JP2504725B2 - 誘電体磁器組成物 - Google Patents
誘電体磁器組成物Info
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- JP2504725B2 JP2504725B2 JP2414421A JP41442190A JP2504725B2 JP 2504725 B2 JP2504725 B2 JP 2504725B2 JP 2414421 A JP2414421 A JP 2414421A JP 41442190 A JP41442190 A JP 41442190A JP 2504725 B2 JP2504725 B2 JP 2504725B2
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- sheet
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- inductor
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はＬＣフィルタ、ＬＣトラ
ップとして用いられている複合部品のコンデンサ部を構
成する誘電体磁器組成物に係り、特に低温焼成を可能と
した組成物に関するものである。
ップとして用いられている複合部品のコンデンサ部を構
成する誘電体磁器組成物に係り、特に低温焼成を可能と
した組成物に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】インダクタおよびコンデンサの両機能を
有する複合部品がＬＣフィルタ、ＬＣトラップとして使
用されているが、これらは従来ディスクリート部品によ
り結線して構成されていたフィルタおよびトラップ回路
を１チップ内に集積したものである。すなわち１チップ
内にフェライト内部に銀電極からなるコイルパターンを
形成させたインダクタ部と、誘電体を間に挟んだ銀内部
電極からなるコンデンサ部とを有して構成された複合部
品である。両者を複合させる際にＬＣ共振周波数ｆｏの
温度変化を無くすために、コンデンサ部の主成分に容量
の温度変化率が−600 〜−700ppmであるルチル型ＴｉＯ
2 を用い、インダクタ部にはインダクタンスの温度変化
率が＋600 〜＋700ppmを示すフェライトを選択して使用
している。
有する複合部品がＬＣフィルタ、ＬＣトラップとして使
用されているが、これらは従来ディスクリート部品によ
り結線して構成されていたフィルタおよびトラップ回路
を１チップ内に集積したものである。すなわち１チップ
内にフェライト内部に銀電極からなるコイルパターンを
形成させたインダクタ部と、誘電体を間に挟んだ銀内部
電極からなるコンデンサ部とを有して構成された複合部
品である。両者を複合させる際にＬＣ共振周波数ｆｏの
温度変化を無くすために、コンデンサ部の主成分に容量
の温度変化率が−600 〜−700ppmであるルチル型ＴｉＯ
2 を用い、インダクタ部にはインダクタンスの温度変化
率が＋600 〜＋700ppmを示すフェライトを選択して使用
している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上述のインダクタ部と
コンデンサ部から構成される複合部品を同時焼成して製
造する際に、良好なルチルの焼結性を得るためには、焼
成温度をＡｇがインダクタ部を構成するフェライト内に
溶浸し得る程度の高温にする必要がある。しかしながら
インダクタ内部電極を形成するＡｇがフェライト内に溶
浸すればフェライト中の内部電極の断面積が減少するた
め、直流抵抗（ＲDC）は増加し、Ｑ値の減少をもたらす
結果となる。
コンデンサ部から構成される複合部品を同時焼成して製
