JPH01276506A - 高誘電率セラミックス組成物 - Google Patents
高誘電率セラミックス組成物Info
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- JPH01276506A JPH01276506A JP63106931A JP10693188A JPH01276506A JP H01276506 A JPH01276506 A JP H01276506A JP 63106931 A JP63106931 A JP 63106931A JP 10693188 A JP10693188 A JP 10693188A JP H01276506 A JPH01276506 A JP H01276506A
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Landscapes
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- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、圧電素子材料やコンデンサ材料として有用な
、耐還元性の良い高誘電率セラミックス組成物に関する
ものである。
、耐還元性の良い高誘電率セラミックス組成物に関する
ものである。
従来の技術
鉛系複合ペロブスカイト、例えば、
PbCMg1yxNbzys)Osの焼結体は、圧電特
性、高誘電特性などが優れているため、電子ライター、
霧化器、ブザー等の圧電素子材料やコンデンサ材料とし
て利用されている。
性、高誘電特性などが優れているため、電子ライター、
霧化器、ブザー等の圧電素子材料やコンデンサ材料とし
て利用されている。
ところで、この鉛系複合ペロブスカイトを用いて電子部
品を製造するには、通常セラミックス素材と電極との一
体焼成が行われるが、この場合の電極材料としては酸化
を防止するために、白金、パラジウムのような貴金属を
用いることが必要であり、コスト高になるのを免れない
。このような貴金属電極の使用によるコスト高を避ける
ために、安価な銀−パラジウム合金を代用することが提
案されているが、このものを用いると比抵抗が著しく上
昇し、高周波特性その他の電気特性が低下する上、銀の
配合割合を多くするとマイグレーションの原因になり信
頼性が損なわれるという欠点を生じる。
品を製造するには、通常セラミックス素材と電極との一
体焼成が行われるが、この場合の電極材料としては酸化
を防止するために、白金、パラジウムのような貴金属を
用いることが必要であり、コスト高になるのを免れない
。このような貴金属電極の使用によるコスト高を避ける
ために、安価な銀−パラジウム合金を代用することが提
案されているが、このものを用いると比抵抗が著しく上
昇し、高周波特性その他の電気特性が低下する上、銀の
配合割合を多くするとマイグレーションの原因になり信
頼性が損なわれるという欠点を生じる。
他方、電極材料としてニッケルや銅のような卑金属を用
いる試みもなされている。この場合にはニッケルや銅が
焼成に際して酸化されるのを防ぐために、低酸素分圧雰
囲気中で焼成することが必要であるが、鉛系複合ペロブ
スカイトを低酸素分圧雰囲気中で焼成すると格子中の酸
素が失われ、その結果、過剰の電子を生じてn型半導体
となり抵抗値が低下するのを免れない。
いる試みもなされている。この場合にはニッケルや銅が
焼成に際して酸化されるのを防ぐために、低酸素分圧雰
囲気中で焼成することが必要であるが、鉛系複合ペロブ
スカイトを低酸素分圧雰囲気中で焼成すると格子中の酸
素が失われ、その結果、過剰の電子を生じてn型半導体
となり抵抗値が低下するのを免れない。
このような欠点を克服するため、鉛系複合ペロプスカイ
トの結晶格子中のAサイトに位置するPbの一部にC@
を導入して、電子を捕捉させ、n型半導体化を抑制した
ものが提案されている(特開昭62−0455号公報)
。
トの結晶格子中のAサイトに位置するPbの一部にC@
を導入して、電子を捕捉させ、n型半導体化を抑制した
ものが提案されている(特開昭62−0455号公報)
。
発明が解決しようとする課題
従来の耐還元性鉛系複合ペロプスカイト焼結体は、結晶
格子のAサイトの2価のPbI[子の一部にさらに2価
のC1原子を導入し、Aサイト元素の総量をBサイト元
素の総量より過剰にすることで酸素原子の放出に起因し
て発生しt;電子を捕捉するものであるが、このC!原
子の導入のために新しい成分、例えばCsOを添加しな
ければならない。しかし、この場合Aサイトに位置する
PbI子と新t;に導入されるCAyK子とはイオン半
径が異なるため、置換しにくい上に、C!0の添加量が
増加するとともに誘電率が低下するという好ましくない
傾向がある。
格子のAサイトの2価のPbI[子の一部にさらに2価
のC1原子を導入し、Aサイト元素の総量をBサイト元
素の総量より過剰にすることで酸素原子の放出に起因し
て発生しt;電子を捕捉するものであるが、このC!原
子の導入のために新しい成分、例えばCsOを添加しな
ければならない。しかし、この場合Aサイトに位置する
PbI子と新t;に導入されるCAyK子とはイオン半
径が異なるため、置換しにくい上に、C!0の添加量が
増加するとともに誘電率が低下するという好ましくない
傾向がある。
本発明は、このようなAサイトの成分を置換する代りに
、Bサイトの成分であるMlとNbの中のNbの一部を
M!で置換することにより、Aサイトの成分の置換と同
等の電子捕捉効果を発生させるとともに、異種成分の導
入及び置換される金属間のイオン半径の差異に起因する
トラブルを克服しようとするものである。
、Bサイトの成分であるMlとNbの中のNbの一部を
M!で置換することにより、Aサイトの成分の置換と同
等の電子捕捉効果を発生させるとともに、異種成分の導
入及び置換される金属間のイオン半径の差異に起因する
トラブルを克服しようとするものである。
課題を解決するための手段
本発明者らは、鉛系複合ペロブスカイトの耐還元性を改
良するために鋭意研究を重ねた結果、PbO,MgO及
びNb2O,を所定の割合で混合し、非酸化性雰囲気中
で焼成して、 一般式 %式% で表わされる組成において、 0.95≦X≦1.20 1/3<y≦3/S の条件を満たす焼結体を形成させることによりその目的
を達成しうろことを見出し、本発明をなすに至った。
良するために鋭意研究を重ねた結果、PbO,MgO及
びNb2O,を所定の割合で混合し、非酸化性雰囲気中
で焼成して、 一般式 %式% で表わされる組成において、 0.95≦X≦1.20 1/3<y≦3/S の条件を満たす焼結体を形成させることによりその目的
を達成しうろことを見出し、本発明をなすに至った。
すなわち、本発明は、一般式
%式%()
(式中のXは前記と同じ意味をもつ)
で表わされる高誘電率セラミックス組成物を提供するも
のである。
のである。
本発明のセラミックス組成物の中で、特に好適なも、の
は、−1般式 %式%() (式中のaはO(a≦0.27の範囲の数である)で表
わされるセラミックス組成物である。
は、−1般式 %式%() (式中のaはO(a≦0.27の範囲の数である)で表
わされるセラミックス組成物である。
本発明のセラミックス組成物においては、Bサイト成分
中の5価のNb原子の一部が2価のMtN子に置き換わ
り、その原子価の差によって、焼成中に酸素の放出によ
って生じる過剰分の電子が捕捉され、n型半導体化が抑
制されているものと考えられる。
中の5価のNb原子の一部が2価のMtN子に置き換わ
り、その原子価の差によって、焼成中に酸素の放出によ
って生じる過剰分の電子が捕捉され、n型半導体化が抑
制されているものと考えられる。
前記一般式(1)において、その組成物中のAサイト成
分のPb原子が0.95未満あるいは1.20よりも多
くなると鉛系複合ペロブスカイトの結晶構造が不完全に
なる。
分のPb原子が0.95未満あるいは1.20よりも多
くなると鉛系複合ペロブスカイトの結晶構造が不完全に
なる。
また、Bサイト成分中のMtR子が1/3以下では耐還
元性が得られないし、315よりも多くなると誘電率が
低下する。
元性が得られないし、315よりも多くなると誘電率が
低下する。
前記一般式(I)のセラミックス組成物はPbO。
MgO及びNb2O5あるいは焼成によりこれらの酸化
物を生成しうる化合物を、最終的に所望の組成に相当す
る原子割合で混合して仮焼′し、この仮焼物を粉砕後所
望の形状に成形し、非酸化性雰囲気中で焼成することに
より製造される。この際の非酸化性雰囲気としては窒素
、アルゴンのような不活性雰囲気又は−酸化炭素水素の
ような還元性雰囲気が用いられ、酸素分圧はI O−’
−10−”気圧、好ましくは10−’ −10−”気
圧にするのがよい。
物を生成しうる化合物を、最終的に所望の組成に相当す
る原子割合で混合して仮焼′し、この仮焼物を粉砕後所
望の形状に成形し、非酸化性雰囲気中で焼成することに
より製造される。この際の非酸化性雰囲気としては窒素
、アルゴンのような不活性雰囲気又は−酸化炭素水素の
ような還元性雰囲気が用いられ、酸素分圧はI O−’
−10−”気圧、好ましくは10−’ −10−”気
圧にするのがよい。
焼成温度としては、700〜1300℃、好ましくは8
00〜l I OO’C!の範囲が用いられる。
00〜l I OO’C!の範囲が用いられる。
このようにして得られた本発明のセラミックス組成物は
、銅が酸化されない条件、例えば1000°C1酸素分
圧io−’気圧という条件で焼成したものについても1
0′3Ωcmという高い比抵抗値を示す。
、銅が酸化されない条件、例えば1000°C1酸素分
圧io−’気圧という条件で焼成したものについても1
0′3Ωcmという高い比抵抗値を示す。
次に、本発明のセラミックス組成物を用いて、積層コン
デンサを製造するには、例えば原料粉末にバインダーと
溶剤を加えてスラリーとし、302℃程度のシートに成
形し、銅電極ペーストを印刷後積層し切断する。次いで
、熱処理によりバインダーを除去したのち、酸素分圧を
制御して焼成した。焼成体に外部電極として市販の銅ペ
ーストを塗布し窒素中で焼付け、また外部電極を同時焼
成することも可能である。
デンサを製造するには、例えば原料粉末にバインダーと
溶剤を加えてスラリーとし、302℃程度のシートに成
形し、銅電極ペーストを印刷後積層し切断する。次いで
、熱処理によりバインダーを除去したのち、酸素分圧を
制御して焼成した。焼成体に外部電極として市販の銅ペ
ーストを塗布し窒素中で焼付け、また外部電極を同時焼
成することも可能である。
発明の効果
本発明の鉛系複合ペロブスカイトセラミックス組成物は
低酸素分圧雰囲気下で焼成しても高抵抗値を保つことが
できることから、卑金属電極の使用が可能となり、低コ
スト化が計れる上、従来のチタン酸バリウム−ニッケル
系コンデンサに比べ、同一容量でも小形となり、バイア
ス特性も優れ、さらにまた焼成温度も低下するので、銅
のような比抵抗の小さい電極の使用も可能となり、高周
波特性が向上するのみでなく、焼成コストも低下すると
いう顕著な効果を奏する。
低酸素分圧雰囲気下で焼成しても高抵抗値を保つことが
できることから、卑金属電極の使用が可能となり、低コ
スト化が計れる上、従来のチタン酸バリウム−ニッケル
系コンデンサに比べ、同一容量でも小形となり、バイア
ス特性も優れ、さらにまた焼成温度も低下するので、銅
のような比抵抗の小さい電極の使用も可能となり、高周
波特性が向上するのみでなく、焼成コストも低下すると
いう顕著な効果を奏する。
本発明の鉛系複合ペロブスカイトセラミックス組成物は
電子ライター、霧化器、ブザー等の圧電素子材料やコン
デンサ材料などとして有用である。
電子ライター、霧化器、ブザー等の圧電素子材料やコン
デンサ材料などとして有用である。
実施例
次に実施例によって本発明をさらに詳細に説明する。
実施例1
高純度のPbO,MgO,NbzOsを所定量秤量し、
ジルコニアポールを用い純水を溶媒としてボールミルで
15時時間式混合し、吸引ろ過後乾燥したのち、800
℃で2時間仮焼した。得られt;仮焼物を粗砕し、ジル
コニアポールを用い純水を溶媒としてボールミルで15
時間粉砕したのち、吸引ろ過後乾燥した。以上の仮焼、
粉砕、乾燥を数回繰り返し、原料粉末とした。この粉末
にバインダーとしてのポリビニルアルコール6重量%水
溶液を粉体量の6重量%加え、32メツシユふるいを通
して造粒し、成形圧力1000kg7cm”で乾式プレ
スにより成形した。この成形物は空気中700°Cで2
時間加熱しバインダーをバーンアウト(焼却)した後、
電気炉によりco−co、混合ガスを流して酸素分が1
.0X10’気圧になるように調節しながら、1100
℃まで400’c、’hrで昇温し2時間保持した後、
400°C/hrで降温して鉛系複合ペロブスカイトセ
ラミックス組成物イ得た。
ジルコニアポールを用い純水を溶媒としてボールミルで
15時時間式混合し、吸引ろ過後乾燥したのち、800
℃で2時間仮焼した。得られt;仮焼物を粗砕し、ジル
コニアポールを用い純水を溶媒としてボールミルで15
時間粉砕したのち、吸引ろ過後乾燥した。以上の仮焼、
粉砕、乾燥を数回繰り返し、原料粉末とした。この粉末
にバインダーとしてのポリビニルアルコール6重量%水
溶液を粉体量の6重量%加え、32メツシユふるいを通
して造粒し、成形圧力1000kg7cm”で乾式プレ
スにより成形した。この成形物は空気中700°Cで2
時間加熱しバインダーをバーンアウト(焼却)した後、
電気炉によりco−co、混合ガスを流して酸素分が1
.0X10’気圧になるように調節しながら、1100
℃まで400’c、’hrで昇温し2時間保持した後、
400°C/hrで降温して鉛系複合ペロブスカイトセ
ラミックス組成物イ得た。
次の表に該組成物の成分の割合(x、yはPbX (J
、Nbzzz) O8/3+m+yと表わしたときの値
〕、抵抗率、比誘電率を示した。
、Nbzzz) O8/3+m+yと表わしたときの値
〕、抵抗率、比誘電率を示した。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1一般式 Pb_x(Mg_yNb_2_/_3)O_5_/_3
_+_x_+_y(式中0.95≦x≦1.20、1/
3<y≦3/5)で表わされる高誘電率セラミックス組
成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63106931A JPH01276506A (ja) | 1988-04-28 | 1988-04-28 | 高誘電率セラミックス組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63106931A JPH01276506A (ja) | 1988-04-28 | 1988-04-28 | 高誘電率セラミックス組成物 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01276506A true JPH01276506A (ja) | 1989-11-07 |
Family
ID=14446148
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63106931A Pending JPH01276506A (ja) | 1988-04-28 | 1988-04-28 | 高誘電率セラミックス組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01276506A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007222761A (ja) * | 2006-02-22 | 2007-09-06 | National Institute For Materials Science | 可視光応答型複合酸化物光触媒 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62100907A (ja) * | 1985-10-24 | 1987-05-11 | エステイ−シ− ピ−エルシ− | 誘電体組成物 |
-
1988
- 1988-04-28 JP JP63106931A patent/JPH01276506A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62100907A (ja) * | 1985-10-24 | 1987-05-11 | エステイ−シ− ピ−エルシ− | 誘電体組成物 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007222761A (ja) * | 2006-02-22 | 2007-09-06 | National Institute For Materials Science | 可視光応答型複合酸化物光触媒 |
JP4660766B2 (ja) * | 2006-02-22 | 2011-03-30 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | 可視光応答型複合酸化物光触媒 |
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