JPS62100907A - 誘電体組成物 - Google Patents

誘電体組成物

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JPS62100907A
JPS62100907A JP61251558A JP25155886A JPS62100907A JP S62100907 A JPS62100907 A JP S62100907A JP 61251558 A JP61251558 A JP 61251558A JP 25155886 A JP25155886 A JP 25155886A JP S62100907 A JPS62100907 A JP S62100907A
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JP
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oxide
lead
dielectric composition
additive
dielectric
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JP61251558A
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ジョン ヘンリー アレキサンダー
ドーン アニタ ジャクソン
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STC PLC
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    • C04B35/01Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
    • C04B35/495Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on vanadium, niobium, tantalum, molybdenum or tungsten oxides or solid solutions thereof with other oxides, e.g. vanadates, niobates, tantalates, molybdates or tungstates
    • C04B35/497Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on vanadium, niobium, tantalum, molybdenum or tungsten oxides or solid solutions thereof with other oxides, e.g. vanadates, niobates, tantalates, molybdates or tungstates based on solid solutions with lead oxides
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002Details
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    • H01G4/06Solid dielectrics
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 木梵明は特にこれに限定はされないが、多層セラミック
コンデンサで使用する誘電体組成物に関する。
従来の技術及び問題点 多層セラミックコンデンサは基本的にはセラミック材料
1−に形成された複数の誘電体材料よりなる積層体より
なっており、部材間には電極が配設されている。電極は
ピラミック材料」に導電性インクを用い−C未焼成段階
でスクリーン印刷される。
スクリーン印刷された誘電体部材のスタックは組qてら
れ、互いにルスされ、適当に個々の部品に切出され、焼
結が生じるまで焼成され、無気孔状態にされる。
従来使用の誘電体では焼成温度は1200〜1400℃
程度必要で、このため内部電極にはかかる温度に耐えら
れる材料、すなわち高価な白金やパラジウムなどの負金
属類を使用しなiJれば<1らなかった。
しかし、誘電体の組成を適当に選ぶと焼成温度を減少さ
せることができ、これにより内部電極に銀含有量の多い
(銀含有flt50〜100%)材料の使用が可能にな
り、これにより材料と製造コストを下げることが可能に
なる。950℃〜N00℃の温度で焼成可能な誘電体組
成物が出願人による米国特許第4482935号明細書
に開示されているが、かかる組成物は高い銀含有量の内
部電極と共に使用が可能である。開示された組成物(よ
非化学?it論的ニオブ酸鉛マグネシウム(PbMg1
/203)及びチタン酸鉛、スズ酸鉛、ジルコン酸鉛の
−又は複数の組合せよりなっている。組成物のいくつか
は誘電率が1500〜1ooooの範囲にあって多層ピ
ラミックコンデンサとして特に適している。一方従来使
用されている米国規格Z 5 jJセラミックスは銀含
有量の高い電極と組合せて使用することができず、また
誘電率も通常7500〜70000を下回る。
Z5Uセラミックスは10℃〜85℃の間で容量の変化
が25℃の値の一ト22%から一56%の範囲の帯内に
収まることが一〇の条1′1とされている。
ニオブ酸鉛マグネシウムはリラクナー化合物であり、誘
電率が周波数と共に増大する。換言すれば、誘電率が「
緩和」する。
問題点を解決するための手段 本発明は非化学品論的二Aグ酸鉛マグネシウムPbMa
□、35−・0.5  0.4〜0.6O3よりなb る、セラミックコンデンリの製造用誘電体組成物を提供
ηる。
本発明はまた、非化学量論的ニオブFaK1マグネシウ
ムPbMG□、35〜0.5Nb0.4−、0,6O3
及び少なくとb−の酸化物添加物よりなる、セラミック
コンデンサ用の誘電体組成物を提供1゛る。
本発明はざらに、非化学hll論的ニオ1沿沿マグb ネシウムPbMg□、35〜0.5  0.4へ・0.
6O3と、このニオブ[)マグネシウムに対し10小墳
部までの範囲で添加される他のリッ9lナー祠料よりな
る少なくとし−の添加物とよりなる、ヒラミックコンデ
ンサ用の誘電体組成物を提供づる。
敷約すると、本発明は非化学量論的二第1酸鉛マグネシ
ウム中独、あるいはこれに単純な酸化物、複雑な酸化物
及び他のりラクザー材料よりなる群より選択される10
iJ、03部までのレベルの少なくとも−の添加物が添
加されることにより形成され、低い温度で焼成される誘
電体組成物を開示する。
添加物はニオブ酸鉛マグネシウムの特性を変化させ、そ
の際誘電率が増大したりあるいは容量の温度係数が変化
するのが典型的であり、これにより誘電率の特性を例え
ばZ5Uの限界内に収めることが可能になる。
実施例 上記の米国特許第4482935号明細書で開示した誘
電体組成物はPbMg1/2Nb1/203で表わされ
る非化学は論的ニオブ酸鉛マグネシウムを基本とし、こ
れに様々な添加物が加えられる。
ところで、出願人は最近非化学m論的ニオブ酸鉛マグネ
シウム(LMN)自体がセラミックコンデンサ用の低温
焼成セラミック誘電体に適した特性を′44することを
見出した。づなわちLMN自体20及び25℃において
高いMN率と低いtanδを有することが見出されたく
第1図の表を参照)。容量の温度係数はZ5Uの帯域の
やや外側に外れるが適当な条件下で焼成してやればこの
温度係数をY5Vの範囲内に、ずなわち−30〜85℃
の間で容量の変化が25℃の値の122%〜−82%で
規定される帯域内に収まるようにす゛ることかできる。
非化学量論的LMNが単独でかかる目的に使用できるこ
とは、通常の化学@i量論的MN(P bM (J 1
/3 N b2/303 )が単独で使用可能な特性と
は稈遠い特性しか右さない点からも驚異的である。例え
ば、化学品論的L M Nの誘電率はH)1特許第43
39544号によれば1080°Cでの焼成の後、25
℃で5700となっている。一方、以下の第1図の表中
に示す非化学fti論的1−MNの誘電率は980℃で
焼成した場合25℃で986Oである。
上記米国特許で引用したこの結果をもICらした非化学
Qi量論LMNH料は実際にはPL)MQ172Nb1
7203で近似されるP b M Q 6.443N 
k)。、500103であつlこ。一方、本発明ではマ
グネシウムの範囲は0.35〜0.5の間、まlC二A
ゾの範囲は0.4〜0.6の間であるのが好;ましい。
ぞこで本発明による材料はPbM(コ 0.35〜0.
!i” bo、4〜。、6O3と表記される。
第1図〜第3図の表は上記化学量論的組成を基本と1゛
るLMN基本材料についての結果であるが、ここでは−
以上のバッチが使用されている。しMNの数値がやや変
化しているのは(a)バッチ相互間の変化;特にバッチ
のナイスが異なることに起因するボールミル条件の差及
び仮焼の際の炉への装填状態の斧による特性の変化;(
b)ディスクの焼成に一以上の炉を使用したこと−すな
りら個々の炉は標準状態に設定されていても実際にはこ
れらのばらづきを生じる差をイ1すること;(C)材料
の時効速度が極めて高いこと;従って試験の時(最後の
加熱サイクルから測って)が変化することで測定された
物性にかなりの差が出ること、が原因として考えられる
出願人がリラクサー誘電体についての研究を始めた当初
に採用した基本的非化学量論的LMNを製造する方法で
は、全ての構成成分酸化物を混合し、単一の仮焼段階の
後焼成をしていた。しかし、この方法ではK(誘電率)
の低いパイロクロール相が形成されるため不満足な結果
しか得られなかった。一方、米国特許第4482935
号に記載の如き種類の添加物を添加することにより、誘
電特性が改善されるのが見出された1、従って、調製手
順をこれに伴って変更した(MqOと混合しC仮焼する
萌にPbOとNb2O5を反応させる)が添加物の添加