造する際に、良好なルチルの焼結性を得るためには、焼
成温度をＡｇがインダクタ部を構成するフェライト内に
溶浸し得る程度の高温にする必要がある。しかしながら
インダクタ内部電極を形成するＡｇがフェライト内に溶
浸すればフェライト中の内部電極の断面積が減少するた
め、直流抵抗（ＲDC）は増加し、Ｑ値の減少をもたらす
結果となる。
【０００４】一方、焼成温度を低くすればルチル型Ｔｉ
Ｏ2 の焼結性を低下させ、コンデンサ部のＱ値の減少、
ＩＲの低下をもたらすことになる。
Ｏ2 の焼結性を低下させ、コンデンサ部のＱ値の減少、
ＩＲの低下をもたらすことになる。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、斯る課題
を解決するために鋭意研究の結果、コンデンサ部を構成
する組成中に酸化銀（Ａｇ2 Ｏ）を0.1 〜10wt％含有さ
せることにより焼成温度を 830〜855 ℃に降下させるこ
とができ、さらにＣｕＯ、Ｍｎ3 Ｏ4 が焼結の促進剤と
なることを見出したのである。
を解決するために鋭意研究の結果、コンデンサ部を構成
する組成中に酸化銀（Ａｇ2 Ｏ）を0.1 〜10wt％含有さ
せることにより焼成温度を 830〜855 ℃に降下させるこ
とができ、さらにＣｕＯ、Ｍｎ3 Ｏ4 が焼結の促進剤と
なることを見出したのである。
【０００６】
【作用】本発明におけるＡｇ2 Ｏ添加の作用効果は次の
ようなものと考えられる。Ａｇ2 Ｏは 121℃、 0.2気圧
で解離する（２Ａｇ2 Ｏ→４Ａｇ＋Ｏ2 ）。一方、大気
中の酸素の分圧は 0.2気圧であるため、Ａｇ2 Ｏは大気
中でこの温度以上に保つときは分解してＡｇを遊離す
る。
ようなものと考えられる。Ａｇ2 Ｏは 121℃、 0.2気圧
で解離する（２Ａｇ2 Ｏ→４Ａｇ＋Ｏ2 ）。一方、大気
中の酸素の分圧は 0.2気圧であるため、Ａｇ2 Ｏは大気
中でこの温度以上に保つときは分解してＡｇを遊離す
る。
【０００７】ＣｕＯ、ＴｉＯ2 にＡｇ2 Ｏを添加して焼
結した場合、Ａｇ2 ＯがＡｇとＯ2 に解離する際にＡｇ
2 Ｏ粉末は酸素の噴出によりその表面はボイド状態の激
しい粒子粉末となり、ＣｕＯ、ＴｉＯ2 の焼結性を活性
化する結果、ＣｕＯ、ＴｉＯ2 のみの場合より、比較的
低温で焼結することになる。
結した場合、Ａｇ2 ＯがＡｇとＯ2 に解離する際にＡｇ
2 Ｏ粉末は酸素の噴出によりその表面はボイド状態の激
しい粒子粉末となり、ＣｕＯ、ＴｉＯ2 の焼結性を活性
化する結果、ＣｕＯ、ＴｉＯ2 のみの場合より、比較的
低温で焼結することになる。
【０００８】一方、ＣｕＯは高温においてＣｕ2 Ｏに還
元され、Ａｇ2 Ｏの場合と同様Ｃｕ2 Ｏ粒子表面は激し
いボイド状態を呈すると共に、ＡｇがＣｕ2 Ｏを固溶す
ればＡｇの融点は 963℃から 941℃まで下降することと
相まって、焼結性の活性化と共に焼結温度は下降するも
のと推測される。
元され、Ａｇ2 Ｏの場合と同様Ｃｕ2 Ｏ粒子表面は激し
いボイド状態を呈すると共に、ＡｇがＣｕ2 Ｏを固溶す
ればＡｇの融点は 963℃から 941℃まで下降することと
相まって、焼結性の活性化と共に焼結温度は下降するも
のと推測される。
【０００９】上述の理由により本発明に従って誘電体磁
器組成物にＡｇ2 Ｏを添加配合することにより、従来品
より低温度で焼結しても電気特性が同等またはそれ以上
を示す焼結体が得られることになる。
器組成物にＡｇ2 Ｏを添加配合することにより、従来品
より低温度で焼結しても電気特性が同等またはそれ以上
を示す焼結体が得られることになる。
【００１０】以下実施例により本発明をさらに説明す
る。
る。
【００１１】
【実施例】１．インダクタ部の作製 市販のＦｅ2 Ｏ3 、ＣｕＯ、ＮｉＯ、ＺｎＯを用いた
