JPH0214315B2 - - Google Patents
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- JPH0214315B2 JPH0214315B2 JP59218094A JP21809484A JPH0214315B2 JP H0214315 B2 JPH0214315 B2 JP H0214315B2 JP 59218094 A JP59218094 A JP 59218094A JP 21809484 A JP21809484 A JP 21809484A JP H0214315 B2 JPH0214315 B2 JP H0214315B2
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- Japan
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- single crystal
- inert gas
- pulling device
- vacuum pump
- gas recovery
- Prior art date
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Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の技術分野]
本発明はシリコン等の単結晶引上装置に用いら
れる不活性ガスの回収装置に関する。
れる不活性ガスの回収装置に関する。
[発明の技術的背景とその問題点]
シリコン単結晶の製造方法としてはチヨクラル
スキー法が知られている。このチヨクラルスキー
法はチヤンバー内にルツボを回転自在に支持した
引上装置を用い、チヤンバー内に例えばアルゴン
等の不活性ガスを流しながら減圧下でルツボ内に
装填した多結晶シリコン原料及び不純物をヒータ
ーにより溶融し、この溶融シリコンに上方から吊
下された種結晶を浸してこれを引上げることによ
り種結晶と同方位を有するシリコン単結晶を引上
げ成長させるものである。
スキー法が知られている。このチヨクラルスキー
法はチヤンバー内にルツボを回転自在に支持した
引上装置を用い、チヤンバー内に例えばアルゴン
等の不活性ガスを流しながら減圧下でルツボ内に
装填した多結晶シリコン原料及び不純物をヒータ
ーにより溶融し、この溶融シリコンに上方から吊
下された種結晶を浸してこれを引上げることによ
り種結晶と同方位を有するシリコン単結晶を引上
げ成長させるものである。
従来、チヤンバー内に流されるアルゴン等の不
活性ガスはそのまま廃棄されていたが、このよう
な不活性ガスは高価であるため回収することが要
望されている。不活性ガスを回収するためには、
引上装置内で溶融シリコンを石英ガラスルツボと
の反応により発生するSiOを除去することが最も
重要となる。
活性ガスはそのまま廃棄されていたが、このよう
な不活性ガスは高価であるため回収することが要
望されている。不活性ガスを回収するためには、
引上装置内で溶融シリコンを石英ガラスルツボと
の反応により発生するSiOを除去することが最も
重要となる。
単結晶引上装置用の不活性ガス回収装置として
は、まず第3図に示すような装置が考えられた。
第3図において、引上装置1には油回転式の真空
ポンプ(ロータリーポンプ)2、フイルター3及
び精製装置4が順次接続され、これらによつて引
上装置1内に流される不活性ガスの循環系が形成
されている。
は、まず第3図に示すような装置が考えられた。
第3図において、引上装置1には油回転式の真空
ポンプ(ロータリーポンプ)2、フイルター3及
び精製装置4が順次接続され、これらによつて引
上装置1内に流される不活性ガスの循環系が形成
されている。
しかし、第3図図示の装置では真空ポンプ2か
らオイルミストが発生し、このオイルミストと引
上装置1からのSiOとを同時にフイルター3で除
去しなければならないため、フイルター3が目詰
まりを起し易く、頻繁にフイルター3を交換しな
ければならない。また、オイルミストが分解して
CH4、CO、CR2となると、精製が極めて困難と
なり、精製装置4が大規模なものとなる。しか
も、これらのCH4、CO、CO2等のガスが引上装
置1内に入ると、単結晶の品質に悪影響を及ぼ
す。
らオイルミストが発生し、このオイルミストと引
上装置1からのSiOとを同時にフイルター3で除
去しなければならないため、フイルター3が目詰
まりを起し易く、頻繁にフイルター3を交換しな
ければならない。また、オイルミストが分解して
CH4、CO、CR2となると、精製が極めて困難と
なり、精製装置4が大規模なものとなる。しか
も、これらのCH4、CO、CO2等のガスが引上装
置1内に入ると、単結晶の品質に悪影響を及ぼ
す。
[発明の目的]
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであ
り、引上装置内の単結晶の品質を悪化させること
なく引上装置に流される不活性ガスを回収し得る
単結晶引上装置用不活性ガス回収装置を提供しよ
うとするものである。
り、引上装置内の単結晶の品質を悪化させること
なく引上装置に流される不活性ガスを回収し得る
単結晶引上装置用不活性ガス回収装置を提供しよ
うとするものである。
[発明の概要]
本発明の単結晶引上装置用不活性ガス回収装置
は、単結晶引上装置に液封式真空ポンプ及び精製
装置を接続し、引上装置内に流される不活性ガス
の循環系を形成したことを特徴とするものであ
る。
は、単結晶引上装置に液封式真空ポンプ及び精製
装置を接続し、引上装置内に流される不活性ガス
の循環系を形成したことを特徴とするものであ
る。
このような単結晶引上装置用不活性ガス回収装
置によれば、液封式真空ポンプの封液によりSiO
を除去することができるので、フイルターを設け
る必要がなく、また油回転式の真空ポンプを用い
る場合のようにオイルミストが発生することがな
いので、オイルミストが分解して生成する各種の
ガスによる精製装置の大型化及び単結晶の品質悪
化を防止することができる。
