JPS6197187A - 単結晶引上装置用不活性ガス回収装置 - Google Patents
単結晶引上装置用不活性ガス回収装置Info
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- JPS6197187A JPS6197187A JP21809484A JP21809484A JPS6197187A JP S6197187 A JPS6197187 A JP S6197187A JP 21809484 A JP21809484 A JP 21809484A JP 21809484 A JP21809484 A JP 21809484A JP S6197187 A JPS6197187 A JP S6197187A
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- single crystal
- sio
- vacuum pump
- inert gas
- pulling device
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
［発明の技術分野］
本発明はシリコン等の単結晶引上装置に用いられる不活
性ガスの回収装置に関する。 ［発明の技術的背景とその問題伍］ シリコン単結晶の製造方法としてはチ璽りラルスキー法
が知られている。このチ茸りラルスキー法はチャンバー
内にルツボを回転自在に支持した引上装置を用い、チャ
ンバー内に例えばアルゴン等の不活性ガスを流しながら
減圧下でルツボ内に装填した多結晶シリコン原料及び不
純物をヒーターにより溶融し、この溶融シリコンに上方
から吊下された種結晶を浸してこれを引上げることによ
り種結晶と同方位を有するシリコン単結晶を引上げ成長
させるものである。 従来、チャンバー内に流されるアルゴン等の不活性ガス
はそのまま廃棄されていたが、このような不活性ガスは
高価であるため回収することが要望されている。不活性
ガスを回収するためには。 引上装置内で溶融シリコンと石英ガラスルツボとの反応
により発生するＳｉＯを除去することが般も重要となる
。 単結晶引上装置用の不活性ガス回収装置としては、まず
第３図に示すような装置が考えられた。 第３図において、引上装ｍｌには油回転式の真空ポンプ
（ロータリーポンプ）２．フィルター３及び精製装置４
が順次接続され、これらによって引上装置１内に流され
る不活性ガスの循環系が形成されている。 １７かし、第３図図示の装置では真空ポンプ２からオイ
ルミストが発生し、このオイルミストと引土装２１から
のＳｉＯとを同時にフィルター３で除去しなければなら
ないため、フィルター３が目詰まりを起し易く、Ｍ繁に
フィルター３を交換しなければならない、また、オイル
ミストが分解してＣＨａ 、 ＣＯ、ＣＯ２となると、
精製が極めて困難となり、精製装！ｔ４が大規模なもの
となる。 しかも、これらのＣＨ４，Ｃｏ、Ｃｏ２等のガスが引上
装置ｌｌ内に入ると、単結晶の品質に悪影響を及ぼす。 ［発明の目的］ 本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、引上装
置内の単結晶の品質を悪化させることなく引上装置内に
流される不活性ガスを回収し得る単結晶引上装置用不活
性ガス回収装置を提供しようとするものである。
性ガスの回収装置に関する。 ［発明の技術的背景とその問題伍］ シリコン単結晶の製造方法としてはチ璽りラルスキー法
が知られている。このチ茸りラルスキー法はチャンバー
内にルツボを回転自在に支持した引上装置を用い、チャ
ンバー内に例えばアルゴン等の不活性ガスを流しながら
減圧下でルツボ内に装填した多結晶シリコン原料及び不
純物をヒーターにより溶融し、この溶融シリコンに上方
から吊下された種結晶を浸してこれを引上げることによ
り種結晶と同方位を有するシリコン単結晶を引上げ成長
させるものである。 従来、チャンバー内に流されるアルゴン等の不活性ガス
はそのまま廃棄されていたが、このような不活性ガスは
高価であるため回収することが要望されている。不活性
ガスを回収するためには。 引上装置内で溶融シリコンと石英ガラスルツボとの反応
により発生するＳｉＯを除去することが般も重要となる
。 単結晶引上装置用の不活性ガス回収装置としては、まず
第３図に示すような装置が考えられた。 第３図において、引上装ｍｌには油回転式の真空ポンプ
（ロータリーポンプ）２．フィルター３及び精製装置４
が順次接続され、これらによって引上装置１内に流され
る不活性ガスの循環系が形成されている。 １７かし、第３図図示の装置では真空ポンプ２からオイ
ルミストが発生し、このオイルミストと引土装２１から
のＳｉＯとを同時にフィルター３で除去しなければなら
ないため、フィルター３が目詰まりを起し易く、Ｍ繁に
フィルター３を交換しなければならない、また、オイル
ミストが分解してＣＨａ 、 ＣＯ、ＣＯ２となると、
精製が極めて困難となり、精製装！ｔ４が大規模なもの
となる。 しかも、これらのＣＨ４，Ｃｏ、Ｃｏ２等のガスが引上