Ｆｅ2 Ｏ3 ：50モル％、ＣｕＯ：20モル％、ＮｉＯ：20
モル％、ＺｎＯ：10モル％からなる混合物 100重量部
を、水 200重量部およびメディアとしてのウレタン玉石
と共にボールミルに装入し、15時間湿式混合を行った。
このスラリーを乾燥後、大気中 750℃、１時間仮焼し、
得られた仮焼物 100重量部に対し、再び水 200重量部を
加え、ウレタン玉石をメディアとしてボールミルにより
15時間粉砕し、乾燥してインダクタ用の原料粉末を得
た。
Ｆｅ2 Ｏ3 ：50モル％、ＣｕＯ：20モル％、ＮｉＯ：20
モル％、ＺｎＯ：10モル％からなる混合物 100重量部
を、水 200重量部およびメディアとしてのウレタン玉石
と共にボールミルに装入し、15時間湿式混合を行った。
このスラリーを乾燥後、大気中 750℃、１時間仮焼し、
得られた仮焼物 100重量部に対し、再び水 200重量部を
加え、ウレタン玉石をメディアとしてボールミルにより
15時間粉砕し、乾燥してインダクタ用の原料粉末を得
た。
【００１２】得られた原料粉末に樹脂バインダーを加え
て混練し、ドクターブレード法によりセラミックシート
を作製した。図１および図２にこのグリーンシートを用
いたインダクタ用積層チップの製作法を図示する。
て混練し、ドクターブレード法によりセラミックシート
を作製した。図１および図２にこのグリーンシートを用
いたインダクタ用積層チップの製作法を図示する。
【００１３】すなわち、図１に示すグリーンシート１の
（Ａ）の位置、（Ｂ）の位置、（Ｄ）の位置にそれぞれ
穿孔機でスルーホール２を開けたものを各２枚、並びに
同グリーンシートの（Ｃ）の位置にスルーホールを開け
たものを３枚用意した。次に、パターンの端部がスルー
ホールにかかるように（Ａ）のシート上に（Ｅ）パター
ンを印刷したものを２枚、（Ｂ）のシート上に（Ｆ）パ
ターンを印刷したものを２枚、（Ｃ）のシート上に
（Ｇ）パターンを印刷したものを２枚と（Ｉ）パターン
を印刷したものを１枚、（Ｄ）のシート上に（Ｈ）パタ
ーンを印刷したものを２枚およびスルーホールの無いシ
ート上に（Ｊ）パターンを印刷したものを１枚それぞれ
用意した。上記Ａｇ電極ペーストはスクリーン印刷法に
より印刷した。各シートは表面および裏面が導通するよ
うにスルーホールにＡｇ電極ペーストを埋め込み、ペー
ストの乾燥後、図２の（ａ）および（ｆ）に示す如く、
上からＩ→Ｆ→Ｅ→Ｈ→Ｇ→Ｆ→Ｅ→Ｈ→Ｇ→Ｉの順に
グリーンシートを積み重ね、その上部に電極パターンの
無いシートを３枚、下部に２枚重ね、120 ℃に加熱保持
し、圧力300kg/cm2 に加圧して熱圧着し、これを図２
（ｂ）に示す形状に切断した。得られたチップ状インダ
クタ内部には７ターン分のコイルが構成された。
（Ａ）の位置、（Ｂ）の位置、（Ｄ）の位置にそれぞれ
穿孔機でスルーホール２を開けたものを各２枚、並びに
同グリーンシートの（Ｃ）の位置にスルーホールを開け
たものを３枚用意した。次に、パターンの端部がスルー
ホールにかかるように（Ａ）のシート上に（Ｅ）パター
ンを印刷したものを２枚、（Ｂ）のシート上に（Ｆ）パ
ターンを印刷したものを２枚、（Ｃ）のシート上に
（Ｇ）パターンを印刷したものを２枚と（Ｉ）パターン
を印刷したものを１枚、（Ｄ）のシート上に（Ｈ）パタ
ーンを印刷したものを２枚およびスルーホールの無いシ
ート上に（Ｊ）パターンを印刷したものを１枚それぞれ
用意した。上記Ａｇ電極ペーストはスクリーン印刷法に
より印刷した。各シートは表面および裏面が導通するよ
うにスルーホールにＡｇ電極ペーストを埋め込み、ペー
ストの乾燥後、図２の（ａ）および（ｆ）に示す如く、
上からＩ→Ｆ→Ｅ→Ｈ→Ｇ→Ｆ→Ｅ→Ｈ→Ｇ→Ｉの順に
グリーンシートを積み重ね、その上部に電極パターンの
無いシートを３枚、下部に２枚重ね、120 ℃に加熱保持
