JP2010232434A - 段差測定方法、段差測定装置及び走査型電子顕微鏡装置 - Google Patents

段差測定方法、段差測定装置及び走査型電子顕微鏡装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2010232434A
JP2010232434A JP2009078530A JP2009078530A JP2010232434A JP 2010232434 A JP2010232434 A JP 2010232434A JP 2009078530 A JP2009078530 A JP 2009078530A JP 2009078530 A JP2009078530 A JP 2009078530A JP 2010232434 A JP2010232434 A JP 2010232434A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
differential
sample
focus position
layer portion
profile
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2009078530A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5458625B2 (ja
Inventor
Hidemitsu Namikii
秀充 波木井
Isao Yonekura
勲 米倉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toppan Inc
Original Assignee
Toppan Printing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toppan Printing Co Ltd filed Critical Toppan Printing Co Ltd
Priority to JP2009078530A priority Critical patent/JP5458625B2/ja
Publication of JP2010232434A publication Critical patent/JP2010232434A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5458625B2 publication Critical patent/JP5458625B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Abstract

【課題】微細構造体パターンのエッチング深さなどの段差を測定することの出来る段差測定方法、段差測定装置を提供することを目的とする。
【解決手段】信号プロファイル生成部35は、微細パターンに電子線を照射して得た走査画像から、フォーカス位置の異なる複数の信号波形のプロファイルを生成する。データ処理部36は、生成された信号波形のプロファイルを微分し、微分プロファイルを生成する。データ解析部38は、生成された微分プロファイルからパターンの上層部と下層部に相当する微分ピーク値を抽出し、フォーカス位置とともに記憶する。また、データ解析部38は、微分ピーク値とフォーカス位置の関係図を作成し、関係図から微細パターンの段差を算出する。
【選択図】図1

