JPS6178802A - ニトリル基含有不飽和ポリマーの水素化方法 - Google Patents
ニトリル基含有不飽和ポリマーの水素化方法Info
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- JPS6178802A JPS6178802A JP60199612A JP19961285A JPS6178802A JP S6178802 A JPS6178802 A JP S6178802A JP 60199612 A JP60199612 A JP 60199612A JP 19961285 A JP19961285 A JP 19961285A JP S6178802 A JPS6178802 A JP S6178802A
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08C—TREATMENT OR CHEMICAL MODIFICATION OF RUBBERS
- C08C19/00—Chemical modification of rubber
- C08C19/02—Hydrogenation
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- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、ニトリル基含有不飽和ポリマーをニトリル基
を保存するように水素化する方法に関する。
を保存するように水素化する方法に関する。
交互するジエン−ニトリル単位の比率が大きいジエン−
(メト)アクリロニトリルコポリマーのCC二重結合を
ロジウムハロゲン語体触媒を使用してクロロベンゼン中
で水;に化することは、米国特許(US−PS)3.7
00.637号から知られている。均質または不均質の
形態の他の触媒、例えば、白金、ルテニウム、イリジウ
ム、パラジウム、レニウム、コバルトまたは銅の適当性
は示されている。
(メト)アクリロニトリルコポリマーのCC二重結合を
ロジウムハロゲン語体触媒を使用してクロロベンゼン中
で水;に化することは、米国特許(US−PS)3.7
00.637号から知られている。均質または不均質の
形態の他の触媒、例えば、白金、ルテニウム、イリジウ
ム、パラジウム、レニウム、コバルトまたは銅の適当性
は示されている。
ドイツ国公開明細書(DE−OS)2.539.132
号は、ブタジェンアクリロニトリルコポリマーをすでに
知られたロジウム触媒を使用して溶媒依存的に水素化す
ることを示唆しており、この水素化の間溶媒としてクロ
ロベンゼンを使用する場合、CN”E重結合およびシス
ニ重結合は維持され、そしてビニルおよびトランス二重
結合は定量的に水素化される。他の溶媒、例えばケトン
を使用するとき、低い水素化度が達成されるだけである
。
号は、ブタジェンアクリロニトリルコポリマーをすでに
知られたロジウム触媒を使用して溶媒依存的に水素化す
ることを示唆しており、この水素化の間溶媒としてクロ
ロベンゼンを使用する場合、CN”E重結合およびシス
ニ重結合は維持され、そしてビニルおよびトランス二重
結合は定量的に水素化される。他の溶媒、例えばケトン
を使用するとき、低い水素化度が達成されるだけである
。
最後に、4000までの分子量をもつ不飽和ポリヒドロ
キシ炭化水素をヒドロキシル基を保存するようにしてル
テニウム触媒で均質的方法または好ましくは不均質的方
法で水素化することは、ドイツ国公開明細書(DE−O
3)2.459.115号から知られている。脂肪族炭
化水素、芳香族炭化水素、アルコール、エーテル、エス
テルおよび水を不均質水素化の溶媒として使用すること
ができる。均質水素化について詳述されていない6ポリ
マーは、また、コモノマーとして例えばアクリロニトリ
ルも含有することができるが、詳しい説明は午えられて
いないが、米国特許(US−PS)3,454,644
号、実施例■から、ベンゾニトリルのニトリル基がエタ
ノール中において均WRu触媒の存在下に水素化されて
アミ7基を形成することが知られていることに注意すべ
きである。
キシ炭化水素をヒドロキシル基を保存するようにしてル
テニウム触媒で均質的方法または好ましくは不均質的方
法で水素化することは、ドイツ国公開明細書(DE−O
3)2.459.115号から知られている。脂肪族炭
化水素、芳香族炭化水素、アルコール、エーテル、エス
テルおよび水を不均質水素化の溶媒として使用すること
ができる。均質水素化について詳述されていない6ポリ
マーは、また、コモノマーとして例えばアクリロニトリ
ルも含有することができるが、詳しい説明は午えられて
いないが、米国特許(US−PS)3,454,644
号、実施例■から、ベンゾニトリルのニトリル基がエタ
ノール中において均WRu触媒の存在下に水素化されて
アミ7基を形成することが知られていることに注意すべ
きである。
ブタジェンアクリロニトリルコポリマーについて実施1
うたわれわれ自身の実験によると、不飽和ニトリル基含
有ポリマーを先行技術によりロジウム錯体触媒を使用し
て水素化するために適当な溶媒であるクロロベンゼン中
において、対応するルテニウム錯体触媒を使用するとき
、非常に架橋された生成物が得られることが明らかにさ
れた。
うたわれわれ自身の実験によると、不飽和ニトリル基含
有ポリマーを先行技術によりロジウム錯体触媒を使用し
て水素化するために適当な溶媒であるクロロベンゼン中
において、対応するルテニウム錯体触媒を使用するとき
、非常に架橋された生成物が得られることが明らかにさ
れた。
ロジウムの産出は非常に少なく、そしてロジウムは化学
工業において使用されるばかりでなく、かつまた主とし
て電気工業、ガラスおよびセラミンク工業かつより最近
、非常に特定的には自動車工業(廃ガス触媒)において
使用されるので、将来におけるこの貴金属の欠乏を避け
ることができない。
工業において使用されるばかりでなく、かつまた主とし
て電気工業、ガラスおよびセラミンク工業かつより最近
、非常に特定的には自動車工業(廃ガス触媒)において
使用されるので、将来におけるこの貴金属の欠乏を避け
ることができない。
本発明の目的は、任意の構造のニトリル基含有不飽和ポ
リマーをニトリル基を保存するようにして、ロジウムに
独立に、水素化する新規な均質的方法を8案することで
あり、この方法によると、必要に応じてすべてのCC二
重結合の定量的水素化が連成され、そして使用に極めて
すぐれた性質を有するゴムが得られる。
リマーをニトリル基を保存するようにして、ロジウムに
独立に、水素化する新規な均質的方法を8案することで
あり、この方法によると、必要に応じてすべてのCC二
重結合の定量的水素化が連成され、そして使用に極めて
すぐれた性質を有するゴムが得られる。
この目的は、驚くべきことには、特定の溶媒中において
特定のルテニウム触媒を使用する均質反応の制御により
達成された。
特定のルテニウム触媒を使用する均質反応の制御により
達成された。
したがって、本発明によれば、ニトリル基含有不飽和ポ
リマーを均質相においてニトリル基を保存するように水
素化する方法において、低分子量ケトンを溶媒として使
用しかつ式 %式%) 式中。
リマーを均質相においてニトリル基を保存するように水
素化する方法において、低分子量ケトンを溶媒として使
用しかつ式 %式%) 式中。
Xは水素またはハロゲンを表わし、
L、は水素、ハロゲンまたは置換されていてもよいシク
ロペンタジェニルを表わし、 L2はホスファン、ビスホスファンまたはアルサン(a
rsane)を表わし、そしてnは1、2または3であ
り、そして [(L+ )(L2)n]はシクロペンタジェニル−ビ
スホスファンを表わす、 に相昌する化合物を触媒として使用することを特徴とす
る方法が提供される。
ロペンタジェニルを表わし、 L2はホスファン、ビスホスファンまたはアルサン(a
rsane)を表わし、そしてnは1、2または3であ
り、そして [(L+ )(L2)n]はシクロペンタジェニル−ビ
スホスファンを表わす、 に相昌する化合物を触媒として使用することを特徴とす
る方法が提供される。
Xは好ましくは塩素を表わし、L□は水素または塩素を
表わし、そしてL2はトリアリールホスファンを表わす
。
表わし、そしてL2はトリアリールホスファンを表わす
。
L□の配位子の例は1次の通りであるニジクロペンタジ
ェニル、ペンタメチル−シクロペンタジェニル、エチル
テトラメチル−シクロペンタジェニル、ペンタフェニル
−シクロペンタジェニルおよびジメチルトリフェニル−
シクロペンタジェニル、塩素およびシクロペンタジェニ
ルは好ましいL1配位子である。
ェニル、ペンタメチル−シクロペンタジェニル、エチル
テトラメチル−シクロペンタジェニル、ペンタフェニル
−シクロペンタジェニルおよびジメチルトリフェニル−
シクロペンタジェニル、塩素およびシクロペンタジェニ
ルは好ましいL1配位子である。
L2配位子の例は、式
%式%
式中、R,、R2およびR3は、同一もしくは相異り、
アルキル、シクロアルキル、アリールまたはアラルキル
基を表わし、これらの基はアルキル、ヒドロキシ、アル
コキシ、カルボアルコキシルまたはハロゲン基により置
換されていてもよい、 に相当するものである。
アルキル、シクロアルキル、アリールまたはアラルキル
基を表わし、これらの基はアルキル、ヒドロキシ、アル
コキシ、カルボアルコキシルまたはハロゲン基により置
換されていてもよい、 に相当するものである。
この場合においてアルキル基は1例えば、1〜20、好
ましくは1〜12.とくに好ましくは1〜6個の炭素原
子を含有する直鎖状もしくは分枝鎖状の飽和炭化水素基