し、圧力300kg/cm2 に加圧して熱圧着し、これを図２
（ｂ）に示す形状に切断した。得られたチップ状インダ
クタ内部には７ターン分のコイルが構成された。
【００１４】次にこのインダクタ用積層体を大気雰囲気
中で10℃/minの昇温速度で昇温し、500 ℃に10分間保持
して後、10℃/minの冷却速度で室温まで冷却して脱バイ
ンダ処理を行った。次いでこれを 5℃/minの昇温速度で
840℃まで昇温し、１時間保持した後 5℃/minの冷却速
度で室温まで冷却した。得られた焼結体に市販の外部電
極用Ａｇペーストを内部電極露出面上に塗布し、大気中
800℃で10分間焼き付けチップ状積層インダクタを得た
（焼結体形状寸法 3.2×1.6mm ）。
中で10℃/minの昇温速度で昇温し、500 ℃に10分間保持
して後、10℃/minの冷却速度で室温まで冷却して脱バイ
ンダ処理を行った。次いでこれを 5℃/minの昇温速度で
840℃まで昇温し、１時間保持した後 5℃/minの冷却速
度で室温まで冷却した。得られた焼結体に市販の外部電
極用Ａｇペーストを内部電極露出面上に塗布し、大気中
800℃で10分間焼き付けチップ状積層インダクタを得た
（焼結体形状寸法 3.2×1.6mm ）。
【００１５】次に、焼結温度を 810℃、830 ℃、840
℃、855 ℃、880 ℃の５水準とした以外は前述の製作工
程、条件をすべて同じにしてチップ状積層インダクタを
製作し、それらの各々につき電気特性を測定した。その
結果を下記の表に示す。この表より試料番号１および５
の焼成体のＱ値が低下していることがわかる。
℃、855 ℃、880 ℃の５水準とした以外は前述の製作工
程、条件をすべて同じにしてチップ状積層インダクタを
製作し、それらの各々につき電気特性を測定した。その
結果を下記の表に示す。この表より試料番号１および５
の焼成体のＱ値が低下していることがわかる。
【００１６】 （Ｑ値の実用レベル35以上）
【００１７】830℃より低い温度で焼成した場合は、得
られたインダクタの焼結が不完全なために焼結密度が低
下し、電気特性が劣化する。一方、 855℃より高い温度
で焼成すればインダクタ内部のＡｇ電極の表面が焼結体
セラミックに反応吸収される結果、該電極の断面積が縮
小して、電極の電気抵抗が増加し、Ｑ値が低下したと考
えられる。すなわち、インダクタの焼成温度はＱ値の実
用レベルが35以上であるため、 830〜855 ℃の範囲内で
なければならず、 840℃の近傍が最適温度である。した
がって、複合部品としてのＬＣフィルタ、ＬＣトラップ
等を同時焼成するためには、 830〜855 ℃の範囲で良好
な電気特性を持つコンデンサを焼成できなければならな
い。
られたインダクタの焼結が不完全なために焼結密度が低
下し、電気特性が劣化する。一方、 855℃より高い温度
で焼成すればインダクタ内部のＡｇ電極の表面が焼結体
セラミックに反応吸収される結果、該電極の断面積が縮
小して、電極の電気抵抗が増加し、Ｑ値が低下したと考
えられる。すなわち、インダクタの焼成温度はＱ値の実
用レベルが35以上であるため、 830〜855 ℃の範囲内で
なければならず、 840℃の近傍が最適温度である。した
がって、複合部品としてのＬＣフィルタ、ＬＣトラップ
等を同時焼成するためには、 830〜855 ℃の範囲で良好
な電気特性を持つコンデンサを焼成できなければならな
い。
【００１８】２．コンデンサ部の作製 市販のＴｉＯ2 、ＣｕＯ、Ｍｎ3 Ｏ4 、ＮｉＯおよび
Ａｌ−Ｓｉ−Ｂ−Ｎａ−Ｚｒ系ガラスを用いて配合した
組成物にＡｇ2 Ｏを添加した混合粉を原料とした。その
混合割合は、ＴｉＯ2 ：87wt％、ＣｕＯ：3.0 wt％、Ｍ
ｎ3 Ｏ4 ：1.0 wt％、ＮｉＯ：3.0 wt％、Ａｇ2 Ｏ：1.
