JPS6178876A - ジスアゾ化合物 - Google Patents

ジスアゾ化合物

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JPS6178876A
JPS6178876A JP59200995A JP20099584A JPS6178876A JP S6178876 A JPS6178876 A JP S6178876A JP 59200995 A JP59200995 A JP 59200995A JP 20099584 A JP20099584 A JP 20099584A JP S6178876 A JPS6178876 A JP S6178876A
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compound
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disazo
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tetrazonium salt
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    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/02Charge-receiving layers
    • G03G5/04Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
    • G03G5/06Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
    • G03G5/0664Dyes
    • G03G5/0675Azo dyes
    • G03G5/0679Disazo dyes
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    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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    • H10K85/649Aromatic compounds comprising a hetero atom

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 技術分野 本発明はテトラゾニウム塩化合物、ジスアゾ化合物およ
びその製造方法に関する。
従来技術 従来から、ある種のジスアゾ化合物が、電子写真用感光
体の一つの形態である積rfi型感光体の、電荷発生層
に用いられる電荷発生顔料として、有効であることが知
られている。
ここでいう積層型感光体とは、導電性支持体上に、光に
よって電荷担体を生成する能力を有する電荷発生顔料を
、適切な方法例えばX空蒸着、顔料溶液の塗布あるいは
樹脂溶液に顔料の微細粒子を分散した分散液の塗布など
によシ薄層として電荷発生層を形成せしめ、その上に、
電荷発生層で生成した電荷担体を効率よく注入され得て
、しかもその移動を行うところの電荷搬送層(通常、こ
の電荷搬送層は電荷搬送物質と結着樹脂とからなる。)
を形成せしめた感光体である。
従来、この種の感光体に使用されるジスアゾ化合物とし
て、例えば、特、開昭47−37543号公報、及び、
特開昭52−55643号公報などに記載されているベ
ンジジン系ジスアゾ化合物あるいは特開昭52−883
2号公報に記載されているスチルベン系ジスアゾ化合物
などが知られている。
しかしながら、従来のジスアゾ化合物を用いた積層型感
光体は一般に感度が低く、また、可視域の感光波長域が
およそ450〜700 nmに亘っており、この感光波
長特性から云って赤色原稿の画像再現性が悪かった。そ
のため、この感光体を実装する場合は、赤色光をカット
するフィルターを用いる必要があるなどの理由から複写
機設計上の不利があった。
目     的 本発明の目的は、電子写真感光体において有効な、特に
先に述べた積層型感光体において有効な広汎なジスアゾ
化合物を得ることのできるテトラゾニウム塩化合物を提
供することにある。
本発明の他の目的は、電子写真感光体において有効な、
特に先に述べ次積層型感光体において有効なジスアゾ化
合物を提供することに、l、本発明のジスアゾ化合物を
用いた積層型感光体は、従来のジスアゾ化合物を用いた
感光体と比べその感度が高く、また、その感光波長域が
可視域の短波長側(およそ450〜600nm)Kしか
ないため、赤色原稿の複写画像再現性も優れたものであ
る。
また、本発明のさらに他の目的は、上記ジスアゾ化合物
の製造方法を提供することにある。
構成 すなわち、本発明の1つは下記一般式(I1で表わされ
る新規なテトラゾニウム塩化合物である。
(式中、Xはアニオン官能基を表わす。)また11本発
明の他の1つは、一般式(…)で表わされるジスアゾ化
合物である。
〔式中、Aは 金表わしく但し、Rはメチル、エチル、プロピル、メチ
ルなどのアルキル基、アルコキン基、ニトロ基、ハロゲ
ン、シアノ基またはハロメチル基を示し、nは0゜1.