Description

本発明は、微細パターンの段差測定方法、段差測定装置及び走査型電子顕微鏡装置に関するものであり、特に、微細構造体の段差を測定する方法および装置に関する。
LSI製造工程における膜や基板のエッチング工程後にエッチング深さなどの段差を精度高く測定する方法としては、サンプルを断裁してその断面を、走査型電子顕微鏡(以下、SEMと称する)を用いて測定するものがある。
一方、サンプルを断裁せずにそれらの段差(微細構造体における隣接する領域内での高低差)を精度高く測定する方法としては、例えばスキャトロメトリなどのサンプルからの散乱光を解析して断面形状を得る測定方法や原子間力顕微鏡(以下、AFMと称する)などの触針式段差計などを用いた測定方法がある。
また、SEMを用いて、サンプルを断裁せずに微細パターンの三次元形状を測定する方法としては、例えば、特許文献1等においていくつかの方法が提案されている。
特開平5−299048号公報
しかしながら、従来のサンプルを断裁して断面SEMなどで観察する方法は、破壊検査であるため、そのサンプルを製品として使用することができなくなってしまうという問題がある。また、測定したい箇所の断面を観察するようにサンプルを断裁することは極めて困難であり、多くの箇所を測定したい場合、測定に時間を費やすという問題がある。
また、スキャトロメトリ(光波散乱計測)においては、非破壊で高精度な測定が可能となるが、ラインアンドスペースのような周期的なパターン構造が必要である。また、モデル波形をあらかじめ作成しておく必要があり、パターン及びモデル作成に時間を費やすという問題がある。
また、AFMにおいては、精度高くエッチング深さなどの段差を測定することが可能であるが、物理的に針をスキャンさせながら測定するため、スループットが非常に遅いという問題がある。また、AFMにおいては、測定回数に応じて針が少しずつ磨耗してしまい測定値が不正確になってしまうことがあり、多くのパターンのエッチング深さ等の段差を測定するには適していないという問題がある。
また、特許文献1においては、SEMを用いてフォーカス条件が異なる複数の画像に画像処理を施す方法が開示されている。この方法は、サンプルを非破壊で測定して大まかな三次元形状を把握する場合には実施できる方法であるが、LSIに使われるような微細パターンの段差やパターンのエッチング深さなどの段差がSEMの焦点深度に比べて小さい場合、精度高く測定するには不適当な方法である。
本発明は、上記事情に鑑みて成されたものであり、微細パターンの段差を精度高く測定できる微細パターンの段差測定方法、段差測定装置及びそれを搭載した走査型電子顕微鏡装置を提供することを目的とする。
上記問題を解決するために、本発明は、走査型電子顕微鏡の走査画像に基づいて、試料の段差を測定する段差測定方法であって、前記試料の段差を測定する工程は、Z軸方向の複数のフォーカス位置各々について、前記走査画像から信号波形のプロファイルを生成する第1の工程と、前記信号波形のプロファイルを微分処理して微分プロファイルを生成する第2の工程と、前記微分プロファイルから前記試料の上層部と下層部に相当する微分ピーク値を算出する第3の工程と、前記微分ピーク値と前記フォーカス位置との関係から、前記試料の段差を算出する第4の工程と、を有することを特徴とする段差測定方法である。
また、本発明は、上記に記載の発明において、前記第4の工程は、前記微分ピーク値と前記フォーカス位置の関係図を作成し、前記微分ピーク値が低下する前記フォーカス位置を、前記試料の上層部と下層部各々において算出し、算出された上層部のフォーカス位置と下層部のフォーカス位置の距離の差分を算出し、前記試料の段差とすることを特徴とする。
また、本発明は、上記に記載の発明において、前記第4の工程は、前記微分ピーク値と前記フォーカス位置の関係図を作成し、前記微分ピーク値の前記フォーカス位置に対する傾きが正から負へと変わるフォーカス位置を、前記試料の上層部と下層部各々において算出し、算出された上層部のフォーカス位置と下層部のフォーカス位置の距離の差分を算出し、前記試料の段差とすることを特徴とする。
また、本発明は、走査型電子顕微鏡の走査画像に基づいて、試料の段差を測定する段差測定装置であって、Z軸方向の複数のフォーカス位置各々について、前記走査画像から信号波形のプロファイルを生成する信号プロファイル生成部と、前記信号波形のプロファイルを微分処理して微分プロファイルを生成するデータ処理部と、前記微分プロファイルから前記試料の上層部と下層部に相当する微分ピーク値を算出し、前記微分ピーク値と前記フォーカス位置との関係から、前記試料の段差を算出するデータ解析部と、を有することを特徴とする段差測定装置である。
また、本発明は、上記に記載の発明において、前記データ解析部は、前記微分ピーク値と前記フォーカス位置の関係図を作成し、前記微分ピーク値が低下する前記フォーカス位置を、前記試料の上層部と下層部各々において算出し、算出された上層部のフォーカス位置と下層部のフォーカス位置の距離の差分を算出し、前記試料の段差とすることを特徴とする。
また、本発明は、上記に記載の発明において、前記データ解析部は、前記微分ピーク値と前記フォーカス位置の関係図を作成し、前記微分ピーク値の前記フォーカス位置に対する傾きが正から負へと変わるフォーカス位置を、前記試料の上層部と下層部各々において算出し、算出された上層部のフォーカス位置と下層部のフォーカス位置の距離の差分を算出し、前記試料の段差とすることを特徴とする。
また、本発明は、走査型電子顕微鏡装置であって、Z軸方向の複数のフォーカス位置各々について、試料の走査画像から信号波形のプロファイルを生成する信号プロファイル生成部と、前記信号波形のプロファイルを微分処理して微分プロファイルを生成するデータ処理部と、前記微分プロファイルから前記試料の上層部と下層部に相当する微分ピーク値を算出し、前記微分ピーク値と前記フォーカス位置との関係から、前記試料の段差を算出するデータ解析部と、を有することを特徴とする走査型電子顕微鏡装置である。
この発明によれば、微細パターンの段差を精度高く測定できる微細パターンの段差測定方法、段差測定装置及び走査型電子顕微鏡装置を提供できる。
本発明の段差測定装置を備えた走査型電子顕微鏡装置の構成概略を示すブロック図である。 本発明の段差測定方法の原理を説明するための図である。 本発明の段差測定方法の原理を説明するための図である。 本発明の段差測定処理を説明するフロー図である。 本発明の実証結果を説明するための図である。 本発明の実証結果を説明するためのグラフである。
以下、本発明の実施例の説明は、荷電粒子線装置の1つである走査型電子顕微鏡装置を例にとって説明するが、これに限られるものではなく、例えばイオンビームを試料上に走査して試料像を得るFIB(Focused Ion Beam)装置等の荷電粒子線装置であってもよい。
また、以下の説明においては、フォトマスク上に形成されるラインもしくはスペースパターンに適用した場合について述べるが、本発明の適応範囲は、それのみに限定されるものではなく、LSI上の微細パターンの段差やエッチング深さなどの段差測定にも適用できる。
図1は、本発明の段差測定装置を備えた走査型電子顕微鏡装置の構成概略を示すブロック図である。図1において、走査型電子顕微鏡装置50は、顕微鏡筐体51、走査回路62、レンズ制御回路63及び段差測定部30から構成される。なお、走査型電子顕微鏡装置50には、自動焦点(オートフォーカス)制御機能が組み込まれている。
顕微鏡筐体51は、試料台52、陰極54、走査コイル56、電子レンズ57、検出器59より構成される。顕微鏡筐体51においては、陰極54より放出された電子ビーム55が、走査コイル56によって、試料台52上の試料53を走査され、試料53から発せられた二次電子58が、検出器59により検出される。
また、レンズ制御回路63は、顕微鏡制御部61から入力される制御信号により、電子レンズ57の励磁電流を調節することで、電子ビーム55のZ軸方向の焦点位置(Z軸方向のフォーカス位置。以下、フォーカス値Zとする)を制御する。ここで、Z軸方向とは、試料53或いは試料台52と垂直な軸の方向である。
また、走査回路62は、顕微鏡制御部61から入力される偏向信号により、走査コイル56に供給する電流を調節することで、電子ビーム55の試料53上におけるX又はY軸方向における走査を制御する。以下の説明では、フォトマスク上に形成されるラインの長さ方向をY軸方向とし、これと垂直な方向をX軸方向とする。
段差測定部30は、上述の検出器59により検出された二次電子58を基に、画像処理を行い、処理された画像から信号波形のプロファイルを生成し、信号波形のプロファイルを演算処理することで、試料の段差を算出する。
段差測定部30は、画像取得部31、画像処理部32、画像表示部33、画像データ保存部34、信号プロファイル生成部35、データ処理部36、数値データ保存部37、データ解析部38及び解析結果表示部39より構成される。
画像取得部31は、検出器59により検出された二次電子58を、図示しない増幅器(例えば、AD変換器)により画像情報を示す電気信号へと変換し、試料53の走査画像を生成する。
画像処理部32は、生成された走査画像に対してノイズ除去処理等の測定前処理を実施する。このとき処理された画像は、画像表示部33に表示されるとともに、画像データ保存部34にビットマップ形式で保存される。なお、画像表示部33に表示される画像及び画像データ保存部34に保存される画像のXYアドレスと、走査回路62に入力されるXYアドレスは対応しているので、表示され、かつ保存される画像は、2次元画像(例えば後述する図5(b)の画像)である。また、本実施形態においては、電子ビーム55のZ軸方向のフォーカス値Zを変化させながら、画像を取得するので、表示され、かつ保存される画像は、複数のフォーカス値Zに各々対応する画像である。
信号プロファイル生成部35は、画像データ保存部34に保存される画像の信号波形のプロファイルを生成する。上述の通り、本実施形態においては、ラインの長さ方向をY軸方向としているので、生成される信号波形のプロファイルは、横軸をX座標、縦軸を輝度値(取得画像の明暗度を示す値)としたグラフ(例えば、図2中段の各グラフ)である。ここで、生成される信号波形のプロファイルにおける輝度値は、各Xにおける輝度値をY軸方向にあるライン長に渡って積分した値、或いは積分した値をライン長で除して規格化した値が用いられる。ラインはX軸方向に微小な凹凸形状を有するので、信号波形のプロファイルにおける正確な輝度値を確保するため、X方向のばらつきを減らすためである。
データ処理部36は、信号波形のプロファイルを微分し、微分プロファイルを生成する。すなわち、データ処理部36は、信号波形のプロファイルにおける輝度値をXで微分した値(以下、微分値という。)を算出し、Xと微分値との関係を示す微分プロファイルを生成する。生成される微分プロファイルは、横軸がX座標、縦軸が微分値となるグラフ(例えば、図2下段の各グラフ)である。また、データ処理部36は、グラフ上における微分値のピーク値(以下、微分ピーク値という)を、マスク上に形成されたラインの上層部と下層部各々について算出する。また、データ処理部36は、数値データ保存部37に上層部と下層部各々の微分ピーク値を、フォーカス値Zとともに記録する。
