JP5067402B2 - 不活性ガス回収装置 - Google Patents

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Description

本発明は、単結晶引き上げ装置のドライ真空ポンプから排出される不活性ガスを回収精製して循環させる不活性ガス回収装置に関する。
例えばシリコン等の単結晶を製造する方法として、吊具で吊下げられる種結晶を不活性ガス雰囲気下のチャンバー内のシリコン融液に接触させ、回転させながらゆっくりと引き上げる事で単結晶を育成するいわゆるチョクラルスキー法のような製造方法が知られている。
このような単結晶引き上げ装置においては、チャンバー内に不活性ガスを流しながら単結晶引き上げを行い、チャンバー内の不活性ガスを排出しながら行われる。この際不活性ガスを排出するためのポンプとしてドライ真空ポンプが用いられる。このドライ真空ポンプは、油回転式や水封式の真空ポンプに比べ、ポンプから排出される際の不活性ガスの汚染が無いという利点を有するため、不活性ガスを再利用して循環させる際に利用される。
この様なチャンバー内からドライ真空ポンプにより排出される不活性ガスを、回収精製して循環させる技術が、例えば特許文献1に示されている。
このようなドライ真空ポンプは、チャンバー内で加熱された温度の高い不活性ガスを吸引することに加えて、吸引したガスがポンプ内のロータ等で圧縮されて温度が一層高まるため、ポンプ内を効果的に冷却しなければ、ロータ等とケーシングのクリアランスが無くなってロックするいわゆるローターロック等の不具合を生じるようになる。このため、従来では、ポンプ内に外気を導入してロータ等を冷却するようにしている。しかし、このようにポンプ内に外気を導入する場合、不活性ガスと大気が混ざり合ってポンプから排出される不活性ガスの純度が低下してしまい、これを循環させるための精製にコストが高くなってしまっていた。
これに対して、図2に示すような、単結晶引き上げ装置のチャンバー21内からドライ真空ポンプ22により排出された不活性ガスを、精製手段24で精製して、チャンバー21内へ循環させる不活性ガス回収装置においてドライ真空ポンプ22を冷却する技術が、例えば特許文献2に示されている。この特許文献2では、ドライ真空ポンプ22より回収された不活性ガスの一部を、熱交換器23を通して冷却し、この冷却された不活性ガスをドライ真空ポンプ22内に送り込むことでドライ真空ポンプ22内部を冷却している。
特開平7−33581号公報 特開平11−199388号公報
しかし、単結晶引き上げ装置から回収される不活性ガスには、多量のSiO微粉が含まれるため、上記の熱交換器により冷却する際にSiO微粉が熱交換器内部に継続して付着していく。そのため、熱交換器の冷却能力が低下して所定の冷却効果を得ることができなくなり、ドライ真空ポンプが冷却不足で停止してしまう問題があった。また、特許文献2に記載されている精製手段を経由した不活性ガスを冷却用にポンプ内に送り込む場合には、熱交換器やポンプの台数分の配管が新たに必要になるため大きなコストが発生してしまうという問題もあった。
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであって、単結晶引き上げ装置から回収される不活性ガスを効率的に精製して、循環させながら、同時に単結晶引き上げ装置のドライ真空ポンプを長期間安定して効率的に冷却することができる簡易かつ低コストの不活性ガス回収装置を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、本発明は、単結晶引き上げ装置のドライ真空ポンプから排出された不活性ガスを回収精製して循環させる不活性ガス回収装置であって、前記ドライ真空ポンプから排出された不活性ガスを、バブリング缶に送り込み、該バブリング缶の水中でバブリングし、該バブリングされた不活性ガスを精製して循環させるものであって、前記バブリングされた不活性ガスの一部を、前記ドライ真空ポンプに導入される冷却ラインに送り込むものであることを特徴とする不活性ガス回収装置を提供する。