0 wt％、ガラス：5.0 wt％である。この混合粉100 重量
部に対して水 200重量部とメディアとしてのアルミナボ
ールを加え、ボールミルにより15時間湿式混合を行っ
た。このスラリーを乾燥後大気中 750℃、２時間仮焼し
た。得られた仮焼塊100 重量部に対し、水 200重量部を
加え、再度アルミナボールを加えボールミルにより15時
間粉砕し、乾燥してコンデンサ用原料粉末を得た。
Ａｌ−Ｓｉ−Ｂ−Ｎａ−Ｚｒ系ガラスを用いて配合した
組成物にＡｇ2 Ｏを添加した混合粉を原料とした。その
混合割合は、ＴｉＯ2 ：87wt％、ＣｕＯ：3.0 wt％、Ｍ
ｎ3 Ｏ4 ：1.0 wt％、ＮｉＯ：3.0 wt％、Ａｇ2 Ｏ：1.
0 wt％、ガラス：5.0 wt％である。この混合粉100 重量
部に対して水 200重量部とメディアとしてのアルミナボ
ールを加え、ボールミルにより15時間湿式混合を行っ
た。このスラリーを乾燥後大気中 750℃、２時間仮焼し
た。得られた仮焼塊100 重量部に対し、水 200重量部を
加え、再度アルミナボールを加えボールミルにより15時
間粉砕し、乾燥してコンデンサ用原料粉末を得た。
【００１９】次に、原料粉末に樹脂バインダを加えて混
練し、ドクターブレード法によりセラミックシートを作
製した。図３にこのグリーンシートを用いたコンデンサ
用積層チップの製作法を図示する。ただし、この図はグ
リーンシートを切断した１チップ内の内部構造を示すも
のである。
練し、ドクターブレード法によりセラミックシートを作
製した。図３にこのグリーンシートを用いたコンデンサ
用積層チップの製作法を図示する。ただし、この図はグ
リーンシートを切断した１チップ内の内部構造を示すも
のである。
【００２０】グリーンシート１の片面に市販の内部電極
Ａｇペースト８を印刷し、乾燥した。このグリーンシー
トの印刷面が印刷パターンの長手方向にずれるように交
互に３枚ずつ計６枚積層し、さらにその上下に１枚ずつ
Ａｇペーストを印刷していないグリーンシートをを重
ね、120 ℃、300kg/cm2 で熱間圧着を行い、切断してチ
ップとした。
Ａｇペースト８を印刷し、乾燥した。このグリーンシー
トの印刷面が印刷パターンの長手方向にずれるように交
互に３枚ずつ計６枚積層し、さらにその上下に１枚ずつ
Ａｇペーストを印刷していないグリーンシートをを重
ね、120 ℃、300kg/cm2 で熱間圧着を行い、切断してチ
ップとした。
【００２１】次に、このチップを大気中10℃/minの昇温
速度で室温から 500℃まで昇温し、500 ℃に10分間保持
した後10℃/minの冷却速度で室温まで冷却して脱バイン
ダ処理を行った。脱バインダ処理後のチップを 5℃/min
の昇温速度で 840℃に昇温し、１時間保持した後 5℃/m
inの冷却速度で室温まで冷却した。得られた焼結体に市
販の外部電極用Ａｇペーストを内部電極露出面に塗布
し、大気中 800℃で10分間焼き付け、チップ状の焼結体
積層コンデンサを得た（焼結体チップの寸法 3.2×1.6
mm）。
速度で室温から 500℃まで昇温し、500 ℃に10分間保持
した後10℃/minの冷却速度で室温まで冷却して脱バイン
ダ処理を行った。脱バインダ処理後のチップを 5℃/min
の昇温速度で 840℃に昇温し、１時間保持した後 5℃/m
inの冷却速度で室温まで冷却した。得られた焼結体に市
販の外部電極用Ａｇペーストを内部電極露出面に塗布
し、大気中 800℃で10分間焼き付け、チップ状の焼結体
積層コンデンサを得た（焼結体チップの寸法 3.2×1.6
mm）。
【００２２】さらに原料組成と焼成温度が製品の電気特
性に及ぼす影響を調べるため、出発原料組成と焼成温度
を変えたこと以外は上述と全く同じ工程により焼成積層
チップを製作した。その結果を表１、表２、表３、表
４、表５および表６に総括して示す。同表中のガラス組
成は下記の通りである。
性に及ぼす影響を調べるため、出発原料組成と焼成温度
を変えたこと以外は上述と全く同じ工程により焼成積層
チップを製作した。その結果を表１、表２、表３、表
４、表５および表６に総括して示す。同表中のガラス組
