JPS6184027A - 半導体装置の組立方法 - Google Patents

半導体装置の組立方法

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JPS6184027A
JPS6184027A JP20669284A JP20669284A JPS6184027A JP S6184027 A JPS6184027 A JP S6184027A JP 20669284 A JP20669284 A JP 20669284A JP 20669284 A JP20669284 A JP 20669284A JP S6184027 A JPS6184027 A JP S6184027A
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上川 孝
Junichi Yoshioka
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Mitsubishi Electric Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は電力用トライアック、サイリスタなどの半導
体装置、特にモジュール部品等の多数の電極が外部に取
り田されている装置の組立て方法の改良に関するもので
ある。
〔従来の技術〕
以下、三端子サイリスタを例にとり、その従来の組立方
法を第4図〜第7図について説明する。
まず、第4図に平面図で示すように冷却板(1)の中央
部に印刷されたペースト状半田(図示せず)を介してセ
ラミック板(2)を載せる。セラミック板(2)の上面
には所望パターンにペースト状半田(3)が印刷されて
いる。勿論、この冷却板(1)は自!lJ機の板治具(
4)に位置決め固定されており、上記セラミック板(2
)の搭載以下次に述べる各部品の供給はこの自動機で行
われる。さて、つづいて第5図に平面図で示すように、
あらかじめダイボンドされたY字形ベーシック・エレメ
ント(5)をセラミック板(2)上のペースト状半田(
3)の上に載せる。第6図(、)はとのY字形ベーシッ
ク・エレメント(5)の拡大平面図、第6図(b)はそ
の正面図である。図において、(6ンは第1主電極板、
(7)はろう材、(8)はサイリスタ・チップ、(9)
は第2主電極板、叫は制動極板である。その後に第7図
に正面断面図で示すように、外部取出し電極(lla)
、 (llb)および(llc )をセラミンク板(2
)上のペースト状半田(3)の上の相当部分にそれぞれ
搭載し、何らかの方法でこれらを保持しつつ、す70−
炉に投入して、半田を溶融させると、各部品は固定され
る。その後、ケース(2)を固定して、エポキシ樹脂的
を注入、硬化させれば組立ては完了する。
〔発明が解決しようとする問題点〕
上記従来の組立て方法では部品の数が多く、また形状の
関係で、その部品が固定されるまでこれを正しく保持す
るために、特別な工夫、特殊な組立治具を必要とし、ま
た、組立てに熟練を要するという問題点があった。
〔問題点を解決するための手段〕
この発明に係る組立方法では半田などのろう材の融点よ
り高い熱変形温度を有する樹脂の成形品からなり、部品
をろう付は固定するまで保持し、永久的に当該半専体装
置の構成材として留る組立冶具を用いるものである。
〔作用〕
この発明では、上述のような組立治具を用いて所要部品
を正常位置に保持した状態でり70−炉などでろう材を
溶融させて、各部品を固定させる。
〔実施例〕
第1図(a)はこの発明の一実施例に用いる組立治具周
辺のみの平面図、第1図(b)はその正面図で、この実
施例は前述の従来例と同じ三端子サイリスタに適用した
場合を示し、従来例と同一符号は同等部分を示し、その
説明は重複を避ける。そして、組立て工程は従来例とほ
ぼ同一である。第1図において、Q4)は耐熱性熱可塑
性のホリフェニレンサルファイド(PPS)樹脂を用い
た外部取出し電極板保持治具板で、これによって外部取
出し電極板(lla)、(llblおよび(11c)は
互いに正常位置に保たれ、かつ、第2図に正面断面図で
示すように、組立て時にはこの治具板α弔と一体化した
外@取出し電極板(lla)、(llb)および(II
c )を従来と同様にセラミック板(2)上のペースト
状半田(,3)の上の相当部分に搭載する。以下の工程
は従来通りである。
第3図(a)はこの発明の他の実施例に用いる組立治具
周辺のみの平面図、第3図(b)はそのl[B−1[B
線での断面図で、ここで用いる外部取出し電極板保持治
具板αυは第1図に示した保持治具板α弔とケース(2
)とを一体化して位置決めを容易にし、組立てを更に容
易にしたものである。
以上、外部取出し1′極板保持治具板α→、 QSとも
半田の融点より高い熱変形温度を有しているので、リフ
ロー炉中でも変形することなく、保持機能を果す。
なお、上記説明では三端子サイリスタの組立てを例に挙
げたが、トライアックやモジュール製品にも適用可能で
あり、また、外部取出し電極板の保持に限らず、ハイブ
リッドIC等の組立治具の一部として内外部構成材を兼
ねさせることができる。
〔発明の効果〕
この発明では、以上説明したような組立治具を用いるこ
とによって、組立作業は著しく合理化され、製品コスト
を軽減することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図(a)はこの発明の一実施例に用いる組立治具周
辺のみの平面図、第1図(b)はその正面図、第2図は
この実施例における製品組立状況を示す正面断面図、第
3図(a)はこの発明の他の実施例に用いる組立治具周
辺のみの平面図、第3図(b)は耳3図(a)の[1B
−1iB線での断面図、第4図〜第”図は従来例を説明
するためのもので、第4図はセラミック板を治具に搭載
した段階を示す平面図、第5図はそのセラミック板にY
字形ベーシック・エレメントを載せた段階を示す平面図
、第6図(alはY字形ベーシック・エレメントの平面
図、第6図fb)はその正面図、第7図は従来方法にお
ける製品組立状況を示す正面断面図である。 図において、(3)はろう材(半田)、(lla ) 
、(11b)、  ゛(llc)は部品(外部取出し電
極板)、圓、d9は組立治具(外部取出し電極板呆持板
)である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)部品を所要位置に所要の姿勢でろう付けして半導
    体装置を組立てるに際して、上記ろう材の融点より高い
    熱変形温度を有する樹脂の成形品からなり、上記部品を
    上記ろう付けして固定するまで上記所要位置、所要姿勢
    に保持するとともに永久的に当該半導体装置の構成材と
    して留る組立治具を用いることを特徴とする半導体装置
    の組立方法。
  2. (2)ろう材に半田を用い、樹脂にポリフェニレンサル
    ファイド樹脂を用いることを特徴とする特許請求の範囲
    第1項記載の半導体装置の組立方法。
JP20669284A 1984-10-01 1984-10-01 半導体装置の組立方法 Granted JPS6184027A (ja)

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JPH038107B2 JPH038107B2 (ja) 1991-02-05

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63195908A (ja) * 1987-02-09 1988-08-15 旭化成株式会社 赤外線リフロ−用電子部品

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5831543A (ja) * 1981-08-19 1983-02-24 Nec Home Electronics Ltd 半導体装置の製造方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5831543A (ja) * 1981-08-19 1983-02-24 Nec Home Electronics Ltd 半導体装置の製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63195908A (ja) * 1987-02-09 1988-08-15 旭化成株式会社 赤外線リフロ−用電子部品

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JPH038107B2 (ja) 1991-02-05

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