このように、単結晶引き上げ装置のドライ真空ポンプからの不活性ガスを、バブリング缶を介して回収することにより、不活性ガス中のSiO微粉を除去しながら、さらに不活性ガスを冷却、加湿することを長期間安定して行うことができる。従って、下流での精製時に、装置のSiO除去のための負担や熱による負担を低減することができ、純度の高い不活性ガスをまた単結晶引き上げ装置へ循環させることができる。さらに、バブリングにより、ある程度精製されて冷却、加湿された不活性ガスの一部を、ドライ真空ポンプに導入される冷却ラインに送り込むことで、ドライ真空ポンプの熱を効率的に除去することができる。特に、バブリングにより不活性ガスが加湿されているため、効率的にドライ真空ポンプを冷却することができる。また、精製、循環させる不活性ガスで冷却するため、大気等の異種のガスが循環させる不活性ガス中に混ざってしまい、不活性ガスの純度が低下することもないため精製が容易になる。さらに、バブリング缶であれば、安価であり、また内部清掃が容易であるため作業効率も良い。また、簡易な構造のバブリング缶であれば、ドライ真空ポンプの近くに配置できるため、冷却ライン等の新たな配管を最小限にでき、コストを低くできる。
以上より、本発明の不活性ガス回収装置によれば、不活性ガスの回収精製、循環を効率的に行いながら、同時にドライ真空ポンプを長期間安定して効果的に冷却することが簡易かつ低コストでできる。
このとき、前記バブリング缶の下流に接続され、前記バブリングされた不活性ガスが導入されるミストセパレーターを備えたものであることが好ましい。
このように、ミストセパレーターをバブリング缶の下流に接続することで、バブリングする際に跳ね上がった水滴やその水滴中のSiO微粉を除去することができ、回収した不活性ガスをより効果的に精製することができる。
このとき、前記バブリングされた不活性ガスの一部を、前記ドライ真空ポンプに導入される冷却ラインに流量300(l/min)以上で送り込むものであることが好ましい。
このように、バブリングされた不活性ガスの一部を、冷却ラインに流量300(l/min)以上で送り込むことで、ドライ真空ポンプを十分に冷却して、ドライ真空ポンプの故障をより確実に防止することができる。
以上のように、本発明の不活性ガス回収装置によれば、不活性ガスの回収精製、循環を効率的に行いながら、同時にドライ真空ポンプを長期間安定して効果的に冷却することが簡易かつ低コストでできる。
本発明の不活性ガス回収装置を単結晶引き上げ装置に接続した構成の一例を示す構成図である。 従来の熱交換機を備えた不活性ガス回収装置を単結晶引き上げ装置に接続した構成の一例を示す構成図である。
以下、本発明の不活性ガス回収装置について、実施態様の一例として、図を参照しながら詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
図1は、本発明の不活性ガス回収装置を単結晶引き上げ装置に接続した構成の一例を示す構成図である。
図1に示す本発明の不活性ガス回収装置11は、ドライ真空ポンプ2から排出された不活性ガスをバブリングするためのバブリング缶5と、バブリング缶5の下流に接続されたミストセパレーター6と、不活性ガスを精製するための精製手段9とからなる。そして、バブリング缶5又はミストセパレーター6と精製手段9の間は、バブリングされた不活性ガスを精製手段9に送り込むための精製ライン8で接続されている。
そして、このような本発明の不活性ガス回収装置11は、単結晶引き上げ装置3に接続されて、単結晶引き上げ装置3のドライ真空ポンプ2から排出された不活性ガスを、バブリング缶5を介して回収精製して循環させる。接続する構成としては、例えば図1に示すように、ドライ真空ポンプ2とバブリング缶5の間は、ドライ真空ポンプ2から排出された不活性ガスをバブリング缶5に送り込む回収ライン4で接続され、精製手段9とチャンバー1の間は、精製手段9で精製した不活性ガスをチャンバー1内に再供給する循環ライン10で接続されている。また、バブリング缶5又はミストセパレーター6とドライ真空ポンプ2の間は、バブリング缶5でバブリングされた不活性ガスの一部をドライ真空ポンプ2内部の冷却用に戻す冷却ライン7で接続されている。
このように、単結晶引き上げ装置のドライ真空ポンプからの不活性ガスを、バブリング缶を介して回収することにより、単結晶引き上げ時に発生した不活性ガス中のSiO微粉をバブリング缶によって除去しながら、さらに不活性ガスを冷却、加湿することを長期間安定して行うことができる。従って、下流での精製時に、SiO除去のための負担や熱による負担を低減することができ、純度の高い不活性ガスを精製後に単結晶引き上げ装置へ循環させることができる。さらに、バブリングにより、SiOが除去され、かつ冷却、加湿された不活性ガスの一部を、ドライ真空ポンプに導入される冷却ラインに送り込むことで、ドライ真空ポンプの熱を効率的に除去することができる。特に、バブリングにより不活性ガスが加湿されているため、比熱が小さい不活性ガスであってもドライ真空ポンプの冷却を効率的に行うことができる。また、精製、循環させる不活性ガスだけで冷却するため、大気で冷却する場合のように異種のガスが循環させる不活性ガス中に混ざってしまい、不活性ガスの純度が低下することもないため精製が容易かつ低コストになる。さらに、バブリング缶であれば、安価であり、また内部清掃が容易であるため作業効率も良い。また、簡易な構造のバブリング缶であれば、ドライ真空ポンプの近くに配置できるため、冷却ライン等の新たな配管を最小限にでき、一層コストを低くできる。