装置ｌｌ内に入ると、単結晶の品質に悪影響を及ぼす。 ［発明の目的］ 本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、引上装
置内の単結晶の品質を悪化させることなく引上装置内に
流される不活性ガスを回収し得る単結晶引上装置用不活
性ガス回収装置を提供しようとするものである。
本発明の午結晶引上装置用不活性ガス回収装置は、＊結
晶引上装置に液封式真空ポンプ及び精製装置を接続し、
引上装置内に流される不活性ガスの＠環系を形成したこ
とを特徴とするものである。 このような単結晶用Ｊ：、装置用不活性ガス回収装置に
よれば、液封式真空ポンプの封液によりＳｔＯを除去す
ることができるので、フィルターを設ける必要がなく、
また油回転式の真空ポンプを用いる場合のようにオイル
ミストが発生することがないので、オイルミストが分解
して生成する各種のガスによる精製装置の大型化及び単
結晶の品質悪化を防止することができる。 なお、油回転式の真空ポンプと同等の高真空度を得るに
は液封式の真空ポンプの前段にガスエゼクタあるいはメ
カニカルブースターを設置することが望ましい。 ［発明の実施例］ 以下１本発明の実施例を第１図を参照して説明する。 第１図において、シリコン単結晶引上装置１１には水封
式真空ポンプ１２及び精製５２ｉ１３が順次接続され、
引と装置ｌｌ内に流されるアルゴンガスの循環系が形成
されている。 前記水封式真空ポンプ１２では引上装Ｗ１１１から吸引
したＳＩＯ微粉を含有するアルゴンガスを水と接触させ
ることによりＳｉＯ微粉を除去する。なお、この水封式
真空ポンプ１２内ではアルゴンガス中へ水に溶存してい
る０２、Ｎ２が条件によっては数ｐｐｍ〜２％程度混入
する。また。 ０２、Ｎ２は循環系の途中からもごく微陽混入してくる
。Ｎ２ガスはシリコン単結晶引上には特に影響はないが
、０２は引Ｊ：装２１１１中でのＳｉＯ発生及びシリコ
ン単結晶の結晶欠陥発生の原因となるので好ましくない
０次に、精製装置１３内ではアルゴンガス中に含まれる
ｏ、、Ｎ、のうち特に０２を例えば触媒等により５０ｐ
ｐｍ以下程度にまで除去する。この結果、引上装置ｌｌ
には高純度のアルゴンガスが循環される。 このような単結晶引上装置用不活性ガス回収装置によれ
ば、水封式真空ポンプ１１の月末によりＳｉＯを除去す
ることができるので、フィルターを設ける必要がなく、
また油回転式の真空ポンプを用いる場合のようにオイル
ミストが発生することがないので、オイルミストが分解
して生成するＣＨ，、Ｃｏ、ｃｏ２等のガスによる精製
装置１３の大型化及びシリコン単結晶の品質悪化を防止
することができる。 なお、第２図に示す如く水封式真空ポンプ１２には濾過
装ご１４及び冷却装！１１５を順次接続して封水の循環
系を形成してもよい、この循環系では濾過１１ｔ；５１
１４によりＳ１０微粉を含む水からＳｉＯが除去され、
この水は冷却装ａ１１５により冷却されて再び水封式真
空ポンプ１２に供給される。この循環系においては水と
空気とを接触させないようにじ、水へのｏ、、Ｎ、の溶
存を極力防止することが望ましい。 〔発明の効果］ 以上詳述した如く本発明の単結晶引上装置用不活性ガス
回収装置によれば、装置の大型化や単結晶の品質悪化を
招くことなく引上装置に流される不活性ガスを高純度で
回収し、４引上装置に循Ｅｌ ｔ−ることができ、コス
トを低減し得る等ｊｌ著な効果を奏するものである。
晶引上装置に液封式真空ポンプ及び精製装置を接続し、
引上装置内に流される不活性ガスの＠環系を形成したこ
とを特徴とするものである。 このような単結晶用Ｊ：、装置用不活性ガス回収装置に
よれば、液封式真空ポンプの封液によりＳｔＯを除去す
ることができるので、フィルターを設ける必要がなく、
また油回転式の真空ポンプを用いる場合のようにオイル
ミストが発生することがないので、オイルミストが分解
して生成する各種のガスによる精製装置の大型化及び単
結晶の品質悪化を防止することができる。 なお、油回転式の真空ポンプと同等の高真空度を得るに
は液封式の真空ポンプの前段にガスエゼクタあるいはメ
カニカルブースターを設置することが望ましい。 ［発明の実施例］ 以下１本発明の実施例を第１図を参照して説明する。 第１図において、シリコン単結晶引上装置１１には水封
式真空ポンプ１２及び精製５２ｉ１３が順次接続され、
引と装置ｌｌ内に流されるアルゴンガスの循環系が形成
されている。 前記水封式真空ポンプ１２では引上装Ｗ１１１から吸引
したＳＩＯ微粉を含有するアルゴンガスを水と接触させ
ることによりＳｉＯ微粉を除去する。なお、この水封式
真空ポンプ１２内ではアルゴンガス中へ水に溶存してい
る０２、Ｎ２が条件によっては数ｐｐｍ〜２％程度混入
する。また。 ０２、Ｎ２は循環系の途中からもごく微陽混入してくる
。Ｎ２ガスはシリコン単結晶引上には特に影響はないが
、０２は引Ｊ：装２１１１中でのＳｉＯ発生及びシリコ
ン単結晶の結晶欠陥発生の原因となるので好ましくない
０次に、精製装置１３内ではアルゴンガス中に含まれる
ｏ、、Ｎ、のうち特に０２を例えば触媒等により５０ｐ
ｐｍ以下程度にまで除去する。この結果、引上装置ｌｌ