成は下記の通りである。
【００２３】 ガラスＡ組成：Ｎａ−Ｚｒ−Ａｌ−Ｓｉ−Ｂ系 ガラスＢ組成：Ｎａ−Ｂａ−Ｃａ−Ａｌ−Ｓｉ−Ｂ系 ガラスＣ組成：Ｂｉ−Ｚｒ−Ａｌ−Ｓｉ−Ｂ系 ガラスＤ組成：Ｐｂ−Ｚｒ−Ａｌ−Ｓｉ−Ｂ系
【００２４】ここで必要とする電気特性は、Ｑは1,000
以上、ＩＲは 1×104 ＭΩ以上である。
以上、ＩＲは 1×104 ＭΩ以上である。
【００２５】表１〜表６の結果を分析して下記の知見が
得られた。
得られた。
【００２６】(1) 特許請求の範囲に明記した組成の配合
物（試料番号6〜8 、10、11、14、15、18、19、22、2
3、26、27、30、31、34、35、38、39、42、43）を 830
〜855 ℃の温度で焼成した場合は、常にＱ、ＩＲとも良
好な焼成物（コンデンサ）が得られた。
物（試料番号6〜8 、10、11、14、15、18、19、22、2
3、26、27、30、31、34、35、38、39、42、43）を 830
〜855 ℃の温度で焼成した場合は、常にＱ、ＩＲとも良
好な焼成物（コンデンサ）が得られた。
【００２７】(2) Ａｇ2 Ｏの添加量を本発明の組成範囲
外の低い値（0.05wt％）とした場合、855 ℃の焼成では
Ｑ、ＩＲとも良好な焼成物が得られたが（試料番号1
3）、 830℃の低温焼成では、焼結性が悪いため、Ｑ、
ＩＲの低い焼成物となった（試料番号9)。
外の低い値（0.05wt％）とした場合、855 ℃の焼成では
Ｑ、ＩＲとも良好な焼成物が得られたが（試料番号1
3）、 830℃の低温焼成では、焼結性が悪いため、Ｑ、
ＩＲの低い焼成物となった（試料番号9)。
【００２８】(3) 一方、逆にＡｇ2 Ｏの添加量を本発明
の組成範囲外の高い値（12wt％）とした場合、 830℃の
低温焼成ではＱ、ＩＲとも良好な焼成物が得られたが
（試料番号12）、 855℃の高温焼成では、素地が半導体
化し、Ｑ、ＩＲの低い焼成物となった（試料番号16）。
の組成範囲外の高い値（12wt％）とした場合、 830℃の
低温焼成ではＱ、ＩＲとも良好な焼成物が得られたが
（試料番号12）、 855℃の高温焼成では、素地が半導体
化し、Ｑ、ＩＲの低い焼成物となった（試料番号16）。
【００２９】(4) 焼結促進剤であるＣｕＯの添加量を本
発明の組成範囲外の低い値（0.5wt ％）とした場合、Ａ
ｇ2 Ｏを多量（10wt％）添加し、かつ 855℃で高温焼成
したにもかかわらず焼結性が悪く、Ｑ、ＩＲの低い焼結
物が得られた（試料番号17）。
発明の組成範囲外の低い値（0.5wt ％）とした場合、Ａ
ｇ2 Ｏを多量（10wt％）添加し、かつ 855℃で高温焼成
したにもかかわらず焼結性が悪く、Ｑ、ＩＲの低い焼結
物が得られた（試料番号17）。
【００３０】(5) もう１つの焼結促進剤であるＭｎ3 Ｏ
4 の添加量を本発明の組成範囲外の低い値（0.1 wt％）
とした場合も、Ａｇ2 Ｏをかなりの量（5.0 wt％）添加
し、かつ 855℃で高温焼成したにもかかわらず焼結性が
悪く、Ｑ、ＩＲの低い焼成物となった（試料番号21）。
4 の添加量を本発明の組成範囲外の低い値（0.1 wt％）
とした場合も、Ａｇ2 Ｏをかなりの量（5.0 wt％）添加
し、かつ 855℃で高温焼成したにもかかわらず焼結性が
悪く、Ｑ、ＩＲの低い焼成物となった（試料番号21）。
【００３１】(6) 一方、ＣｕＯの添加量を本発明の組成
範囲外の高い値（6.0 wt％）とした場合、Ａｇ2 Ｏを少
量（0.1 wt％）添加し、かつ 830℃で低温焼成したにも
かかわらず素地が半導体化し、Ｑ、ＩＲの低い焼成物と
なった（試料番号20）。
範囲外の高い値（6.0 wt％）とした場合、Ａｇ2 Ｏを少
量（0.1 wt％）添加し、かつ 830℃で低温焼成したにも
かかわらず素地が半導体化し、Ｑ、ＩＲの低い焼成物と
なった（試料番号20）。
【００３２】(7) Ｍｎ3 Ｏ4 の添加量を本発明の組成範
囲外の高い値（15.0wt％）とした場合も、Ａｇ2 Ｏを少
量（0.1 wt％）添加し、かつ 830℃で低温焼成したにも
かかわらず素地が半導体化し、Ｑ、ＩＲの低い焼成物と