このような、本発明の不活性ガス回収装置11は、ドライ真空ポンプを備えた単結晶引き上げ装置であれば、従来のいずれのものにも適用可能である。また、本発明の不活性ガス回収装置11により回収精製、循環させることができる不活性ガスとしても、特に限定されず、例えばアルゴンガスのような単結晶引き上げに用いられるガスであれば、いずれのガスにも適用可能である。
また、ドライ真空ポンプ2と冷却ライン7の接続としては、例えばガスが圧縮されて温度が高くなりやすいドライ真空ポンプ2のガス流路の下流側に冷却ライン7の一端を接続し、冷却ライン7から送り込まれてきた不活性ガスと、チャンバー1内から排出された不活性ガスとを回収ライン4に同時に送り込むことができる。この際、本発明の不活性ガス回収装置11を用いることでドライ真空ポンプ2の冷却を不活性ガスで効率的に行うことができ、大気により冷却する必要がないため、ドライ真空ポンプ2の大気解放バルブを閉じて大気が混入しないように行うことができ、精製手段9による不活性ガスの精製を容易にすることができる。
また、バブリング缶5としては、構造等は特に限定されず、例えば、水が満たされていて、かつ一定の水位を維持するための給排水設備を備えたタンクとすることができる。
また、本発明の不活性ガス回収装置11のバブリング缶5には、ミストセパレーター6は接続されていなくてもよいが、図1に示すようにミストセパレーター6がバブリング缶5の下流に接続されていることが好ましい。
このように、ミストセパレーターをバブリング缶の下流に接続することで、バブリングする際に跳ね上がる水滴やその水滴中のSiO微粉を除去することができ、回収した不活性ガスをより効果的に精製することができる。
また、本発明の不活性ガス回収装置11において、バブリングされた不活性ガスの一部を冷却ライン7に送り込む流量としては、特に限定されないが、流量300(l/min)以上で送り込むことが好ましい。
このように、バブリングされた不活性ガスの一部を、冷却ラインに流量300(l/min)以上で送り込むことで、ドライ真空ポンプを十分に冷却して、ドライ真空ポンプの故障をより確実に防止することができる。
このような、不活性ガスの精製手段9に送り込む流量や冷却ライン7からドライ真空ポンプ2に送り込む流量を調整する方法としては、例えば、精製ライン8及び冷却ライン7の両方にバルブ12を設けて調節することができる。
このように、図1に示すように、単結晶引き上げ装置3に本発明の不活性ガス回収装置11を接続することにより、不活性ガス回収システムとして機能することができる。
以上のような、本発明の不活性ガス回収装置によれば、不活性ガスの回収精製、循環を効率的に行いながら、同時にドライ真空ポンプを長期間安定して効果的に冷却することが簡易かつ低コストでできる。
以下、実施例及び比較例を示して本発明をより具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
(実施例1、比較例1)
図1に示すような、不活性ガス回収装置11を単結晶引き上げ装置3に接続して、アルゴンガスを単結晶引き上げ装置3の単結晶引き上げチャンバー1内に流して、ドライ真空ポンプ2により排気し、排出された不活性ガスを不活性ガス回収装置11により回収精製、循環させながらシリコン単結晶の引き上げを行った。この際、回収後に冷却ライン7に送り込むアルゴンガス(冷却ガス)の流量を0(比較例1)、200、300、500(実施例1)(l/min)とそれぞれ変え、また、いずれの場合にもドライ真空ポンプ2の吸引口での流量を200(l/min)で一定にして行った。このとき、冷却ガス流量が0の場合には、冷却ライン7のバルブを完全に閉めて、回収精製されたアルゴンガスを全く冷却ライン7に送り込まなかった。また、いずれの場合もドライ真空ポンプ2の大気解放バルブを閉めて、循環するガス中に大気が混入しないようにした。