データ解析部38は、数値データ保存部37に記録された上層部と下層部各々の微分ピーク値とフォーカス値Zの関係図を生成し、関係図から試料53の膜厚(本実施形態においては、マスクのラインの上層部と下層部の段差に相当する。)を算出する。
解析結果表示部39は、データ解析部38の解析結果である段差値を表示する。
なお、以上のように構成された走査型電子顕微鏡装置50における自動焦点(オートフォーカス)制御機能は、電子レンズ57の焦点条件を自動的に最適値に設定する制御であり、その方法は、電子レンズ57の条件を変化させながら、複数の走査を行って得られた2次電子の検出信号から焦点評価値を算出、評価し、最適値を電子レンズの条件に設定するものである。また、焦点評価値としては、取得画像の画素値の合計等が利用されており、電子レンズの条件を変えながら撮影した画像毎に画素値の合計を計算し、その値が一番大きくなるときの電子レンズ57の条件を焦点が合った条件とするのが一般的である。
本実施形態においては、画像データ保存部34に画像データが記録される構成となっているので、顕微鏡制御部61が、かかる画像データを基に取得された画像の画素値の合計を算出し、後述のジャストフォーカスの位置(オートフォーカスで決定されるフォーカスの位置)を決定するものとする。
次に、図2及び図3を参照して、本実施形態の段差測定装置における段差測定方法の原理について、上記段差測定部30における各部の処理に言及しつつ説明する。
図2は、本実施形態の微細パターンの段差測定方法を説明する図であり、図上段において、フォトマスク上に走査される電子ビームの焦点及び焦点深度を、図中段において、取得画像の信号波形のプロファイル(Xと輝度値との関係)を、図下段において、微分プロファイル(Xと輝度値の微分値との関係)を、それぞれ示している。
また、図2(a)〜(d)は、フォーカス値Zをジャストフォーカスの位置(オートフォーカスで決定されるフォーカスの位置)から、プラス方向へ変化させていった時の、上述の各変化を示している。なお、フォーカス値Zは、焦点位置が図中上向きに動く場合をマイナスの方向とし、下向きに動く場合をプラスの方向とする。すなわち、図2(a)〜2(d)において、この順番に焦点がプラス方向へ変化した場合を示し、図2(d)において、焦点及び焦点深度は、マスクのラインの下層部から逸脱しているものとする。
図2上段に示すように、一般にSEMの焦点深度の範囲は広く、マスクのラインの段差(図に示す上層部Aと下層部Bとの高低差)に比べて十分大きい。そのため、オートフォーカスで決定されるフォーカスの位置における走査像は、ラインの上層部Aと下層部Bいずれにおいても焦点の合った鮮明な画像となる。従って、図2(a)において、信号プロファイル生成部35が生成する信号波形のプロファイル1は、段差の数に対応する二つのピークをもつが、各ピークにおいて、ピークの右側、ピークの左側の波形はピークの位置に対してほぼ対称な形を示している。
これに対応して、データ処理部36が生成する微分プロファイル2が、図2(a)下段のグラフである。信号波形のプロファイル1を、X(図中における「位置」)で微分するので、微分プロファイル2における微分値は、Xが小さい領域では、信号波形のプロファイル1における輝度値のXに対する傾きが0であるので0である。Xが大きくなると、微分値も増加し、下層部Bに相当するXで極大値となる。続いて、段差のほぼ中央にあたるXにおいては、輝度値が最大となるため、微分値は0となり、その後上層部Aに相当するXで極小値となる。続いて、上層部のフラットな部分に相当するXにおいては、輝度値は一定であるので微分値は0である。次の段差においては、Xの小さいほうから、上層部Aに対応するXで極大値となり、下層部Bに対応するXで極小値となる。
データ処理部36は、微分プロファイル2中の上層部Aに相当する微分ピーク値10および下層部Bに相当する微分ピーク値11を算出し、数値データ保存部37に各微分ピーク値をフォーカス値Zとともに記録する。
図2(b)は、図2(a)の状態から、フォーカス値Zをプラス方向へ変化させた状態を示す。図2(b)は、パターンの上層部Aおよび下層部Bが、SEMの焦点深度の範囲内にある状態を示している。この状態においては、パターンの上層部Aと下層部Bで焦点の合った走査像が得られるため、信号プロファイル生成部35が生成する信号波形のプロファイル、データ処理部36が生成する微分プロファイルは、図2(a)の状態と比べて殆んど変化しない。また、データ処理部36は、微分プロファイル中の上層部Aに相当する微分ピーク値12および下層部Bに相当する微分ピーク値13を算出するが、これらの値は、それぞれ上述の微分ピーク値10および微分ピーク値11と、ほぼ同じ値である。
図2(c)は、図2(b)の状態から、フォーカス値Zを更にプラス方向へ変化させた状態を示す。図2(c)は、パターン上層部AがSEMの焦点深度の範囲から逸脱した状態を示している。この状態においては、信号プロファイル生成部35が生成する信号波形のプロファイルにおいて、左側ピークの右側(右側ピークでは左側)のプロファイル波形は、裾引きが緩やかになる。また、左側ピークの左側(右側ピークでは右側)のプロファイル波形は、裾引きが先鋭化する。
これに対応して、データ処理部36が生成する微分プロファイル2が、図2(c)下段のグラフである。微分プロファイルにおいては、左側ピークの右側(右側ピークでは左側)のプロファイル波形の裾引きが緩やかになったことを受けて、上層部Aに相当する微分ピーク値(極小値及び極大値の両方)の絶対値は、いずれも小さくなる。
データ処理部36は、微分プロファイル中の上層部Aに相当する微分ピーク値14および下層部Bに相当する微分ピーク値を算出し、数値データ保存部37に各微分ピーク値をフォーカス値Zとともに記録する。