である。
ましくは1〜12.とくに好ましくは1〜6個の炭素原
子を含有する直鎖状もしくは分枝鎖状の飽和炭化水素基
である。
シクロアルキル基は、一般式、5〜12、好ましくは5
〜7個の炭素原子を含有する環式飽和炭化水素基である
。
〜7個の炭素原子を含有する環式飽和炭化水素基である
。
アリール基は1例えば、6〜18、好ましくは6〜12
個の炭素原子を含有するベンゼン系からの芳香族炭化水
素基である。
個の炭素原子を含有するベンゼン系からの芳香族炭化水
素基である。
アラルキル基は、例えば、アリールにより置換されたア
ルキル基であり、詣肪族部分において、1〜6個の炭素
原子を含有する直鎖状もしくは分枝鎖状の炭化水素基か
ら成り、そして芳香族部分において、ベンゼン系、好ま
しくはフェニルからの1つの基から成る。
ルキル基であり、詣肪族部分において、1〜6個の炭素
原子を含有する直鎖状もしくは分枝鎖状の炭化水素基か
ら成り、そして芳香族部分において、ベンゼン系、好ま
しくはフェニルからの1つの基から成る。
前述のアルキル、シクロアルキル、アリールおよびアラ
ルキル基は、C,−C,−アルキル、ヒドロキシ、C,
−C,−アルコキシ、C,−C。
ルキル基は、C,−C,−アルキル、ヒドロキシ、C,
−C,−アルコキシ、C,−C。
−カルボアルコキシ、フッ素または塩素により置換され
ていてもよい。
ていてもよい。
好ましいL2配位子の例は、次の通りであるニトリフェ
ニルホスファン、ジエチルフェニルホスファン、トリト
リルホスファン、トリナフチルホスファン、ジフェニル
メチルホスファン、ジフェニルブチルホスファン、トリ
ス−(p−カルボメトキシフェニル)−ホスファン、ト
リス−(p−シアノフェニル)−ホスファン、トリブチ
ルホスファ〉・、トリス−(トリメトキシフェニル)−
ホスファン類、ビス−(トリメチルフェニル)−フェニ
ルーホスファン類、ビス−(トリメトキシフェニル)−
フェニルホスファン類、トリメチルフェニルジフェニル
ホスファン類、トリメトキシフェニルジフェニル−ホス
ファン類、トリス−(ジメチルフェニル)−フェニルホ
スファン類、トリス−(ジメトキシフェニル)−フェニ
ルホスファン類、ビス−(ジメチルフェニル)−フェニ
ル−ホスファン類、ビス−(ジメトキシフェニル)−フ
ェニルホスファン類、ジメチルフェニルジフェニルホス
ファン類、ジメトキシフェニルジフェニルホスファン類
、トリフェニルアルサン、ジトリルフェニルアルサン、
トリス−(4−エトキシフェニル)−アルサン、ジフェ
ニルシクロへキシルアルサン、ジブチルフェニルアルサ
ンおよヒシエチルフェニルアルサン。
ニルホスファン、ジエチルフェニルホスファン、トリト
リルホスファン、トリナフチルホスファン、ジフェニル
メチルホスファン、ジフェニルブチルホスファン、トリ
ス−(p−カルボメトキシフェニル)−ホスファン、ト
リス−(p−シアノフェニル)−ホスファン、トリブチ
ルホスファ〉・、トリス−(トリメトキシフェニル)−
ホスファン類、ビス−(トリメチルフェニル)−フェニ
ルーホスファン類、ビス−(トリメトキシフェニル)−
フェニルホスファン類、トリメチルフェニルジフェニル
ホスファン類、トリメトキシフェニルジフェニル−ホス
ファン類、トリス−(ジメチルフェニル)−フェニルホ
スファン類、トリス−(ジメトキシフェニル)−フェニ
ルホスファン類、ビス−(ジメチルフェニル)−フェニ
ル−ホスファン類、ビス−(ジメトキシフェニル)−フ
ェニルホスファン類、ジメチルフェニルジフェニルホス
ファン類、ジメトキシフェニルジフェニルホスファン類
、トリフェニルアルサン、ジトリルフェニルアルサン、
トリス−(4−エトキシフェニル)−アルサン、ジフェ
ニルシクロへキシルアルサン、ジブチルフェニルアルサ
ンおよヒシエチルフェニルアルサン。
L2配位子のそれ以上の例は、式
式中、mは1〜10の整数を表わし、そしてR4,R5
、R1およびR1は、同一・もしくは相異り、R1と同
一の意味を有する、 に相当するビスホスファンである。
、R1およびR1は、同一・もしくは相異り、R1と同
一の意味を有する、 に相当するビスホスファンである。
ビスホスファンの例は、1.2−ビスージフェニルホス
フ7ノエタン、1.2−ビスージアニシルホスファノエ
タン、好ましくは1.3−ビスージフェニルホスファノ
プロパンおよびとくに、1.4−ビス−ジフェニルホス
ファノブタンである。
フ7ノエタン、1.2−ビスージアニシルホスファノエ
タン、好ましくは1.3−ビスージフェニルホスファノ
プロパンおよびとくに、1.4−ビス−ジフェニルホス
ファノブタンである。
[(Lt)(L2)n]配位子の例は、弐〇 p (
CH2) q−P − (CHz)rP PL、O Cpニジクロペンタジェニル 式中、qおよびrは、同一もしくは相異り、1〜6の?
