JPS6240103A - 誘電体組成物及びセラミツクコンデンサ - Google Patents
誘電体組成物及びセラミツクコンデンサInfo
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- JPS6240103A JPS6240103A JP61190409A JP19040986A JPS6240103A JP S6240103 A JPS6240103 A JP S6240103A JP 61190409 A JP61190409 A JP 61190409A JP 19040986 A JP19040986 A JP 19040986A JP S6240103 A JPS6240103 A JP S6240103A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/495—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on vanadium, niobium, tantalum, molybdenum or tungsten oxides or solid solutions thereof with other oxides, e.g. vanadates, niobates, tantalates, molybdates or tungstates
- C04B35/497—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on vanadium, niobium, tantalum, molybdenum or tungsten oxides or solid solutions thereof with other oxides, e.g. vanadates, niobates, tantalates, molybdates or tungstates based on solid solutions with lead oxides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はセラミックコンデンサ用の誘電体組成物に係り
、これに限定はされないが特に多層セラミックコンデン
サ用の誘電体組成物に関する。
、これに限定はされないが特に多層セラミックコンデン
サ用の誘電体組成物に関する。
従来の技術
多層セラミックコンデンサは基本的にはセラミック材料
上に形成された複数の誘電体材料よりなる積層体よりな
っており、部材間には電極が配設されている。電極はセ
ラミック材料上に導電性インクを用いて未焼成段階でス
クリーン印刷される。
上に形成された複数の誘電体材料よりなる積層体よりな
っており、部材間には電極が配設されている。電極はセ
ラミック材料上に導電性インクを用いて未焼成段階でス
クリーン印刷される。
スクリーン印刷された誘電体部材のスタックは組立てら
れ、亙いにプレスされ、適当であれば個々の部品に切出
され、焼結が生じるまで焼成され、無気孔状態にされる
。
れ、亙いにプレスされ、適当であれば個々の部品に切出
され、焼結が生じるまで焼成され、無気孔状態にされる
。
従来使用の誘電体では焼成温度は１２００〜１４００℃
程度必要で、このため内部電極にはかかる湿度に耐えら
れる材料、すなわら高価な白金やパラジウムなどの負金
属類を使用しなければならなかった。
程度必要で、このため内部電極にはかかる湿度に耐えら
れる材料、すなわら高価な白金やパラジウムなどの負金
属類を使用しなければならなかった。
しかし、誘電体の組成を適当に選ぶと焼成温度を減少さ
せることができ、これにより内部？Ｈ（ｉに銀含有ωの
多い（銀含有量５０＝１００％）材料の使用が可能にな
り、これにより材料と製造コストを下げることが可能に
なる。９５０℃〜１１００°Ｃの温度で焼成可能な誘電
体組成物が出願人による米国特許第４４．８２９３５号
明ａｌｌ書に開示されているが、かかる組成物は高い銀
含有量の内部電極と共に使用が可能である。開示された
組成物は非化学世論的ニオブ酸鉛マグネシウム（ＰｂＭ
Ｏ０３）及びチタンＭ鉛、スズ酸鉛、ジルコン酸鉛の一
又は複数の組合せよりなっている。組成物のいくつかは
誘電率が７５００〜１００００の範囲にあって多層セラ
ミックコンデンサとして特に適している。一方従来使用
されているセラミックス（米国用！８Ｚ５Ｕ）は銀含有
量の高い電極と組合せて使用することができず、また誘
電率ら通常７５００〜１００００を下回る。
せることができ、これにより内部？Ｈ（ｉに銀含有ωの
多い（銀含有量５０＝１００％）材料の使用が可能にな
り、これにより材料と製造コストを下げることが可能に
なる。９５０℃〜１１００°Ｃの温度で焼成可能な誘電
体組成物が出願人による米国特許第４４．８２９３５号
明ａｌｌ書に開示されているが、かかる組成物は高い銀
含有量の内部電極と共に使用が可能である。開示された
組成物は非化学世論的ニオブ酸鉛マグネシウム（ＰｂＭ
Ｏ０３）及びチタンＭ鉛、スズ酸鉛、ジルコン酸鉛の一
又は複数の組合せよりなっている。組成物のいくつかは
誘電率が７５００〜１００００の範囲にあって多層セラ
ミックコンデンサとして特に適している。一方従来使用
されているセラミックス（米国用！８Ｚ５Ｕ）は銀含有
量の高い電極と組合せて使用することができず、また誘
電率ら通常７５００〜１００００を下回る。
電子工業の分野では一般に小形の部品が必要どされてい
るが、かかる小形かつ安価なコンデンサは高い銀含有量
の電極と組合せて使用できまた上記の７５００〜１００
００の範囲の誘Ｎ率よりも高い誘電率を有するような誘
電体の開発によりもたらされる。かかる組成物の−が出
願人による米国特許第４５２５７６８号明細書に開示さ
れているが、これは非化学量論的ニオブ酸鉛マグネシウ
ム、非化学ａ論的ニオブ酸鉛鉄よりなり、これにシリカ
。
るが、かかる小形かつ安価なコンデンサは高い銀含有量
の電極と組合せて使用できまた上記の７５００〜１００
００の範囲の誘Ｎ率よりも高い誘電率を有するような誘
電体の開発によりもたらされる。かかる組成物の−が出
願人による米国特許第４５２５７６８号明細書に開示さ
れているが、これは非化学量論的ニオブ酸鉛マグネシウ
ム、非化学ａ論的ニオブ酸鉛鉄よりなり、これにシリカ
。
二酸化マンガン、酸化セリウム（ＩＶ）、ｉｌｊ化ラシ
ランタン化亜鉛、アルミナ、Ｒ化タングステン。
ランタン化亜鉛、アルミナ、Ｒ化タングステン。
酸化ニッケル、酸化コバルト及び酸化銅（１）より選ば
れる一又は複数の添加物が添加されている。
れる一又は複数の添加物が添加されている。
これにさらにチタン酸鉛を含めてもよい。例えば３種以
上の酸化物添加物を上記１０種の酸化物中の初めの８種
より選んで使用することにより焼成温度が９００〜１０
７５℃の範囲の組成物を得ることができる。その際の誘
電率は焼成後１０６００〜１６８００に達し、小形多層
セラミックコンデンサの材料として特に適している。
上の酸化物添加物を上記１０種の酸化物中の初めの８種
より選んで使用することにより焼成温度が９００〜１０
７５℃の範囲の組成物を得ることができる。その際の誘
電率は焼成後１０６００〜１６８００に達し、小形多層
セラミックコンデンサの材料として特に適している。
出願人によるさらに別の米国特許出願箱４５３６８２１
号明細占には非化学Ｗ論的ニオブ酸鉛マグネシウム及び
ニオブ酸鉛亜鉛系の誘電体組成物が開示されている。こ
の誘電体組成物はシリカ。
号明細占には非化学Ｗ論的ニオブ酸鉛マグネシウム及び
ニオブ酸鉛亜鉛系の誘電体組成物が開示されている。こ
の誘電体組成物はシリカ。
二酸化マンガン、酸化鉛、酸化ニッケル、アルミナ、酸
化セリウム（ＩＶ）、１１化ランタン、酸化タングステ
ン、酸化ガリウム、酸化チタン及び酸化鉛より選ばれる
一又は複数の単純な酸化物添加物を含んでもよい。さら
に基本組成物にスズ酸ビスマス、チタン酸ビスマス、ス
ズ酸鉛、ジルコン酸鉛及びチタン酸鉛を単ＭＡな酸化物
添加物と組合せて、あるいは酸化物添加物なしで加えて
もよい。
化セリウム（ＩＶ）、１１化ランタン、酸化タングステ
ン、酸化ガリウム、酸化チタン及び酸化鉛より選ばれる
一又は複数の単純な酸化物添加物を含んでもよい。さら
に基本組成物にスズ酸ビスマス、チタン酸ビスマス、ス
ズ酸鉛、ジルコン酸鉛及びチタン酸鉛を単ＭＡな酸化物
添加物と組合せて、あるいは酸化物添加物なしで加えて
もよい。
かかる組成物は９８０℃〜１０７５℃の間の温度で焼成
でき、２５℃で９０００〜＋６３００の誘電率とＺ５Ｕ
と同様な誘電率の温度依存性を有し、また２５℃におい
て低いｔａｎδ（％）（誘電損失）を有する。
でき、２５℃で９０００〜＋６３００の誘電率とＺ５Ｕ
と同様な誘電率の温度依存性を有し、また２５℃におい
て低いｔａｎδ（％）（誘電損失）を有する。
上記誘電体組成物で用いられるニオブ酸鉛マグネシウム
は非化学】論的組成物であって通常の化学母御的ＰｂＭ
ＯＮｂ ０３ではないことに注意が必要である。上
記明細店のいくつかでは表現ＰｂＭｇ Ｎｂ ０
３によってこれを従来のＰｂＭ（Ｊ Ｎｂ Ｏ
ｓと区別している。
は非化学】論的組成物であって通常の化学母御的ＰｂＭ
ＯＮｂ ０３ではないことに注意が必要である。上
記明細店のいくつかでは表現ＰｂＭｇ Ｎｂ ０
３によってこれを従来のＰｂＭ（Ｊ Ｎｂ Ｏ
ｓと区別している。
上記明細書で引用した結果をもたらすのに使われた材料
は実際にはＰｂ Ｍ（］ Ｎｂ ○３０．
４４３ ０．５００１ であるが、こねはＰＩ）Ｍ（ｌ Ｎｂ ０３で
近似できる。マグネシウムは０．３５〜０．５の範囲に
あるのが好ましく、またニオブは０４〜０．６の範囲に
あるのが好ましい。このためニオブ酸鉛マグネシウムは
非化学量論的になる。ニオブ酸鉛亜鉛なる表現は通常Ｐ
ｂＺｎ Ｎｂ ０３を指すものと解されている
が非化学量論的組成物も存在可能であり、米国特許第４
５３６８２１号明細書で使用されたものはＰｂ ＺＴＩ
ｏ３〜ｏ、ｓ、Ｎｂ ｏ、ｅ〜ｏ９□０３と表現さ
れる。
は実際にはＰｂ Ｍ（］ Ｎｂ ○３０．
４４３ ０．５００１ であるが、こねはＰＩ）Ｍ（ｌ Ｎｂ ０３で
近似できる。マグネシウムは０．３５〜０．５の範囲に
あるのが好ましく、またニオブは０４〜０．６の範囲に
あるのが好ましい。このためニオブ酸鉛マグネシウムは
非化学量論的になる。ニオブ酸鉛亜鉛なる表現は通常Ｐ
ｂＺｎ Ｎｂ ０３を指すものと解されている
が非化学量論的組成物も存在可能であり、米国特許第４
５３６８２１号明細書で使用されたものはＰｂ ＺＴＩ
ｏ３〜ｏ、ｓ、Ｎｂ ｏ、ｅ〜ｏ９□０３と表現さ
れる。
出願中の米国持訂出願第７０６７９０ 号には非化学量
論的ニオブ酸鉛マグネシウム、非化学は論的ニオブ酸鉛
亜鉛、及び非化学閤論的鉛鉱に１０重ａ％までのレベル
の例えば５市１％の酸化鉛ＰｂＯを加えたりあるいは加
えない混合物よりなる三成分系誘電体組成物が開示され
ている。酸化鉛は焼成温度範囲を広げる効果を与え、低
い焼成温度、例えば９５０℃でも焼成可能な有用な特性
を右する誘電体を与えることが示された１゜発明が解決
しようとする問題点 本出願で開示する組成物のいくつかは、イ５Ｕの範囲の
容量温度係数、′すなわち１０℃・−８５°Ｃの温度範
囲で容量の変化が２５℃の値の＋２２％〜−５６％の帯
内に収まるような容量温度係数を有する。また他の組成
物はＹ５Ｖの範囲、すなわら−３０℃〜８５℃の温度範
囲で容量の変化が２５℃め値の→−２２％〜−８２％の
帯内に収まるような容量温度係数を有する。いくつかの
組成物では焼成温度を９００℃まで下げることができる
。
論的ニオブ酸鉛マグネシウム、非化学は論的ニオブ酸鉛
亜鉛、及び非化学閤論的鉛鉱に１０重ａ％までのレベル
の例えば５市１％の酸化鉛ＰｂＯを加えたりあるいは加
えない混合物よりなる三成分系誘電体組成物が開示され
ている。酸化鉛は焼成温度範囲を広げる効果を与え、低
い焼成温度、例えば９５０℃でも焼成可能な有用な特性
を右する誘電体を与えることが示された１゜発明が解決
しようとする問題点 本出願で開示する組成物のいくつかは、イ５Ｕの範囲の
容量温度係数、′すなわち１０℃・−８５°Ｃの温度範
囲で容量の変化が２５℃の値の＋２２％〜−５６％の帯
内に収まるような容量温度係数を有する。また他の組成
物はＹ５Ｖの範囲、すなわら−３０℃〜８５℃の温度範
囲で容量の変化が２５℃め値の→−２２％〜−８２％の
帯内に収まるような容量温度係数を有する。いくつかの
組成物では焼成温度を９００℃まで下げることができる
。
本発明は上記三成分系においてより改良された特性を有
する、特にｔａｎδの値が低い別の誘電体組成物を提供
することを目的とする。
する、特にｔａｎδの値が低い別の誘電体組成物を提供
することを目的とする。
問題点を解決するための手段
本発明は一方で非化学量論的ニオブ酸鉛マグネシウムと
、非化学量論的ニオブ酸鉛亜鉛と、非化学量論的ニオブ
酸鉛鉄とよりなる三成分系よりなり、さらに従来の三成
分系単独の場合に比べてｔａｎδの値を減少させる作用
をなず歩道の一又は複数の添加物を含む誘電体組成物を
提供する。
、非化学量論的ニオブ酸鉛亜鉛と、非化学量論的ニオブ
酸鉛鉄とよりなる三成分系よりなり、さらに従来の三成
分系単独の場合に比べてｔａｎδの値を減少させる作用
をなず歩道の一又は複数の添加物を含む誘電体組成物を
提供する。
本発明はさらに９５０℃〜１１００℃の間の温度で焼成
される、非化学量論的ニオブ酸鉛マグネシウムと、非化
学量論的ニオブ酸鉛亜鉛と、非化学量論的ニオブ酸鉛鉄
とよりなる三成分系よりなり、さらに三成分系のｔａｎ
δの値を減少させる作用をなす少量の一又は複数の添加
物を含む誘電体を含むヒラミックコンデンサを提供づ゛
る。
される、非化学量論的ニオブ酸鉛マグネシウムと、非化
学量論的ニオブ酸鉛亜鉛と、非化学量論的ニオブ酸鉛鉄
とよりなる三成分系よりなり、さらに三成分系のｔａｎ
δの値を減少させる作用をなす少量の一又は複数の添加
物を含む誘電体を含むヒラミックコンデンサを提供づ゛
る。
上記三成分系は５０〜８５１璽％の非化学Ｍ論的ニオブ
酸鉛マグネシウムと、１０〜３５重♀％の非化学量論的
ニオブ酸鉛亜鉛と、５〜３０重開％の非化学通論的ニオ
ブ酸鉛鉄とよりなってもよい。添加物（一又は複数）は
酸化ニッケル、化学量論的ニオブ酸鉛ニッケル、酸化セ
ルラム（ＩＶ）、酸化鉛、酸化ジルコン、Ｍ化銀、二酸
化マンガン、酸化ランタン及び酸化コバルトより選択す
ればよい。
酸鉛マグネシウムと、１０〜３５重♀％の非化学量論的
ニオブ酸鉛亜鉛と、５〜３０重開％の非化学通論的ニオ
ブ酸鉛鉄とよりなってもよい。添加物（一又は複数）は
酸化ニッケル、化学量論的ニオブ酸鉛ニッケル、酸化セ
ルラム（ＩＶ）、酸化鉛、酸化ジルコン、Ｍ化銀、二酸
化マンガン、酸化ランタン及び酸化コバルトより選択す
ればよい。
実施例
本願で提案する誘電体組成物は非化学量論的ニオブ酸鉛
マグネシウム（ＬＭＮ）、非化学量論的ニオブ酸鉛亜鉛
（ＬＺＮ）、及び非化学量論的ニオブ酸鉛鉄（ＬＩＮ）
の混合物よりなる三成分系を基本とし、これに少量の酸
化物、特に単純な酸化物を単独で、あるいは組成物とし
て添加することにより限定はされないが特にＹ５Ｖリラ
クザー（ｒｅｌａｘｏｒ）誘電体を提供する。「リラク
サー」なる語は誘電率が周波数の上昇と共に減少するこ
とを意味し、Ｙ５ＶはＹ５Ｖ容吊温度係数を意味するも
のとする。ＬＭＮはＰｂ” ０．３５〜０．５Ｎｂ、
４〜。６０３であるのが好ましく、ＬＺＮはＰｂ”
０．３〜０．５”ｂｏ、６〜０．７０３であるのが好ま
しく、またＬＴＮはＰｂＦｅｏ、２．〜０．４５
０．４０．０．５５０３であるのが好ましＮｂ い。典型的な基本的三成分系は５０〜８０＠吊％のＬＭ
Ｎと１０〜３５重量％のＬＺＮと５〜３０重量％のＬＩ
Ｎとよりなる。第１図中の表にＬＭＮ６５重量％、ＬＺ
Ｎ２７．５重量％、ＬＩＮ７．５重量％の基本三成分系
（「ベース」と表記する）組成物について測定された電
気パラメータを示ず。
マグネシウム（ＬＭＮ）、非化学量論的ニオブ酸鉛亜鉛
（ＬＺＮ）、及び非化学量論的ニオブ酸鉛鉄（ＬＩＮ）
の混合物よりなる三成分系を基本とし、これに少量の酸
化物、特に単純な酸化物を単独で、あるいは組成物とし
て添加することにより限定はされないが特にＹ５Ｖリラ
クザー（ｒｅｌａｘｏｒ）誘電体を提供する。「リラク
サー」なる語は誘電率が周波数の上昇と共に減少するこ
とを意味し、Ｙ５ＶはＹ５Ｖ容吊温度係数を意味するも
のとする。ＬＭＮはＰｂ” ０．３５〜０．５Ｎｂ、
４〜。６０３であるのが好ましく、ＬＺＮはＰｂ”
０．３〜０．５”ｂｏ、６〜０．７０３であるのが好ま
しく、またＬＴＮはＰｂＦｅｏ、２．〜０．４５
０．４０．０．５５０３であるのが好ましＮｂ い。典型的な基本的三成分系は５０〜８０＠吊％のＬＭ
Ｎと１０〜３５重量％のＬＺＮと５〜３０重量％のＬＩ
Ｎとよりなる。第１図中の表にＬＭＮ６５重量％、ＬＺ
Ｎ２７．５重量％、ＬＩＮ７．５重量％の基本三成分系
（「ベース」と表記する）組成物について測定された電
気パラメータを示ず。
上記組成物は初めにＬＭＮ、ＬＺＮ及びＬＩＮを別々に
調製する段階を含む方法により調製された。
調製する段階を含む方法により調製された。
ＬＭＮハ初ａ’）ニＭ（Ｉ ＯトＮＩ） ２０３ トラ
１０５０℃で反応させ次いでＰｂＯを混合した後６００
〜８５０℃で仮焼することより調製した。ＬＺＮはＰｂ
Ｏ。
１０５０℃で反応させ次いでＰｂＯを混合した後６００
〜８５０℃で仮焼することより調製した。ＬＺＮはＰｂ
Ｏ。
ＺＴＩＯ及びＮｂ ２０ｓを６００〜７００℃で反応さ
せることにより調製した。またＬＩＮはｐｂ ｏ。
せることにより調製した。またＬＩＮはｐｂ ｏ。
Ｆｅ ２０３及びＮｂ ２０ｓを９００〜１１００℃テ
反応させることにより調製した。次いでこれらのＬＭＮ
、ＬＺＮ及びしＩＮを混合し、この混合物を６００〜８
５０℃の最終仮焼段階で仮焼した。さらに酸化物添加物
を前記の如く添加した。このようにして得られた組成物
は乾燥され、円板状に成型され、表に引用する例では９
５０〜１０５０℃の温度で１〜２時間焼成された。また
１１００℃に達する温度での焼成も可能である。このよ
うにして得られた円板上にアルミニウム電極を適当に蒸
着して電気的パラメー゛りの測定を行なった。表中に一
３０℃〜８５℃の範囲での誘電率の値の２５℃での値に
対する最大温度依存性（％）と、誘電率の最大値Ｋ
と、誘電率が最大になる温度ＴＫＨＡＸと、ＡＸ ２０℃及び２５℃での誘電率（ＫＫ） ２０℃・ ２５℃ と、２０℃及び２５℃での誘電損失（ｔａｎδ）とを示
す。表中における少量の酸化物は添加物の量が０．１又
は１．０重量％であるが、「少量」なる表現は５重置％
までの聞をも表わすものとして理解すべきである。ＬＮ
Ｎはりラクサー化合物化学１ｕ論的ニオブ酸鉛ニッケル
Ｐ ｂ Ｎ Ｉ １／３ Ｎ ｂ ２７３０３を意味す
る。
反応させることにより調製した。次いでこれらのＬＭＮ
、ＬＺＮ及びしＩＮを混合し、この混合物を６００〜８
５０℃の最終仮焼段階で仮焼した。さらに酸化物添加物
を前記の如く添加した。このようにして得られた組成物
は乾燥され、円板状に成型され、表に引用する例では９
５０〜１０５０℃の温度で１〜２時間焼成された。また
１１００℃に達する温度での焼成も可能である。このよ
うにして得られた円板上にアルミニウム電極を適当に蒸
着して電気的パラメー゛りの測定を行なった。表中に一
３０℃〜８５℃の範囲での誘電率の値の２５℃での値に
対する最大温度依存性（％）と、誘電率の最大値Ｋ
と、誘電率が最大になる温度ＴＫＨＡＸと、ＡＸ ２０℃及び２５℃での誘電率（ＫＫ） ２０℃・ ２５℃ と、２０℃及び２５℃での誘電損失（ｔａｎδ）とを示
す。表中における少量の酸化物は添加物の量が０．１又
は１．０重量％であるが、「少量」なる表現は５重置％
までの聞をも表わすものとして理解すべきである。ＬＮ
Ｎはりラクサー化合物化学１ｕ論的ニオブ酸鉛ニッケル
Ｐ ｂ Ｎ Ｉ １／３ Ｎ ｂ ２７３０３を意味す
る。
表中の結果より、少量の酸化物あるいはしＮＮの如き他
のりラクサー化合物は一般に基本三成物系組成物単独の
場合と比較して例外はあるものの、誘電率に著しい影響
を与えることな（ｔａｎδを減少させる効果を有してい
ることがわかる。０．１重量％のＭＴ＋ ０２の添加は
最もｔａｎδが低い結果を与えるが同時に誘電率を著し
く低下させる。しかしそれでもこの誘電率の値は従来の
誘電体のいくつかに比べれば大きく、また前記明１＆ｉ
に開示の誘電体組成物の誘電率の値のいくつかと同程度
である。容認の温度係数はほとんど変化なく、Ｙ５Ｖの
範囲内にある。
のりラクサー化合物は一般に基本三成物系組成物単独の
場合と比較して例外はあるものの、誘電率に著しい影響
を与えることな（ｔａｎδを減少させる効果を有してい
ることがわかる。０．１重量％のＭＴ＋ ０２の添加は
最もｔａｎδが低い結果を与えるが同時に誘電率を著し
く低下させる。しかしそれでもこの誘電率の値は従来の
誘電体のいくつかに比べれば大きく、また前記明１＆ｉ
に開示の誘電体組成物の誘電率の値のいくつかと同程度
である。容認の温度係数はほとんど変化なく、Ｙ５Ｖの
範囲内にある。
表中に示した添加物以外にもＬａ２Ｏ３及びＣｏｏを添
加物として使用できる。また表中の結果は単独の添加物
を添加した場合についてのものであるが、添加物の組合
せも同様に使用することもできる。例えば−の添加物１
例えばＮｉｏがｊａｎδ値を減少させる効果がありまた
他の添加物、例えばＬＮＮが同様にｔａｎδ値を減少さ
せる効果がある場合、かかる２つの添加物を適当量組合
せることで同じ効果を得ることができる。
加物として使用できる。また表中の結果は単独の添加物
を添加した場合についてのものであるが、添加物の組合
せも同様に使用することもできる。例えば−の添加物１
例えばＮｉｏがｊａｎδ値を減少させる効果がありまた
他の添加物、例えばＬＮＮが同様にｔａｎδ値を減少さ
せる効果がある場合、かかる２つの添加物を適当量組合
せることで同じ効果を得ることができる。
上記の誘電体組成物を使用する多層セラミックコンデン
サの製造方法は、複数の未焼成誘電体シートの各々に高
銀含有量インクにより複数の電極をスクリーン印刷し；
所望の特定の構成に適するように互いに構成された交互
にくりかえされる電極を有するかかる印刷されたシート
のスタックを例えば側方に向って階段状に、あるいは十
字状に重ねるなどして組立て：シートをスタックの頂部
と底部に取付けられて必要に応じて適当な電圧マージン
を与える別のブランクシートと共にプレスし；シートを
個々のコンデンサ部品に切出し、個々の部品を９５０〜
１１００℃の温度で焼成する各段階よりなる。次いで全
てのシート間の電極は例えばスタックの対向する側面に
導電性塗料を適当に塗布するなどして従来通りに接続さ
れる。
サの製造方法は、複数の未焼成誘電体シートの各々に高
銀含有量インクにより複数の電極をスクリーン印刷し；
所望の特定の構成に適するように互いに構成された交互
にくりかえされる電極を有するかかる印刷されたシート
のスタックを例えば側方に向って階段状に、あるいは十
字状に重ねるなどして組立て：シートをスタックの頂部
と底部に取付けられて必要に応じて適当な電圧マージン
を与える別のブランクシートと共にプレスし；シートを
個々のコンデンサ部品に切出し、個々の部品を９５０〜
１１００℃の温度で焼成する各段階よりなる。次いで全
てのシート間の電極は例えばスタックの対向する側面に
導電性塗料を適当に塗布するなどして従来通りに接続さ
れる。
発明の利点
上記の如く、基本三成分系に少量の他のりラクサー化合
物あるいは酸化物を添加することにより、焼成温度が低
く、誘電率（Ｋ）が非常に高く、ｔａｎδが低く、Ｙ５
Ｖの容量温度係数特性を有するセラミック誘電体が得ら
れる。
物あるいは酸化物を添加することにより、焼成温度が低
く、誘電率（Ｋ）が非常に高く、ｔａｎδが低く、Ｙ５
Ｖの容量温度係数特性を有するセラミック誘電体が得ら
れる。
本発明は非化学量論的ニオブ酸鉛マグネシウムと、非化
学量論的ニオブ酸鉛亜鉛と、非化学聞論的ニオブ酸鉛鉄
とよりなる三成分系と、従来の三成分系単独よりもｔａ
ｎδを減少させる作用を与える少量の一又は複数の酸化
物添加物とを含む誘電体組成物を提供する。上記一又は
複数の添加物は酸化ニッケル、化学口論的ニオブ酸鉛ニ
ッケル。
学量論的ニオブ酸鉛亜鉛と、非化学聞論的ニオブ酸鉛鉄
とよりなる三成分系と、従来の三成分系単独よりもｔａ
ｎδを減少させる作用を与える少量の一又は複数の酸化
物添加物とを含む誘電体組成物を提供する。上記一又は
複数の添加物は酸化ニッケル、化学口論的ニオブ酸鉛ニ
ッケル。
酸化セリウム（ＩＶ）、Ｍ他船、酸化ジルコン。
酸化銀、二酸化マンガン、酸化ランタン、及び酸化コバ
ルトより選択される。本発明組成物の焼成温度は９５０
〜１１００℃の範囲にあり、誘電率は１０７００〜１６
６００ （２０℃）であり、従って本発明組成物は高銀
含有闇多層セラミックコンデンサの材料として極めて有
用である。
ルトより選択される。本発明組成物の焼成温度は９５０
〜１１００℃の範囲にあり、誘電率は１０７００〜１６
６００ （２０℃）であり、従って本発明組成物は高銀
含有闇多層セラミックコンデンサの材料として極めて有
用である。
図は本発明誘電体組成物の電気的特性を示す表の図であ
る。
る。
Claims (8)
- （１）非化学論的ニオブ酸鉛マグネシウムと、非化学量
論的ニオブ酸鉛亜鉛と、非化学量論的ニオブ酸鉛鉄とよ
りなる三成分系よりなり、さらに従来の三成分系単独の
場合に比べてｔａｎδの値を減少させる作用をなす少量
の一又は複数の添加物を含む誘電体組成物。 - （２）該三成分系は５０〜８０重量％の非化学量論的ニ
オブ酸鉛マグネシウムと、１０〜３５重量％の非化学量
論的ニオブ酸鉛亜鉛と、５〜３０重量％の非化学量論的
ニオブ酸鉛鉄とよりなる特許請求の範囲第１項記載の誘
電体組成物。 - （３）該一又は複数の添加物は酸化ニッケル、化学量論
的ニオブ酸鉛ニッケル、酸化セリウム（IV）、酸化鉛、
酸化ジルコニウム、酸化銀、二酸化マンガン、酸化ラン
タン及び酸化コバルトよりなる群より選択される特許請
求の範囲１項記載の誘電体組成物。 - （４）該一又は複数の添加物は０．１重量％の濃度レベ
ルで添加される特許請求の範囲第１項記載の誘電体組成
物。 - （５）該一又は複数の添加物は１．０重量％の濃度レベ
ルで添加される特許請求の範囲第１項記載の誘電体組成
物。 - （６）構成成分が表中に引用した例に示した通りである
特許請求の範囲第１項記載の誘電体組成物。 - （７）９５０℃〜１１００℃の間の温度で焼成される、
非化学量論的ニオブ酸鉛マグネシウムと、非化学量論的
ニオブ酸鉛亜鉛と、非化学量論的ニオブ酸鉛鉄とよりな
る三成分系よりなり、さらに三成分系のｔａｎδの値を
減少させる作用をなす少量の一又は複数の添加物を含む
誘電体を含むセラミックコンデンサ。 - （８）該一又は複数の添加物は酸化ニッケル、化学量論
的ニオブ酸鉛ニッケル、酸化セリウム（IV）、酸化鉛、
酸化ジルコニウム、酸化銀、二酸化マンガン、酸化ラン
タン及び酸化コバルトよりなる群より選択される特許請
求の範囲第７項記載のセラミックコンデンサ。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| GB08520346A GB2179037A (en) | 1985-08-14 | 1985-08-14 | Dielectric compositions |
| GB8520346 | 1985-08-14 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6240103A true JPS6240103A (ja) | 1987-02-21 |
Family
ID=10583755
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61190409A Pending JPS6240103A (ja) | 1985-08-14 | 1986-08-13 | 誘電体組成物及びセラミツクコンデンサ |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4670815A (ja) |
| EP (1) | EP0213722A3 (ja) |
| JP (1) | JPS6240103A (ja) |
| GB (1) | GB2179037A (ja) |
| PT (1) | PT83148A (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5008163A (en) * | 1989-05-26 | 1991-04-16 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Conductive ceramic composition and method of preparation |
| DE4141648C2 (de) * | 1990-12-17 | 1997-01-09 | Toshiba Kawasaki Kk | Keramischer Kondensator |
| US5461014A (en) * | 1994-01-13 | 1995-10-24 | Tam Ceramics, Inc. | Lead perovskite based ceramic compositions without any free lead oxide |
| US7545084B2 (en) * | 2006-07-20 | 2009-06-09 | Ngk Insulators, Ltd. | Piezoelectric/electrostrictive ceramic composition, piezoelectric/electrostrictive device, and method of producing the same |
| CN113213927B (zh) * | 2021-04-29 | 2022-06-17 | 南京邮电大学 | 一种化学计量失配的高储能铌酸银基陶瓷及其制备方法 |
| CN113603484B (zh) * | 2021-08-26 | 2022-08-30 | 陕西君普新航科技有限公司 | 负温度系数热敏电阻锰钛酸镧-铌镍酸铅的制备方法 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3913201A (en) * | 1968-07-05 | 1975-10-21 | Siemens Ag | Bonded material for electrical contact pieces |
| US4216102A (en) * | 1978-04-10 | 1980-08-05 | Tdk Electronics Co., Ltd. | High dielectric constant type ceramic composition consisting essentially of Pb(Fe1/2 Nb1/2)O3 -Pb(Mg1/3 Nb2/3)O3 |
| GB2107300B (en) * | 1981-07-03 | 1985-04-24 | Standard Telephones Cables Ltd | Ceramic capacitors and dielectric compositions |
| GB2126575B (en) * | 1982-08-03 | 1985-11-13 | Standard Telephones Cables Ltd | Ceramic capacitors and dielectric compositions |
| GB8306659D0 (en) * | 1983-03-10 | 1983-04-13 | Standard Telephones Cables Ltd | Ceramic capacitors |
| GB2137187B (en) * | 1983-03-10 | 1986-07-02 | Standard Telephones Cables Ltd | Dielectric compositions |
| US4542107A (en) * | 1983-05-30 | 1985-09-17 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Dielectric ceramic compositions |
| US4525768A (en) * | 1984-02-28 | 1985-06-25 | Standard Telephones And Cables, Plc | Ceramic capacitors and dielectric compositions |
| GB8405650D0 (en) * | 1984-03-03 | 1984-04-04 | Standard Telephones Cables Ltd | Ceramic capacitors and dielectric composition |
-
1985
- 1985-08-14 GB GB08520346A patent/GB2179037A/en not_active Withdrawn
-
1986
- 1986-07-25 EP EP86305720A patent/EP0213722A3/en not_active Withdrawn
- 1986-08-01 US US06/892,801 patent/US4670815A/en not_active Expired - Fee Related
- 1986-08-05 PT PT83148A patent/PT83148A/pt not_active Application Discontinuation
- 1986-08-13 JP JP61190409A patent/JPS6240103A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0213722A2 (en) | 1987-03-11 |
| GB2179037A (en) | 1987-02-25 |
| GB8520346D0 (en) | 1985-09-18 |
| PT83148A (pt) | 1987-02-27 |
| EP0213722A3 (en) | 1988-09-21 |
| US4670815A (en) | 1987-06-02 |
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