置によれば、液封式真空ポンプの封液によりSiO
を除去することができるので、フイルターを設け
る必要がなく、また油回転式の真空ポンプを用い
る場合のようにオイルミストが発生することがな
いので、オイルミストが分解して生成する各種の
ガスによる精製装置の大型化及び単結晶の品質悪
化を防止することができる。
なお、油回転式の真空ポンプと同様の高真空度
を得るには液封式の真空ポンプの前段にガスエゼ
クタあるいはメカニカルブースターを設置するこ
とが望ましい。
を得るには液封式の真空ポンプの前段にガスエゼ
クタあるいはメカニカルブースターを設置するこ
とが望ましい。
[発明の実施例]
以下、本発明の実施例を第1図を参照して説明
する。
する。
第1図において、シリコン単結晶引上装置11
には水封式真空ポンプ12及び精製装置13が順
次接続され、引上装置11内に流されるアルゴン
ガスの循環系が形成されている。
には水封式真空ポンプ12及び精製装置13が順
次接続され、引上装置11内に流されるアルゴン
ガスの循環系が形成されている。
前記水封式真空ポンプ12では引上装置11か
ら吸引したSiO微粉を含有するアルゴンガスを水
と接触させることによりSiO微粉を除去する。な
お、この水封式真空ポンプ12内ではアルゴンガ
ス中へ水に溶存しているO2、N2が条件によつて
は数ppm〜2%程度混入する。また、O2、N2は
循環系の途中からもごく微量混入してくる。N2
ガスはシリコン単結晶引上には特に影響はない
が、O2は引上装置11中でのSiO発生及びシリコ
ン単結晶の結晶欠陥発生の原因となるので好まし
くない。次に、精製装置13内ではアルゴンガス
中に含まれるO2、N2のうち特にO2を例えば触媒
等により50ppm以下程度にまで除去する。この結
果、引上装置11には高純度のアルゴンガスが循
環される。
ら吸引したSiO微粉を含有するアルゴンガスを水
と接触させることによりSiO微粉を除去する。な
お、この水封式真空ポンプ12内ではアルゴンガ
ス中へ水に溶存しているO2、N2が条件によつて
は数ppm〜2%程度混入する。また、O2、N2は
循環系の途中からもごく微量混入してくる。N2
ガスはシリコン単結晶引上には特に影響はない
が、O2は引上装置11中でのSiO発生及びシリコ
ン単結晶の結晶欠陥発生の原因となるので好まし
くない。次に、精製装置13内ではアルゴンガス
中に含まれるO2、N2のうち特にO2を例えば触媒
等により50ppm以下程度にまで除去する。この結
果、引上装置11には高純度のアルゴンガスが循
環される。
このような単結晶引上装置用不活性ガス回収装
置によれば、水封式真空ポンプ11の封水により
SiOを除去することができるので、フイルターを
設ける必要がなく、また油回転式の真空ポンプを
用いる場合のようにオイルミストが発生すること
がないので、オイルミストが分解して生成する
CH4、CO、CO2等のガスによる精製装置13の
大型化及びシリコン単結晶の品質悪化を防止する
ことができる。
置によれば、水封式真空ポンプ11の封水により
SiOを除去することができるので、フイルターを
設ける必要がなく、また油回転式の真空ポンプを
用いる場合のようにオイルミストが発生すること
がないので、オイルミストが分解して生成する
CH4、CO、CO2等のガスによる精製装置13の
大型化及びシリコン単結晶の品質悪化を防止する
ことができる。
なお、第2図に示す如く水封式真空ポンプ12
には濾過装置14及び冷却装置15を順次接続し
て封水の循環系を形成してもよい。この循環系で
は濾過装置14によりSiO微粉を含む水からSiO
が除去され、この水は冷却装置15により冷却さ
れて再び水封式真空ポンプ12に供給される。こ
の循環系においては水と空気とを接触させないよ
うにし、水へのO2、N2の溶存を極力防止するこ
とが望ましい。
には濾過装置14及び冷却装置15を順次接続し
て封水の循環系を形成してもよい。この循環系で
は濾過装置14によりSiO微粉を含む水からSiO
が除去され、この水は冷却装置15により冷却さ
れて再び水封式真空ポンプ12に供給される。こ
の循環系においては水と空気とを接触させないよ
うにし、水へのO2、N2の溶存を極力防止するこ
とが望ましい。
[発明の効果]
以上詳述した如く本発明の単結晶引上装置用不
活性ガス回収装置によれば、装置の大型化や単結
晶の品質悪化を招くことなく引上装置に流される
不活性ガスを高純度で回収し、引上装置に循環す
ることができ、コストを低減し得る等顕著な効果
を奏するものである。
活性ガス回収装置によれば、装置の大型化や単結
晶の品質悪化を招くことなく引上装置に流される
不活性ガスを高純度で回収し、引上装置に循環す
ることができ、コストを低減し得る等顕著な効果
を奏するものである。
第1図は本発明の実施例における単結晶引上装
置用不活性ガス回収装置の系統図、第2図は本発
明の他の実施例における単結晶引上装置用不活性
ガス回収装置の系統図、第3図は従来の単結晶引
上装置用不活性ガス回収装置の系統図である。 11……シリコン単結晶引上装置、12……水
封式真空ポンプ、13……精製装置、14……濾
過装置、15……冷却装置。
置用不活性ガス回収装置の系統図、第2図は本発
明の他の実施例における単結晶引上装置用不活性
ガス回収装置の系統図、第3図は従来の単結晶引
上装置用不活性ガス回収装置の系統図である。 11……シリコン単結晶引上装置、12……水
封式真空ポンプ、13……精製装置、14……濾
過装置、15……冷却装置。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 単結晶引上装置に液封式真空ポンプ及び精製
装置を接続し、引上装置内に流される不活性ガス
の循環系を形成したことを特徴とする単結晶引上
装置用不活性ガス回収装置。 2 液封式真空ポンプに濾過装置及び冷却装置を
接続し、封液の循環系を形成したことを特徴とす
る特許請求の範囲第1項記載の単結晶引上装置用
