JPS6195521A - マスクパタ−ン - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明はフォトリングラフィ技術に使用するフォトマス
クやレチクル等のマスクに関し、特にマスク上に形成さ
れたパターンの位置精度測定及び外観検査の自動化を図
りたマスクパターンに関するものである。

〔背景技術〕

例えば半導体集積回路装置の製造にはレチクルやフォト
マスクを使用したフォトリングラフィ技術が利用されて
いるが、半導体装置の微細化、高集積化を達成するため
にはマスクに形成される各種パターンが正確に形成され
ていなければならず、したがってマスクにおけるパター
ンの外観検査が必須のものとされる。

ところで、この種のマスクでは、パターンを転写する半
導体ウェーハとの位置決め（アシイメント）用のターゲ
ットをマスク一部に形成する必要がちシ、このためにこ
のターゲットは他のパターンとの相対位置を高精度に管
理する必要がある。

また、形成される各パターンは夫々対応するベレットに
対して正しい位置に形成される必要がある。

従来、前記ターゲットの検査を行なう場合、ターゲット
が所定のペレット枠内に正確に配置されているか否かを
検査しており、例えば第４図のようにペレット枠１を画
成するスクライプライン２を利用し、このスクライプラ
イン２の測定から得られたペレット枠１の中心位置Ｓ、
とターゲット３の中心位置との比較から検査を行なって
いる。また、各パターンの検査においても、第５図のよ
うＫ、ペレット枠ＩＡの外形線（枠）４の角位置を測定
してその中心位置Ｓ、を求め、この中心位置Ｓａｔ基準
にして各パターン５の位置を検査している。

しかしながら、前述したターゲットやパターンの検査方
法ではいずれもペレット枠１．ＩＡを画成するスクライ
プライン２や外形線４が必要であり、これらの存在しな
いマスク（主に中間パターン形成用のマスク）ではター
ゲット３やパターン５の位置検査が難めて困難になり、
特に自動機による検査が不可能になるという問題がある
。

なお、位置決め用のターゲラ）Ｋついては、特開昭５８
−７０２２６　　号公報や！開昭５８−１７３８３１号
公報に記載があるが、いずれもスクライプラインを利用
しており、前述の間色を解消するものではない。

〔発明の目的〕

本発明の目的はマスクに形成したターゲ７）やパターン
の検査を、スクライプラインのないマスクにおいても正
確Ｋかっ容易にしがも自動機によって行なうことのでき
るマスクパターンを提供することにおる。

本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、
本明細書の記述および添付図面からあきらかにな乙であ
ろう。

〔発明の概要〕

本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、下記のとおりで８る。

丁なわち、ペレット枠に相当する少なくとも３つの角部
にペレット枠の中心から夫々等距隆位賃に基準パターン
を形成し、これら３つの基準パターンに基づいてペレッ
ト枠の中心位置を求め得るように構成することによシ、
ペレット枠を画成するスクライプラインや外形線の存在
しないマスクにおいてもペレット枠中心を容易に求める
ことができ、これによりターゲットやパターンの検査の
自動化を達成するものである。

〔実施例〕

第１図および第２図は本発明の一実施例を示すもので、
フォトマスク１０に適用した例である。　　゛このフォ
トマスク１０は複数個のペレット１１に相対するパター
ン１２やターゲット１３をペレット枠内く形成し、前記
ターゲット１３金利用して位置決めを行なった上でフォ
ト技術を用いてパターン１２を半導体ウェーハ表面に転
写し得るようになっている。そして、ここで前記ターゲ
ット１３やパターンエ２自身の形成に際してもフォトリ
ソグラフィ技術を利用しており、特にパターン露光に際
してはステップ露光装置や電子描画装置が利用される。

一方、前記フォトマスク１０の各ペレット枠内の３つの
角部に相当する位置には予め３個の基準パターン１４を
形成している。これらの基準パターン１４は十字形に形
成され、かつ各々の中心点からペレット枠の中心位置Ｓ
、までの距離１ｓ。

ｌｚ−１ｍが夫々等しくなるように形成している。

したがって、このように構成されたフォトマスク１０は
、各ペレット枠を画成（規定）するスクライプラインが
形成されていなくても、各ペレット枠に３個づつ設けら
れた基準パターン１４を利用することＫよりペレット枠
の中心位置を容易に求めることができる。つまり、令弟
２図のように３個の基準パターン１４Ａ、１４Ｂ、１４
Ｃの座標を夫々（Ｘ□　、Ｙｌ　　）　、（Ｘｓ　　、
Ｙｌ　）　、　（Ｘｌ。

Ｙｓ）とすれば中心位置Ｓ０の座標（Ｘｏ　、Ｙｏ）は
次式で求めることができる。

為”ＣＸＩ　十Ｘ、　　）ｘ　　　　、　　Ｙ６　：（
Ｙｔ　十Ｙ、　　）ｘ　−そして、このようにして求め
られた中心位ｆｊｌＳ。

に対して前記ターゲット１３やパターン１２の相対位置
を検査することにより、ターゲット１３およびパターン
１２が所要の位置に正確に形成されているか否かを容易
に検査することができる。したがって、スクライプライ
ンを有しないフォトマスクにおいても、ターゲット１３
およびパターン１２を正確にかつ容易にしかも自動機等
を用いて自動的に検査することができる。

ここで、他の方法としては、第３図のように基準パター
ン１４Ａ、１４Ｂ、１４Ｃｉのみ形成したフォトマスク
ＩＯＡを用いて先に基準パターン１４Ａ、１４Ｂ、１４
Ｃを半導体ウェー八等に転写しておき、しかる上でター
ゲットやパターンを形成したフォトマスクを用いてター
ゲットやパターンを同一の半導体ウェーハ上に転写し、
その上で基準パターン１４Ａ、１４Ｂ、１４Ｃによυペ
レットの中心を求めてターゲットやパターンの位置を検
査するようにしてもよい。

〔効果〕

）（１）　　フｔトリソグラフィ技術等に使用されるマ
スクのペレット枠に相当する少なくとも３つの角部にペ
レット枠の中心から夫々等距離位置に基準パターンを形
成し、これらの基準パターンに基づいてペレット枠の中
心位置を求め得るように構成しているので、スクライプ
ラインやベレット外形線のないマスクにおいても容易に
ペレット中心位置を求めかつこれに基づいてターゲット
やパターンの位置等の検査を行なうことができ、検査の
容易化、自動化を達成できる。

（２）基準パターンはペレット枠の少なくとも３つの角
部に設ければよいので、ペレットパターンの配設の障害
になることはなく、また基準パターンの位置に制約を受
けることもないので設計を自由に行なうことができる。

以上本発明者によってなされた発明を実施例にもとづき
具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範凹で糧々変更可
能であることはいうまでもない。たとえば、基準パター
ンの形状は、特定点を容易に見出し得るものであれば十
字形に限られるものではなく他の形状であってもよい。

また、基準パターン全４個以上設けた上で任意の３個を
選んで中心位置を求めるようにしてもよい。更に、基Ｓ
パターンはペレット枠の側辺に沿った位置に設けてもよ
い。

〔利用分野〕

以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野である半導体集積回路の製
造用のフォトマスクに適用した場合について説明したが
、それに限定されるものではなく、レチクルはもちろん
のこと半導体装置製造以外の分野におけるフォトリング
ラフィ技術用のマスクに適用できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例のマスクパターンの一部平面
図、 第２図は要部の拡大図、 第３図は変形例の一部平面図、 第４図および第５図は夫々異なる従来のマスクパターン
の一部平面図である。 １０・・・フォトマスク、１１・・・ペレット（枠）、
１２・・・パターン、１３・・・ターゲット、１４　（
１４Ａ。 １４Ｂ、１４Ｃ）・・・基準パターン、Ｓｏ・・・中心
位置。 第　　１　　図 第　　２　　図 第　　３　　図 第　　４　　図 第　　５　　図 ／Ａ

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、転写用のパターンや位置決め用のターゲットを有す
   る一方、ペレット枠を規定するスクライブラインを有し
   ないレチクル、フォトマスク等のマスクであって、前記
   パターンやターゲットと共に複数個の基準パターンを設
   けてなり、これら基準パターンはペレット枠の少なくと
   も３つの周囲相当位置でペレット枠の中心から夫々等距
   離位置に形成したことを特徴とするマスクパターン。 ２、基準パターンは十字状に形成し、その交差部を基準
   点にしてペレット枠の中心との距離を設定してなる特許
   請求の範囲第１項記載のマスクパターン。 ３、基準パターンはペレット枠の少なくとも３つの角部
   相当位置に夫々形成してなる特許請求の範囲第１項又は
   第２項記載のマスクパターン。