2または3の整数であって、nが2または3の整数であ
る場合にはBは同一または異なった基のいずれでもよい
。)を表わす。〕 また、本発明のさらに他の1つは式(2)で表わされる
ジアミノ化合物をジアゾ化して一般式(I) (式中、Xはアニオン官能基を表わす。)で表わされる
テトラゾニウム塩とし、ついでこのテトラゾニウム塩と
、一般式(転) で表わされる化合物(以下、カップラーとよぶ)とを反
応させることを特徴とする一般式(II)〔式中、人は (Rおよびnは前述の通り。)を表わす。〕で表わされ
るジスアゾ化合物の製造方法である。
式(I)で表わし次テトラゾニウム塩化合物は、ジスア
ゾ化合物の有用な中間体であり、適当なカッシラーと組
み合わせることにより、チオキサントン骨格を有し、そ
の2位および8位にアゾ基を有する人混なジスアゾ化合
物を合成することができる。そして、このジスアゾ化合
物は電子写真感光体の光導電材料、特に電荷発生材料と
しての用途が期待される。
一般式(Ilのテトラゾニウム塩化合物におけるアニオ
ン官能基の代表例としてはC10,Bre、 工e。
ABFP、SbF3 が挙げられ、好ましくは、BFF
である。
本発明の式(If)で表わされるジスアゾ化合物は前述
のように積層型の電子写真感光体の電荷発生物質として
有用であるが、さらに、樹脂中に電荷発生物質と電荷搬
送物質とを分散させた単層型の感光層を有する電子写真
感光体における電荷発生物質として、また、樹脂中に光
導電性物質を分散させた感光層を有する電子写真感光体
における光導電性物質としても有用である。
本発明の一般式(I)で表わされるテトラゾニウム塩は
、たとえば、2,8−ジニトロチオキサントンを還元し
、ついで、ジアゾ化することにより得ることができる。
2,8−ジニトロチオキサントンおよび2,8−ジアミ
ノチオキサントンの製造は、たとえば、E、D、Am5
tutz andC,R*N@umoyer、Jour
nal of Am@rican ChemicalS
o@1*ty、691925(I947) K記載され
ている。
2.8−ジアミノチオキサントンのジアゾ化は、これを
例えば塩酸あるいは硫酸のような無機酸中で亜硝酸ナト
リウムを一10℃ないし20℃にて添加することにより
行なわれる。このジアゾ化反応は、およそ30分間から
3時間で完結する。さらにこのジアゾ化反応液に、例え
ばホウフッ化水素酸あるいは、ホウ7ツ化ナトリウム水
溶液などを加えることによりテトラゾニウム塩が得られ
る。
前記一般式(II)のジスアゾ化合物の製造は、上記の
ジアゾ化反応液を、そのままカップラーに作用せしめる
ことによっても行なうことができるし、また、ジアゾ化
反応液に1例えばホウフッ化水素酸あるいはホウフッ化
ナトリウム水溶液などを加えて一般式(I)のテトラゾ
ニウム塩として沈澱させることによって、テトラゾニウ
ム塩を単離してから、これとカップラーとを反応せしめ
ることによっても得ることができる。実際には、この反
応は、N、N−ジメチルホルムアミド(DMF)や、ジ
メチルスルホキシド(DMSO)などの有機溶媒にテト
ラゾニウム塩およびカッシラーを混合溶解しておき、こ
れを約−IOCないし40℃にて酢酸ナトリウム水溶液
などのアルカリ水溶液を滴下することによシ行なわれる
。この反応はおよそ5分間ないし3時間で完結する。反
応終了後、析出している結晶tF取し適切な方法により
精製(例えば、水あるいは/および有機溶剤による洗浄
、再結晶法など)することにより上記ジスアゾ化合物の
製造は完了する。
本発明のジスアゾ化合物は常温において有色の結晶であ
り、その具体例を融点、元素分析値、赤外線吸収スペク
トルデータと共に下記表−1に示した。
(以下余白) 次に実施例金示す。
実施例1(テトラゾニウム塩の製造) 水62ゴと濃塩酸62ゴとよシなる塩酸中へ2.8−ジ
アミノチオキサントン8.68f’i加え、約60℃に
加熱して1時間加熱した後、0℃まで冷却し、次いで、
これに亜硝酸ナトリウム5.35 fを水10−に溶解
した溶液を0℃〜1℃の温度で5分間にわたシ滴下した
。その後同温度で1時間攪拌した後、この反応液中に4
2チ硼弗化水素酸10.−dを添加し、析出した結晶1
&:P別し、メタノールで洗浄後乾燥して8、45 F
 (収率53.7 % )のテトラゾニウムピステトラ
フルオロゼレートの黄褐色結晶を得た。
これの赤外線吸収スペクトル(KBr錠剤法ンは第1図
に示す通りであり、2260cm−’に、&基づく吸収
帯が、1660 cm−’に〉C=0に基づく吸収帯が
認められた。
実施例2(ジスアゾ化合物lV&11の製造)実施例1
で得たテトラゾニウム塩1.10 t トカップリング
成分として2−ヒドロキシ−3−す7トエ酸アニリド1
.32 tとを、冷却したN。
N−ジメチルホルムアミド150−中に溶解し、これに
酢酸す) IJウム0.82 Fおよび水7WLtから
なる溶液を約10℃の温度で5分間にわたって滴下し、
冷却を中止した後、さらに室温で3時間攪拌した。その
後、生成した沈澱t−戸取し、80℃に加熱したN、N
−ジメチルホルムアミド200−で3回洗浄し、次に水
200 mlで2回洗浄し、80℃で211+1J(H
の減圧下に乾燥して、表−1の化合物陰1のジスアゾ化
合物1.50 r(収率75.6%)を得た。
このジスアゾ化合物の外観は橙赤色の粉末であり、赤外
線吸収スペクトル(KBr錠剤法)は第2図に示した。
実施例3〜17(ジスアゾ化合物置2〜1sの製造)実
施例2の化合物N11lのジスアゾ化合物の製造におい
て、カップリング成分として下記表−2の化合物を用い
た他は実施例1と同じ方法で表−IK、示した化合物N
C12〜16のジスアゾ化合物を製造した。
また、本発明のジスアゾ化合物のうち、代表的なものに
ついては赤外線吸収スペクトルを第3〜8図に示した。
第3図・・・化合物陰8  第4図・・・化合物Nn9
第5図・・・化合物mlO第6図・・・化合物Nn9第
5図・・・化合物陰12  第8図・・・化合物陰13
(以下余白) 表−2 表 −2 表−2 表−2 効   果 本発明のジスアゾ化合物は、前述の通り、電子写真感光
体の感光材料として、特に積層型感光体の電荷発生材料
として有効であり、その点を明らかにするために、以下
に具体的な用途例金示す。また、本発明の進歩性を明ら
かにするために、従来のジスアゾ化合物との比較も同様
に示す。
用  途  例 本発明のジスアゾ化合物N11l 0t−76重量部、
ポリエステル樹脂(パイロン200(東′洋紡績社製)
のテトラヒドロフラン溶液(固形分濃度2%)1260
重量部、およびテトラヒドロフラン3700重量部をぜ
−ルミル中で粉砕混合し、得られた分散液をアルミニウ
ム蒸着したボーリエステルペース(導電性支持体)のア
ルミ面上にドクターブレードを用いて塗布し、自然乾燥
して、厚さ約1μmの電荷発生層を形成した。
−L4’−ジフェニルアミノ−α−フェニルスチAペン
2重量部、ポリカーゼネート樹脂(2ソンライトに13
00、奇人化成社製ン2重量部およびナト2ヒドロフ2
フ16重量部を混合溶解して溶液としたのち、これ全前
記電荷発生層上にドクターブレードで塗布し80℃で2
分間次いで100℃で5分間乾燥して厚さ約20μmの
電荷搬送層を形成せしめ、第9図に示した積層型の感光
体(A)を作成した。
また、比較のために、上記感光体の作成手順に従い、本
発明のジスアゾ化合物の代りに■ 前述した特開昭45
−37543号公報および特開昭52−55643号公
報に開示されているベンジジン系ジスアゾ化合物である
4゜4′−ビス(2−ヒドロキシ−3−フェニルカルバ
モイル−1−ナフチルア7”)−3,3’−ジクロルジ
フェニルおよび、 ■ 特開昭52−8832号公報に記載されているスチ
ルベン系ジスアゾ化合物である4゜4′−ビス(2−ヒ
ドロキシ−3−フェニルカルバモイル−1−ナフチルア
ソ)スチルベンを用いた以外は全く同様にして、それぞ
れ積層型の感光体(B)および感光体(Qを作成した。
このようにして作成した感光体図、(B)および(Qに
ついて、市販の静電複写紙試験装置(川口電機製作所社
製、5P−428型)t−用いて、その静電特性を測定
した。すなわち、まず感光体に一6KVのコロナ放電を
20秒間行なって、負帯電させ、そのtま20秒間暗所
で暗減衰させて、その時の表面電位を測定してVpo 
(iルト)とした。ついで、タングステンランプから、
その表面が照度20ルツクスになるよう感光層に光照射
を施し、その表面電位がVpoのHになる迄の時間(秒
)を求めて、露光量E3A(kツクス・秒)とした。こ
の結果を表−3に示した。
(以下余白) 表−3 また、本発明て係わる感光体(AJの感光波長域を調べ
るために、次の測定手順によって分光感度の測定を行な
った。
まず、感光体を暗所でコロナ放電によりその表面電位を
−800ゼルト以上に帯電し、その表面電位が−800
ぜルトになるまで暗減衰させ、表面電位が一800メル
トになった時にモノクロメータ−を用いて分光した1μ
W/caの単色光を感光体に照射した。そして、その表
面電位が一400vに減衰するまでの時間(秒)を求め
、半減露光i(μW−1lIIc/−)を算出した。一
方、露光によって得られる見掛は上の電位差400、l
#シルトら暗減衰による電位の減衰分を差引いた露光に
より実際に得られている電位差を求め、この電位差と上
記の半減露光量とから光減衰速度(Volt a cy
tl m pW−”* 5ea−’ ) f算出し感度
とした。この分光感度曲線を第10図に示し九。
表−3の結果から明らかなように1本発明のジスアゾ化
合物を用いた感光体(Atは従来のジスアゾ化合物を用
いた感光体(B)および(C1と比較してきわめて感度
が高いことが判る。
また、第10図から、本発明のジスアゾ化合物を用いた
感光体(Alは、その感光波長域がおよそ450〜60
0 nmであることが判り、このことより、赤色原稿の
画像再現性のよいことが理解できる。
【図面の簡単な説明】
第1図は実施例のテトラゾニウム塩化合物の赤外線吸収
スペクトル図(KBr錠剤法〕でおる。 第2図〜第8図は、本発明の代表的なジスアゾ化合物の
赤外線吸収スペクトル図(KBr錠剤法)である。 第9図は本発明に係わる電子写真感光体の拡大断面図で
、11はポリエステルベース、22はアルミニウム蒸着
膜、33は電荷発生層、44は電荷搬送層を表わす。 第10図は本発明に係わる電子写真感光体の分光感度曲
線である。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、一般式( I ) ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) (式中、Xはアニオン官能基を表わす。) で表わされるテトラゾニウム塩化合物。 2、一般式(II) ▲数式、化学式、表等があります▼(II) 〔式中、Aは▲数式、化学式、表等があります▼ を表わし(但し、Rはアルキル基、アル コキシ基、ニトロ基、ハロゲン、シアノ 基またはハロメチル基を示し、nは0、 1、2または3の整数であつて、nが2 または3の整数である場合には、Rは同 一または異なつた基のいずれでもよい。) を表わす。〕 で表わされるジスアゾ化合物。 3、一般式(III) ▲数式、化学式、表等があります▼(III) で表わされるジアミノ化合物をジアゾ化して一般式(
    I ) ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) (式中、Xはアニオン官能基を表わす。) で表わされるテトラゾニウム塩とし、このテトラゾニウ
    ム塩と、一般式(IV) ▲数式、化学式、表等があります▼(IV) (式中、Rはアルキル基、アルコキシ基、 ニトロ基、ハロゲン、シアノ基またはハ ロメチル基を表わし、nは0、1、2ま たは3の整数であつて、nが2または3 の整数である場合には、Rは同一または 異なつた基のいずれでもよい。) で表わされる化合物とを反応させることを特徴とする一
    般式(II) ▲数式、化学式、表等があります▼(II) 〔式中、Aは ▲数式、化学式、表等があります▼ (Rおよびnは前述の通り。)を表わす。〕で表わされ
    るジスアゾ化合物の製造方法。
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