JPS6196671A - 固体電解質電池およびその製造方法 - Google Patents
固体電解質電池およびその製造方法Info
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- JPS6196671A JPS6196671A JP59217800A JP21780084A JPS6196671A JP S6196671 A JPS6196671 A JP S6196671A JP 59217800 A JP59217800 A JP 59217800A JP 21780084 A JP21780084 A JP 21780084A JP S6196671 A JPS6196671 A JP S6196671A
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- Japan
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- solid electrolyte
- positive electrode
- layer
- active material
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
- H01M6/00—Primary cells; Manufacture thereof
- H01M6/14—Cells with non-aqueous electrolyte
- H01M6/18—Cells with non-aqueous electrolyte with solid electrolyte
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Primary Cells (AREA)
- Secondary Cells (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は固体電解質電池およびその製造方法に関する
。
。
固体電解質電池では、薄形の電池を得ようとする場合、
固体電解質層の形成に際して、たとえばスパック蒸着が
採用されている（たとえばに、 Ｋａｎｅｈｏｒｉ ｅ
ｔ ａｌ、＋５ｏｌｉｄ ５ｔａｔｅ １ｏｎｉｃｓ、
９ ＆ｌＯ，１４４５（１９８３） ）。
固体電解質層の形成に際して、たとえばスパック蒸着が
採用されている（たとえばに、 Ｋａｎｅｈｏｒｉ ｅ
ｔ ａｌ、＋５ｏｌｉｄ ５ｔａｔｅ １ｏｎｉｃｓ、
９ ＆ｌＯ，１４４５（１９８３） ）。
上記のスパッタ１！ｉ′着によれば、固体電解質層を薄
（形成することができ、それによって電池の内部抵抗を
低くすることができるが、固体電解質層を薄く形成した
場合、ピンホールが発生して固体電解質層による正負極
間の隔離が不完全になり内部短絡が発生するおそれがあ
る。特に正極上に固体電解質層を形成したのち、蒸着に
より負極を形成する場合に上記のような内部短絡が発生
しやすい。
（形成することができ、それによって電池の内部抵抗を
低くすることができるが、固体電解質層を薄く形成した
場合、ピンホールが発生して固体電解質層による正負極
間の隔離が不完全になり内部短絡が発生するおそれがあ
る。特に正極上に固体電解質層を形成したのち、蒸着に
より負極を形成する場合に上記のような内部短絡が発生
しやすい。
そのため、ピンホールが発生しないように、形成可能な
厚さより固体電解質層を厚く形成して、内部短絡の発生
を防止している。
厚さより固体電解質層を厚く形成して、内部短絡の発生
を防止している。
しかしながら、上記のように固体電解質層を厚く形成す
る場合は、固体電解質層の形成に時間を要して生産性が
低下するとともに、固体電解質層の厚み増加によって内
部抵抗が増加するという問題がある。
る場合は、固体電解質層の形成に時間を要して生産性が
低下するとともに、固体電解質層の厚み増加によって内
部抵抗が増加するという問題がある。
本発明は上述した問題点を解決するもので、固体電解質
層の隔壁性不完全部分に接する正極または負極の表面層
に、咳表面層の正極活物質または負極活物質の酸化によ
