JPS58111037A - ホトマスク基板 - Google Patents
ホトマスク基板Info
- Publication number
- JPS58111037A JPS58111037A JP56209044A JP20904481A JPS58111037A JP S58111037 A JPS58111037 A JP S58111037A JP 56209044 A JP56209044 A JP 56209044A JP 20904481 A JP20904481 A JP 20904481A JP S58111037 A JPS58111037 A JP S58111037A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mark
- registering
- alignment mark
- photomask
- alignment
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、半導体集積回路装置の製造に尚シ、ホトリ
ソグラフィ（以下ホトリソと略記する）工程に用いるホ
トマスク基板に関するものである・標準的な半導体集積
回路装置の製造に＠９、平均８ないし１０工程のホトエ
ツチング処理が行なわれる。したがって、６ないし８層
のガラス製ホトマスク基板が必要であり、ホトマスク基
板には６ないし８個の位置合せマークが必要となる。
ソグラフィ（以下ホトリソと略記する）工程に用いるホ
トマスク基板に関するものである・標準的な半導体集積
回路装置の製造に＠９、平均８ないし１０工程のホトエ
ツチング処理が行なわれる。したがって、６ないし８層
のガラス製ホトマスク基板が必要であり、ホトマスク基
板には６ないし８個の位置合せマークが必要となる。
しかし、半導体集積回路装置の設計には、常にチップ面
積が最小になるように設計することが要求されるため、
必ずしもチップ領域の所定位置に位置合せマークのスペ
ースが確保されるとは限らず、むしろ各々の位置合せマ
ークが分散して配置される場合が多い。
積が最小になるように設計することが要求されるため、
必ずしもチップ領域の所定位置に位置合せマークのスペ
ースが確保されるとは限らず、むしろ各々の位置合せマ
ークが分散して配置される場合が多い。
従来のホトマスク基板をＭ１図に示す。第１図において
、ｌは石英などを材料とする透明ガラス基板で６９、こ
の基板ｌの表面には、ホトレジメト膜を感光させる光に
対して不透明な材料で、複数チップ領域を区画する友め
のＸ軸方向のグリッドライン２と、同Ｙ軸方向のグリッ
ドライン３と。
、ｌは石英などを材料とする透明ガラス基板で６９、こ
の基板ｌの表面には、ホトレジメト膜を感光させる光に
対して不透明な材料で、複数チップ領域を区画する友め
のＸ軸方向のグリッドライン２と、同Ｙ軸方向のグリッ
ドライン３と。
ウェハ上マークへの位置合せマーク４と、暦表示番号５
と１回路管構成するためのパターン６とが形成されてい
る。ｉた、第１図において、７社後の工程で使用する位
置合せマーク用スペース、８祉ｓ微鏡視野、９社１つの
チップ領域、１Ｇは前工程で使用した位置合せマーク用
スペース％１２は次工程で使用する位置合せマークの例
である。
と１回路管構成するためのパターン６とが形成されてい
る。ｉた、第１図において、７社後の工程で使用する位
置合せマーク用スペース、８祉ｓ微鏡視野、９社１つの
チップ領域、１Ｇは前工程で使用した位置合せマーク用
スペース％１２は次工程で使用する位置合せマークの例
である。
そして、前述した理由と、第１図に例示したように、前
工程で使用済となった！−りの近傍に、当該工程の露光
用マークがあると社限らないため、ウェハの処理工程が
進むと、位置合せマークの検出および使用済マークか否
かの判別が困難となる。
工程で使用済となった！−りの近傍に、当該工程の露光
用マークがあると社限らないため、ウェハの処理工程が
進むと、位置合せマークの検出および使用済マークか否
かの判別が困難となる。
そこで、これらの対策のために、従来のホトマスク基板
では、位置合せマーりの近傍に暦表示番号を付すことが
不可欠の粂件となっているが、これらは位置合せマーク
の占有面積が大きくなるという問題を発生する。例えば
２μｍの精度で位置合せを行なう場合、４００倍程度の
顕微鏡を使用するが、この顕微鏡の視野は最大３０００
０μｉ程度であり、５■×５■の面積のチップを考える
と、僅かに０．１ ％の領域が一視野で見えるに過ぎな
いのが現状である・すなわち１位置合せマークに暦表示
番号を付すことが不可欠になっている従来のホトマスク
基板では、１つ２０〜３０μｍ×２０〜３０μｓの位置
合せマークを使用しても、３００００ ｓｒｌ以下の面
積に集合させることが不可能であったため。
では、位置合せマーりの近傍に暦表示番号を付すことが
不可欠の粂件となっているが、これらは位置合せマーク
の占有面積が大きくなるという問題を発生する。例えば
２μｍの精度で位置合せを行なう場合、４００倍程度の
顕微鏡を使用するが、この顕微鏡の視野は最大３０００
０μｉ程度であり、５■×５■の面積のチップを考える
と、僅かに０．１ ％の領域が一視野で見えるに過ぎな
いのが現状である・すなわち１位置合せマークに暦表示
番号を付すことが不可欠になっている従来のホトマスク
基板では、１つ２０〜３０μｍ×２０〜３０μｓの位置
合せマークを使用しても、３００００ ｓｒｌ以下の面
積に集合させることが不可能であったため。
位置合せに時間がかがり、ホトリン工程の処理時間の短
縮に大きな障害となっていた。ｗ、４図は従来のホトマ
スク基板を用いる位置合せに必要な時間データを示す。
縮に大きな障害となっていた。ｗ、４図は従来のホトマ
スク基板を用いる位置合せに必要な時間データを示す。
第４図に実線で示したデータから、従来のホトマスク基
板では、最小でも６７秒間以下に１枚のシリコンウェハ
の処理時間を短縮することは困難なことがわかる。
板では、最小でも６７秒間以下に１枚のシリコンウェハ
の処理時間を短縮することは困難なことがわかる。
この発明＃ｉ、前述した従来の問題を解決しようとする
ものであって、第１の位置合せマークを包囲する枠状な
どの第２の位置合せマークを設けることにより、層嵌示
Ｖｉ号を不要とし、第２の位置合せマークを補助的な合
せマークにして、各層の位置合せマークを従来のものよ
りも近い位置に敷けることができるようにし、位置合せ
マーク領域の縮小と、良好な位置合せ作業能率とが可能
なホトマスク基板を提供することを目的とするものであ
る。
ものであって、第１の位置合せマークを包囲する枠状な
どの第２の位置合せマークを設けることにより、層嵌示
Ｖｉ号を不要とし、第２の位置合せマークを補助的な合
せマークにして、各層の位置合せマークを従来のものよ
りも近い位置に敷けることができるようにし、位置合せ
マーク領域の縮小と、良好な位置合せ作業能率とが可能
なホトマスク基板を提供することを目的とするものであ
る。
以下、この発明の一！ｌ！總例につき図面を参照して説
明する。
明する。
第２図はこの発明の一実施例を示す。第２図において、
ｌは透明ガラス基板で１Ｌこの基板ｌの表面にはホトレ
ジスト属を感光させる元に対して不透明な材料で、チッ
プ領域を区分するＸ軸方向のグリッドツイン２と、同Ｙ
軸方向のグリッドライン３と、クエへ上マークへの第１
の位置合せマーク４と、このマーク４の領域を含む全位
置合せマーク領域を包囲して外枠を形成する第２の位置
合せマーク１１とが形成されている。また、７は以後の
工程で使用される位置合せマーク用スペース、９は１つ
のチップ領域ｓｌＯは前工程で使用し九位置合せ用マー
クスペース％１２は次工程で使用するＮｌの位置合せＶ
−りの例である。
ｌは透明ガラス基板で１Ｌこの基板ｌの表面にはホトレ
ジスト属を感光させる元に対して不透明な材料で、チッ
プ領域を区分するＸ軸方向のグリッドツイン２と、同Ｙ
軸方向のグリッドライン３と、クエへ上マークへの第１
の位置合せマーク４と、このマーク４の領域を含む全位
置合せマーク領域を包囲して外枠を形成する第２の位置
合せマーク１１とが形成されている。また、７は以後の
工程で使用される位置合せマーク用スペース、９は１つ
のチップ領域ｓｌＯは前工程で使用し九位置合せ用マー
クスペース％１２は次工程で使用するＮｌの位置合せＶ
−りの例である。
次に、前記実施例のホトマスク基板を使用したホトリソ
工程の一例を第３図（−なかしくｅ）によって説明する
。第３図（＆） 、 （鴫、（句、（・）において、１
３Ｌシリコンウエハ、１４社酸化シリコンなどの絶縁膜
、１５はホトレジストである。
工程の一例を第３図（−なかしくｅ）によって説明する
。第３図（＆） 、 （鴫、（句、（・）において、１
３Ｌシリコンウエハ、１４社酸化シリコンなどの絶縁膜
、１５はホトレジストである。
第３図（ａ） 、 （ｂ）に示すように１第２の位置合
せマーク１１で囲まれた２５０００μ−以下の面積で、
透明ガラス基板ｌおよびシリコンウニノー１３に殴けら
れ九食合せマーク領域を顕微鏡視野に入れる。
せマーク１１で囲まれた２５０００μ−以下の面積で、
透明ガラス基板ｌおよびシリコンウニノー１３に殴けら
れ九食合せマーク領域を顕微鏡視野に入れる。
次に、第２の位置合せマーク１１を前記ウエノ１３のマ
ークに合せる。その後ｓ Ｗ／Ｅ １の位置合せマーク
４をすでに位置合せマークｌＯでウエノ、１３に形成さ
れている合せマークに合せる。そして、第３図（Ｃ）に
示すように、１１１元を行なう。この時に。
ークに合せる。その後ｓ Ｗ／Ｅ １の位置合せマーク
４をすでに位置合せマークｌＯでウエノ、１３に形成さ
れている合せマークに合せる。そして、第３図（Ｃ）に
示すように、１１１元を行なう。この時に。
次工程で使用する位置合せマーク１２がウェハ１３上に
転写される。次に、エツチングを行ない、第２の絶縁膜
を育成する。その後、前述したと同様な処理を繰返すが
、この時は、ｊｇｓ図（ｄ） 、 （ｅ）に示すように
、次工程で使用する位置合せマーク１２がウェハ１３上
の前工程とは異なる場所に転写される。
転写される。次に、エツチングを行ない、第２の絶縁膜
を育成する。その後、前述したと同様な処理を繰返すが
、この時は、ｊｇｓ図（ｄ） 、 （ｅ）に示すように
、次工程で使用する位置合せマーク１２がウェハ１３上
の前工程とは異なる場所に転写される。
前述したように、この実施例では１位置合せマーク領域
を第２の位置合せマークで包囲したことにより、前記マ
ーク領域の面積を小さくでき、この丸めに顕微鏡視野に
全での位置合せマークを入れることが可能となる。第２
の位置合せマークでホトマスク基板とウェハとの績略の
位置合せを行なうため、使用済のパターンとの判別も容
易となる。したがって、この実施例では、ホトリソ工程
の大幅な処理時間短縮ができるとｉう利点がある。
を第２の位置合せマークで包囲したことにより、前記マ
ーク領域の面積を小さくでき、この丸めに顕微鏡視野に
全での位置合せマークを入れることが可能となる。第２
の位置合せマークでホトマスク基板とウェハとの績略の
位置合せを行なうため、使用済のパターンとの判別も容
易となる。したがって、この実施例では、ホトリソ工程
の大幅な処理時間短縮ができるとｉう利点がある。
すなわち、第４図に破線で示したように、仁の実施例の
ホトマスク基板を用いると、ウェハ１枚の処理時間が平
均で５７程度と従来に比べて２５％以上も短縮できるこ
とがわかる。
ホトマスク基板を用いると、ウェハ１枚の処理時間が平
均で５７程度と従来に比べて２５％以上も短縮できるこ
とがわかる。
以上説明したように、この発明のホトマスク基板は、少
なくとも１つの第１の位置合せマークを包囲して第２の
位置合せマーりを設けたので、位置合せマーク領域の面
積を縮小することができ、１＋良好な位置合せ作業能率
を得られるという効果があり、すべての半導体回路装置
の製造に利用することができる。
なくとも１つの第１の位置合せマークを包囲して第２の
位置合せマーりを設けたので、位置合せマーク領域の面
積を縮小することができ、１＋良好な位置合せ作業能率
を得られるという効果があり、すべての半導体回路装置
の製造に利用することができる。
第１図は従来のホトマスク基板の位置合せマーク部分の
説明図、第２図はこの発明の一実施例によるホトマスク
基板の位置合せマーク部分の説明図、第３図（＆）およ
び（ｂ）はこの発明の一実施例のホトマスク基板を用い
るマスク合せ工程を説明するための縦断面図および平面
図、第３図（Ｃ）は第３図（ａ） 、 （ｂ）のマスク
合せ後の工程を説明するブロック図、第３図（ｄ）およ
び（ｅ）は′Ｉｇ３図（ｃ）の工程後のマスク合せ工程
を説明するための縦断面図および平面図、第４図は従来
のホトマスク基板およびこの発明のホトマスク基板を用
いた場合のウニ／’ｔ １枚当りの位置合せ時間処理時
間を比較して示す図であるＯ １・・・透明ガラス基板、２．３・・・グリッドライン
、。 ４°゛・位置合せマーク、９・・・１つのチップａｍ、
１１・パ第２の位置合せマーク。 矛 ＩＩＩ 矛２図 手続補正書 昭和５７年５月２８日 特許庁長官島 １）春 樹膜 １、事件の表示 昭和８６年 特許 願第 １！０８０４４ 号２、
発−Ｏ名称 ホトマスク基板 ３、補正をする者 事件との関係 特 許 出願人＜０２９）沖電
気工業株式会社 ４、代理人 ５、補正命令の日付 昭和 年 月 日（麿Ｉ
Ｉ）６、補正の対象 明細書Ｏ＊ａＯ詳細ＩＮａ＠ｔ）欄
説明図、第２図はこの発明の一実施例によるホトマスク
基板の位置合せマーク部分の説明図、第３図（＆）およ
び（ｂ）はこの発明の一実施例のホトマスク基板を用い
