・・・画像処理部
６・・・データ処理部
７・・・数値データ保存部
８・・・データ解析部
９・・・結果表示部
１０・・・輝度値の差
１１、１２・・・パターン平坦部の輝度値
１０１、１０２・・・側壁形状
１０３、１０４・・・ＳＥＭ信号量のラインプロファイル
Ｆ・・・パターン平坦部
ｘ・・・入射電子侵入深さ
ｙ…試料

Claims (9)

1. ＳＥＭでフォトマスクの微細パターンの側壁角度を測定する方法において、
   ＳＥＭにより電子線で走査した前記微細パターンを撮像して該微細パターンの画像を取得する工程と、
   前記取得した画像を画像処理して前記微細パターンの輝度値を示す信号の信号プロファイルを生成する工程と、
   前記信号プロファイルから、前記微細パターンの平坦部の輝度値を算出する工程と、
   前記平坦部の輝度値から、該平坦部の輝度値と前記微細パターンの側壁角度とがあらかじめ関連付けられた相関データに基づいて、前記微細パターンの側壁角度を算出する工程と、
   を具備することを特徴とする微細パターン測定方法。
2. 請求項１記載の微細パターン測定方法であって、
   前記相関データは、あらかじめ複数の微細パターンについて求めた前記輝度値と側壁角度の相関関係を示す近似式である
   ことを特徴とする微細パターン測定方法。
3. 請求項１又は２記載の微細パターン測定方法であって、
   前記微細パターンの画像を取得する前記工程は、前記微細パターンのパターンエッジの幅よりも大きいビーム径の電子線で前記微細パターンを走査する工程を含んでいる、
   ことを特徴とする微細パターン測定方法。
4. 請求項１、２又は３記載の微細パターン測定方法であって、
   前記微細パターンの画像を取得する前記工程は、前記取得した画像の各画素の輝度値に対し所定の圧縮比で規格化処理を施す工程を含んでおり、
   前記信号プロファイルを生成する前記工程は、前記各画素の輝度値に前記規格化処理を施した後の前記画像を画像処理する工程を含んでいる、
   ことを特徴とする微細パターン測定方法。
5. 請求項４記載の微細パターン測定方法であって、
   前記所定の圧縮比を、前記取得した画像における最大輝度値を基準にして決定するようにした、
   ことを特徴とする微細パターン測定方法。
6. ＳＥＭでフォトマスクの微細パターンの側壁角度を測定する装置において、
   ＳＥＭにより電子線で走査した前記微細パターンを撮像して該微細パターンの画像を取得する画像取得手段と、
   前記画像取得手段により取得した画像を画像処理して前記微細パターンの輝度値を示す信号の信号プロファイルを生成する信号プロファイル生成手段と、
   前記信号プロファイルから、前記微細パターンの平坦部の輝度値を算出する平坦部輝度値算出手段と、
   前記平坦部の輝度値から、該平坦部の輝度値と前記微細パターンの側壁角度とがあらかじめ関連付けられた相関データに基づいて、前記微細パターンの側壁角度を算出する側壁角度算出手段と、
   を具備することを特徴とする微細パターン測定装置。
7. 請求項６記載の微細パターン測定装置であって、
   前記相関データは、あらかじめ複数の微細パターンについて求めた前記輝度値と側壁角度の相関関係を示す近似式である
   ことを特徴とする微細パターン測定装置。
8. 請求項６又は７記載の微細パターン測定装置であって、
   前記画像取得手段は、
   前記画像取得手段により取得した画像の各輝度値に対し所定の圧縮比で規格化処理を施す規格化処理手段を有している、
   ことを特徴とする微細パターン測定装置。
9. 請求項８に記載の微細パターン測定装置であって、
   前記規格化処理手段は、前記信号プロファイルにおける最大輝度値を基準にした前記所定の圧縮比により、前記信号プロファイルの各輝度値に対し前記規格化処理を施す、
   ことを特徴とする微細パターン測定装置。

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