不活性ガス回収装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21809484A JPS6197187A (ja) | 1984-10-17 | 1984-10-17 | 単結晶引上装置用不活性ガス回収装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21809484A JPS6197187A (ja) | 1984-10-17 | 1984-10-17 | 単結晶引上装置用不活性ガス回収装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6197187A JPS6197187A (ja) | 1986-05-15 |
JPH0214315B2 true JPH0214315B2 (ja) | 1990-04-06 |
Family
ID=16714533
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP21809484A Granted JPS6197187A (ja) | 1984-10-17 | 1984-10-17 | 単結晶引上装置用不活性ガス回収装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6197187A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002029884A (ja) * | 2000-07-14 | 2002-01-29 | Komatsu Electronic Metals Co Ltd | 単結晶引き上げ装置の不活性ガス回収装置 |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0244091A (ja) * | 1988-08-02 | 1990-02-14 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 単結晶製造炉用不活性ガス回収装置 |
JPH0244092A (ja) * | 1988-08-02 | 1990-02-14 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 単結晶製造炉用不活性ガス回収装置 |
JP2922181B1 (ja) | 1998-01-26 | 1999-07-19 | 株式会社宇野澤組鐵工所 | 粉体捕集機能を有する真空ポンプ装置 |
JP5067402B2 (ja) * | 2009-07-30 | 2012-11-07 | 信越半導体株式会社 | 不活性ガス回収装置 |
JP6195753B2 (ja) * | 2013-07-19 | 2017-09-13 | 信越半導体株式会社 | 不活性ガスの回収前処理設備 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2414330A1 (de) * | 1974-03-25 | 1975-10-16 | Siemens Ag | Verfahren zum reinigen von schutzgasen beim tiegelfreien zonenschmelzen |
JPS546511A (en) * | 1977-06-17 | 1979-01-18 | Hitachi Ltd | Rotary type magnetic head |
JPS5832100A (ja) * | 1981-08-17 | 1983-02-24 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 単結晶シリコン引上装置 |
JPS5939800A (ja) * | 1982-08-28 | 1984-03-05 | Kyodo Sanso Kk | 半導体用単結晶製造炉における雰囲気用アルゴン回収方法 |
JPS59141494A (ja) * | 1983-01-31 | 1984-08-14 | Hitachi Ltd | 単結晶製造装置 |
-
1984
- 1984-10-17 JP JP21809484A patent/JPS6197187A/ja active Granted
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2414330A1 (de) * | 1974-03-25 | 1975-10-16 | Siemens Ag | Verfahren zum reinigen von schutzgasen beim tiegelfreien zonenschmelzen |
JPS546511A (en) * | 1977-06-17 | 1979-01-18 | Hitachi Ltd | Rotary type magnetic head |
JPS5832100A (ja) * | 1981-08-17 | 1983-02-24 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 単結晶シリコン引上装置 |
JPS5939800A (ja) * | 1982-08-28 | 1984-03-05 | Kyodo Sanso Kk | 半導体用単結晶製造炉における雰囲気用アルゴン回収方法 |
JPS59141494A (ja) * | 1983-01-31 | 1984-08-14 | Hitachi Ltd | 単結晶製造装置 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002029884A (ja) * | 2000-07-14 | 2002-01-29 | Komatsu Electronic Metals Co Ltd | 単結晶引き上げ装置の不活性ガス回収装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6197187A (ja) | 1986-05-15 |
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