JP2504989B2 - 1,10−ビス(4−アミノフエニル)−1,3,5,7,9−デカペンタエン及びその製造法 - Google Patents
1,10−ビス(4−アミノフエニル)−1,3,5,7,9−デカペンタエン及びその製造法Info
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- G03G5/02—Charge-receiving layers
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Description
【発明の詳細な説明】 技術分野 本発明は新規な1,10−ビス(4−アミノフェニル)−
1,3,5,7,9−デカペンタエン及びその製造法に関し、更
に詳しくは有機光導電体として有用なビスアゾ化合物を
製造するための中間体である1,10−ビス(4−アミノフ
ェニル)−1,3,5,7,9−デカペンタエン及びその製造法
に関する。
1,3,5,7,9−デカペンタエン及びその製造法に関し、更
に詳しくは有機光導電体として有用なビスアゾ化合物を
製造するための中間体である1,10−ビス(4−アミノフ
ェニル)−1,3,5,7,9−デカペンタエン及びその製造法
に関する。
従来技術 従来より、ある種のアゾ化合物が電子写真感光体の一
つの形態である積層型感光体に用いられる有機光導電
体、特に電荷発生顔料として有用であることが知られて
いる。この積層型感光体は周知のように導電性支持体上
に光によって電荷担体を発生する能力を有する電荷発生
顔料を主成分とする電荷発生層とその上に電荷発生層で
発生した電荷担体を効率よく注入し、更にこれを搬送す
る能力を有する電荷搬送物質を主成分とする電荷搬送層
とを設けた感光体である。従来、このような感光体に使
用されるアゾ化合物としては、例えば特開昭47−37543
号公報、同52−55643号公報等に記載されるベンジジン
系ビスアゾ化合物や特開昭52−8832号公報に記載される
スチルベン系ビスアゾ化合物、特開昭58−222152号公報
に記載されるジフェニルヘキサトリエン系ビスアゾ化合
物、特開昭58−222153号公報に記載されるジフェニルブ
タジェン系ビスアゾ化合物等が知られている。
つの形態である積層型感光体に用いられる有機光導電
体、特に電荷発生顔料として有用であることが知られて
いる。この積層型感光体は周知のように導電性支持体上
に光によって電荷担体を発生する能力を有する電荷発生
顔料を主成分とする電荷発生層とその上に電荷発生層で
発生した電荷担体を効率よく注入し、更にこれを搬送す
る能力を有する電荷搬送物質を主成分とする電荷搬送層
とを設けた感光体である。従来、このような感光体に使
用されるアゾ化合物としては、例えば特開昭47−37543
号公報、同52−55643号公報等に記載されるベンジジン
系ビスアゾ化合物や特開昭52−8832号公報に記載される
スチルベン系ビスアゾ化合物、特開昭58−222152号公報
に記載されるジフェニルヘキサトリエン系ビスアゾ化合
物、特開昭58−222153号公報に記載されるジフェニルブ
タジェン系ビスアゾ化合物等が知られている。
しかし従来のアゾ化合物を用いた積層型感光体は一般
に感度が低いため、高速複写機用感光体としては不満足
である。一方、近年レーザープリンター用感光体として
特に半導体レーザーの波長域をカバーできるような高感
度感光体の開発が望まれているが、前述の積層型感光体
は同様な理由からこのような目的に応じ得ないのが実状
である。そこで従来の欠点を克服した有機光導電体とし
て有用なアゾ化合物の製造が望まれている。
に感度が低いため、高速複写機用感光体としては不満足
である。一方、近年レーザープリンター用感光体として
特に半導体レーザーの波長域をカバーできるような高感
度感光体の開発が望まれているが、前述の積層型感光体
は同様な理由からこのような目的に応じ得ないのが実状
である。そこで従来の欠点を克服した有機光導電体とし
て有用なアゾ化合物の製造が望まれている。
目的 本発明の目的は高速複写機用としては勿論、レーザー
プリンター用としても実用的な高感度の電子写真感光
体、特に積層型感光体に用いられる有機光導電体として
有用なビスアゾ化合物を製造するための中間体である1,
10−ビス(4−アミノフェニル)−1,3,5,7,9−デカペ
ンタエン及びその製造法を提供することである。
プリンター用としても実用的な高感度の電子写真感光
体、特に積層型感光体に用いられる有機光導電体として
有用なビスアゾ化合物を製造するための中間体である1,
10−ビス(4−アミノフェニル)−1,3,5,7,9−デカペ
ンタエン及びその製造法を提供することである。
構成 本発明の1つは式(I) で示される1,10−ビス(4−アミノフェニル)−1,3,5,
7,9−デカペンタエンであり、 他の1つは式(II) で示される1,10−ビス(4−ニトロフェニル)−1,3,5,
7,9−デカペンタエンを還元することを特徴とする前記
式(I)で示される1,10−ビス(4−アミノフェニル)
−1,3,5,7,9−デカペンタエンの製造法である。
7,9−デカペンタエンであり、 他の1つは式(II) で示される1,10−ビス(4−ニトロフェニル)−1,3,5,
7,9−デカペンタエンを還元することを特徴とする前記
式(I)で示される1,10−ビス(4−アミノフェニル)
−1,3,5,7,9−デカペンタエンの製造法である。
本発明の式(I)で示される1,10−ビス(4−アミノ
フェニル)−1,3,5,7,9−デカペンタエンをジアゾ化し
て得られるビス(ジアゾニウム)塩は〔このビス(ジア
ゾニウム)塩の製造については本出願人の「ビス(ジア
ゾニウム)塩化合物及びその製造法」と題する同日付出
願に詳細に記載されている〕カップラーとのカップリン
グ反応により形成される下記一般式(III)で示される
ビスアゾ化合物を得るための有用な中間体である〔この
ビスアゾ化合物の製造については本出願人の「ビスアゾ
化合物及びその製造法」と題する同日付出願に詳細に記
載されている〕。
フェニル)−1,3,5,7,9−デカペンタエンをジアゾ化し
て得られるビス(ジアゾニウム)塩は〔このビス(ジア
ゾニウム)塩の製造については本出願人の「ビス(ジア
ゾニウム)塩化合物及びその製造法」と題する同日付出
願に詳細に記載されている〕カップラーとのカップリン
グ反応により形成される下記一般式(III)で示される
ビスアゾ化合物を得るための有用な中間体である〔この
ビスアゾ化合物の製造については本出願人の「ビスアゾ
化合物及びその製造法」と題する同日付出願に詳細に記
載されている〕。
〔但しArはArHで示されるカップラー(例えば水酸基及
び/又はアミノ基を有する芳香族炭化水素化合物;水酸
基及び/又はアミノ基を有する複素環式化合物;脂肪族
又は芳香族のエノール性ケトン基を有する化合物、即ち
活性メチレン基を有する化合物等)の残基を表わす。〕 次に本発明の1,10−ビス(4−アミノフェニル)−1,
3,5,7,9−デカペンタエンの製造法について説明する。
まずこの製造法で使用される式(II)の1,10−ビス(4
−ニトロフェニル)−1,3,5,7,9−デカペンタエンは,
例えば1,4−ビス(トリフェニルホスホニウムブロマイ
ド)−2−ブテンと4−ニトロシンナムアルデヒドとを
塩基性触媒の存在下で縮合させる、いわゆるウィティッ
ヒ反応によって製造できる。この反応によって生成する
ジニトロ化合物には3−モノシス体あるいは3,7−ジシ
ス体が一部含まれるが、これは反応粗製品をそのまゝ或
いは精製後、触媒量の沃素と共にトルエン、キシレン等
の芳香族炭化水素系溶媒中で加熱処理することによりオ
ールトランス体に変換することができる〔1,10−ビス
(4−ニトロフェニル)−1,3,5,7,9−デカペンタエン
については本出願人の「1,10−ビス(4−ニトロフェニ
ル)−1,3,5,7,9−デカペンタエン及びその製造法」と
題する同日付出願に詳細に記載されている〕。
び/又はアミノ基を有する芳香族炭化水素化合物;水酸
基及び/又はアミノ基を有する複素環式化合物;脂肪族
又は芳香族のエノール性ケトン基を有する化合物、即ち
活性メチレン基を有する化合物等)の残基を表わす。〕 次に本発明の1,10−ビス(4−アミノフェニル)−1,
3,5,7,9−デカペンタエンの製造法について説明する。
まずこの製造法で使用される式(II)の1,10−ビス(4
−ニトロフェニル)−1,3,5,7,9−デカペンタエンは,
例えば1,4−ビス(トリフェニルホスホニウムブロマイ
ド)−2−ブテンと4−ニトロシンナムアルデヒドとを
塩基性触媒の存在下で縮合させる、いわゆるウィティッ
ヒ反応によって製造できる。この反応によって生成する
ジニトロ化合物には3−モノシス体あるいは3,7−ジシ
ス体が一部含まれるが、これは反応粗製品をそのまゝ或
いは精製後、触媒量の沃素と共にトルエン、キシレン等
の芳香族炭化水素系溶媒中で加熱処理することによりオ
ールトランス体に変換することができる〔1,10−ビス
(4−ニトロフェニル)−1,3,5,7,9−デカペンタエン
については本出願人の「1,10−ビス(4−ニトロフェニ
ル)−1,3,5,7,9−デカペンタエン及びその製造法」と
題する同日付出願に詳細に記載されている〕。
次にこうして得られる1,10−ビス(4−ニトロフェニ
ル)−1,3,5,7,9−デカペンタエンの還元は通常、鉄−
塩酸、塩化第一錫−塩酸等を還元剤として70〜120℃の
温度に加熱することにより行なわれ、反応は約0.5〜3
時間で完結する。なお鉄−塩酸還元剤を用いた場合はN,
N−ジメチルホルムアミドのような有機溶媒中で行なう
ことが好ましい。
ル)−1,3,5,7,9−デカペンタエンの還元は通常、鉄−
塩酸、塩化第一錫−塩酸等を還元剤として70〜120℃の
温度に加熱することにより行なわれ、反応は約0.5〜3
時間で完結する。なお鉄−塩酸還元剤を用いた場合はN,
N−ジメチルホルムアミドのような有機溶媒中で行なう
ことが好ましい。
なお以上のようにして得られるジニトロ化合物(II)
及びジアミノ化合物(I)はいずれも新規物質である。
及びジアミノ化合物(I)はいずれも新規物質である。
次にこうして得られる式(I)の1,10−ビス(4−ア
ミノフェニル)−1,3,5,7,9−デカペンタエンのジアゾ
化はこのジアミノ化合部(I)を塩酸、硫酸等の無機酸
中に分散し、これに、−10〜20℃の温度で亜硝酸ナトリ
ウムを添加することにより行なわれ、反応は約0.5〜3
時間で完結する。
ミノフェニル)−1,3,5,7,9−デカペンタエンのジアゾ
化はこのジアミノ化合部(I)を塩酸、硫酸等の無機酸
中に分散し、これに、−10〜20℃の温度で亜硝酸ナトリ
ウムを添加することにより行なわれ、反応は約0.5〜3
時間で完結する。
この反応によりビス(ジアゾニウム)塩が得られる
が、更にこのジアゾ化反応液に例えば硼弗化水素酸、硼
弗化ナトリウム等の水溶液を加えて塩変換することによ
りビス(ジアゾニウム)塩を得ることができる。
が、更にこのジアゾ化反応液に例えば硼弗化水素酸、硼
弗化ナトリウム等の水溶液を加えて塩変換することによ
りビス(ジアゾニウム)塩を得ることができる。
以下に本発明を実施例及び反応例によって説明する。
実 施 例 1,10−ビス(4−アミノフェニル)−1,3,5,7,9−デカ
ペンタエンの製造 1,10−ビス(4−ニトロフェニル)−1,3,5,7,9−デ
カペンタエン59.2gをジメチルホルムアミド(DMF)1600
ml中に採り、撹拌下、鉄粉118.4g、ついで6N塩酸54mlを
加え、90〜99℃で3時間撹拌した。80℃まで冷却した
後、50%苛性ソーダ水溶液でpH9とした後、セライトと
共に不溶部を濾過除去した。濾液を水600mlで希釈し、
室温まで放冷した。結晶を濾取、水洗、乾燥して赤褐色
板状結晶45.7g(収率92%)を得た。DMF−水の混合溶媒
から再結晶して暗赤色板状結晶の1,10−ビス(4−アミ
ノフェニル)−1,3,5,7,9−デカペンタエンを得た。
ペンタエンの製造 1,10−ビス(4−ニトロフェニル)−1,3,5,7,9−デ
カペンタエン59.2gをジメチルホルムアミド(DMF)1600
ml中に採り、撹拌下、鉄粉118.4g、ついで6N塩酸54mlを
加え、90〜99℃で3時間撹拌した。80℃まで冷却した
後、50%苛性ソーダ水溶液でpH9とした後、セライトと
共に不溶部を濾過除去した。濾液を水600mlで希釈し、
室温まで放冷した。結晶を濾取、水洗、乾燥して赤褐色
板状結晶45.7g(収率92%)を得た。DMF−水の混合溶媒
から再結晶して暗赤色板状結晶の1,10−ビス(4−アミ
ノフェニル)−1,3,5,7,9−デカペンタエンを得た。
融点262℃(熱分析における発熱ピーク値) 元素分析値(%) 実測値 C22H22N2としての計算値 C 83.79 84.02 H 7.13 7.07 N 8.99 8.91 得られた生成物の赤外線吸収スペクトル(KBr錠剤
法)を第1図に示したが、3500〜3200cm-1に第1アミン
の伸縮振動が、1010cm-1にトランスオレフィンの面外変
角振動に基づく吸収が認められた。
法)を第1図に示したが、3500〜3200cm-1に第1アミン
の伸縮振動が、1010cm-1にトランスオレフィンの面外変
角振動に基づく吸収が認められた。
応 用 例 本発明の1,10−ビス(4−アミノフェニル)−1,3,5,
7,9−デカペンタエンから誘導されるビスアゾ化合物を
使用して下記のように積層型感光体を製造した。
7,9−デカペンタエンから誘導されるビスアゾ化合物を
使用して下記のように積層型感光体を製造した。
電荷発生物質として上式で表わされるビスアゾ化合物
7.5部及びポリエステル樹脂〔(株)東洋紡績製バイロ
ン200〕の0.5%テトラヒドロフラン溶液500部をボール
ミル中で粉砕し、混合し、得られた分散液をアルミニウ
ム蒸着ポリエステルフィルム上にドクターブレードで塗
布し、自然乾燥して約1μm厚の電荷発生層を形成し
た。次に電荷輸送物質として9−エチルカルバゾール−
3−アルデヒド−1−メチル−1−フェニルヒドラゾン
2部をポリカーボネート樹脂〔(株)帝人製パンライト
K−1300〕の10%テトラヒドロフラン溶液20部に溶解
し、この溶液を前記電荷発生層上にドクターブレードで
塗布し、80℃で2分間、ついで120℃で5分間乾燥して
厚さ約20μmの電荷輸送層を形成した。
7.5部及びポリエステル樹脂〔(株)東洋紡績製バイロ
ン200〕の0.5%テトラヒドロフラン溶液500部をボール
ミル中で粉砕し、混合し、得られた分散液をアルミニウ
ム蒸着ポリエステルフィルム上にドクターブレードで塗
布し、自然乾燥して約1μm厚の電荷発生層を形成し
た。次に電荷輸送物質として9−エチルカルバゾール−
3−アルデヒド−1−メチル−1−フェニルヒドラゾン
2部をポリカーボネート樹脂〔(株)帝人製パンライト
K−1300〕の10%テトラヒドロフラン溶液20部に溶解
し、この溶液を前記電荷発生層上にドクターブレードで
塗布し、80℃で2分間、ついで120℃で5分間乾燥して
厚さ約20μmの電荷輸送層を形成した。
次にこうして得られた積層型電子写真感光体の可視域
での感度を調べるため、この感光体について静電複写紙
試験装置〔(株)川口電機製作所製SP428型〕を用いて
暗所で−6KVのコロナ放電を20秒間行なって帯電せしめ
た後、20秒間暗減衰せしめ、この時の表面電位Vo(ボル
ト)を測定し、ついで感光体表面の照度が4.5luxになる
ようにタングステンランプ光を照射してその表面電位が
Voの1/2になるまでの時間(sec)を求め、可視域での感
度として半減露光量E1/2(lux・sec)を算出した。この
結果、Vo=306ボルト、E1/2=1.13lux・secであった。
での感度を調べるため、この感光体について静電複写紙
試験装置〔(株)川口電機製作所製SP428型〕を用いて
暗所で−6KVのコロナ放電を20秒間行なって帯電せしめ
た後、20秒間暗減衰せしめ、この時の表面電位Vo(ボル
ト)を測定し、ついで感光体表面の照度が4.5luxになる
ようにタングステンランプ光を照射してその表面電位が
Voの1/2になるまでの時間(sec)を求め、可視域での感
度として半減露光量E1/2(lux・sec)を算出した。この
結果、Vo=306ボルト、E1/2=1.13lux・secであった。
このように本発明の1,10−ビス(4−アミノフェニ
ル)−1,3,5,7,9−デカペンタエンから誘導されるビス
アゾ化合物を用いた感光体は可視域での感度が高いこと
が判る。
ル)−1,3,5,7,9−デカペンタエンから誘導されるビス
アゾ化合物を用いた感光体は可視域での感度が高いこと
が判る。
効果 以上の説明から判るように本発明の1,10−ビス(4−
アミノフェニル)−1,3,5,7,9−デカペンタエンは高速
複写機用としても、またレーザープリンター用としても
高い感度を示す電子写真感光体、特に積層型感光体に用
いられる有機光導電体であるビスアゾ化合物の中間体と
してきわめて有用である。
アミノフェニル)−1,3,5,7,9−デカペンタエンは高速
複写機用としても、またレーザープリンター用としても
高い感度を示す電子写真感光体、特に積層型感光体に用
いられる有機光導電体であるビスアゾ化合物の中間体と
してきわめて有用である。
第1図は本発明の1,10−ビス(4−アミノフェニル)−
1,3,5,7,9−デカペンタエンの赤外線吸収スペクトルを
示す。
1,3,5,7,9−デカペンタエンの赤外線吸収スペクトルを
示す。
フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭58−152248(JP,A) 特開 昭60−247244(JP,A) 特開 昭59−136351(JP,A)
Claims (2)
- 【請求項1】式(I) で示される1,10−ビス(4−アミノフェニル)−1,3,5,
7,9−デカペンタエン。 - 【請求項2】式(II) で示される1,10−ビス(4−ニトロフェニル)−1,3,5,
7,9−デカペンタエンを還元することを特徴とする式
(I) で示される1,10−ビス(4−アミノフェニル)−1,3,5,
7,9−デカペンタエンの製造法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62105489A JP2504989B2 (ja) | 1987-04-28 | 1987-04-28 | 1,10−ビス(4−アミノフエニル)−1,3,5,7,9−デカペンタエン及びその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62105489A JP2504989B2 (ja) | 1987-04-28 | 1987-04-28 | 1,10−ビス(4−アミノフエニル)−1,3,5,7,9−デカペンタエン及びその製造法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63270645A JPS63270645A (ja) | 1988-11-08 |
JP2504989B2 true JP2504989B2 (ja) | 1996-06-05 |
Family
ID=14409008
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62105489A Expired - Lifetime JP2504989B2 (ja) | 1987-04-28 | 1987-04-28 | 1,10−ビス(4−アミノフエニル)−1,3,5,7,9−デカペンタエン及びその製造法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2504989B2 (ja) |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58152248A (ja) * | 1982-03-05 | 1983-09-09 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | 電子写真感光体 |
JPS59136351A (ja) * | 1983-01-26 | 1984-08-04 | Ricoh Co Ltd | 電子写真用感光体 |
JPS60247244A (ja) * | 1984-05-22 | 1985-12-06 | Mitsubishi Paper Mills Ltd | 電子写真感光体 |
-
1987
- 1987-04-28 JP JP62105489A patent/JP2504989B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS63270645A (ja) | 1988-11-08 |
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