には高純度のアルゴンガスが循環される。 このような単結晶引上装置用不活性ガス回収装置によれ
ば、水封式真空ポンプ１１の月末によりＳｉＯを除去す
ることができるので、フィルターを設ける必要がなく、
また油回転式の真空ポンプを用いる場合のようにオイル
ミストが発生することがないので、オイルミストが分解
して生成するＣＨ，、Ｃｏ、ｃｏ２等のガスによる精製
装置１３の大型化及びシリコン単結晶の品質悪化を防止
することができる。 なお、第２図に示す如く水封式真空ポンプ１２には濾過
装ご１４及び冷却装！１１５を順次接続して封水の循環
系を形成してもよい、この循環系では濾過１１ｔ；５１
１４によりＳ１０微粉を含む水からＳｉＯが除去され、
この水は冷却装ａ１１５により冷却されて再び水封式真
空ポンプ１２に供給される。この循環系においては水と
空気とを接触させないようにじ、水へのｏ、、Ｎ、の溶
存を極力防止することが望ましい。 〔発明の効果］ 以上詳述した如く本発明の単結晶引上装置用不活性ガス
回収装置によれば、装置の大型化や単結晶の品質悪化を
招くことなく引上装置に流される不活性ガスを高純度で
回収し、４引上装置に循Ｅｌ ｔ−ることができ、コス
トを低減し得る等ｊｌ著な効果を奏するものである。
第１図は本発明の実施例における単結晶引上装置用不活
性ガス回収装置の系統図、第２図は本発明の他の実施例
における単結晶引上装置用不活性ガス回収装置の系統図
、第３図は従来の単結晶用Ｊ：装置用不活性ガス回収装
置の系統図である。 １１・・・シリコン単結晶引上装置、１２・・・水封式
真空ポンプ、１３・・・精製装置、１４・・・−過装置
。 １５・・・冷却装置。 出願人代理人 弁理士 鈴江 武彦 第１ 図 第３１１！ｌＩ
性ガス回収装置の系統図、第２図は本発明の他の実施例
における単結晶引上装置用不活性ガス回収装置の系統図
、第３図は従来の単結晶用Ｊ：装置用不活性ガス回収装
置の系統図である。 １１・・・シリコン単結晶引上装置、１２・・・水封式
真空ポンプ、１３・・・精製装置、１４・・・−過装置
。 １５・・・冷却装置。 出願人代理人 弁理士 鈴江 武彦 第１ 図 第３１１！ｌＩ
Claims (2)
- （１）単結晶引上装置に液封式真空ポンプ及び精製装置
を接続し、引上装置内に流される不活性ガスの循環系を
形成したことを特徴とする単結晶引上装置用不活性ガス
回収装置。 - （２）液封式真空ポンプに濾過装置及び冷却装置を接続
し、封液の循環系を形成したことを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載の単結晶引上装置用不活性ガス回収装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21809484A JPS6197187A (ja) | 1984-10-17 | 1984-10-17 | 単結晶引上装置用不活性ガス回収装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21809484A JPS6197187A (ja) | 1984-10-17 | 1984-10-17 | 単結晶引上装置用不活性ガス回収装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6197187A true JPS6197187A (ja) | 1986-05-15 |
| JPH0214315B2 JPH0214315B2 (ja) | 1990-04-06 |
Family
ID=16714533
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21809484A Granted JPS6197187A (ja) | 1984-10-17 | 1984-10-17 | 単結晶引上装置用不活性ガス回収装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6197187A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0244092A (ja) * | 1988-08-02 | 1990-02-14 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 単結晶製造炉用不活性ガス回収装置 |
| JPH0244091A (ja) * | 1988-08-02 | 1990-02-14 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 単結晶製造炉用不活性ガス回収装置 |
| US6254362B1 (en) | 1998-01-26 | 2001-07-03 | Unozawa-Gumi Iron Works, Ltd. | Vacuum pump with dust collecting function |
| JP2011032108A (ja) * | 2009-07-30 | 2011-02-17 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 不活性ガス回収装置 |
| WO2015008421A1 (ja) * | 2013-07-19 | 2015-01-22 | 信越半導体株式会社 | 不活性ガスの回収前処理設備 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4717184B2 (ja) * | 2000-07-14 | 2011-07-06 | Ｓｕｍｃｏ Ｔｅｃｈｘｉｖ株式会社 | 単結晶引き上げ装置の不活性ガス回収装置 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2414330A1 (de) * | 1974-03-25 | 1975-10-16 | Siemens Ag | Verfahren zum reinigen von schutzgasen beim tiegelfreien zonenschmelzen |
| JPS546511A (en) * | 1977-06-17 | 1979-01-18 | Hitachi Ltd | Rotary type magnetic head |
| JPS5832100A (ja) * | 1981-08-17 | 1983-02-24 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 単結晶シリコン引上装置 |
| JPS5939800A (ja) * | 1982-08-28 | 1984-03-05 | Kyodo Sanso Kk | 半導体用単結晶製造炉における雰囲気用アルゴン回収方法 |
| JPS59141494A (ja) * | 1983-01-31 | 1984-08-14 | Hitachi Ltd | 単結晶製造装置 |
-
1984
- 1984-10-17 JP JP21809484A patent/JPS6197187A/ja active Granted
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2414330A1 (de) * | 1974-03-25 | 1975-10-16 | Siemens Ag | Verfahren zum reinigen von schutzgasen beim tiegelfreien zonenschmelzen |
| JPS546511A (en) * | 1977-06-17 | 1979-01-18 | Hitachi Ltd | Rotary type magnetic head |
| JPS5832100A (ja) * | 1981-08-17 | 1983-02-24 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 単結晶シリコン引上装置 |
| JPS5939800A (ja) * | 1982-08-28 | 1984-03-05 | Kyodo Sanso Kk | 半導体用単結晶製造炉における雰囲気用アルゴン回収方法 |
| JPS59141494A (ja) * | 1983-01-31 | 1984-08-14 | Hitachi Ltd | 単結晶製造装置 |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0244092A (ja) * | 1988-08-02 | 1990-02-14 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 単結晶製造炉用不活性ガス回収装置 |
| JPH0244091A (ja) * | 1988-08-02 | 1990-02-14 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 単結晶製造炉用不活性ガス回収装置 |
| US6254362B1 (en) | 1998-01-26 | 2001-07-03 | Unozawa-Gumi Iron Works, Ltd. | Vacuum pump with dust collecting function |
| JP2011032108A (ja) * | 2009-07-30 | 2011-02-17 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 不活性ガス回収装置 |
| WO2015008421A1 (ja) * | 2013-07-19 | 2015-01-22 | 信越半導体株式会社 | 不活性ガスの回収前処理設備 |
| JP2015020928A (ja) * | 2013-07-19 | 2015-02-02 | 信越半導体株式会社 | 不活性ガスの回収前処理設備 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0214315B2 (ja) | 1990-04-06 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |