JPS63141952A - 新規なテトラゾニウム塩化合物及びその製造方法 - Google Patents

新規なテトラゾニウム塩化合物及びその製造方法

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JPS63141952A
JPS63141952A JP28998786A JP28998786A JPS63141952A JP S63141952 A JPS63141952 A JP S63141952A JP 28998786 A JP28998786 A JP 28998786A JP 28998786 A JP28998786 A JP 28998786A JP S63141952 A JPS63141952 A JP S63141952A
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JP
Japan
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salt compound
dodecahexaene
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JP28998786A
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Masaomi Sasaki
正臣 佐々木
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Ricoh Co Ltd
Original Assignee
Ricoh Co Ltd
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/02Charge-receiving layers
    • G03G5/04Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
    • G03G5/06Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
    • G03G5/0664Dyes
    • G03G5/0675Azo dyes
    • G03G5/0679Disazo dyes
    • G03G5/0683Disazo dyes containing polymethine or anthraquinone groups

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 孜亙分互 本発明は新規なテトラゾニウム塩化合物及びその製造方
法に関し、更に詳しくは有機光導電体として有用なビス
アゾ化合物を製造するための中間体であるテトラゾニウ
ム塩化合物及びその製造方法に関する。
災米艮亙 従来より、ある種のアゾ化合物が電子写真感光体の一つ
の形態である積層型感光体に用いられる有機光導電体、
特に電荷発生顔料として有用であることが知られている
。この積層型感光体は周知のように導電性支持体上に光
によって電荷担体を発生する能力を有する電荷発生顔料
を主成分とする電荷発生層とその上に電荷発生層で発生
した電荷担体を動車よく注入し、更にこれを搬送する能
力を有する電荷搬送物質を主成分とする電荷搬送層とを
設けた感光体である。従来、このような感光体に使用さ
れるアブ化合物としては例えば特開昭47−37543
号公報、同52−55643号公報等に記載されるベン
ジジン系ビスアゾ化合物や特開昭52−811132号
公報に記載されるスチルベン系ビスアゾ化合物、特開昭
58−222152号公報に記載されるジフェニルヘキ
サトリエン系ビスアゾ化合物、特開昭58−22215
3号公報に記載されるジフェニルブタジェン系ビスアゾ
化合物等が知られている。
しかし従来のアゾ化合物を用いた積層型感光体は一般に
感度が低いため、高速複写機用感光体としでは不満足で
ある。一方、近年レーザープリンター用感光体として特
に半導体レーザーの波長域をカバーできるような高感度
感光体の開発が望まれているが、前述の積層型感光体は
同様な理由からこのような目的に応じ得ないのが実状で
ある。そこで従来の欠点を克服した有機光導電体として
有用なアゾ化合物の製造が望まれている。
l−0血 本発明の目的は高速複写機用としては勿論、レーザープ
リンター用としても実用的な高感度の電子写真感光体、
特に積層型感光体に用いられる有機光導電体として有用
なビスアゾ化合物を製造するための中間体であるテトラ
ゾニウム塩化合物及びその製造方法を提供することであ
る。
碧−一一求 本発明の1つは一般式(I) (但し又はアニオン官能基を表わす、)で示されるテト
ラゾニウム塩化合物であり、他の1つは式(n) 0□N−◎+CH=CH)、−◎−No、   (m)
で示される1、12−ビス(4−ニトロフェニル)−1
゜3.5,7,9.11−ドデカへキサエンを還元して
式%式%() で示される1、12−ビス(4−アミノフェニル)−1
゜3.5,7,9.11−ドデカへキサエンとし、つい
でこれをジアゾ化することを特徴とする前記一般式(I
)で示されるテトラゾニウム塩化合物の製造方法である
。二\で一般式(I)におけるアニオン官能基Xの代表
例としてはCQ’。
B ro、 Iol B F4”l P F6”、 B
 (CsHi)4”+CQ O19,S O4”、 H
,C−◎−3O、。、 A s F 、 。。
SbF、e等が挙げられ、好ましくはBF4θである。
本発明の一般式(I)で示されるテトラゾニウム塩化合
物はカップラーとのカップリング反応により形成される
下記一般式■で示されるビスアゾ化合物を得るための有
用な中間体である。
A r−N=N−◎+CH=CH)、−◎−N=N−A
r(IV) 〔但しArはArHで示されるカップラー(例えば水酸
基及び/又はアミノ基を有する芳香族炭化水素化合物;
水酸基及び/又はアミノ基を有する複素環式化合物;脂
肪族又は芳香族のエノール性ケトン基を有する化合物、
即ち活性メチレン基を有する化合物等)の残基を表わす
、〕 次に本発明のテトラゾニウム塩化合物の製造方法につい
て説明する。まずこの製造法で使用される式(II)の
1,12−ビス(4−ニトロフェニル) −1,3,5
,7,9,11−ドデカヘキサエンは例えば4−ニトロ
シンナミルトリフェニルホスホニウムブロマイドと2,
4−へキサジエン−1,6−ジアールとを塩基性触媒の
存在下で縮合させる、いわゆるウイテイソヒ反応によっ
て製造できる。この反応によって生成するジニトロ化合
物(n)にはシス体が一部含まれるが。
これは反応粗製品をそのま\或いは精製後。
触媒量の沃素と共にトルエン、キシレン等の芳香族炭化
水素系溶媒中で加熱処理することによりオールトランス
体に変換することができる。
次にこうして得られた式■のl、12−ビス(4−二ト
ロフェニル) −1,3,5,7,9,11−ドデカヘ
キサエンの還元は通常、鉄−塩酸、塩化第−錫一塩酸等
を還元剤として70〜120℃の温度に加熱することに
より行なわれ、反応は約0.5〜3時間で完結する。な
お鉄−塩酸還元剤を用いた場合はN、N−ジメチルホル
ムアミドのような有機溶媒中で行なうことが好ましい。
なお以上のようにして得られるジニトロ化合物(II)
及びジアミノ化合物(m)はいずれも新規物質である。
次にこうして得られた式(m)の1,12−ビス(4−
7ミノフエニル) −1,3,5,7,9,11−ドデ
カへキサエンのジアゾ化はこのジアミノ化合物(m)を
塩酸、硫酸等の無機酸中に分散し。
これに、−10〜20℃の温度で亜硝酸ナトリウムを添
加することにより行なわれ、反応は約0.5〜3時間で
完結する。
この反応により一般式(I)のテトラゾニウム塩が得ら
れるが、更にこのジアゾ化反応液に例えば硼弗化水素酸
、硼弗化ナトリウム等の水溶液を加えて塩変換する二と
により一般式(I)のテトラゾニウム塩を得ることがで
きる。
以下に本発明を実施例及び応用例によって説明する。
4−ニトロシンナミルトリフェニルホスホニウムブロマ
イド28.7g及び2.4−ヘキサジエン−1,6−ジ
アール2.9gを乾燥メタノール250m Qに採り、
窒素気流下、ナトリウムメトキシドの28%メタノール
溶液14.4gを23〜26℃で滴下した。1時間を要
した。滴下後室温で7時間攪拌した後、50%メタノー
ル水溶液200m Qで希釈し、沈殿物を更地し、水洗
、乾燥して。
シス体を含む粗製品9.0g (収率87%)を得た。
つぎにこれを触媒量の沃素と共にキシレン200III
Q中で8時間加熱還流した後、DMF−ジオキサンの混
合溶媒で再結晶して、オールトランスの1.12−ビス
(4−ニトロフェニル)−1゜3.5,7,9.11−
ドデカへキサエンの暗褐色板状結晶7.2gを得た。融
点250℃ 元素分析値(%) HN 実測値   71.81  5.05  6.92赤外
線吸収スペクトル(KBr錠剤法)を第1図に示したが
、1510.1340co+−1にニトロ基の伸縮振動
に基づく吸収が、また1005.975cnV’にトラ
ンスオレフィンの面外変角振動に基づく吸収が認められ
た。
前述のようにして得られたジニトロ化合物7.0gをD
 M F 250m Qに採り、これに鉄粉14.0g
を加えた後、攪拌下に、濃塩酸3.3mQ及び水10m
 Qからなる希塩酸を加え、80〜90°Cで4時間攪
拌した。ついで60℃まで冷却した後、10%苛性ソー
ダ水溶液を加え、アルカリ性とし、不溶部をセライトと
共に熱決過した。ろ液を水で希釈し、析出した結晶を濾
過、水洗、乾燥して5.1g (収率85%)のジアミ
ノ化合物を得た。DMF−水の混合溶媒から再結晶して
、1.12−ビス(4−アミノフェニル)−1,3,5
,7,’9.11−ドデカへキサエンの暗褐色板状結晶
を得た。融点276℃(分解点)元素分析値(%) HN 実測値   84,42  7.13  8.12赤外
線吸収スペクトル(KBr錠剤法)を第2図に示したが
、3450〜3200cm−’に第1Rアミンの伸縮振
動が、1000.975cm−1にトランスオレフィン
の面外変角振動に基づく吸収が認められた。
テトラゾニウム塩の製造 前述のようにして得られたジアミノ化合物4.0gを濃
硫酸7mQ及び水100m Qからなる希硫酸に加え、
60℃で2時間攪拌した後、−3℃まで急冷した。つい
でこれに亜硝酸すトリウム1.74gを水5IIIQに
溶解した溶液を−3〜−2℃で40分を要して滴下した
。その後同温度で20分間攪拌し、水200IIIQす
加えた後、微量の不溶物を濾過除去し、ろ液に42%硼
弗化水素酸水溶液を加え、析出した結晶を、更地、乾燥
して暗赤色のテトラゾニウム塩5゜5g (収率87%
)を得た。赤外線吸収スペクトルを第3図に示したが、
 2220cm−1にN2伸縮振動に基づく吸収が認め
られた。
応用例 上記製造例で得られたテトラゾニウム塩と下記式■で示
されるナフトールASとのカップリング反応により下記
式■で示されるビスアゾ化合物を合成した。
次にこのビスアゾ化合物([荷発生物質として)7.5
部及びポリエステル樹脂〔(株)東洋紡績製パイロン2
00〕の0.5%テトラヒドロフラン溶液500部をボ
ールミル中で粉砕、混合し、得られた分散液をアルミニ
ウム蒸着ポリエステルフィルム上にドクターブレードで
塗布し、自然乾燥して約1μm厚の電荷発生層を形成し
た1次に電荷輸送物質として9−エチルカルバゾール−
3−アルデヒド−1−メチル−1−フェニルヒドラゾン
2部をポリカーボネート樹脂〔(株)今人製パンライト
に−13003の10%テトラヒドロフラン溶液に溶解
し、この溶液を前記電荷発生層上にドクターブレードで
塗布し、80℃で2分間、ついで120℃で5分間乾燥
して厚さ約20μmの電荷輸送層を形成した。
次にこうして得られた積層型電子写真感光体の可視域で
の感度を調べるため、この感光体について静電複写紙試
験装置((株)川口電機製作所製5P428型〕を用い
て暗所で一6KVのコロナ放電を20秒間行なって帯電
せしめた後、20秒間暗減衰せしめ、この時の表面電位
Vo(ボルト)を測定し、ついで感光体表面の照度が4
.1luxになるようにタングステンランプ光を照射し
てその表面電位がvOの172になるまでの時間(se
e)を求め、可視域での感度として半減露光量E1/2
を求めた。
この結果、V o = 858ボルト、E 1/2=6
.l n ux。
secであった。
このように本発明のテトラゾニウム塩化合物から誘導さ
れるビスアゾ化合物を用いた感光体は可視域での感度が
、きわめて高いことが判る。
鬼−0呈 以上の説明から判るように本発明のテトラゾニウム塩化
物は高速複写機用としても、またレーザープリンター用
としても高い感度を示す電子写真感光体、特に積層型感
光体に用いられる有機光導電体であるビスアゾ化合物の
中間体としてきわめて有用である。
【図面の簡単な説明】
第1〜2図は夫々、本発明のテトラゾニウム塩化物を得
るための中間体であるジニトロ化合物及びジアミノ化合
物の赤外線吸収スペクトル、第3図は本発明のテトラゾ
ニウム塩化合物の赤外線吸収スペクトルを示す。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、一般式( I ) ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) (但しXはアニオン官能基を表わす。) で示されるテトラゾニウム塩化合物。 2、式(II) ▲数式、化学式、表等があります▼(II) で示される1,12−ビス(4−ニトロフェニル)−1
    ,3,5,7,9,11−ドデカヘキサエンを還元して
    式(III) ▲数式、化学式、表等があります▼(III) で示される1,12−ビス(4−アミノフェニル)−1
    ,3,5,7,9,11−ドデカヘキサエンとし、つい
    でこれをジアゾ化することを特徴とする一般式( I ) ▲数式、化学式、表等があります▼ (但しXはアニオン官能基を表わす。) で示されるテトラゾニウム塩化合物の製造方法。
JP28998786A 1986-12-04 1986-12-04 新規なテトラゾニウム塩化合物及びその製造方法 Pending JPS63141952A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5081233A (en) * 1986-05-15 1992-01-14 Ricoh Company, Ltd. Bisazo compounds and electrophotographic photoconductors comprising the bisazo compounds

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5081233A (en) * 1986-05-15 1992-01-14 Ricoh Company, Ltd. Bisazo compounds and electrophotographic photoconductors comprising the bisazo compounds

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