は継続した。さらに、ヤ)やII¥なった調製手順(M
(JOとNb2O5をあらかじめ反応させ、次にPbO
を混合して最終的な仮焼を行なう)によって基本的なJ
1化学111論的1.− M Nを製造した。この結果
を第1図の表にまとめて丞づ。
ただし、非化学9論的LMNの全体的化学組成はPbM
g   Nb 0.4430,500+ 03 ”不変である・表中の
電気的パラメータをhする、1;! II <= 酸化
物が加えられているリラク1ナー誘電体は非化学量論的
LMN (化学式PbMa    Nb0.4430,
5001 0:3)に適当な添加物を加えてボールミル混合し、乾
燥さぼ、乾燥した材料をプレスしてディスク状にし、こ
れを2時間980℃で焼成してやることで調製された。
さらにディスク表面1−にアルミニウム電極を適当に蒸
着して電気的パラメータの測定を行なった。表中には古
漬温度係数;25℃での誘電率の値に対する10℃及び
85℃における誘電率の温度依存性(%);誘電率の最
大値)(max;誘電率が最大となる温度Tkmax:
20℃及び25℃における誘電率(K2o℃、に25℃
);及び20℃及び25℃にお()る誘電損失(tan
δ)が示されている。20℃での結果を引用したのは英
国規格2FTの基準温度が20℃であるためであるが、
この英国規格2FTはZ5UあるいはY5Vと同等では
なく、出願人はZ5UあるいはY5Vに適当な材料を見
出すのにし興味を持っている。
第2図の表に示す電気特性を右づ′る、簡単な酸化物が
添加されたりラフ勺−を第1図に示した誘電体と同様な
方法で調整した。ただし、*を付して示した試料では非
化学量論的LMNである基本組成に対して適当な元素を
硝M塩溶液の添加によって添加した。
第2図に示した結果はLMNに適当な酸化物を滉加した
場合についてのものである。かかる簡jliな酸化物を
添加するかわりに、A席のpbあるいはB席のMgやN
b(ABO3ベロフスカイト形構造の)がこれらの元素
で置換された混合物を調製する場合は各元素に好適な席
は電荷とイオン半径によって定まり、結果は非常に異な
ったものとなり、特に高い誘電率を1qることがCさる
第3図に測定パラメータを示寸、リヒク]ノー添加物が
添加されたりラクリーー誘電体はりラクリー添加組成物
と非化学量論的1.−MN(PbM(>Nb 0.4430,5001Q3 )とをボールミル混合し
、乾燥し、ディスク状にプレスし、980℃で21h間
焼成することで調製8れた。
発明の効果 単一の複雑な酸化物あるいは単一の甲ll1lな酸化物
を基本的なIMNに加えるかわりに、これらの酸化物の
二種類以上の組合わUを使用してもよい。
また、必要な特性を14るために必殻に応じて各々二種
類以上の複雑な酸化物及び単純な酸化物を同時に組合わ
けて用いてもよい。出願人による米国特許第’I’18
2935;”l:はIMN及びチタン酸鉛。
スズ酸鉛、及びジルコン酸鉛の比較的天吊の添加による
効果に関しているが、今回01重量%程度の極く少量の
、あるいは1重量%程度の中程瓜の量の、あるい【よ1
0重量%程度の比較的天吊の複雑な酸化物であるチタン
酸ビスマス、ジルコン酸ビスマス、スズ酸ビスマス、鉛
酸マグネシウムの添加もまたLMNの特性を変化させる
ことが見出された。一般に、複雑な酸化物の撞く少jj
i(0,1重量%)の添加は表中の電気的パラメータを
余り人きく変化させない。そこC容r′dの温度変化な
どはZ5U帯域から外れたままである。一方場合によっ
ては′m雑な酸化物を10市量%添加することで容量の
温度係数をZ5Uの市域内まで減少させることができる
。しかし、この場合他の特性に有害な影響が及ぶことが
多く、特に20℃あるいは25℃での誘電率が許容でき
ないレベルまで下ったり [anδが許容でき4′Tい
レベル(典ヘリ的な8′l容最大レベルは2.5%であ
る)まで」二つたりすることが生じる。一般に複雑な酸
化物を1重量%加えでもtanδは大いに変化しないが
20あるいは25℃での誘電率は低下する。しかし、こ
の低下の程度は10%レベルの添加の場合稈Cはなく、
許容可能範囲内にある。場合によっては容h1の4度係
数はZ5LJ帯域内まで減少される。
第2図の表においC単一の111純な酸化物を0.1〜
1.0重量%のレベル添加した場合、tanδが許容で
きなくなるのは数例の場合のみである。ただし、2つの
単@4工酸化物(すなわちCr2O3及びMnO2)は
1%レベルで誘°I′tf率を非常に低下させる。場合
によっては容fi−1の温度係数は15(J帯域内まr
減少η′る。TlO2が誘電率を上背させる効果は特に
顕七であるが、同時にtanδ及び容量の温度係数の著
しい変化が伴い、これらはZ5U帯域外に外れたままで
ある。
第3図の結果より、一般にリラクサー添加物は焼結助剤
として作用することが明らかである1、唯一の例外は1
0%のタングステン酸鉛用で、このことはディスク径の
縮小にあられれている。特に興味の有るのは一オブ酸鉛
ニッケル、タンタル酸鉛鉄及び二Aブ酸鉛鉄で、これら
はいずれもキュリービークにおける誘電率(K□X)を
増大させる。加えられたりラクサーの化学量論的変化に
よる影響も興味深い。これは非化学量論的及び化学量論
的化合物の双方が例示されているニオブ酸鉛鉄の場合よ
り明らかである。同様に添加されるリラク(ノーが添加
の前に仮焼されている程度が与える影響も興味深いが、
これは軽く仮焼されたニオブ酸鉛ニッケル(650℃で
形成)とニオブ酸鉛ニッケル(800℃で形成)を比較
することでわかる。
このようなりラクサーの単純な添加によって49られた
誘電率、容量の温度依存性及びtanδなどの特性の変
化範囲は非常に広範囲にわたっている。
いくつかの組成物はY5Vに相当し、また別の組成物は
Z5tJに相当する。そこで、(a)これらをさらに別
の条件で焼成し、あるいは(b)2つのりラクザーの混
合物を焼成前にあらかじめ反応させておくならばより高
い誘電定数を得ることができるものと予期される。
非化学量論的ニオブ酸鉛マグネシウムは自身でも有用な
セラミック誘電体であり、商業的に使われるセラミック
誘電体を製造するのに好適である。
また、この非化学的世論的ニオブ酸鉛マグネシウム(よ
他のリラクリ″−化合物、複雑な酸化物、あるいは単純
な酸化物の添加にJ:って特性が変化されたセラミック
誘電体の1111駆休としてら使用できる。
この際の添加は単独でもあるいは組合わけて行なっても
よい。かかる誘電体tよ焼成温度が低く、特に多層セラ
ミックコンデンサに適した特性を右づる。本願の図表中
に引用した結果は980℃で焼成した材料に関するもの
であったが、l1lli1様な結果を例えば900℃な
どのより低い焼成温度でb、あるいは例えば1000℃
などのより高い焼成温度でも1qることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図〜第3図は本発明による誘電体組成物の特性を示
づ表の図である。

Claims (19)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)非化学量論的ニオブ酸鉛マグネシウムPbMg_
    0_._3_5_〜_0_._5Nb_0_._4_〜
    _0_._6O_3よりなる、セラミックコンデンサの
    製造用誘電体組成物。
  2. (2)非化学量論的ニオブ酸鉛マグネシウムPbMg_
    0_._3_5_〜0_._5Nb_0_._4_〜_
    0_._6O_3及び少なくとも一の酸化物添加物より
    なる、セラミツクコンデンサ用の誘電体組成物。
  3. (3)該酸化物添加物は酸化スズ、酸化亜鉛、酸化タン
    グステン、酸化ジルコニウム、酸化鉛、酸化マンガン、
    酸化セリウム(IV)、二酸化チタン、酸化ランタン、
    酸化ガリウム、酸化ニッケル、酸化コバルト、酸化ビス
    マス、アルミナ、酸化第二鉄、酸化銅、酸化クロム、及
    び酸化インジウムよりなる群より選択される特許請求の
    範囲第2項記載の誘電体組成物。
  4. (4)該酸化物添加物は該ニオブ酸鉛マグネシウムに0
    .1重量部のレベルで添加される特許請求の範囲第2項
    記載の誘電体組成物。
  5. (5)該酸化物添加物は該ニオブ酸鉛マグネシウムに1
    重量部のレベルで添加される特許請求の範囲第2項記載
    の誘電体組成物。
  6. (6)該酸化物添加物は鉛酸マグネシウム、ジルコン酸
    鉛、スズ酸鉛、スズ酸ビスマス、チタン酸鉛、チタン酸
    ビスマス、及びジルコン酸ビスマスよりなる群より選択
    される特許請求の範囲第2項記載の誘電体組成物。
  7. (7)該酸化物添加物の一は該ニオブ酸鉛マグネシウム
    に対して10重量部までのレベルで添加される特許請求
    の範囲第6項記載の誘電体組成物。
  8. (8)非化学量論的ニオブ酸鉛マグネシウムPbMg_
    0_._3_5_〜_0_._5Nb_0_._4_〜
    _0_._6O_3と、このニオブ酸鉛マグネシウムに
    対し10重量部までの範囲で添加される他のリラクサー
    材料よりなる少なくとも一の添加物とよりなるセラミッ
    クコンデンサ用の誘電体組成物。
  9. (9)該他のリラクサー材料はチタン酸鉛鉄、タングス
    テン酸鉛鉄、タングステン酸鉛銅、タングステン酸鉛マ
    ンガン、ニオブ酸鉛マンガン、ニオブ酸鉛ニッケル、硝
    酸鉛コバルト、及びニオブ酸鉛鉄よりなる群より選択さ
    れる特許請求の範囲第8項記載の誘電体組成物。
  10. (10)該リラクサー添加物は強く仮焼されている特許
    請求の範囲第8項記載の誘電体組成物。
  11. (11)該リラクサー添加物は軽く仮焼されている特許
    請求の範囲第8項記載の誘電体組成物。
  12. (12)該リラクサー添加物は化学量論的化合物である
    特許請求の範囲第8項記載の誘電体組成物。
  13. (13)該リラクサー添加物は非化学量論的化合物であ
    る特許請求の範囲第8項記載の誘電体組成物。
  14. (14)該リラクサーは該ニオブ酸鉛マグネシウムに対
    して1重量部のレベルで添加される特許請求の範囲第8
    項記載の誘電体組成物。
  15. (15)該非化学量論的ニオブ酸鉛マグネシウムはPb
    Mg_0_._4_4_3Nb_0_._5_0_0_
    1O_3である特許請求の範囲第1項記載の誘電体組成
    物。
  16. (16)900℃〜1000℃の温度範囲で焼成される
    、特許請求の範囲第2項記載の誘電体組成物。
  17. (17)該添加物は単純な酸化物、複雑な酸化物、及び
    リラクサー材料よりなる群より選択される化合物の組合
    わせよりなる特許請求の範囲第2項記載の誘電体組成物
  18. (18)20及び25℃においてZ5Uに相当する容量
    の温度係数と、高い誘電率と、低い tanδとを有し、焼成温度が低く、また第1図、第2
    図及び第3図に例示した特性を有する特許請求の範囲第
    2項記載の誘電体組成物。
  19. (19)基本的な非化学量論的ニオブ酸鉛マグネシウム
    がMgOとNb_2O_5とをあらかじめ反応させ、次
    いでPbOを混合して仮焼することで調製される特許請
    求の範囲第2項記載の誘電体組成物。
JP61251558A 1985-10-24 1986-10-22 誘電体組成物 Pending JPS62100907A (ja)

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