JPS6190193A - アクテイブマトリクス液晶表示装置 - Google Patents
アクテイブマトリクス液晶表示装置Info
- Publication number
- JPS6190193A JPS6190193A JP21167084A JP21167084A JPS6190193A JP S6190193 A JPS6190193 A JP S6190193A JP 21167084 A JP21167084 A JP 21167084A JP 21167084 A JP21167084 A JP 21167084A JP S6190193 A JPS6190193 A JP S6190193A
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- JP
- Japan
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- liquid crystal
- active matrix
- crystal display
- matrix liquid
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、ポケットテレビ等、携帯電子装置に用いら
れる。アクティブマトリクス液晶表示装置にかんする。
れる。アクティブマトリクス液晶表示装置にかんする。
従来のアクティブマトリクス液晶表示装置に用いられた
。薄膜トランジスタと液晶駆動電極からなる一方の基板
の構造を第２図に示す。絶縁基板１１の上には、ゲート
電極１２．ゲート絶縁膜１３、非晶質シリコン１４．Ｎ
十非晶質シリコンからなるソース、ドレイン１５．１６
．絶縁膜１７゜ソース電極１８．ドレイン電極１９から
なる薄膜トランジスタとＩＴＯ（インジウム・スズ酸化
物）透明導電膜からなる液晶駆動電極２０が形成されて
いる。ゲート電極１２に電圧を加えて薄膜トランジスタ
をＯＮ状態にすると、映像信号は、ソース電極１８から
薄膜トランジスタのチャンネル部、ドレイン電極１９を
通って液晶駆動電極２０に加えることができる。
。薄膜トランジスタと液晶駆動電極からなる一方の基板
の構造を第２図に示す。絶縁基板１１の上には、ゲート
電極１２．ゲート絶縁膜１３、非晶質シリコン１４．Ｎ
十非晶質シリコンからなるソース、ドレイン１５．１６
．絶縁膜１７゜ソース電極１８．ドレイン電極１９から
なる薄膜トランジスタとＩＴＯ（インジウム・スズ酸化
物）透明導電膜からなる液晶駆動電極２０が形成されて
いる。ゲート電極１２に電圧を加えて薄膜トランジスタ
をＯＮ状態にすると、映像信号は、ソース電極１８から
薄膜トランジスタのチャンネル部、ドレイン電極１９を
通って液晶駆動電極２０に加えることができる。
しかし、従来のアクティブマトリクス液晶表示装置では
、液晶駆動電極２０は透明であること。
、液晶駆動電極２０は透明であること。
ソース、ドレイン電極１８．１９は低抵抗であることが
必要なため、液晶駆動電極２０にはＩＴＯ。
必要なため、液晶駆動電極２０にはＩＴＯ。
ソース、ドレイン電極１８．１９にはアルミニウムなど
の金属膜と異なる導電膜が用いられていたため、製造工
程が複雑で１歩留りもよくないなどの欠点があった。
の金属膜と異なる導電膜が用いられていたため、製造工
程が複雑で１歩留りもよくないなどの欠点があった。
そこで、この発明は、従来のこのような欠点を解決する
ため、ソース、ドレイン電極１８，１９゜液晶駆動電極
２０に必要な電極膜形成が同時にできる。アクティブマ
トリクス液晶表示装置を得ることを目的としている。
ため、ソース、ドレイン電極１８，１９゜液晶駆動電極
２０に必要な電極膜形成が同時にできる。アクティブマ
トリクス液晶表示装置を得ることを目的としている。
上記問題点を解決するために、この発明は、非晶質シリ
コンと金属が反応して、透明導電膜を形成することを利
用して、液晶駆動電極２０と、ソース、ドレイン電極１
８．１９を同じ導電膜から形成するようにした。
コンと金属が反応して、透明導電膜を形成することを利
用して、液晶駆動電極２０と、ソース、ドレイン電極１
８．１９を同じ導電膜から形成するようにした。
非晶質シリコンとクロム、モリブデンなどの金属の二層
膜は、１５０〜３００℃に加熱後、金属膜をエツチング
除去すると、透明導電膜が形成されることが知られてい
る。（山本他、１９８４年春 応用物理学会講演予稿集
ａ−３ｉ：）（と金属の界面反応による透明電極 ｐ
３８１） 上記のように、液晶駆動電極と、ソース
、ドレイン電極を同じ導電膜から形成することにより、
電極膜形成工程の数を減らし、電極間を接続する工程を
省略することができる。
膜は、１５０〜３００℃に加熱後、金属膜をエツチング
除去すると、透明導電膜が形成されることが知られてい
る。（山本他、１９８４年春 応用物理学会講演予稿集
ａ−３ｉ：）（と金属の界面反応による透明電極 ｐ
３８１） 上記のように、液晶駆動電極と、ソース
、ドレイン電極を同じ導電膜から形成することにより、
電極膜形成工程の数を減らし、電極間を接続する工程を
省略することができる。
以下にこの発明の実施例を図面にもとづいて説明する。
第１図は１本発明のアクティブマトリクス液晶表示装置
に用いられる。薄膜トランジスタと液晶駆動電極からな
る一方の基板の構造を示す図である。第１図において、
絶縁基板１の上には。
に用いられる。薄膜トランジスタと液晶駆動電極からな
る一方の基板の構造を示す図である。第１図において、
絶縁基板１の上には。
ゲート電極２．ゲート絶縁膜３．非晶質シリコン４、Ｎ
土葬晶質シリコンとクロムが反応して形成された透明導
電膜からなるソース、ドレイン５゜６、絶縁膜７．クロ
ムよりなるソース電極、ドレイン電極８，９からなる薄
膜トランジスタが形成されている。液晶駆動電極１０は
、ソース、ドレイン５．６を形成しているＮ土葬晶質シ
リコンとクロムが反応して形成された透明導電膜と、同
一の膜から出来ている。ソース、ドレイン５．６と液晶
駆動電極１０の形成方法は、Ｎ土葬晶質シリコンとクロ
ム膜を基板の全面に連続してデポジットした後、ソース
、ドレイン５．６．ソース電極。
土葬晶質シリコンとクロムが反応して形成された透明導
電膜からなるソース、ドレイン５゜６、絶縁膜７．クロ
ムよりなるソース電極、ドレイン電極８，９からなる薄
膜トランジスタが形成されている。液晶駆動電極１０は
、ソース、ドレイン５．６を形成しているＮ土葬晶質シ
リコンとクロムが反応して形成された透明導電膜と、同
一の膜から出来ている。ソース、ドレイン５．６と液晶
駆動電極１０の形成方法は、Ｎ土葬晶質シリコンとクロ
ム膜を基板の全面に連続してデポジットした後、ソース
、ドレイン５．６．ソース電極。
ドレイン電極８．９と液晶駆動電極１０の論理和のパタ
ーンにＮ土葬晶質シリコンとクロム膜を形成し、つぎに
１５０〜３００℃に加熱して、クロムとＮ土葬晶質シリ
コンを反応させて透明導電膜５．６．１０を形成し、つ
ぎに液晶駆動電極１０のパターンにクロムをエツチング
する。
ーンにＮ土葬晶質シリコンとクロム膜を形成し、つぎに
１５０〜３００℃に加熱して、クロムとＮ土葬晶質シリ
コンを反応させて透明導電膜５．６．１０を形成し、つ
ぎに液晶駆動電極１０のパターンにクロムをエツチング
する。
このように、液晶駆動電極１０と、ソース、ドレイン５
，６を形成しているＮ土葬晶質シリコンとクロムが反応
して形成された透明導電膜が、同一の膜から出来ている
と、電極膜形成工程の数を減らし、電極間を接続する工
程を省略することができる。
，６を形成しているＮ土葬晶質シリコンとクロムが反応
して形成された透明導電膜が、同一の膜から出来ている
と、電極膜形成工程の数を減らし、電極間を接続する工
程を省略することができる。
ソース、ドレイン電極８．９を形成する膜としては、ク
ロムの単Ｍ膜のみでなく１例えばアルミニウムとクロム
の二層膜などでもよい。
ロムの単Ｍ膜のみでなく１例えばアルミニウムとクロム
の二層膜などでもよい。
この発明は２以上説明したように、液晶駆動電極とソー
ス、ドレインをともに、Ｎ土葬晶質シリコンとクロムが
反応して形成された透明導電膜を用いることにより、電
極膜形成工程の数を減らし。
ス、ドレインをともに、Ｎ土葬晶質シリコンとクロムが
反応して形成された透明導電膜を用いることにより、電
極膜形成工程の数を減らし。
電極間を接続する工程を省略した。低価格のアクティブ
マトリクス液晶表示装置を実現する効果がある。
マトリクス液晶表示装置を実現する効果がある。
第１図は、この発明にかかるアクティブマトリクス液晶
表示装置の一方の基板の断面図、第２図は、従来のアク
ティブマトリクス液晶表示装置の一方の基板の断面図で
ある。 ４−・−−一一−−−−−−非晶質シリコン層５ −−
−−−−−・−ソース ６ −−−−−−−・−・−ドレイン ｉ ｏ −−−−−−−−−−一液晶駆動電極以上
表示装置の一方の基板の断面図、第２図は、従来のアク
ティブマトリクス液晶表示装置の一方の基板の断面図で
ある。 ４−・−−一一−−−−−−非晶質シリコン層５ −−
−−−−−・−ソース ６ −−−−−−−・−・−ドレイン ｉ ｏ −−−−−−−−−−一液晶駆動電極以上
Claims (1)
- 各画素ごとに、非晶質シリコンの半導体層を有する薄
膜トランジスタをスイッチング素子として設けたアクテ
ィブマトリクス液晶表示装置において、金属と非晶質シ
リコンの合金膜を液晶駆動電極及び、ソース、ドレイン
として用いたことを特徴とするアクティブマトリクス液
晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21167084A JPS6190193A (ja) | 1984-10-09 | 1984-10-09 | アクテイブマトリクス液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21167084A JPS6190193A (ja) | 1984-10-09 | 1984-10-09 | アクテイブマトリクス液晶表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6190193A true JPS6190193A (ja) | 1986-05-08 |
| JPH0570824B2 JPH0570824B2 (ja) | 1993-10-05 |
Family
ID=16609645
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21167084A Granted JPS6190193A (ja) | 1984-10-09 | 1984-10-09 | アクテイブマトリクス液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6190193A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS639155A (ja) * | 1986-06-30 | 1988-01-14 | Canon Inc | 薄膜トランジスタを用いた半導体装置の製造方法 |
| JPS639156A (ja) * | 1986-06-30 | 1988-01-14 | Canon Inc | 薄膜トランジスタの製造方法 |
| US5686326A (en) * | 1985-08-05 | 1997-11-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of making thin film transistor |
-
1984
- 1984-10-09 JP JP21167084A patent/JPS6190193A/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5686326A (en) * | 1985-08-05 | 1997-11-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of making thin film transistor |
| JPS639155A (ja) * | 1986-06-30 | 1988-01-14 | Canon Inc | 薄膜トランジスタを用いた半導体装置の製造方法 |
| JPS639156A (ja) * | 1986-06-30 | 1988-01-14 | Canon Inc | 薄膜トランジスタの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0570824B2 (ja) | 1993-10-05 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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