図2(d)は、図2(c)の状態から、フォーカス値Zを更にプラス方向へ変化させた状態を示す。図2(d)は、パターン下層部BもSEMの焦点深度の範囲から逸脱した状態を示している。この状態においては、信号プロファイル生成部35が生成する信号波形のプロファイルにおいて、左側ピークの左側(右側ピークでは右側)のプロファイル波形も、裾引きが緩やかになる。
これに対応して、データ処理部36が生成する微分プロファイル2が、図2(d)下段のグラフである。微分プロファイルにおいては、左側ピークの左側(右側ピークでは右側)のプロファイル波形も裾引きが緩やかになったことを受けて、下層部Bに相当する微分ピーク値(極小値及び極大値の両方)の絶対値も小さくなる。
データ処理部36は、微分プロファイル中の上層部Aに相当する微分ピーク値および下層部Bに相当する微分ピーク値15を算出し、数値データ保存部37に各微分ピーク値をフォーカス値Zとともに記録する。
上述の図2を用いた説明においては、SEMのオートフォーカス処理で決定されるジャストフォーカスの位置から、フォーカス値Zをプラス側へ連続的に変化させながら得られる走査像から生成する微分ピーク値について説明した。段差測定部30における信号プロファイル生成部35及びデータ処理部36は、フォーカス値Zをマイナス側へ連続的に変化させながら得られる走査像から生成する微分ピーク値についても、同様の処理を行い、算出する。
すなわち、データ処理部36は、信号プロファイル生成部35が生成した信号波形のプロファイルを基に、パターンの上層部Aおよび下層部Bのいずれもが、SEMの焦点深度の範囲から逸脱した状態になるまで、微分ピーク値を算出し、数値データ保存部37へ記録する。
図3は、データ解析部38が、数値データ保存部37に記録された微分ピーク値とフォーカス値Zをもとに作成した関係図である。図3(a)に示す関係図は、フォーカス値Zを横軸に、パターン上層部Aと下層部B各々の微分ピーク値の絶対値をY軸にプロットしたグラフであり、プロット100が上層部Aにおける、プロット101が下層部Bにおける、それぞれの微分ピーク値のフォーカス値Zに対する変化を示している。また、図中、10〜15は図2において説明したように、データ処理部36が算出した微分ピーク値(微分プロファイルにおける上述の極小値/極大値)である。ここで、図3(a)に示す20の距離(フォーカス値Zの差)は、上層部Aにおいて焦点範囲を逸脱するフォーカス値Zと下層部Bにおいて焦点範囲を逸脱するフォーカス値Zの差となるから、この差はラインの段差に相当する。
データ解析部38は、以上のグラフ(関係図)を作成し、上層部A及び下層部Bが焦点範囲を逸脱するポイント(微分ピーク値が低下するフォーカス値Z)をそれぞれ算出し、その差によりラインの段差を算出する。なお、以上の説明は、本実施形態の段差装置及び段差測定方法の原理を説明したものであり、微分ピーク値は、上層部A及び下層部B各々の焦点に対する位置関係により、上層部A及び下層部Bが焦点範囲を逸脱しなくとも、変化する場合がある。例えば、フォーカス値Zと微分ピーク値の関係図が、図3(b)に示すグラフとなる場合もある。かかる場合は、図3(a)の場合のように、プロット100及びプロット101の立下りポイントの判断は困難であるから、プロットされた微分ピーク値を、図3(b)に示すように、上層部及び下層部それぞれについて曲線で近似し、両曲線の変曲点間の距離である21を、パターンの段差として算出してもよい。
次に、図4のフローチャートを用いて、本発明の段差測定装置を備えた走査型電子顕微鏡装置における段差算出処理を説明する。
まず、オートフォーカス処理をして、Z軸方向のフォーカス基準点となるフォーカス位置(フォーカス値Zとする)を設定する(ステップS1)。
次に、設定したフォーカス条件において、走査回路62は、顕微鏡制御部61から入力される偏向信号により、走査コイル56に供給する電流を調節することで、電子ビーム55の試料53上におけるX又はY軸方向における走査を制御する。画像取得部31は、検出器59により検出された二次電子58を、画像情報を示す電気信号へと変換し、試料53の走査画像を生成する。(ステップS2)。
次に、画像処理部32は、生成された走査画像に対してノイズ除去処理等の測定前処理を施す。また、信号プロファイル生成部35は、前処理を施された画像の信号波形のプロファイル、すなわち横軸をX座標、縦軸を輝度値(取得画像の明暗度を示す値)としたグラフを生成する(ステップS3)。
次に、データ処理部36は、信号波形のプロファイルを微分し、微分プロファイルを作成する。すなわち、データ処理部36は、上述のグラフにおいて、輝度値をXで微分した値(以下、微分値という。)を算出し、Xと微分値の関係を示す、横軸がX座標、縦軸が微分値となるグラフを生成する(ステップS4)。
また、データ処理部36は、生成したグラフ上における微分ピーク値を、マスク上に形成されたラインの上層部と下層部各々について算出し、数値データ保存部37にフォーカス値Zとともに記録する(ステップS5)。
次に、データ解析部38は、数値データ保存部37に記録された微分ピーク値とフォーカス値Zの関係をグラフ上にプロットしていき、両者の関係図を作成する。データ解析部38は、また、マスク上に形成されたラインの上層部と下層部のいずれもがSEMの焦点深度の範囲を逸脱したかを、すなわち関係図において微分ピーク値が立下ったかどうかを判定する(ステップS6)。判定においては、例えば、フォーカス値Zのときの微分ピーク値の1/2の値を閾値として予め設定しておき、微分ピーク値が閾値より小さくなったときに、SEMの焦点深度の範囲を逸脱したと判定してよい。
データ解析部38は、ラインの上層部と下層部における微分ピーク値の、いずれか一方或いは両方が、上述の閾値より大きい値である場合、SEMの焦点深度の範囲を逸脱していないものと判定する(ステップS6−NO)。この場合、フォーカス値Zをプラスおよびマイナス方向に、ΔZ分だけ変更し(ステップS7)、ステップS2から処理を繰り返す。すなわち、フォーカス値Zを、フォーカス値Zに対して、Z±ΔZ、Z±2×ΔZ、Z±3×ΔZと順次変化させ、ステップS2からステップS5までの処理を、各フォーカス値Zについて繰り返す。なお、Z軸方向の変化量ΔZは、ユーザーが任意に設定できるものとする。例えば、パターンの段差を高精度に測定する必要がある場合、変化量ΔZを小さい値に設定する。
データ解析部38は、ステップS6における判定において、ラインの上層部と下層部のいずれの微分ピーク値も上述の閾値より小さい値となった場合、SEMの焦点深度の範囲を逸脱したと判定し(ステップS6−YES)、微分ピーク値とフォーカス値Zの関係図よりパターンの段差を算出する(ステップS8)。
なお、段差算出処理フローにおいて、データ解析部38は、微分ピーク値とフォーカス値Zの関係図において、微分ピーク値をフォーカス値Zで微分した値がプラスからマイナスに変わるフォーカス値になったとき、焦点深度の範囲を逸脱したと判定してもよい。
上述の図3(b)のように、微分ピーク値とフォーカス値Zの関係図にフラットな部分(傾きがゼロの部分)がない場合、プロットしたデータだけから微分ピーク値の立下りを精度よく判定することが困難であるためである。この判定を行う場合、データ解析部38は、ステップS6において、微分ピーク値のフォーカス値Zに対する傾きを、マスク上に形成されたラインの上層部と下層部各々について算出し、傾きが正から負へ変化すれば、焦点深度の範囲を逸脱したものと判定する。また、データ解析部38は、ステップ8において、上層部と下層部各々における各フォーカス位置(フォーカス値Z)と微分ピーク値との関係を示す曲線近似式を算出し、それぞれの曲線の変曲点におけるフォーカス値Zの差分を段差として算出する。
以上説明したように、本発明によれば、微細パターンの段差を精度高く測定できる微細パターンの段差測定方法およびその装置を提供できる効果がある。
段差測定方法およびその装置について、上述の図4に示す処理フローを用いて効果を確認したところ、次に説明する結果を得ることができた。
まず、効果を実証するために測定に用いた試料は、図5(a)に示すように、マスクパターンの上層部がCr(クロム)、下層部がQz(石英)で構成されたラインである。このラインを試料として用いて、オートフォーカス処理をした後(ステップS1)、画像処理部32が、図5(b)に示す走査画像を生成した(ステップS2)。なお、このときのジャストフォーカスの位置は、フォーカス値Z=51.145μmであった。
次に、信号プロファイル生成部35は、図6(a)に示す信号波形のプロファイルを生成した(ステップS3)。図6(a)においては、ラインの段差部において、輝度値が大きく変化することが示されている。
データ処理部36は、生成された信号波形のプロファイルを微分し、図6(b)に示す微分プロファイルを生成した(ステップS4)。図6(b)においては、上層部と下層部に相当する微分ピーク値が抽出されていることがはっきりと示されている。また、ラインエッジ部における上層部の微分ピーク値は47.7、下層部の微分ピーク値は77.2であった。
次にオートフォーカス処理で決定されたジャストフォーカスの位置(フォーカス値Z=51.145μm)から、Z軸方向にΔZ=±0.06μmずつ、フォーカス値Zを変化させながら走査画像を取得し(ステップ5〜ステップ7、ステップS2)、それぞれの走査画像に対し信号波形のプロファイル生成および微分処理を行い(ステップS3、ステップS4)、パターンエッジ部の上層部と下層部に相当する微分ピーク値を抽出した(ステップS5)。
図6(c)は、上層部(Cr)及び下層部(Qz)それぞれに対して、データ解析部38が作成した関係図であり、各フォーカス位置(フォーカス値Z)と微分ピーク値との関係を示すグラフである。なお、図6(c)においては、プロットしたデータだけからは、微分ピーク値の立下りのフォーカス位置の判断が困難であるため、データを二次曲線で近似している。データ解析部38が、上層部と下層部の各二次曲線の近似式から、それぞれの二次曲線の変曲点におけるフォーカス位置を求めたところ、上層部は51.349μm、下層部は51.241μmであった。また、データ解析部38は、両者の差分を0.108μmと算出し(ステップS8)、この結果をパターンの段差として解析結果表示部39へ出力した。
なお、同一試料を、上述の従来技術において説明したAFMを使用して段差を測定したところ、その結果は0.106μmとなり、本発明による測定結果とほぼ一致した。これにより、本発明による段差測定方法、段差測定装置及び走査型電子顕微鏡装置について、微細パターンの段差を精度高く測定できることが実証された。
本発明の微細パターンの段差測定方法、段差測定装置及び走査型電子顕微鏡装置は、微細構造体のパターンの段差を測定することが出来ることから、微細構造体の高低差或いはエッチング深さなどの段差を測定することが求められる分野に利用することができる。
50…走査型電子顕微鏡装置、51…顕微鏡筐体、52…試料台、53…試料、54…陰極、55…電子ビーム、56…走査コイル、57…電子レンズ、58…二次電子、59…検出器、61…顕微鏡制御部、62…走査回路、63…レンズ制御回路、
30…段差測定部、31…画像取得部、32…画像処理部、33…画像表示部、34…画像データ保存部、35…信号プロファイル生成部、36…データ処理部、37…数値データ保存部、38…データ解析部、39…解析結果表示部、A…上層部、B…下層部