なった（試料番号24）。
囲外の高い値（15.0wt％）とした場合も、Ａｇ2 Ｏを少
量（0.1 wt％）添加し、かつ 830℃で低温焼成したにも
かかわらず素地が半導体化し、Ｑ、ＩＲの低い焼成物と
なった（試料番号24）。
【００３３】(8) 焼結抑制剤であるＮｉＯの添加量を本
発明組成範囲外の低い値（0.2 wt％）とした場合、Ａｇ
2 Ｏ少量添加（0.1 wt％）、かつ低温焼成（830 ℃）で
さえ素地が半導体化し、Ｑ、ＩＲの低い焼成物となった
（試料番号25）。
発明組成範囲外の低い値（0.2 wt％）とした場合、Ａｇ
2 Ｏ少量添加（0.1 wt％）、かつ低温焼成（830 ℃）で
さえ素地が半導体化し、Ｑ、ＩＲの低い焼成物となった
（試料番号25）。
【００３４】(9) 一方、ＮｉＯの添加量を本発明の組成
範囲外の高い値（20wt％）とした場合、Ａｇ2 Ｏ多量添
加（10wt％）、かつ高温焼成（855 ℃）でさえ焼結性が
悪く、Ｑ、ＩＲの低い焼成物となった（試料番号28）。
範囲外の高い値（20wt％）とした場合、Ａｇ2 Ｏ多量添
加（10wt％）、かつ高温焼成（855 ℃）でさえ焼結性が
悪く、Ｑ、ＩＲの低い焼成物となった（試料番号28）。
【００３５】(10)別の焼結抑制剤であるガラスの添加量
を本発明組成範囲外の低い値（0.05wt％）とした場合、
Ａｇ2 Ｏ少量添加（0.1 wt％）、かつ低温焼成（830
℃）でさえ、素地が半導体化し、Ｑ、ＩＲの低い焼成物
となった（試料番号29、33、37、41）。
を本発明組成範囲外の低い値（0.05wt％）とした場合、
Ａｇ2 Ｏ少量添加（0.1 wt％）、かつ低温焼成（830
℃）でさえ、素地が半導体化し、Ｑ、ＩＲの低い焼成物
となった（試料番号29、33、37、41）。
【００３６】(11)逆に、ガラスの添加量を本発明組成範
囲外の高い値（30wt％）とした場合、Ａｇ2 Ｏ多量添加
（10wt％）、かつ高温焼成（855 ℃）でさえ、焼結性が
悪く、Ｑ、ＩＲの低い焼成物となった（試料番号32、3
6、40、44）。
囲外の高い値（30wt％）とした場合、Ａｇ2 Ｏ多量添加
（10wt％）、かつ高温焼成（855 ℃）でさえ、焼結性が
悪く、Ｑ、ＩＲの低い焼成物となった（試料番号32、3
6、40、44）。
【００３７】上述の如く、インダクタ部とコンデンサ部
の焼成温度は 830〜855 ℃、好ましくは 840℃と等しく
することができ、また昇温、冷却過程もほぼ同一とする
ことができるために、両者のチップを一体的に接合して
同時に焼結することが可能である。
の焼成温度は 830〜855 ℃、好ましくは 840℃と等しく
することができ、また昇温、冷却過程もほぼ同一とする
ことができるために、両者のチップを一体的に接合して
同時に焼結することが可能である。
【００３８】
【表１】
【００３９】
【表２】
【００４０】
【表３】
【００４１】
【表４】
【００４２】
【表５】
【００４３】
【表６】
【００４４】
【発明の効果】本発明の開発により、従来より低い焼成
温度において、誘電組成物質の完全な焼結が可能とな
り、従来問題となっていたインダクタ部のＡｇ内部電極
の素材焼結体への拡散に起因する電極断面の減少が皆無
となり、従来の複合チップよりコンデンサ部のＱ、ＩＲ
値を向上させることが可能となった。この結果、従来に
比べ高いＱ特性を持つインダクタ、コンデンサの複合部
品を生産することができるようになった。
温度において、誘電組成物質の完全な焼結が可能とな
り、従来問題となっていたインダクタ部のＡｇ内部電極
の素材焼結体への拡散に起因する電極断面の減少が皆無
となり、従来の複合チップよりコンデンサ部のＱ、ＩＲ
値を向上させることが可能となった。この結果、従来に
比べ高いＱ特性を持つインダクタ、コンデンサの複合部
品を生産することができるようになった。
【図１】焼結体チップ製造における、インダクタのグリ
ーンの状態でのシートの構成に関する説明図である。
ーンの状態でのシートの構成に関する説明図である。
【図２】焼結体チップ製造における、インダクタのグリ
ーンの状態でのシートの積層後、切断、焼成、外部電極
形成の過程を示す説明図である。
ーンの状態でのシートの積層後、切断、焼成、外部電極
形成の過程を示す説明図である。
【図３】焼結体チップ製造における、コンデンサのグリ
ーンの状態でのシートの構成に関する説明図である。
ーンの状態でのシートの構成に関する説明図である。
１‥‥グリーンシート片 ２‥‥スルーホール ３‥‥導体コイル ４‥‥積層体 ５‥‥チップ ６‥‥焼成体 ７‥‥外部電極 ８‥‥内部電極
Claims (1)
- 【請求項１】 ＣｕＯ（1.0 〜5.0 wt％）、Ｍｎ3 Ｏ4
（0.2 〜10wt％）、ＮｉＯ(0.5〜14wt％）およびＡｌ−
Ｓｉ−Ｂを必須成分としてＮａ、Ｚｒ、Ｂａ、Ｃａ、Ｂ
ｉ、Ｐｂから選ばれる少なくとも１元素を含有するガラ
ス(0.1〜20wt％）、Ａｇ2 Ｏ(0.1〜10wt％）、残部Ｔｉ
Ｏ2 からなることを特徴とする誘電体磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2414421A JP2504725B2 (ja) | 1990-12-26 | 1990-12-26 | 誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2414421A JP2504725B2 (ja) | 1990-12-26 | 1990-12-26 | 誘電体磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04229504A JPH04229504A (ja) | 1992-08-19 |
| JP2504725B2 true JP2504725B2 (ja) | 1996-06-05 |
Family
ID=18522905
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2414421A Expired - Lifetime JP2504725B2 (ja) | 1990-12-26 | 1990-12-26 | 誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2504725B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010013843A1 (ja) * | 2008-07-30 | 2010-02-04 | 太陽誘電株式会社 | 積層インダクタ、その製造方法、及び積層チョークコイル |
-
1990
- 1990-12-26 JP JP2414421A patent/JP2504725B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010013843A1 (ja) * | 2008-07-30 | 2010-02-04 | 太陽誘電株式会社 | 積層インダクタ、その製造方法、及び積層チョークコイル |
| KR101282025B1 (ko) * | 2008-07-30 | 2013-07-04 | 다이요 유덴 가부시키가이샤 | 적층 인덕터, 그 제조 방법 및 적층 초크 코일 |
| JP5281090B2 (ja) * | 2008-07-30 | 2013-09-04 | 太陽誘電株式会社 | 積層インダクタ、その製造方法、及び積層チョークコイル |
| US8587400B2 (en) | 2008-07-30 | 2013-11-19 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Laminated inductor, method for manufacturing the laminated inductor, and laminated choke coil |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04229504A (ja) | 1992-08-19 |
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