!!数を表わし、そしてR,,1およびRIGは、同一
もしくは相異り、R1と同一の5を味を有する、 に相当する化合物である。
CH2) q−P − (CHz)rP PL、O Cpニジクロペンタジェニル 式中、qおよびrは、同一もしくは相異り、1〜6の?
!!数を表わし、そしてR,,1およびRIGは、同一
もしくは相異り、R1と同一の5を味を有する、 に相当する化合物である。
このような配位子の例は、次の通りである:1.4−シ
フオスファー6−シクロペンタジェニル−1,1,41
リフェニルヘキサン、好ましくは1.5−シフオスファ
ー7−シクロペンタジェニル−1,1,5−)リフェニ
ルへブタンおよび、とくに、1.6−ジフオスフアー8
−シクロペンタジェニル−1,1,6−)リフェニルオ
クタン。
フオスファー6−シクロペンタジェニル−1,1,41
リフェニルヘキサン、好ましくは1.5−シフオスファ
ー7−シクロペンタジェニル−1,1,5−)リフェニ
ルへブタンおよび、とくに、1.6−ジフオスフアー8
−シクロペンタジェニル−1,1,6−)リフェニルオ
クタン。
使用するルテニウム錯体は既知であり[M。
■、ブルース(Bruce)、N、J、ウィンドソー(
Wi nds o r)、オーストラリアン・ジャーナ
ル・オブーケミストリー(Aust。
Wi nds o r)、オーストラリアン・ジャーナ
ル・オブーケミストリー(Aust。
J、 Chem、)30(1977)、1601−1
604ページおよびT、カウフマン(Kauffman
n)、J、オルプリチ(Olbrich)、テトラヘド
ロン・レターズ(Tetrah、edron Let
ters)25(19B4)、1967−1970ペー
ジ参照]そして、例えば、三塩化ルテニウム水和物を過
剰量の配位子L1およびL2とエタノール中で反応させ
ることにより得ることができる。
604ページおよびT、カウフマン(Kauffman
n)、J、オルプリチ(Olbrich)、テトラヘド
ロン・レターズ(Tetrah、edron Let
ters)25(19B4)、1967−1970ペー
ジ参照]そして、例えば、三塩化ルテニウム水和物を過
剰量の配位子L1およびL2とエタノール中で反応させ
ることにより得ることができる。
ルテニウム錯体(X=臭素またはヨウ素)は、例えば、
単に前記式(X=水素)の対応するルテニウム錯体をH
BrまたはHIとともにメタノール中で加熱することに
より得ることができる[T、ウィルゼウスキー(Wil
czewsky)、M、ポヘンス力(Bochensk
a)。
単に前記式(X=水素)の対応するルテニウム錯体をH
BrまたはHIとともにメタノール中で加熱することに
より得ることができる[T、ウィルゼウスキー(Wil
czewsky)、M、ポヘンス力(Bochensk
a)。
J、F、ビーエルナンド(Biernat)。
ンヤーナル・オブ・オルガノメタリックΦケミスト リ
− (J、 Organomet、 C
h em、)215 (1981)、87−96ペ
ージ参照]。
− (J、 Organomet、 C
h em、)215 (1981)、87−96ペ
ージ参照]。
水素化に適当な溶媒は、とくに、アセトン、ブタ、′ン
、ペンタノン、シクロペンタノンおよびシクロヘキサノ
ンを包含する。
、ペンタノン、シクロペンタノンおよびシクロヘキサノ
ンを包含する。
不飽和ポリマーおよび水素化されたポリマーは使用する
溶媒中に溶解しなくてはならない。
溶媒中に溶解しなくてはならない。
この方法は85〜50重量%、好ましくは82〜55重
量%の少なくとも1種の共役ジエン、15〜50重量%
、好ましくは18〜45重量%の少なくとも1種の不飽
和ニトリルおよび0NIO毛着%、好ましくは0〜8重
量%の少なくとも1種の共役ジエンおよび不飽和ニトリ
ルと共重合可能な少なくとも1種の他のモノマーのコポ
リマーの水素化に適する。
量%の少なくとも1種の共役ジエン、15〜50重量%
、好ましくは18〜45重量%の少なくとも1種の不飽
和ニトリルおよび0NIO毛着%、好ましくは0〜8重
量%の少なくとも1種の共役ジエンおよび不飽和ニトリ
ルと共重合可能な少なくとも1種の他のモノマーのコポ
リマーの水素化に適する。
′a当な共役ジエンは、例えば、ブタジェン−1,3,
2−メチルブタジェン−1,3,2,3−ジメチルブタ
ジェン−1,3およびペンタジェン−1,3であり、そ
して適当な不飽和ニトリルはアクリロニトリルおよびメ
タシクロニトリルである。
2−メチルブタジェン−1,3,2,3−ジメチルブタ
ジェン−1,3およびペンタジェン−1,3であり、そ
して適当な不飽和ニトリルはアクリロニトリルおよびメ
タシクロニトリルである。
さらに適当なモノマーは、次の通りである:ビニル芳香
族物質1例えば、スチレン、0−lm−またはp−メチ
ルスチレン、エチルスチレン、ビニルナフタレンおよび
ビニルピリジン、3〜5個の炭素原子を含有するα、β