Claims (7)

  1. 走査型電子顕微鏡の走査画像に基づいて、試料の段差を測定する段差測定方法であって、
    前記試料の段差を測定する工程は、
    Z軸方向の複数のフォーカス位置各々について、前記走査画像から信号波形のプロファイルを生成する第1の工程と、
    前記信号波形のプロファイルを微分処理して微分プロファイルを生成する第2の工程と、
    前記微分プロファイルから前記試料の上層部と下層部に相当する微分ピーク値を算出する第3の工程と、
    前記微分ピーク値と前記フォーカス位置との関係から、前記試料の段差を算出する第4の工程と、
    を有することを特徴とする段差測定方法。
  2. 前記第4の工程は、前記微分ピーク値と前記フォーカス位置の関係図を作成し、前記微分ピーク値が低下する前記フォーカス位置を、前記試料の上層部と下層部各々において算出し、算出された上層部のフォーカス位置と下層部のフォーカス位置の距離の差分を算出し、前記試料の段差とすることを特徴とする請求項1記載の段差測定方法。
  3. 前記第4の工程は、前記微分ピーク値と前記フォーカス位置の関係図を作成し、前記微分ピーク値の前記フォーカス位置に対する傾きが正から負へと変わるフォーカス位置を、前記試料の上層部と下層部各々において算出し、算出された上層部のフォーカス位置と下層部のフォーカス位置の距離の差分を算出し、前記試料の段差とすることを特徴とする請求項1記載の段差測定方法。
  4. 走査型電子顕微鏡の走査画像に基づいて、試料の段差を測定する段差測定装置であって、
    Z軸方向の複数のフォーカス位置各々について、前記走査画像から信号波形のプロファイルを生成する信号プロファイル生成部と、
    前記信号波形のプロファイルを微分処理して微分プロファイルを生成するデータ処理部と、
    前記微分プロファイルから前記試料の上層部と下層部に相当する微分ピーク値を算出し、前記微分ピーク値と前記フォーカス位置との関係から、前記試料の段差を算出するデータ解析部と、
    を有することを特徴とする段差測定装置。
  5. 前記データ解析部は、前記微分ピーク値と前記フォーカス位置の関係図を作成し、前記微分ピーク値が低下する前記フォーカス位置を、前記試料の上層部と下層部各々において算出し、算出された上層部のフォーカス位置と下層部のフォーカス位置の距離の差分を算出し、前記試料の段差とすることを特徴とする請求項4記載の段差測定装置。
  6. 前記データ解析部は、前記微分ピーク値と前記フォーカス位置の関係図を作成し、前記微分ピーク値の前記フォーカス位置に対する傾きが正から負へと変わるフォーカス位置を、前記試料の上層部と下層部各々において算出し、算出された上層部のフォーカス位置と下層部のフォーカス位置の距離の差分を算出し、前記試料の段差とすることを特徴とする請求項4記載の段差測定装置。
  7. 走査型電子顕微鏡装置であって、
    Z軸方向の複数のフォーカス位置各々について、試料の走査画像から信号波形のプロファイルを生成する信号プロファイル生成部と、
    前記信号波形のプロファイルを微分処理して微分プロファイルを生成するデータ処理部と、
    前記微分プロファイルから前記試料の上層部と下層部に相当する微分ピーク値を算出し、前記微分ピーク値と前記フォーカス位置との関係から、前記試料の段差を算出するデータ解析部と、
    を有することを特徴とする走査型電子顕微鏡装置。
JP2009078530A 2009-03-27 2009-03-27 段差測定方法、段差測定装置及び走査型電子顕微鏡装置 Expired - Fee Related JP5458625B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009078530A JP5458625B2 (ja) 2009-03-27 2009-03-27 段差測定方法、段差測定装置及び走査型電子顕微鏡装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009078530A JP5458625B2 (ja) 2009-03-27 2009-03-27 段差測定方法、段差測定装置及び走査型電子顕微鏡装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2010232434A true JP2010232434A (ja) 2010-10-14
JP5458625B2 JP5458625B2 (ja) 2014-04-02

Family

ID=43047981

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009078530A Expired - Fee Related JP5458625B2 (ja) 2009-03-27 2009-03-27 段差測定方法、段差測定装置及び走査型電子顕微鏡装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5458625B2 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011069873A (ja) * 2009-09-24 2011-04-07 Toppan Printing Co Ltd 微細パターン測定方法及び微細パターン測定装置
KR20130102311A (ko) * 2012-03-07 2013-09-17 삼성전자주식회사 주사 전자 현미경을 이용하여 소자의 단차를 측정하는 방법 및 단차 측정 장치
JP2014044803A (ja) * 2012-08-24 2014-03-13 Toppan Printing Co Ltd 微細パターンの凹凸判定方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007227193A (ja) * 2006-02-24 2007-09-06 Hitachi High-Technologies Corp 荷電粒子線装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007227193A (ja) * 2006-02-24 2007-09-06 Hitachi High-Technologies Corp 荷電粒子線装置

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011069873A (ja) * 2009-09-24 2011-04-07 Toppan Printing Co Ltd 微細パターン測定方法及び微細パターン測定装置
KR20130102311A (ko) * 2012-03-07 2013-09-17 삼성전자주식회사 주사 전자 현미경을 이용하여 소자의 단차를 측정하는 방법 및 단차 측정 장치
US8759763B2 (en) 2012-03-07 2014-06-24 Samsung Electronics Co., Ltd. Method and apparatus to measure step height of device using scanning electron microscope
KR101896903B1 (ko) * 2012-03-07 2018-09-13 삼성전자주식회사 주사 전자 현미경을 이용하여 소자의 단차를 측정하는 방법 및 단차 측정 장치
JP2014044803A (ja) * 2012-08-24 2014-03-13 Toppan Printing Co Ltd 微細パターンの凹凸判定方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP5458625B2 (ja) 2014-04-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2010137267A1 (ja) テンプレートマッチング用テンプレート作成方法、及びテンプレート作成装置
US20130146763A1 (en) Image Processing Device, Charged Particle Beam Device, Charged Particle Beam Device Adjustment Sample, and Manufacturing Method Thereof
JP4587742B2 (ja) 荷電粒子線顕微方法及び荷電粒子線応用装置
JP5164598B2 (ja) レビュー方法、およびレビュー装置
JP5530959B2 (ja) パターン高さ測定装置及びパターン高さ測定方法
JP6068624B2 (ja) 試料観察装置
US20110001816A1 (en) Microstructure inspection method, microstructure inspection apparatus, and microstructure inspection program
US20130343649A1 (en) Image processing apparatus, image processing method
JP4791333B2 (ja) パターン寸法計測方法及び走査型透過荷電粒子顕微鏡
JP4538421B2 (ja) 荷電粒子線装置
TWI567789B (zh) A pattern measuring condition setting means, and a pattern measuring means
JP5458625B2 (ja) 段差測定方法、段差測定装置及び走査型電子顕微鏡装置
JP5533045B2 (ja) 微細パターン測定方法及び微細パターン測定装置
JP6088337B2 (ja) パターン検査方法及びパターン検査装置
KR20140048279A (ko) 하전 입자선 장치
JP5642108B2 (ja) パターン測定方法及びパターン測定装置
TWI516760B (zh) Semiconductor inspection device and inspection method using charged particle line
JP4922710B2 (ja) 電子顕微鏡の分解能評価用試料及び電子顕微鏡の分解能評価方法並びに電子顕微鏡
JP2008218259A (ja) 検査方法及び検査装置
JP2011179819A (ja) パターン測定方法及びコンピュータプログラム
WO2013122020A1 (ja) 荷電粒子線装置、及び荷電粒子線装置の動作条件設定装置
JP6044182B2 (ja) 微細パターンの凹凸判定方法
Karadzhinova et al. Calibration of high-aspect ratio quality control optical scanning system
JP2011069873A (ja) 微細パターン測定方法及び微細パターン測定装置
JP2006319351A (ja) パターン検査方法及びパターン検査装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20120220

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20130924

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20131001

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20131126

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20131126

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20131217

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20131230

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees