JP2014044803A - 微細パターンの凹凸判定方法 - Google Patents
微細パターンの凹凸判定方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2014044803A JP2014044803A JP2012185094A JP2012185094A JP2014044803A JP 2014044803 A JP2014044803 A JP 2014044803A JP 2012185094 A JP2012185094 A JP 2012185094A JP 2012185094 A JP2012185094 A JP 2012185094A JP 2014044803 A JP2014044803 A JP 2014044803A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- unevenness
- pattern
- peak value
- differential peak
- differential
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Abstract
【解決手段】試料の画像を画像処理して信号プロファイルを生成し、信号プロファイルを微分処理して微分プロファイルを生成する。第1の方法では、判定対象パターンの両エッジ近傍の微分ピーク値を検出し、微分ピーク値の検出位置に基づいて判定対象パターンの凹凸を判定する。第2の方法では、判定対象パターンのエッジの位置に対応する2つの微分ピーク値を検出し、微分ピーク値と走査型電子顕微鏡のZ軸方向のフォーカス位置との関係から、判定対象パターンの凹凸を判定する。
【選択図】図2
Description
請求項2に記載の本発明は、前記微分ピーク値を検出する工程では、前記判定対象パターンの両エッジの内側および外側にそれぞれ検出される微分ピーク値を検出することを特徴とする請求項1に記載の微細パターンの凹凸判定方法である。
請求項3に記載の本発明は、前記微細パターンの凹凸を判定する工程では、前記両エッジの内側で検出された前記微分ピーク値と、前記両エッジの外側で検出された前記微分ピーク値とを比較し、前記外側で検出された微分ピーク値が大きい場合には前記判定対象パターンをラインと判定し、前記外側で検出された微分ピーク値が小さい場合には前記判定対象パターンをスペースと判定することを特徴とする請求項1または2に記載の微細パターンの凹凸判定方法である。
請求項4に記載の本発明は、走査型電子顕微鏡でウェハまたはフォトマスクの微細パターンの凹凸を判定する方法において、電子線を試料に照射し、試料から放出される荷電粒子を検出し、前記試料の画像を生成する工程と、前記画像を画像処理して信号プロファイルを生成する工程と、前記信号プロファイルを微分処理して微分プロファイルを生成する工程と、判定対象パターンのエッジの位置に対応する2つの微分ピーク値を検出する工程と、前記微分ピーク値と前記走査型電子顕微鏡のZ軸方向のフォーカス位置との関係から、前記判定対象パターンの凹凸を判定する工程と、を具備することを特徴とする微細パターンの凹凸判定方法である。
請求項5に記載の本発明は、前記試料の画像を生成する工程では、前記Z軸方向のフォーカス位置を変化させ、複数枚の画像を生成することを特徴とする請求項4に記載の微細パターンの凹凸判定方法である。
請求項6に記載の本発明は、前記2つ微分ピーク値を検出する工程では、前記判定対象パターンのエッジの内側で検出される微分ピーク値と前記判定対象パターンのエッジの外側で検出される微分ピーク値を検出し、記憶することを特徴とする請求項4または5に記載の微細パターンの凹凸判定方法である。
請求項7に記載の本発明は、前記判定対象パターンの凹凸を判定する工程では、前記走査型電子顕微鏡のオートフォーカスによって決まるフォーカス基準点からZ軸方向のフォーカス位置を変化させて、前記エッジの内側と外側で検出される微分ピーク値と前記フォーカス位置との関係図を作成し、前記微分ピーク値が小さく変化し始めるZ軸方向のフォーカス位置を、前記エッジの内側における関係図と前記エッジの外側における関係図とで比較し、前記判定対象パターンの凹凸を判定することを特徴とする請求項4〜6のいずれか一つに記載の微細パターンの凹凸判定方法である。
Claims (7)
- 走査型電子顕微鏡でウェハまたはフォトマスクの微細パターンの凹凸を判定する方法において、
電子線を試料に照射し、試料から放出される荷電粒子を検出し、前記試料の画像を生成する工程と、
前記画像を画像処理して信号プロファイルを生成する工程と、
前記信号プロファイルを微分処理して微分プロファイルを生成する工程と、
判定対象パターンの両エッジ近傍の微分ピーク値を検出する工程と、
前記微分ピーク値の検出位置に基づいて前記判定対象パターンの凹凸を判定する工程と、
を具備することを特徴とする微細パターンの凹凸判定方法。 - 前記微分ピーク値を検出する工程では、前記判定対象パターンの両エッジの内側および外側にそれぞれ検出される微分ピーク値を検出することを特徴とする請求項1に記載の微細パターンの凹凸判定方法。
- 前記微細パターンの凹凸を判定する工程では、前記両エッジの内側で検出された前記微分ピーク値と、前記両エッジの外側で検出された前記微分ピーク値とを比較し、前記外側で検出された微分ピーク値が大きい場合には前記判定対象パターンをラインと判定し、前記外側で検出された微分ピーク値が小さい場合には前記判定対象パターンをスペースと判定することを特徴とする請求項1または2に記載の微細パターンの凹凸判定方法。
- 走査型電子顕微鏡でウェハまたはフォトマスクの微細パターンの凹凸を判定する方法において、
電子線を試料に照射し、試料から放出される荷電粒子を検出し、前記試料の画像を生成する工程と、
前記画像を画像処理して信号プロファイルを生成する工程と、
前記信号プロファイルを微分処理して微分プロファイルを生成する工程と、
判定対象パターンのエッジの位置に対応する2つの微分ピーク値を検出する工程と、
前記微分ピーク値と前記走査型電子顕微鏡のZ軸方向のフォーカス位置との関係から、前記判定対象パターンの凹凸を判定する工程と、
を具備することを特徴とする微細パターンの凹凸判定方法。 - 前記試料の画像を生成する工程では、前記Z軸方向のフォーカス位置を変化させ、複数枚の画像を生成することを特徴とする請求項4に記載の微細パターンの凹凸判定方法。
- 前記2つ微分ピーク値を検出する工程では、前記判定対象パターンのエッジの内側で検出される微分ピーク値と前記判定対象パターンのエッジの外側で検出される微分ピーク値を検出し、記憶することを特徴とする請求項4または5に記載の微細パターンの凹凸判定方法。
- 前記判定対象パターンの凹凸を判定する工程では、前記走査型電子顕微鏡のオートフォーカスによって決まるフォーカス基準点からZ軸方向のフォーカス位置を変化させて、前記エッジの内側と外側で検出される微分ピーク値と前記フォーカス位置との関係図を作成し、前記微分ピーク値が小さく変化し始めるZ軸方向のフォーカス位置を、前記エッジの内側における関係図と前記エッジの外側における関係図とで比較し、前記判定対象パターンの凹凸を判定することを特徴とする請求項4〜6のいずれか一つに記載の微細パターンの凹凸判定方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012185094A JP6044182B2 (ja) | 2012-08-24 | 2012-08-24 | 微細パターンの凹凸判定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012185094A JP6044182B2 (ja) | 2012-08-24 | 2012-08-24 | 微細パターンの凹凸判定方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014044803A true JP2014044803A (ja) | 2014-03-13 |
JP6044182B2 JP6044182B2 (ja) | 2016-12-14 |
Family
ID=50395956
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012185094A Expired - Fee Related JP6044182B2 (ja) | 2012-08-24 | 2012-08-24 | 微細パターンの凹凸判定方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6044182B2 (ja) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007292732A (ja) * | 2006-03-29 | 2007-11-08 | Advantest Corp | パターン測定装置及びパターン測定方法 |
JP2010232434A (ja) * | 2009-03-27 | 2010-10-14 | Toppan Printing Co Ltd | 段差測定方法、段差測定装置及び走査型電子顕微鏡装置 |
-
2012
- 2012-08-24 JP JP2012185094A patent/JP6044182B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007292732A (ja) * | 2006-03-29 | 2007-11-08 | Advantest Corp | パターン測定装置及びパターン測定方法 |
JP2010232434A (ja) * | 2009-03-27 | 2010-10-14 | Toppan Printing Co Ltd | 段差測定方法、段差測定装置及び走査型電子顕微鏡装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6044182B2 (ja) | 2016-12-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4580990B2 (ja) | パターン寸法測定装置及びパターン面積測定方法 | |
US7590506B2 (en) | Pattern measurement apparatus and pattern measuring method | |
US8330104B2 (en) | Pattern measurement apparatus and pattern measurement method | |
JP5066252B2 (ja) | パターン測長装置及びパターン測長方法 | |
US8258471B2 (en) | Pattern measuring apparatus and pattern measuring method | |
US8263935B2 (en) | Charged particle beam apparatus | |
JP2012177654A (ja) | パターン高さ測定装置及びパターン高さ測定方法 | |
KR20120138695A (ko) | 패턴 측정 장치 및 패턴 측정 방법 | |
TWI567789B (zh) | A pattern measuring condition setting means, and a pattern measuring means | |
JP6088337B2 (ja) | パターン検査方法及びパターン検査装置 | |
JP4262125B2 (ja) | パターン測定方法 | |
US20140312225A1 (en) | Defect inspection apparatus and defect inspection method | |
JP6044182B2 (ja) | 微細パターンの凹凸判定方法 | |
US20130264480A1 (en) | Pattern measurement method and pattern measurement apparatus | |
JP5411866B2 (ja) | パターン計測装置及びパターン計測方法 | |
JP5514832B2 (ja) | パターン寸法測定方法及びそれに用いる荷電粒子線顕微鏡 | |
JP2010232434A (ja) | 段差測定方法、段差測定装置及び走査型電子顕微鏡装置 | |
JP2017102039A (ja) | パターン計測プログラム、パターン計測方法および装置 | |
JP6224467B2 (ja) | パターン評価装置および走査型電子顕微鏡 | |
US8675948B2 (en) | Mask inspection apparatus and mask inspection method | |
JP2016217816A (ja) | パターン計測装置、パターン計測方法およびパターン計測プログラム |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150722 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20160405 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160510 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160711 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20161018 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20161031 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6044182 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |