JPH04225208A - セラミックコンデンサ用誘電体磁器組成物 - Google Patents
セラミックコンデンサ用誘電体磁器組成物Info
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- JPH04225208A JPH04225208A JP2414422A JP41442290A JPH04225208A JP H04225208 A JPH04225208 A JP H04225208A JP 2414422 A JP2414422 A JP 2414422A JP 41442290 A JP41442290 A JP 41442290A JP H04225208 A JPH04225208 A JP H04225208A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はＬＣフィルタ、ＬＣトラ
ップとして用いられている複合部品のコンデンサ部を構
成する誘電体磁器組成物に係り、特に低温焼成を可能と
した組成物に関するものである。
ップとして用いられている複合部品のコンデンサ部を構
成する誘電体磁器組成物に係り、特に低温焼成を可能と
した組成物に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】インダクタおよびコンデンサの両機能を
有する複合部品がＬＣフィルタ、ＬＣトラップとして使
用されているが、これらは従来ディスクリート部品によ
り結線して構成されていたフィルタおよびトラップ回路
を１チップ内に集積したものである。すなわち１チップ
内にフェライト内部に銀電極からなるコイルパターンを
形成させたインダクタ部と、誘電体を間に挟んだ銀内部
電極からなるコンデンサ部とを有して構成された複合部
品である。両者を複合させる際にＬＣ共振周波数ｆｏの
温度変化を無くすために、コンデンサ部の主成分に容量
の温度変化率が−６００ 〜−７００ｐｐｍであるルチ
ル型ＴｉＯ２ を用い、インダクタ部にはインダクタン
スの温度変化率が＋６００ 〜＋７００ｐｐｍを示すフ
ェライトを選択して使用している。
有する複合部品がＬＣフィルタ、ＬＣトラップとして使
用されているが、これらは従来ディスクリート部品によ
り結線して構成されていたフィルタおよびトラップ回路
を１チップ内に集積したものである。すなわち１チップ
内にフェライト内部に銀電極からなるコイルパターンを
形成させたインダクタ部と、誘電体を間に挟んだ銀内部
電極からなるコンデンサ部とを有して構成された複合部
品である。両者を複合させる際にＬＣ共振周波数ｆｏの
温度変化を無くすために、コンデンサ部の主成分に容量
の温度変化率が−６００ 〜−７００ｐｐｍであるルチ
ル型ＴｉＯ２ を用い、インダクタ部にはインダクタン
スの温度変化率が＋６００ 〜＋７００ｐｐｍを示すフ
ェライトを選択して使用している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上述のインダクタ部と
コンデンサ部から構成される複合部品を同時焼成して製
造する際に、良好なルチルの焼結性を得るためには、焼
成温度をＡｇがインダクタ部を構成するフェライト内に
溶浸し得る程度の高温にする必要がある。しかしながら
インダクタ内部電極を形成するＡｇがフェライト内に溶
浸すればフェライト中の内部電極の断面積が減少するた
め、直流抵抗（ＲＤＣ）は増加し、Ｑ値の減少をもたら
す結果となる。
コンデンサ部から構成される複合部品を同時焼成して製
造する際に、良好なルチルの焼結性を得るためには、焼
成温度をＡｇがインダクタ部を構成するフェライト内に
溶浸し得る程度の高温にする必要がある。しかしながら
インダクタ内部電極を形成するＡｇがフェライト内に溶
浸すればフェライト中の内部電極の断面積が減少するた
め、直流抵抗（ＲＤＣ）は増加し、Ｑ値の減少をもたら
す結果となる。
【０００４】一方、焼成温度を低くすればルチル型Ｔｉ
Ｏ２ の焼結性を低下させ、コンデンサ部のＱ値の減少
、ＩＲの低下をもたらすことになる。
Ｏ２ の焼結性を低下させ、コンデンサ部のＱ値の減少
、ＩＲの低下をもたらすことになる。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、斯る課題
を解決するために鋭意研究の結果、コンデンサ部を構成
する組成中に酸化銀（Ａｇ２ Ｏ）を０．１ 〜１０ｗ
ｔ％添加することにより焼成温度を ８３０〜８５５
℃に降下させることができ、さらにＣｕＯ、Ｍｎ３ Ｏ
４が焼結の促進剤となることを見出したのである。
を解決するために鋭意研究の結果、コンデンサ部を構成
する組成中に酸化銀（Ａｇ２ Ｏ）を０．１ 〜１０ｗ
ｔ％添加することにより焼成温度を ８３０〜８５５
℃に降下させることができ、さらにＣｕＯ、Ｍｎ３ Ｏ
４が焼結の促進剤となることを見出したのである。
【０００６】
【作用】本発明におけるＡｇ２ Ｏ添加の作用効果は次
のようなものと考えられる。Ａｇ２ Ｏは １２１℃、
０．２気圧で解離する（２Ａｇ２ Ｏ→４Ａｇ＋Ｏ２
）。一方、大気中の酸素の分圧は ０．２気圧である
ため、Ａｇ２ Ｏは大気中でこの温度以上に保つときは
分解してＡｇを遊離する。
のようなものと考えられる。Ａｇ２ Ｏは １２１℃、
０．２気圧で解離する（２Ａｇ２ Ｏ→４Ａｇ＋Ｏ２
）。一方、大気中の酸素の分圧は ０．２気圧である
ため、Ａｇ２ Ｏは大気中でこの温度以上に保つときは
分解してＡｇを遊離する。
【０００７】ＣｕＯ、ＴｉＯ２ にＡｇ２ Ｏを添加し
て焼結した場合、Ａｇ２ ＯがＡｇとＯ２ に解離する
際にＡｇ２ Ｏ粉末は酸素の噴出によりその表面はボイ
ド状態の激しい粒子粉末となり、ＣｕＯ、ＴｉＯ２ の
焼結性を活性化する結果、ＣｕＯ、ＴｉＯ２ のみの場
合より、比較的低温で焼結することになる。
て焼結した場合、Ａｇ２ ＯがＡｇとＯ２ に解離する
際にＡｇ２ Ｏ粉末は酸素の噴出によりその表面はボイ
ド状態の激しい粒子粉末となり、ＣｕＯ、ＴｉＯ２ の
焼結性を活性化する結果、ＣｕＯ、ＴｉＯ２ のみの場
合より、比較的低温で焼結することになる。
【０００８】一方、ＣｕＯは高温においてＣｕ２ Ｏに
還元され、Ａｇ２ Ｏの場合と同様Ｃｕ２ Ｏ粒子表面
は激しいボイド状態を呈すると共に、ＡｇがＣｕ２ Ｏ
を固溶すればＡｇの融点は ９６３℃から ９４１℃ま
で下降することと相まって、焼結性の活性化と共に焼結
温度は下降するものと推測される。
還元され、Ａｇ２ Ｏの場合と同様Ｃｕ２ Ｏ粒子表面
は激しいボイド状態を呈すると共に、ＡｇがＣｕ２ Ｏ
を固溶すればＡｇの融点は ９６３℃から ９４１℃ま
で下降することと相まって、焼結性の活性化と共に焼結
温度は下降するものと推測される。
【０００９】上述の理由により本発明に従って誘電体磁
器組成物にＡｇ２ Ｏを添加配合することにより、従来
品より低温度で焼結しても電気特性が同等またはそれ以
上を示す焼結体が得られることになる。
器組成物にＡｇ２ Ｏを添加配合することにより、従来
品より低温度で焼結しても電気特性が同等またはそれ以
上を示す焼結体が得られることになる。
【００１０】以下実施例により本発明をさらに説明する
。
。
【００１１】
【実施例】１．インダクタ部の作製
市販のＦｅ２ Ｏ３ 、ＣｕＯ、ＮｉＯ、ＺｎＯを
用いた、Ｆｅ２ Ｏ３ ：５０モル％、ＣｕＯ：２０モ
ル％、ＮｉＯ：２０モル％、ＺｎＯ：１０モル％からな
る混合物 １００重量部を、水 ２００重量部およびメ
ディアとしてのウレタン玉石と共にボールミルに装入し
、１５時間湿式混合を行った。このスラリーを乾燥後、
大気中 ７５０℃、１時間仮焼し、得られた仮焼物 １
００重量部に対し、再び水 ２００重量部を加え、ウレ
タン玉石をメディアとしてボールミルにより１５時間粉
砕し、乾燥してインダクタ用の原料粉末を得た。
用いた、Ｆｅ２ Ｏ３ ：５０モル％、ＣｕＯ：２０モ
ル％、ＮｉＯ：２０モル％、ＺｎＯ：１０モル％からな
る混合物 １００重量部を、水 ２００重量部およびメ
ディアとしてのウレタン玉石と共にボールミルに装入し
、１５時間湿式混合を行った。このスラリーを乾燥後、
大気中 ７５０℃、１時間仮焼し、得られた仮焼物 １
００重量部に対し、再び水 ２００重量部を加え、ウレ
タン玉石をメディアとしてボールミルにより１５時間粉
砕し、乾燥してインダクタ用の原料粉末を得た。
【００１２】得られた原料粉末に樹脂バインダーを加え
て混練し、ドクターブレード法によりセラミックシート
を作製した。図１および図２にこのグリーンシートを用
いたインダクタ用積層チップの製作法を図示する。
て混練し、ドクターブレード法によりセラミックシート
を作製した。図１および図２にこのグリーンシートを用
いたインダクタ用積層チップの製作法を図示する。
【００１３】すなわち、図１に示すグリーンシート１の
（Ａ）の位置、（Ｂ）の位置、（Ｄ）の位置にそれぞれ
穿孔機でスルーホール２を開けたものを各２枚、並びに
同グリーンシートの（Ｃ）の位置にスルーホールを開け
たものを３枚用意した。次に、パターンの端部がスルー
ホールにかかるように（Ａ）のシート上に（Ｅ）パター
ンを印刷したものを２枚、（Ｂ）のシート上に（Ｆ）パ
ターンを印刷したものを２枚、（Ｃ）のシート上に（Ｇ
）パターンを印刷したものを２枚と（Ｉ）パターンを印
刷したものを１枚、（Ｄ）のシート上に（Ｈ）パターン
を印刷したものを２枚およびスルーホールの無いシート
上に（Ｊ）パターンを印刷したものを１枚それぞれ用意
した。上記Ａｇ電極ペーストはスクリーン印刷法により
印刷した。各シートは表面および裏面が導通するように
スルーホールにＡｇ電極ペーストを埋め込み、ペースト
の乾燥後、図２の（ａ）および（ｆ）に示す如く、上か
らＩ→Ｆ→Ｅ→Ｈ→Ｇ→Ｆ→Ｅ→Ｈ→Ｇ→Ｉの順にグリ
ーンシートを積み重ね、その上部に電極パターンの無い
シートを３枚、下部に２枚重ね、１２０ ℃に加熱保持
し、圧力３００ｋｇ／ｃｍ２ に加圧して熱圧着し、こ
れを図２（ｂ）に示す形状に切断した。得られたチップ
状インダクタ内部には７ターン分のコイルが構成された
。
（Ａ）の位置、（Ｂ）の位置、（Ｄ）の位置にそれぞれ
穿孔機でスルーホール２を開けたものを各２枚、並びに
同グリーンシートの（Ｃ）の位置にスルーホールを開け
たものを３枚用意した。次に、パターンの端部がスルー
ホールにかかるように（Ａ）のシート上に（Ｅ）パター
ンを印刷したものを２枚、（Ｂ）のシート上に（Ｆ）パ
ターンを印刷したものを２枚、（Ｃ）のシート上に（Ｇ
）パターンを印刷したものを２枚と（Ｉ）パターンを印
刷したものを１枚、（Ｄ）のシート上に（Ｈ）パターン
を印刷したものを２枚およびスルーホールの無いシート
上に（Ｊ）パターンを印刷したものを１枚それぞれ用意
した。上記Ａｇ電極ペーストはスクリーン印刷法により
印刷した。各シートは表面および裏面が導通するように
スルーホールにＡｇ電極ペーストを埋め込み、ペースト
の乾燥後、図２の（ａ）および（ｆ）に示す如く、上か
らＩ→Ｆ→Ｅ→Ｈ→Ｇ→Ｆ→Ｅ→Ｈ→Ｇ→Ｉの順にグリ
ーンシートを積み重ね、その上部に電極パターンの無い
シートを３枚、下部に２枚重ね、１２０ ℃に加熱保持
し、圧力３００ｋｇ／ｃｍ２ に加圧して熱圧着し、こ
れを図２（ｂ）に示す形状に切断した。得られたチップ
状インダクタ内部には７ターン分のコイルが構成された
。
【００１４】次にこのインダクタ用積層体を大気雰囲気
中で１０℃／ｍｉｎの昇温速度で昇温し、５００ ℃に
１０分間保持して後、１０℃／ｍｉｎの冷却速度で室温
まで冷却して脱バインダ処理を行った。次いでこれを
５℃／ｍｉｎの昇温速度で ８４０℃まで昇温し、１時
間保持した後 ５℃／ｍｉｎの冷却速度で室温まで冷却
した。得られた焼結体に市販の外部電極用Ａｇペースト
を内部電極露出面上に塗布し、大気中 ８００℃で１０
分間焼き付けチップ状積層インダクタを得た（焼結体形
状寸法 ３．２×１．６ｍｍ ）。
中で１０℃／ｍｉｎの昇温速度で昇温し、５００ ℃に
１０分間保持して後、１０℃／ｍｉｎの冷却速度で室温
まで冷却して脱バインダ処理を行った。次いでこれを
５℃／ｍｉｎの昇温速度で ８４０℃まで昇温し、１時
間保持した後 ５℃／ｍｉｎの冷却速度で室温まで冷却
した。得られた焼結体に市販の外部電極用Ａｇペースト
を内部電極露出面上に塗布し、大気中 ８００℃で１０
分間焼き付けチップ状積層インダクタを得た（焼結体形
状寸法 ３．２×１．６ｍｍ ）。
【００１５】次に、焼結温度を ８１０℃、８３０ ℃
、８４０ ℃、８５５ ℃、８８０ ℃の５水準とした
以外は前述の製作工程、条件をすべて同じにしてチップ
状積層インダクタを製作し、それらの各々につき電気特
性を測定した。その結果を下記の表に示す。この表より
試料番号１および５の焼成体のＱ値が低下していること
がわかる。
、８４０ ℃、８５５ ℃、８８０ ℃の５水準とした
以外は前述の製作工程、条件をすべて同じにしてチップ
状積層インダクタを製作し、それらの各々につき電気特
性を測定した。その結果を下記の表に示す。この表より
試料番号１および５の焼成体のＱ値が低下していること
がわかる。
【００１６】
【００１７】８３０℃より低い温度で焼成した場合は、
得られたインダクタの焼結が不完全なために焼結密度が
低下し、電気特性が劣化する。一方、 ８５５℃より高
い温度で焼成すればインダクタ内部のＡｇ電極の表面が
焼結体セラミックに反応吸収される結果、該電極の断面
積が縮小して、電極の電気抵抗が増加し、Ｑ値が低下し
たと考えられる。すなわち、インダクタの焼成温度はＱ
値の実用レベルが３５以上であるため、 ８３０〜８５
５ ℃の範囲内でなければならず、 ８４０℃の近傍が
最適温度である。したがって、複合部品としてのＬＣフ
ィルタ、ＬＣトラップ等を同時焼成するためには、 ８
３０〜８５５ ℃の範囲で良好な電気特性を持つコンデ
ンサを焼成できなければならない。 ２．コンデンサ部の作製
得られたインダクタの焼結が不完全なために焼結密度が
低下し、電気特性が劣化する。一方、 ８５５℃より高
い温度で焼成すればインダクタ内部のＡｇ電極の表面が
焼結体セラミックに反応吸収される結果、該電極の断面
積が縮小して、電極の電気抵抗が増加し、Ｑ値が低下し
たと考えられる。すなわち、インダクタの焼成温度はＱ
値の実用レベルが３５以上であるため、 ８３０〜８５
５ ℃の範囲内でなければならず、 ８４０℃の近傍が
最適温度である。したがって、複合部品としてのＬＣフ
ィルタ、ＬＣトラップ等を同時焼成するためには、 ８
３０〜８５５ ℃の範囲で良好な電気特性を持つコンデ
ンサを焼成できなければならない。 ２．コンデンサ部の作製
【００１８】市販のＴｉＯ２ 、ＣｕＯおよびＮｉＯを
用いて配合した組成物にＡｇ２ Ｏを添加した混合粉を
原料とした。その混合割合はＴｉＯ２ ：７９．０ｗｔ
％、ＣｕＯ：３．０ｗｔ％、Ｍｎ３ Ｏ４ ：２．０
ｗｔ％、ＮｉＯ：１５ｗｔ％、Ａｇ２ Ｏ：１．０ ｗ
ｔ％である。この混合粉 １００重量部に対して水 ２
００重量部とメディアとしてのアルミナボールを加え、
ボールミルにより１５時間湿式混合を行った。このスラ
リーを乾燥後大気中７５０ ℃、２時間仮焼した。得ら
れた仮焼塊 １００重量部に対し、水 ２００重量部を
加え、再度アルミナボールを加えボールミルにより１５
時間粉砕し、乾燥してコンデンサ用原料粉末を得た。
用いて配合した組成物にＡｇ２ Ｏを添加した混合粉を
原料とした。その混合割合はＴｉＯ２ ：７９．０ｗｔ
％、ＣｕＯ：３．０ｗｔ％、Ｍｎ３ Ｏ４ ：２．０
ｗｔ％、ＮｉＯ：１５ｗｔ％、Ａｇ２ Ｏ：１．０ ｗ
ｔ％である。この混合粉 １００重量部に対して水 ２
００重量部とメディアとしてのアルミナボールを加え、
ボールミルにより１５時間湿式混合を行った。このスラ
リーを乾燥後大気中７５０ ℃、２時間仮焼した。得ら
れた仮焼塊 １００重量部に対し、水 ２００重量部を
加え、再度アルミナボールを加えボールミルにより１５
時間粉砕し、乾燥してコンデンサ用原料粉末を得た。
【００１９】次に、原料粉末に樹脂バインダを加えて混
練し、ドクターブレード法によりセラミックシートを作
製した。図３にこのグリーンシートを用いたコンデンサ
用積層チップの製作法を図示する。ただし、この図はグ
リーンシートを切断した１チップ内の内部構造を示すも
のである。
練し、ドクターブレード法によりセラミックシートを作
製した。図３にこのグリーンシートを用いたコンデンサ
用積層チップの製作法を図示する。ただし、この図はグ
リーンシートを切断した１チップ内の内部構造を示すも
のである。
【００２０】グリーンシート１の片面に市販の内部電極
Ａｇペースト８を印刷し、乾燥した。このグリーンシー
トの印刷面が印刷パターンの長手方向にずれるように交
互に３枚ずつ計６枚積層し、さらにその上下に１枚ずつ
Ａｇペーストを印刷していないグリーンシートをを重ね
、１２０ ℃、３００ｋｇ／ｃｍ２ で熱間圧着を行い
、切断してチップとした。
Ａｇペースト８を印刷し、乾燥した。このグリーンシー
トの印刷面が印刷パターンの長手方向にずれるように交
互に３枚ずつ計６枚積層し、さらにその上下に１枚ずつ
Ａｇペーストを印刷していないグリーンシートをを重ね
、１２０ ℃、３００ｋｇ／ｃｍ２ で熱間圧着を行い
、切断してチップとした。
【００２１】次に、このチップを大気中１０℃／ｍｉｎ
の昇温速度で室温から ５００℃まで昇温し、５００
℃に１０分間保持した後１０℃／ｍｉｎの冷却速度で室
温まで冷却して脱バインダ処理を行った。脱バインダ処
理後のチップを ５℃／ｍｉｎの昇温速度で ８４０℃
に昇温し、１時間保持した後 ５℃／ｍｉｎの冷却速度
で室温まで冷却した。得られた焼結体に市販の外部電極
用Ａｇペーストを内部電極露出面に塗布し、大気中 ８
００℃で１０分間焼き付け、チップ状の焼結体積層コン
デンサを得た（焼結体チップの寸法 ３．２×１．６
ｍｍ）。
の昇温速度で室温から ５００℃まで昇温し、５００
℃に１０分間保持した後１０℃／ｍｉｎの冷却速度で室
温まで冷却して脱バインダ処理を行った。脱バインダ処
理後のチップを ５℃／ｍｉｎの昇温速度で ８４０℃
に昇温し、１時間保持した後 ５℃／ｍｉｎの冷却速度
で室温まで冷却した。得られた焼結体に市販の外部電極
用Ａｇペーストを内部電極露出面に塗布し、大気中 ８
００℃で１０分間焼き付け、チップ状の焼結体積層コン
デンサを得た（焼結体チップの寸法 ３．２×１．６
ｍｍ）。
【００２２】さらに原料組成と焼成温度が製品の電気特
性に及ぼす影響を調べるため、出発原料組成と焼成温度
を変えたこと以外は上述と全く同じ工程により焼成し、
積層チップを製作した。その結果を、表１および表２に
総括して示す。
性に及ぼす影響を調べるため、出発原料組成と焼成温度
を変えたこと以外は上述と全く同じ工程により焼成し、
積層チップを製作した。その結果を、表１および表２に
総括して示す。
【００２３】ここで必要とする電気特性は、Ｑは１，０
００ 以上、ＩＲは １×１０４ ＭΩ以上である。
００ 以上、ＩＲは １×１０４ ＭΩ以上である。
【００２４】表１および表２の結果を分析して下記の知
見が得られた。
見が得られた。
【００２５】（１） 特許請求の範囲に明記した組成の
配合物（試料番号６〜８ 、１０、１１、１４、１５、
１８、１９、２２、２３、２６、２７）を ８３０〜８
５５ ℃の温度で焼成した場合は、常にＱ、ＩＲとも良
好な焼成物（コンデンサ）が得られた。
配合物（試料番号６〜８ 、１０、１１、１４、１５、
１８、１９、２２、２３、２６、２７）を ８３０〜８
５５ ℃の温度で焼成した場合は、常にＱ、ＩＲとも良
好な焼成物（コンデンサ）が得られた。
【００２６】（２） Ａｇ２ Ｏの添加量を本発明の組
成範囲外の低い値（０．０５ｗｔ％）とした場合、８５
５ ℃の焼成ではＱ、ＩＲとも良好な焼成物が得られた
が（試料番号１３）、 ８３０℃の低温焼成では、焼結
性が悪いため、Ｑ、ＩＲの低い焼成物となった（試料番
号９）。
成範囲外の低い値（０．０５ｗｔ％）とした場合、８５
５ ℃の焼成ではＱ、ＩＲとも良好な焼成物が得られた
が（試料番号１３）、 ８３０℃の低温焼成では、焼結
性が悪いため、Ｑ、ＩＲの低い焼成物となった（試料番
号９）。
【００２７】（３） 一方、逆にＡｇ２ Ｏの添加量を
本発明の組成範囲外の高い値（１２ｗｔ％）とした場合
、 ８３０℃の低温焼成ではＱ、ＩＲとも良好な焼成物
が得られたが（試料番号１２）、 ８５５℃の高温焼成
では、素地が半導体化し、Ｑ、ＩＲの低い焼成物となっ
た（試料番号１６）。
本発明の組成範囲外の高い値（１２ｗｔ％）とした場合
、 ８３０℃の低温焼成ではＱ、ＩＲとも良好な焼成物
が得られたが（試料番号１２）、 ８５５℃の高温焼成
では、素地が半導体化し、Ｑ、ＩＲの低い焼成物となっ
た（試料番号１６）。
【００２８】（４） 焼結促進剤であるＣｕＯの添加量
を本発明の組成範囲外の低い値（０．５ ｗｔ％）とし
た場合、Ａｇ２ Ｏを多量（１０ｗｔ％）添加し、かつ
８５５℃で高温焼成したにもかかわらず焼結性が悪く
、Ｑ、ＩＲの低い焼結物が得られた（試料番号１７）。
を本発明の組成範囲外の低い値（０．５ ｗｔ％）とし
た場合、Ａｇ２ Ｏを多量（１０ｗｔ％）添加し、かつ
８５５℃で高温焼成したにもかかわらず焼結性が悪く
、Ｑ、ＩＲの低い焼結物が得られた（試料番号１７）。
【００２９】（５） もう１つの焼結促進剤であるＭｎ
３ Ｏ４ の添加量を本発明の組成範囲外の低い値（０
．１ ｗｔ％）とした場合も、Ａｇ２ Ｏをかなりの量
（１０ｗｔ％）添加し、かつ８５５ ℃で高温焼成した
にもかかわらず焼結性が悪く、Ｑ、ＩＲの低い焼成物と
なった（試料番号２１）。
３ Ｏ４ の添加量を本発明の組成範囲外の低い値（０
．１ ｗｔ％）とした場合も、Ａｇ２ Ｏをかなりの量
（１０ｗｔ％）添加し、かつ８５５ ℃で高温焼成した
にもかかわらず焼結性が悪く、Ｑ、ＩＲの低い焼成物と
なった（試料番号２１）。
【００３０】（６） 一方、ＣｕＯの添加量を本発明の
組成範囲外の高い値（６．０ ｗｔ％）とした場合、Ａ
ｇ２ Ｏを少量（０．１ ｗｔ％）添加し、かつ ８３
０℃で低温焼成したにもかかわらず素地が半導体化し、
Ｑ、ＩＲの低い焼成物となった（試料番号２０）。
組成範囲外の高い値（６．０ ｗｔ％）とした場合、Ａ
ｇ２ Ｏを少量（０．１ ｗｔ％）添加し、かつ ８３
０℃で低温焼成したにもかかわらず素地が半導体化し、
Ｑ、ＩＲの低い焼成物となった（試料番号２０）。
【００３１】（７） Ｍｎ３ Ｏ４ の添加量を本発明
の組成範囲外の高い値（１５．０ｗｔ％）とした場合も
、Ａｇ２ Ｏを少量（０．１ ｗｔ％）添加し、かつ
８３０℃で低温焼成したにもかかわらず素地が半導体化
し、Ｑ、ＩＲの低い焼成物となった（試料番号２４）。
の組成範囲外の高い値（１５．０ｗｔ％）とした場合も
、Ａｇ２ Ｏを少量（０．１ ｗｔ％）添加し、かつ
８３０℃で低温焼成したにもかかわらず素地が半導体化
し、Ｑ、ＩＲの低い焼成物となった（試料番号２４）。
【００３２】（８） 焼結抑制剤であるＮｉＯの添加量
を本発明組成範囲外の低い値（０．２ ｗｔ％）とした
場合、Ａｇ２ Ｏ少量添加（０．１ ｗｔ％）、かつ低
温焼成（８３０ ℃）でさえ素地が半導体化し、Ｑ、Ｉ
Ｒの低い焼成物となった（試料番号２５）。
を本発明組成範囲外の低い値（０．２ ｗｔ％）とした
場合、Ａｇ２ Ｏ少量添加（０．１ ｗｔ％）、かつ低
温焼成（８３０ ℃）でさえ素地が半導体化し、Ｑ、Ｉ
Ｒの低い焼成物となった（試料番号２５）。
【００３３】（９） 一方、ＮｉＯの添加量を本発明の
組成範囲外の高い値（２５ｗｔ％）とした場合、Ａｇ２
Ｏ多量添加（１０ｗｔ％）、かつ高温焼成（８５５
℃）でさえ焼結性が悪く、Ｑ、ＩＲの低い焼成物となっ
た（試料番号２８）。
組成範囲外の高い値（２５ｗｔ％）とした場合、Ａｇ２
Ｏ多量添加（１０ｗｔ％）、かつ高温焼成（８５５
℃）でさえ焼結性が悪く、Ｑ、ＩＲの低い焼成物となっ
た（試料番号２８）。
【００３４】上述の如く、インダクタ部とコンデンサ部
の焼成温度は ８３０〜８５５ ℃、好ましくは ８４
０℃と等しくすることができ、また昇温、冷却過程もほ
ぼ同一とすることができるために、両者のチップを一体
的に接合して同時に焼結することが可能である。
の焼成温度は ８３０〜８５５ ℃、好ましくは ８４
０℃と等しくすることができ、また昇温、冷却過程もほ
ぼ同一とすることができるために、両者のチップを一体
的に接合して同時に焼結することが可能である。
【００３５】
【表１】
【００３６】
【表２】
【００３７】
【発明の効果】本発明の開発により、従来より低い焼成
温度において、誘電組成物質の完全な焼結が可能となり
、従来問題となっていたインダクタ部のＡｇ内部電極の
素材焼結体への拡散に起因する電極断面の減少が皆無と
なり、従来の複合チップよりコンデンサ部のＱ、ＩＲ値
を向上させることが可能となった。この結果、従来に比
べ高いＱ特性を持つインダクタ、コンデンサの複合部品
を生産することができるようになった。
温度において、誘電組成物質の完全な焼結が可能となり
、従来問題となっていたインダクタ部のＡｇ内部電極の
素材焼結体への拡散に起因する電極断面の減少が皆無と
なり、従来の複合チップよりコンデンサ部のＱ、ＩＲ値
を向上させることが可能となった。この結果、従来に比
べ高いＱ特性を持つインダクタ、コンデンサの複合部品
を生産することができるようになった。
【図１】焼結体チップ製造における、インダクタのグリ
ーンの状態でのシートの構成に関する説明図である。
ーンの状態でのシートの構成に関する説明図である。
【図２】焼結体チップ製造における、インダクタのグリ
ーンの状態でのシートの積層後、切断、焼成、外部電極
形成の過程を示す説明図である。
ーンの状態でのシートの積層後、切断、焼成、外部電極
形成の過程を示す説明図である。
【図３】焼結体チップ製造における、コンデンサのグリ
ーンの状態でのシートの構成に関する説明図である。
ーンの状態でのシートの構成に関する説明図である。
１‥‥グリーンシート片
２‥‥スルーホール
３‥‥導体コイル
４‥‥積層体
５‥‥チップ
６‥‥焼成体
７‥‥外部電極
８‥‥内部電極
Claims (1)
- 【請求項１】 ＣｕＯ（１．０ 〜５．０ ｗｔ％）
、Ｍｎ３ Ｏ４ （０．２ 〜１０ｗｔ％）、ＮｉＯ（
０．５〜１４ｗｔ％）、Ａｇ２ Ｏ（０．１〜１０ｗｔ
％）および残部ＴｉＯ２ からなることを特徴とする誘
電体磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2414422A JPH088198B2 (ja) | 1990-12-26 | 1990-12-26 | セラミックコンデンサ用誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2414422A JPH088198B2 (ja) | 1990-12-26 | 1990-12-26 | セラミックコンデンサ用誘電体磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04225208A true JPH04225208A (ja) | 1992-08-14 |
| JPH088198B2 JPH088198B2 (ja) | 1996-01-29 |
Family
ID=18522906
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2414422A Expired - Lifetime JPH088198B2 (ja) | 1990-12-26 | 1990-12-26 | セラミックコンデンサ用誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH088198B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3746446A (en) * | 1971-05-05 | 1973-07-17 | Computervision Corp | Exposure control system and method for photoplotters |
| KR100464220B1 (ko) * | 2001-09-27 | 2005-01-03 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 적층 세라믹 전자부품의 제조방법 및 적층 세라믹 전자부품 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102113069B (zh) | 2008-07-30 | 2013-03-27 | 太阳诱电株式会社 | 叠层电感器、其制造方法和叠层扼流线圈 |
-
1990
- 1990-12-26 JP JP2414422A patent/JPH088198B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3746446A (en) * | 1971-05-05 | 1973-07-17 | Computervision Corp | Exposure control system and method for photoplotters |
| KR100464220B1 (ko) * | 2001-09-27 | 2005-01-03 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 적층 세라믹 전자부품의 제조방법 및 적층 세라믹 전자부품 |
| US6884308B2 (en) | 2001-09-27 | 2005-04-26 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method of manufacturing monolithic ceramic electronic part and monolithic ceramic electronic part |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH088198B2 (ja) | 1996-01-29 |
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