るマスク合せ工程を説明するための縦断面図および平面
図、第３図（Ｃ）は第３図（ａ） 、 （ｂ）のマスク
合せ後の工程を説明するブロック図、第３図（ｄ）およ
び（ｅ）は′Ｉｇ３図（ｃ）の工程後のマスク合せ工程
を説明するための縦断面図および平面図、第４図は従来
のホトマスク基板およびこの発明のホトマスク基板を用
いた場合のウニ／’ｔ １枚当りの位置合せ時間処理時
間を比較して示す図であるＯ １・・・透明ガラス基板、２．３・・・グリッドライン
、。 ４°゛・位置合せマーク、９・・・１つのチップａｍ、
１１・パ第２の位置合せマーク。 矛 ＩＩＩ 矛２図 手続補正書 昭和５７年５月２８日 特許庁長官島 １）春 樹膜 １、事件の表示 昭和８６年 特許 願第 １！０８０４４ 号２、
発−Ｏ名称 ホトマスク基板 ３、補正をする者 事件との関係 特 許 出願人＜０２９）沖電
気工業株式会社 ４、代理人 ５、補正命令の日付 昭和 年 月 日（麿Ｉ
Ｉ）６、補正の対象 明細書Ｏ＊ａＯ詳細ＩＮａ＠ｔ）欄
Claims (2)
- （１）ホトレジスト膜を感光させる光が通過する材料か
らなる透明基板と、この透明基板の表面に前記光に対し
不透明な材料からなるＸ軸方向およびＹ軸方向のグリッ
ドラインで区画され九複数のチップ領域と、これらのチ
ップ領域の表面に形成され危前記不透明な材料からなる
少くとも１つの第１の位置合せマークと、前記チップ領
域内に前記ｔＮ４１Ｏ位置合せｉ−りを包囲して形成し
た前記不透明な材料からなる第２の位置合せマークとを
備えたことを特徴とするホトマスク基板。 - （２）第２の位置合せマークで囲まれる面積が２５００
０μｉ以下である特許請求の範囲第１項記載のホトマス
ク基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56209044A JPS58111037A (ja) | 1981-12-25 | 1981-12-25 | ホトマスク基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56209044A JPS58111037A (ja) | 1981-12-25 | 1981-12-25 | ホトマスク基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58111037A true JPS58111037A (ja) | 1983-07-01 |
| JPS623944B2 JPS623944B2 (ja) | 1987-01-28 |
Family
ID=16566324
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56209044A Granted JPS58111037A (ja) | 1981-12-25 | 1981-12-25 | ホトマスク基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58111037A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62144168A (ja) * | 1985-12-18 | 1987-06-27 | Hitachi Ltd | レチクル |
| CN103941541A (zh) * | 2014-04-11 | 2014-07-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种掩膜板污染区域的位置标识方法和装置 |
-
1981
- 1981-12-25 JP JP56209044A patent/JPS58111037A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62144168A (ja) * | 1985-12-18 | 1987-06-27 | Hitachi Ltd | レチクル |
| CN103941541A (zh) * | 2014-04-11 | 2014-07-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种掩膜板污染区域的位置标识方法和装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS623944B2 (ja) | 1987-01-28 |
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