り電子伝導性を消失させた酸化物層を形成することによ
って、固体電解質層にピンホールなどによる隔壁性不完
全部分が発生しても上記の酸化物層によって内部短絡の
発生を防止し、かつそれによって固体電解質層を薄く形
成することを可焼ならしめるとともに内部抵抗を低減し
たものである。
層の隔壁性不完全部分に接する正極または負極の表面層
に、咳表面層の正極活物質または負極活物質の酸化によ
り電子伝導性を消失させた酸化物層を形成することによ
って、固体電解質層にピンホールなどによる隔壁性不完
全部分が発生しても上記の酸化物層によって内部短絡の
発生を防止し、かつそれによって固体電解質層を薄く形
成することを可焼ならしめるとともに内部抵抗を低減し
たものである。
正極または負極の固体電解質層の隔壁性不完全部分に接
する表面層に前記のような電子伝導性を消失させた酸化
物層を形成するには、たとえば正極または負極上に固体
電解質層を形成したのち、固体電解質層側から！素ガス
・スパック処理や、酸素ガス存在下での赤外線照射によ
る加熱、酸素イオン打ち込みなどをすることによって行
なわれる。特に酸素ガス・スパック処理による場合は固
体電解質層の隔壁性不完全部分に露出している正極活物
質または負極活物質の表面のみを酸化できるので好まし
い。
する表面層に前記のような電子伝導性を消失させた酸化
物層を形成するには、たとえば正極または負極上に固体
電解質層を形成したのち、固体電解質層側から！素ガス
・スパック処理や、酸素ガス存在下での赤外線照射によ
る加熱、酸素イオン打ち込みなどをすることによって行
なわれる。特に酸素ガス・スパック処理による場合は固
体電解質層の隔壁性不完全部分に露出している正極活物
質または負極活物質の表面のみを酸化できるので好まし
い。
酸素ガス・スパッタ処理により活物質を酸化して酸化物
層を形成するにあたっては、過激な条件下でスパッタリ
ングを行なうと必要以上に活物質が酸化されて放電容量
が低下し、かつ電子伝導性の消失により内部抵抗の増加
を招くことになるので、酸素をアルゴンと混合して用い
るのが好ましい。スパッタ出力は通常０．０５〜ｌＷ／
Ｃｄが好ましく、スパッタリングの時間は０．５〜３０
分程度が好ましい、そして酸化物層は薄いものでよく通
常０゜０１ｕ＋ｓ以上の厚さがあればよい。
層を形成するにあたっては、過激な条件下でスパッタリ
ングを行なうと必要以上に活物質が酸化されて放電容量
が低下し、かつ電子伝導性の消失により内部抵抗の増加
を招くことになるので、酸素をアルゴンと混合して用い
るのが好ましい。スパッタ出力は通常０．０５〜ｌＷ／
Ｃｄが好ましく、スパッタリングの時間は０．５〜３０
分程度が好ましい、そして酸化物層は薄いものでよく通
常０゜０１ｕ＋ｓ以上の厚さがあればよい。
正極の形成は、たとえば化学気相成長法（ケミカルヘー
パーディポジション（以下、ＣｖＤという）法）、圧粉
成形法、塗布法などによって行なうことができる。正極
を構成する正極活物質としては、たとえば二硫化チタン
（Ｔｉ３２）、二硫化タンタル（ＴａＳ２） 、ＶＳ２
、ＴｉＳｅ２、Ｖ３ｅ２、Ｔｉ２−：ｃ０５などが用い
られ、これらはいずれも酸素ガス拳スパック処理などに
よって、酸化され酸化物となって電子伝導性を消失する
。
パーディポジション（以下、ＣｖＤという）法）、圧粉
成形法、塗布法などによって行なうことができる。正極
を構成する正極活物質としては、たとえば二硫化チタン
（Ｔｉ３２）、二硫化タンタル（ＴａＳ２） 、ＶＳ２
、ＴｉＳｅ２、Ｖ３ｅ２、Ｔｉ２−：ｃ０５などが用い
られ、これらはいずれも酸素ガス拳スパック処理などに
よって、酸化され酸化物となって電子伝導性を消失する
。
固体電解質層の形成は、たとえばスパッタ蒸着や真空蒸
着、゛スクリーン印刷、またスピンコードなどの塗布法
によって行なうことができる。特に固体電解質層を薄膜
状に形成する場合、スパッタ芸者は良質の膜質が得られ
るので好ましい。そして、この固体電解質層を構成する
固体電解質としては、たとえばＬｉ４５ｉＯ４−Ｌｉ３
ＰＯ４、Ｌｉｔなどが分解電圧が高いことから経用され
る。
着、゛スクリーン印刷、またスピンコードなどの塗布法
によって行なうことができる。特に固体電解質層を薄膜
状に形成する場合、スパッタ芸者は良質の膜質が得られ
るので好ましい。そして、この固体電解質層を構成する
固体電解質としては、たとえばＬｉ４５ｉＯ４−Ｌｉ３
ＰＯ４、Ｌｉｔなどが分解電圧が高いことから経用され
る。
負極の形成は、たとえば真空蒸着、圧着法などによって
行なうことができる。そして、この負極を構成する活物
質としてはリチウムや、リチウム−アルミニウム、リチ
ウム−鉛などのリチウム合金が用いられ、これらはいず
れも酸素ガス・スバ ・フタ処理などによっ
て酸化され、酸化物となって電子伝導性を消失する。
行なうことができる。そして、この負極を構成する活物
質としてはリチウムや、リチウム−アルミニウム、リチ
ウム−鉛などのリチウム合金が用いられ、これらはいず
れも酸素ガス・スバ ・フタ処理などによっ
て酸化され、酸化物となって電子伝導性を消失する。
（実施例〕
つぎに本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
第１〜２図は本発明の固体電解質電池の一実施例を模式
的に示す図で、第１図は要部拡大断面図、第２図は全体
の断面図であり、第１図は第２図のＡ部に対応する。
的に示す図で、第１図は要部拡大断面図、第２図は全体
の断面図であり、第１図は第２図のＡ部に対応する。
これらの図において、１はガラス基板で、２は上記ガラ
ス基板ｌの上面および側面に形成された二硫化チタンの
薄膜よりなる正極であり、３は上記正極２上に形成され
たＬｉ４Ｓｉ０４−Ｌｉ３ＰＯ４の薄膜よりなる固体電
解質層、４は上記固体電解質層３上に形成されたリチウ
ムのｇ＃膜よりなる負極である。
ス基板ｌの上面および側面に形成された二硫化チタンの
薄膜よりなる正極であり、３は上記正極２上に形成され
たＬｉ４Ｓｉ０４−Ｌｉ３ＰＯ４の薄膜よりなる固体電
解質層、４は上記固体電解質層３上に形成されたリチウ
ムのｇ＃膜よりなる負極である。
第１図に示す５は正極活物質の酸化物層であり、本実施
例では正極活物質として使用された二硫化チタンの酸化
物である二酸化チタンで構成されている。この酸化物層
５は固体電解質層３のピンホールに基づく隔壁性不完全
部分３ａに接する正極２の表面層に正極活物質として使
用された二硫化チタンを酸素ガス・スパッタ処理により
酸化することによって形成されたものである。
例では正極活物質として使用された二硫化チタンの酸化
物である二酸化チタンで構成されている。この酸化物層
５は固体電解質層３のピンホールに基づく隔壁性不完全
部分３ａに接する正極２の表面層に正極活物質として使
用された二硫化チタンを酸素ガス・スパッタ処理により
酸化することによって形成されたものである。
６はセラミック製リングで、７および８はステンレス鋼
板よりなる封口板で、封口板７とセラミック製リング６
との間および封口板８とセラミック製リング６との間は
ハンダで接合されている。
板よりなる封口板で、封口板７とセラミック製リング６
との間および封口板８とセラミック製リング６との間は
ハンダで接合されている。
９は正極２と封口板７とを導通させる銀ペーストである
。
。
この電池の詳細ならびに製造方法は次に示すとおりであ
る。
る。
ガラス基板１には厚さ３００ μ■で７１１ＩＩＩ×７
−Ｉｌの正方形状のコーニングガラス７０５９ （商品
名）を用い、このガラス基板１の上面および側面に四塩
化チタン（ＴｉＣＩｏ）と硫化水素（Ｈ２Ｓ）をソ掃
−スガスとし基板を約５００℃に
加熱してＣＶＤにより二硫化チタンを厚さ５μｍの薄膜
に形成して正極２とした。
−Ｉｌの正方形状のコーニングガラス７０５９ （商品
名）を用い、このガラス基板１の上面および側面に四塩
化チタン（ＴｉＣＩｏ）と硫化水素（Ｈ２Ｓ）をソ掃
−スガスとし基板を約５００℃に
加熱してＣＶＤにより二硫化チタンを厚さ５μｍの薄膜
に形成して正極２とした。
つぎに、この正極２上に、Ｌｉ４Ｓｉ０４−Ｌｉ３ＰＯ
４粉末とＬｉ２Ｏ粉末との混合物（混合比は重量比で８
＝２）をターゲットにし、アルゴン／酸素（混合比は体
積比で６０／４０）ガスを用いて出力２．３ Ｗ／−で
スパッタリングしてＬｉ４ＳｉＯ４−Ｌ ｉ３ ＰＯ４
の薄膜を形成して固体電解質層３とした。成膜速度は０
．５μｍ／ｈで、固体電解質層３の膜厚は、膜厚の相違
に基づく効果の相違を調べるため、ｌμＩｌ〜７μ閘と
変化させた。
４粉末とＬｉ２Ｏ粉末との混合物（混合比は重量比で８
＝２）をターゲットにし、アルゴン／酸素（混合比は体
積比で６０／４０）ガスを用いて出力２．３ Ｗ／−で
スパッタリングしてＬｉ４ＳｉＯ４−Ｌ ｉ３ ＰＯ４
の薄膜を形成して固体電解質層３とした。成膜速度は０
．５μｍ／ｈで、固体電解質層３の膜厚は、膜厚の相違
に基づく効果の相違を調べるため、ｌμＩｌ〜７μ閘と
変化させた。
つぎにスパッタガスとしてアルゴン／酸素（体積比で９
０／１０）ガスを用い、固体電解質をスパッタ蒸着した
面をスパッタ出力０．１ Ｗ／−で１分間スパッタリン
グすることにより、ピンホールに基づく固体電解質Ｎ３
の隔壁性不完全部分３ａに接する正極２の表面層の正極
活物質である二硫化チタンを酸化して酸化物層５を形成
して二硫化チタンの電子伝導性を消失させた。この酸化
物層５の膜厚は後に電池を分解してｌす定したところ約
−０，１μ−であった。
０／１０）ガスを用い、固体電解質をスパッタ蒸着した
面をスパッタ出力０．１ Ｗ／−で１分間スパッタリン
グすることにより、ピンホールに基づく固体電解質Ｎ３
の隔壁性不完全部分３ａに接する正極２の表面層の正極
活物質である二硫化チタンを酸化して酸化物層５を形成
して二硫化チタンの電子伝導性を消失させた。この酸化
物層５の膜厚は後に電池を分解してｌす定したところ約
−０，１μ−であった。
ついで、上記酸素ガス・スパッタ処理後の固体電解質層
３上にリチウムをＩ Ｘ １Ｏ−６ｔｏｒｒの圧力下で
約３００℃に加熱して厚さ５μ−のリチウムの薄膜を形
成して負極４とし、銀ペースト９で正極２と封口板７と
の導通をとり、セラミック製リング６と封口板７．８を
用いて封止した。
３上にリチウムをＩ Ｘ １Ｏ−６ｔｏｒｒの圧力下で
約３００℃に加熱して厚さ５μ−のリチウムの薄膜を形
成して負極４とし、銀ペースト９で正極２と封口板７と
の導通をとり、セラミック製リング６と封口板７．８を
用いて封止した。
つぎに、本発明の効果について示す、上記のようにＬ
ｉ４Ｓ’＋０４−Ｌ ｉａ ＰＯ４固体電解質の膜厚を
１μａ〜７μ鋼で変化させた電池について、電池の短絡
する割合を調べた結果を第３図に示す、比較のため、酸
素ガス・スパッタ処理を行なわなかったほかは前記と同
様の固体電解質電池を作製し、それについてもＩｌ！厚
の変化に伴なう電池の短絡割合変化を調べて第３図に示
した。第３図において実線は酸素ガス・スパッタ処理を
行なった本発明の電池の場合であり、破線は酸素ガス・
スパッタ処理を行なっていない従来電池の場合である。
ｉ４Ｓ’＋０４−Ｌ ｉａ ＰＯ４固体電解質の膜厚を
１μａ〜７μ鋼で変化させた電池について、電池の短絡
する割合を調べた結果を第３図に示す、比較のため、酸
素ガス・スパッタ処理を行なわなかったほかは前記と同
様の固体電解質電池を作製し、それについてもＩｌ！厚
の変化に伴なう電池の短絡割合変化を調べて第３図に示
した。第３図において実線は酸素ガス・スパッタ処理を
行なった本発明の電池の場合であり、破線は酸素ガス・
スパッタ処理を行なっていない従来電池の場合である。
第３図に示すように、いずれの電池においても固体電解
質層の膜厚が増加するほど短絡する割合 。
質層の膜厚が増加するほど短絡する割合 。
が少なくなっていくが、同し膜厚で比べると酸素ガス・
スパッタ処理を行なった本発明の電池の方が酸素ガス・
スパッタ処理を行なっていない従来電池より短絡する割
合が少ない。たとえば短絡する割合が２０％まで低下さ
せるのに、酸素ガス・スパッタ処理を行なった本発明の
電池では固体電解質層の厚さを３μ醜にすればよいが、
酸素ガス・スパッタ処理を行なっていない従来電池では
固体電解質層の厚みを７μｍにしてもそれに到達しなか
った０以上の結果より、短絡する割合をある値以下とす
るには、酸化ガス・スパッタ処理を行なえば、より薄い
固体電解質層で可能となることが明らかとなった。また
、それによって固体電解質層の形成時間が短縮でき、電
池製造の能率を上げることができた。
スパッタ処理を行なった本発明の電池の方が酸素ガス・
スパッタ処理を行なっていない従来電池より短絡する割
合が少ない。たとえば短絡する割合が２０％まで低下さ
せるのに、酸素ガス・スパッタ処理を行なった本発明の
電池では固体電解質層の厚さを３μ醜にすればよいが、
酸素ガス・スパッタ処理を行なっていない従来電池では
固体電解質層の厚みを７μｍにしてもそれに到達しなか
った０以上の結果より、短絡する割合をある値以下とす
るには、酸化ガス・スパッタ処理を行なえば、より薄い
固体電解質層で可能となることが明らかとなった。また
、それによって固体電解質層の形成時間が短縮でき、電
池製造の能率を上げることができた。
つぎに、上述の短絡割合が近似している本発明の電池と
従来電池について２５℃の内部抵抗値を測定して比較し
た。その結果を第１表に示す。なお、内部抵抗値の測定
に供した本発明の電池は酸素ガス・スパッタ処理をした
もので、短絡割合が２０％で固体電解質層の膜厚が３μ
ｍであり、従来電池は酸素ガス・スパッタ処理をしてい
ないもので、短絡割合が３０％で固体電解質層の膜厚は
７μ−である。
従来電池について２５℃の内部抵抗値を測定して比較し
た。その結果を第１表に示す。なお、内部抵抗値の測定
に供した本発明の電池は酸素ガス・スパッタ処理をした
もので、短絡割合が２０％で固体電解質層の膜厚が３μ
ｍであり、従来電池は酸素ガス・スパッタ処理をしてい
ないもので、短絡割合が３０％で固体電解質層の膜厚は
７μ−である。
第 １ 表
第１表に示す結果から明らかなように、酸素ガス・スパ
ッタ処理をすることにより、固体電解質層の厚みを薄く
することができ、また、それに基づいて内部抵抗を小さ
くすることができる。なお抄 、
第１表に示す内部抵抗値が固体電解質層の膜厚に比例し
ていないのは、電池の内部抵抗は、固体電解質層の抵抗
分極のみで決まらず、界面における分極なども影響を及
ぼすからであると考えられる。
ッタ処理をすることにより、固体電解質層の厚みを薄く
することができ、また、それに基づいて内部抵抗を小さ
くすることができる。なお抄 、
第１表に示す内部抵抗値が固体電解質層の膜厚に比例し
ていないのは、電池の内部抵抗は、固体電解質層の抵抗
分極のみで決まらず、界面における分極なども影響を及
ぼすからであると考えられる。
なお、上記実施例では、固体電解質層をスパッタ蒸着に
より形成したが、スクリーン印刷やスピンコードなどの
塗布により形成する場合も同様である。また、実施例で
は正極活物質として二硫化チタンを用い正極上に固体電
解質層を形成した後に酸素ガス・スパック処理を行なっ
たが、正極活物質としてＴａＳ２、ＶＳ２、ＴｉＳｅ２
、ＶＳ２、Ｔｉ２−ｘ０５などの物質を用いる場合、さ
らには、リチウム、リチウム−アルミニウム合金などで
構成される負極上に固体電解質層を形成した後に酸素ガ
ス・スパック処理を行なう場合も、実施例に例示した場
合と同様の効果が奏され、本発明の範囲内に含まれるも
のである。
より形成したが、スクリーン印刷やスピンコードなどの
塗布により形成する場合も同様である。また、実施例で
は正極活物質として二硫化チタンを用い正極上に固体電
解質層を形成した後に酸素ガス・スパック処理を行なっ
たが、正極活物質としてＴａＳ２、ＶＳ２、ＴｉＳｅ２
、ＶＳ２、Ｔｉ２−ｘ０５などの物質を用いる場合、さ
らには、リチウム、リチウム−アルミニウム合金などで
構成される負極上に固体電解質層を形成した後に酸素ガ
ス・スパック処理を行なう場合も、実施例に例示した場
合と同様の効果が奏され、本発明の範囲内に含まれるも
のである。
以上説明したように、本発明によれば、固体電解質層の
厚みを薄（することができ、また、固体電解質層を薄（
できるようになったことによって、生産性が向上し、か
つ内部抵抗を低減させることができた。
厚みを薄（することができ、また、固体電解質層を薄（
できるようになったことによって、生産性が向上し、か
つ内部抵抗を低減させることができた。
茅１〜２図は本発明の固体電解質電池を模式的に示す図
で、第１図はその要部拡大断面図、第２図は全体の断面
図であり、上記第１図は第２図のＡ部に対応する図であ
る。第３図は酸素ガス・スバ、り処理を行なった本発明
の電池と酸素ガス・スパッタ処理をしていない従来電池
の固体電解質層の厚さの変化に伴なう短絡割合を示す図
である。 ２・・・正極、 ３・・・固体電解質層、 ３ａ・・・
隔壁性不完全部分、 ４・・・負極、 ５・・・酸化物
同第１ 図 第２圀
で、第１図はその要部拡大断面図、第２図は全体の断面
図であり、上記第１図は第２図のＡ部に対応する図であ
る。第３図は酸素ガス・スバ、り処理を行なった本発明
の電池と酸素ガス・スパッタ処理をしていない従来電池
の固体電解質層の厚さの変化に伴なう短絡割合を示す図
である。 ２・・・正極、 ３・・・固体電解質層、 ３ａ・・・
隔壁性不完全部分、 ４・・・負極、 ５・・・酸化物
同第１ 図 第２圀
Claims (3)
- （１）固体電解質電池において、固体電解質層３の隔壁
性不完全部分３ａに接する正極２または負極４の表面層
に、該表面層の正極活物質または負極活物質の酸化によ
り電子伝導性を消失させた酸化物層５を形成したことを
特徴とする固体電解質電池。 - （２）正極２または負極４上に固体電解質層３を形成し
たのち、固体電解質層３の隔壁性不完全部分３ａに接す
る正極２または負極４の表面層に、酸素ガス・スパッタ
処理により該表面層の正極活物質または負極活物質を酸
化して電子伝導性を消失させた酸化物層５を形成するこ
とを特徴とする固体電解質電池の製造方法。 - （３）固体電解質層３をスパッタ蒸着により形成する特
許請求の範囲第２項記載の固体電解質電池の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59217800A JPS6196671A (ja) | 1984-10-16 | 1984-10-16 | 固体電解質電池およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59217800A JPS6196671A (ja) | 1984-10-16 | 1984-10-16 | 固体電解質電池およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6196671A true JPS6196671A (ja) | 1986-05-15 |
Family
ID=16709927
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59217800A Pending JPS6196671A (ja) | 1984-10-16 | 1984-10-16 | 固体電解質電池およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6196671A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001351615A (ja) * | 2000-06-08 | 2001-12-21 | Sumitomo Electric Ind Ltd | リチウム二次電池負極 |
| JP2009272050A (ja) * | 2008-04-30 | 2009-11-19 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 全固体電池およびその製造方法 |
-
1984
- 1984-10-16 JP JP59217800A patent/JPS6196671A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001351615A (ja) * | 2000-06-08 | 2001-12-21 | Sumitomo Electric Ind Ltd | リチウム二次電池負極 |
| JP2009272050A (ja) * | 2008-04-30 | 2009-11-19 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 全固体電池およびその製造方法 |
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