このときのドライ真空ポンプ2内部の温度を測定するために、ドライ真空ポンプ2内部に熱電対をセットした。温度測定結果を表1に示す。
Figure 0005067402
ドライ真空ポンプは300℃付近を超えると破損する可能性が高く、今回の比較例1において冷却ガス流量0の場合には、ポンプの内部温度が300℃以上になってしまい破損の危険が生じたので、運転を停止した。また、安全を見てドライ真空ポンプ内部の許容温度280℃以下に維持するためには、冷却ガス流量が300(l/min)以上あることが好ましいことが分かる。この場合、ドライ真空ポンプの排気能力は700(l/min)なので、ポンプ排気能力の40%以上をポンプ冷却用に使用することになる。許容温度以下であれば、より確実にポンプの破損を防止することができる。実施例において、いずれの冷却ガス流量の場合にも、長期間運転で冷却能力が落ちることはなく、ほぼ表1に示す温度に安定して維持することができた。
(実施例2)
実施例1と同様の条件で、ただし、冷却ガス流量を300(l/min)に固定して、ドライ真空ポンプの吸引口での流量を様々に変更して、実験を行った。
この場合には、いずれの条件でもポンプ内部の温度はほとんど同じで安定して運転をすることができ、ポンプ内部の温度は湿気を含んだ冷却ガスの流量に依存することが分かった。
(比較例2)
図2に示すような、熱交換機23で冷却した不活性ガスでドライ真空ポンプ22を冷却する不活性ガス回収装置を単結晶引き上げ装置に接続して、単結晶引き上げを行った。
この場合、使用初期にはドライ真空ポンプの内部温度を230℃まで冷却できていたが、徐々に上昇して280℃になり、さらには300℃以上にまで上昇して、ポンプが破損してしまった。
これは、熱交換器内部にSiO微粉等が詰まってしまい、冷却能力が低下してしまったためと考えられる。
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
1、21…チャンバー、 2、22…ドライ真空ポンプ、
3…単結晶引き上げ装置、 4…回収ライン、 5…バブリング缶、
6…ミストセパレーター、 7…冷却ライン、 8…精製ライン、
9、24…精製手段、 10…循環ライン、 11…不活性ガス回収装置、
12…バルブ、 23…熱交換器。

Claims (3)

  1. 単結晶引き上げ装置のドライ真空ポンプから排出された不活性ガスを回収精製して循環させる不活性ガス回収装置であって、
    前記ドライ真空ポンプから排出された不活性ガスを、バブリング缶に送り込み、該バブリング缶の水中でバブリングし、該バブリングされた不活性ガスを精製して循環させるものであって、前記バブリングされた不活性ガスの一部を、前記ドライ真空ポンプに導入される冷却ラインに送り込むものであることを特徴とする不活性ガス回収装置。
  2. 前記バブリング缶の下流に接続され、前記バブリングされた不活性ガスが導入されるミストセパレーターを備えたものであることを特徴とする請求項1に記載の不活性ガス回収装置。
  3. 前記バブリングされた不活性ガスの一部を、前記ドライ真空ポンプに導入される冷却ラインに流量300(l/min)以上で送り込むものであることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の不活性ガス回収装置。
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JPS6197187A (ja) * 1984-10-17 1986-05-15 Toshiba Ceramics Co Ltd 単結晶引上装置用不活性ガス回収装置
JP2538291Y2 (ja) * 1990-04-18 1997-06-11 東邦シートフレーム株式会社 サイディングボード
JP2853757B2 (ja) * 1993-07-22 1999-02-03 信越半導体株式会社 単結晶引上装置における不活性ガス回収装置
JP3603578B2 (ja) * 1997-12-27 2004-12-22 信越半導体株式会社 単結晶引上げ装置の不活性ガス回収装置
JP2001180917A (ja) * 1999-12-28 2001-07-03 Nippon Steel Corp ドライ真空ポンプによる不活性ガス回収装置
JP4717184B2 (ja) * 2000-07-14 2011-07-06 Sumco Techxiv株式会社 単結晶引き上げ装置の不活性ガス回収装置

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