−不飽和モノカルポン酸1例えば、アクリル酸およびク
ロトン酸ならびに4〜5個の炭素原子を含有するα、β
−不飽和ジカルボン酸1例えば、マレイン酸、フマル酸
、シトラコン酸およびイタコン酸、また塩化ビニル、塩
化ビニリデン、N−メチa−ルアクリルアミドおよびア
ルキル部分中に1−4個の炭素原子を含有するビニルア
ルキルエーテル。
族物質1例えば、スチレン、0−lm−またはp−メチ
ルスチレン、エチルスチレン、ビニルナフタレンおよび
ビニルピリジン、3〜5個の炭素原子を含有するα、β
−不飽和モノカルポン酸1例えば、アクリル酸およびク
ロトン酸ならびに4〜5個の炭素原子を含有するα、β
−不飽和ジカルボン酸1例えば、マレイン酸、フマル酸
、シトラコン酸およびイタコン酸、また塩化ビニル、塩
化ビニリデン、N−メチa−ルアクリルアミドおよびア
ルキル部分中に1−4個の炭素原子を含有するビニルア
ルキルエーテル。
ブタジェンおよびアクリロニトリルの二成分コポリマー
は好ましく水素化される。
は好ましく水素化される。
ポリマーの分子量は臨界的ではなく、そして500〜5
00,000g1モル、1000〜200.00g1モ
ルそしてとくに30.000〜150.000g1モル
(ゲル透過クロマトグラフィーにより決定された数平均
)である。
00,000g1モル、1000〜200.00g1モ
ルそしてとくに30.000〜150.000g1モル
(ゲル透過クロマトグラフィーにより決定された数平均
)である。
水素化度(ポリマー中に本来存在するCC二重結合の合
計の数に基づく水素化されたCC二重結合の百分率)は
100%までであることができる。しかしながら、水素
化は必要に応じて前もって中断することができる。80
%を越える、とくに90%を越える、好ましくは95%
を越える、とくに好ましくは99%を越える水素化度を
有するポリマーは、本発明による方法によって得られる
。
計の数に基づく水素化されたCC二重結合の百分率)は
100%までであることができる。しかしながら、水素
化は必要に応じて前もって中断することができる。80
%を越える、とくに90%を越える、好ましくは95%
を越える、とくに好ましくは99%を越える水素化度を
有するポリマーは、本発明による方法によって得られる
。
ポリマーに基づく触媒の漕度(ルテニウムとして計算)
は10−1000、好ましくは40〜600ppmであ
る。合計の溶液に基づく不飽和ポリマーの濃度は、1〜
99、好ましくは5〜4゜ffi量%である。
は10−1000、好ましくは40〜600ppmであ
る。合計の溶液に基づく不飽和ポリマーの濃度は、1〜
99、好ましくは5〜4゜ffi量%である。
水素化は好ましくは80〜200℃、好ましくは100
〜180℃、とくに120〜160℃および20〜35
0パール、好ましくは30〜250パールの水素圧にお
いて実施される。
〜180℃、とくに120〜160℃および20〜35
0パール、好ましくは30〜250パールの水素圧にお
いて実施される。
水素化後、ポリマーを溶液から常法により、例えば、
(真空)乾燥により、水蒸気の吹込みにより、あるいは
非溶媒の添加により分離する6次いで、乾燥処理を実施
して残留する溶媒または水を除去する。
(真空)乾燥により、水蒸気の吹込みにより、あるいは
非溶媒の添加により分離する6次いで、乾燥処理を実施
して残留する溶媒または水を除去する。
ジエン−(メト)アクリロニトリルコポリマーを先行技
術に従いクロロベンゼン中でロジウム錯体触媒を使用し
て水素化し、そして反応溶液を水ノに気の吹込みにより
処理して固体ポリマーを製造する場合、ポリマーの濃厚
なパンケーキがストリッパーの壁および撹拌機へ付着し
、ストリッパーの周期的に開いて機械的に清浄すること
を必要とする。取り出された湿潤ポリマーの塊は、また
、排水コランダー(c o l ande r)を短期
間で詰まらせるので、このコランダーを清浄しなくては
ならない。
術に従いクロロベンゼン中でロジウム錯体触媒を使用し
て水素化し、そして反応溶液を水ノに気の吹込みにより
処理して固体ポリマーを製造する場合、ポリマーの濃厚
なパンケーキがストリッパーの壁および撹拌機へ付着し
、ストリッパーの周期的に開いて機械的に清浄すること
を必要とする。取り出された湿潤ポリマーの塊は、また
、排水コランダー(c o l ande r)を短期
間で詰まらせるので、このコランダーを清浄しなくては
ならない。
驚くべきことには、本発明に従う方法により得られるポ
リマー溶液は、困難なく、ストリッパーの壁、攪拌機お
よび排水フラング−に付着しかつ詰まらすことなく、水
蒸気の吹込みにより処理して固体ポリマーを製造するこ
とができること、およびこの処理の完結時のストリッパ
ーの機械的清浄は不必要であることがわかった。
リマー溶液は、困難なく、ストリッパーの壁、攪拌機お
よび排水フラング−に付着しかつ詰まらすことなく、水
蒸気の吹込みにより処理して固体ポリマーを製造するこ
とができること、およびこの処理の完結時のストリッパ
ーの機械的清浄は不必要であることがわかった。
本発明により水素化されたポリマーは、常法において、
放射線の架橋による加硫を除外して、過酸化物またはイ
才つの加硫により硬化される。
放射線の架橋による加硫を除外して、過酸化物またはイ
才つの加硫により硬化される。
#候性、耐オゾン性、耐油性および#熱空気性にきわめ
てすぐれ、さらに寒冷な気候に抵抗性であるために、こ
れらのポリマーは高品質のコム物品、例えば、シール、
管、膜およびケーブルの絶縁体および外装に使用するこ
とができる。
てすぐれ、さらに寒冷な気候に抵抗性であるために、こ
れらのポリマーは高品質のコム物品、例えば、シール、
管、膜およびケーブルの絶縁体および外装に使用するこ
とができる。
−叉110−
1980gのクロロベンゼン中の220gの34.9重
量%のアクリロニトリルを含有しかつ29のムーニイ粘
度ML 1+4(100℃)を有するランダムブタジ
ェンアクリロニトリルコポリマーの窒素でパージした溶
液を、3旦容のオートクレーブ内に窒素のパージのもと
に入れた。さらに不活性とする間、55gのクロロベン
ゼン中の0.385gの塩化トリス(トリフェニルホス
ファン)ルテニウム(II )および2.0gのトリフ
ェニルホスファンの同様に窒素でパージした溶液を添加
し、そして80バールの水素を供給した。この混合物を
130℃に加熱し、次いでこの反応を140バールの水
素圧で130℃において4時間続けた。
量%のアクリロニトリルを含有しかつ29のムーニイ粘
度ML 1+4(100℃)を有するランダムブタジ
ェンアクリロニトリルコポリマーの窒素でパージした溶
液を、3旦容のオートクレーブ内に窒素のパージのもと
に入れた。さらに不活性とする間、55gのクロロベン
ゼン中の0.385gの塩化トリス(トリフェニルホス
ファン)ルテニウム(II )および2.0gのトリフ
ェニルホスファンの同様に窒素でパージした溶液を添加
し、そして80バールの水素を供給した。この混合物を
130℃に加熱し、次いでこの反応を140バールの水
素圧で130℃において4時間続けた。
溶媒で膨潤した強靭な発泡プラスチック塊が反応生成物
として得られ、これはクロロベンゼンをさらに添加する
ことにより、あるいはブタノンを添加することにより溶
解することができなかった。
として得られ、これはクロロベンゼンをさらに添加する
ことにより、あるいはブタノンを添加することにより溶
解することができなかった。
一ユJLL!
17.9kgのブタノン中に実施例1におけるのと同一
のポリマーの2.1kgを含有する注意して脱気した溶
液を、窒素で不活性とした40!L容のオートクレーブ
中に入れた。この混合物を150℃に加熱し、1.6k
gのブタノン中の3゜327gの塩化トリス(トリフェ
ニルホスファン)ルテニウム(II)の注意して脱気し
た溶液を添加し、この混合物を140パールの水素圧で
4時間水素化した。ブタノンを水蒸気の吹込みにより除
去し、そしてポリマーを真空乾燥した。
のポリマーの2.1kgを含有する注意して脱気した溶
液を、窒素で不活性とした40!L容のオートクレーブ
中に入れた。この混合物を150℃に加熱し、1.6k
gのブタノン中の3゜327gの塩化トリス(トリフェ
ニルホスファン)ルテニウム(II)の注意して脱気し
た溶液を添加し、この混合物を140パールの水素圧で
4時間水素化した。ブタノンを水蒸気の吹込みにより除
去し、そしてポリマーを真空乾燥した。
さらにポリマーを種々の反応温度において同様な方法で
製造した0表1に、ポリマーのデータ(I)を反応温度
(’0)に関数として示し、[alは水素化度(%、赤
外分光分析により決定)を表わし、[b]はゲル値(%
、ブタノン中で測定)を表わし、[C]はムーニイ粘度
ML1+4 (100℃)を表わし、 [d]はデフォ
−粘度V [R,クープ−yン(KoopmanO n)、カウトシュク(Kautschuk)+グンミ
(Gummi)Tクンスシュトツフェ(Kunstst
offe)36.No、2,108ページ以降(198
3)]を表わし、[elはデフォ−弾性DE3゜(1/
10mm、80℃)([d]における文献を参照)を表
わし、そして[f]はムーニイ緩和MR(5,100℃
)[R,クープマフ (KOOpmann)、H、クレ
イマー(Kramer)、ジャーナル拳オブ会テスチン
グ・アンド・エバリュエイション(J。
製造した0表1に、ポリマーのデータ(I)を反応温度
(’0)に関数として示し、[alは水素化度(%、赤
外分光分析により決定)を表わし、[b]はゲル値(%
、ブタノン中で測定)を表わし、[C]はムーニイ粘度
ML1+4 (100℃)を表わし、 [d]はデフォ
−粘度V [R,クープ−yン(KoopmanO n)、カウトシュク(Kautschuk)+グンミ
(Gummi)Tクンスシュトツフェ(Kunstst
offe)36.No、2,108ページ以降(198
3)]を表わし、[elはデフォ−弾性DE3゜(1/
10mm、80℃)([d]における文献を参照)を表
わし、そして[f]はムーニイ緩和MR(5,100℃
)[R,クープマフ (KOOpmann)、H、クレ
イマー(Kramer)、ジャーナル拳オブ会テスチン
グ・アンド・エバリュエイション(J。
of TeSting and Evaluat
1on)Vo1、12.No、6.November
1984;1982年6月21日のトロントにおけ
るシンポジウム°“ゴムの加工性およびレオロジー(P
rocessibi 1ityand Rheolo
gy of Ru b b er)゛において提出
された]を表わす、ムーニイ粘度ML4q定するために
、150gのポリマーをlfW450mmの実験室用練
りロール機に2回通過させた(冷媒温度20℃、ニップ
0.4mm。
1on)Vo1、12.No、6.November
1984;1982年6月21日のトロントにおけ
るシンポジウム°“ゴムの加工性およびレオロジー(P
rocessibi 1ityand Rheolo
gy of Ru b b er)゛において提出
された]を表わす、ムーニイ粘度ML4q定するために
、150gのポリマーをlfW450mmの実験室用練
りロール機に2回通過させた(冷媒温度20℃、ニップ
0.4mm。
Fl擦1:1.2、前のロール20rpm)、シートを
少なくとも30分間貯蔵した後、さらに試験をDIN
53 523、部2および3に従い実施した。ムーニ
イ緩和はデフ中−シートの残部を用いて測定した([d
]の文献を参照)。
少なくとも30分間貯蔵した後、さらに試験をDIN
53 523、部2および3に従い実施した。ムーニ
イ緩和はデフ中−シートの残部を用いて測定した([d
]の文献を参照)。
−工立璽ユー
次の処方を有する混合物を、実施例3に従い製造したポ
リマーから得た: 100.00 重量部の水素化ポリマー2.00 重
量部の酸化亜鉛 2.00 重量部の酸化マグネシウムt、oo @
u部のスチレン化ジフェニルアミン 0.40 重量部の2−メルカプトベンズイミダゾール
の亜鉛塙 45.00 i置部のカーボンブラックN551.5
0 重量部のトリアリルイソシアヌレート 7.00 重量部のビス(七−ブチルパーオキシイソプ
ロピル)ベンゼン 表1は水素化温度の関数として決定した加硫物(II
)についての値を記載する。加硫は180’0において
15分間実施した0次いで、調質を150℃において6
時間実施した。320−2ド(r。
リマーから得た: 100.00 重量部の水素化ポリマー2.00 重
量部の酸化亜鉛 2.00 重量部の酸化マグネシウムt、oo @
u部のスチレン化ジフェニルアミン 0.40 重量部の2−メルカプトベンズイミダゾール
の亜鉛塙 45.00 i置部のカーボンブラックN551.5
0 重量部のトリアリルイソシアヌレート 7.00 重量部のビス(七−ブチルパーオキシイソプ
ロピル)ベンゼン 表1は水素化温度の関数として決定した加硫物(II
)についての値を記載する。加硫は180’0において
15分間実施した0次いで、調質を150℃において6
時間実施した。320−2ド(r。
d)を試料として使用した。
標準のDIN 53 504.53 505.53
512および53517(標準の試料A)をこの実施例
および実施例5における測定に使用した。Fは引張り強
さを表わし、Dは破断点伸びを表わし1M およびM
は100およ100 20G び200%の伸び率における引張り値を表わし、H23
は23℃におけるショアーA硬度を表わし、E は23
℃におけるレジリエンスを表わし、およびDVRは15
0℃/70時間における圧縮永久歪を表わす。
512および53517(標準の試料A)をこの実施例
および実施例5における測定に使用した。Fは引張り強
さを表わし、Dは破断点伸びを表わし1M およびM
は100およ100 20G び200%の伸び率における引張り値を表わし、H23
は23℃におけるショアーA硬度を表わし、E は23
℃におけるレジリエンスを表わし、およびDVRは15
0℃/70時間における圧縮永久歪を表わす。
一爽施眉1−
混合物を実施例2に従い140℃および140バールの
水套圧において、塩化トリス(トリフェニルホスファン
)ルテニウム(■)の量を変化させて4時間水素化した
。
水套圧において、塩化トリス(トリフェニルホスファン
)ルテニウム(■)の量を変化させて4時間水素化した
。
表2は使用するルテニウムの一度(ppm、 ポリマー
に)、(づ〈)のl511数としてポリマーのデータ(
r)を示す。
に)、(づ〈)のl511数としてポリマーのデータ(
r)を示す。
一χ惠璽1一
実施例3に徒い、混合物を実施例4によるポリマーから
調装し、そして処理した。
調装し、そして処理した。
表2はルテニウムの濃度(p pm、ポリマーに基づく
)の関数として軽物の性質(II)を記載する。
)の関数として軽物の性質(II)を記載する。
イ
実施例6
実施例2に従い、ポリマー溶液を窒素で不活性とした4
0M容のオートクレーブ中に入れた。触媒溶液を125
℃および25パールの水素圧において添加し、そして水
素化を135℃および140パールの水素圧において4
時間続けた。
0M容のオートクレーブ中に入れた。触媒溶液を125
℃および25パールの水素圧において添加し、そして水
素化を135℃および140パールの水素圧において4
時間続けた。
次のポリマーのデータが得られた:
[a] [bl [cl [d] [
e]98.7 1.1 90 270.4 41
.0[f] 15.9 一1族±l− 実施例2に従い、37.6重量%のアクリロニトリルを
含有しかつ34のムーニイ粘度を有するランダムブタジ
ェン−アクリロニトリル−コポリマーを135°Cにお
いて水素化した。
e]98.7 1.1 90 270.4 41
.0[f] 15.9 一1族±l− 実施例2に従い、37.6重量%のアクリロニトリルを
含有しかつ34のムーニイ粘度を有するランダムブタジ
ェン−アクリロニトリル−コポリマーを135°Cにお
いて水素化した。
結果は次の通りである二
[a] [bl [cl [d] [
e]99.8 +、3 105 2
83 41.7[f] 15.2 一笑」1九旦− 17,9kgのアセトン中の実施例1と同一ののポリマ
ーの2.1kgの注意して脱気した溶液を、窒、にで不
活性としだ401容のオートクレーブ中に入れた。この
混合物を135℃に加熱し。
e]99.8 +、3 105 2
83 41.7[f] 15.2 一笑」1九旦− 17,9kgのアセトン中の実施例1と同一ののポリマ
ーの2.1kgの注意して脱気した溶液を、窒、にで不
活性としだ401容のオートクレーブ中に入れた。この
混合物を135℃に加熱し。
1.6kgのアセトン中の5.977gの塩化トリス(
トリフェニルホスファン)ルテニウム(11)の注意し
て脱気した溶液を添加し、この混合物を140パールの
水素圧で4時間水素化した。
トリフェニルホスファン)ルテニウム(11)の注意し
て脱気した溶液を添加し、この混合物を140パールの
水素圧で4時間水素化した。
次の結果が得られた:
[a] [b] [c] [dl [
e199.5 L、S 88
323 45.5[f] 20.5
e199.5 L、S 88
323 45.5[f] 20.5
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、ニトリル基含有不飽和ポリマーを均質相においてニ
トリル基を保存するように水素化する方法において、低
分子量ケトンを溶媒として使用しかつ式 RuX[(L_1)(L_2)n] 式中、 Xは水素またはハロゲンを表わし、 L_1は水素、ハロゲンまたは置換されていてもよいシ
クロペンタジエニルを表わし、 L_2はホスファン、ビスホスファンまたはアルサンを
表わし、そして nは1、2または3であり、そして [(L_1)(L_2)n]はシクロペンタジエニル−
ビスホスファンを表わす、 に相当する化合物を触媒として使用することを特徴とす
る方法。 2、Xは塩素を表わし、L_1は水素または塩素を表わ
し、そしてL_2はトリアリールホスファンを表わす特
許請求の範囲第1項記載の方法。 3、Xは水素または塩素を表わし、L_1はシクロペン
タジエニルを表わし、そしてL_2はトリアリールホス
ファンを表わす特許請求の範囲第1項記載の方法。 4、80〜100%の水素化度を達成することを特徴と
する特許請求の範囲第1項記載の方法。 5、水素化を80〜200℃および20〜350バール
の水素圧において、ポリマーに基づいて、ルテニウムと
して計算して20〜1000ppmの触媒濃度で実施す
ることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19843433392 DE3433392A1 (de) | 1984-09-12 | 1984-09-12 | Hydrierung nitrilgruppenhaltiger ungesaettigter polymerer |
DE3433392.4 | 1984-09-12 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6178802A true JPS6178802A (ja) | 1986-04-22 |
JPH0426322B2 JPH0426322B2 (ja) | 1992-05-07 |
Family
ID=6245168
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60199612A Granted JPS6178802A (ja) | 1984-09-12 | 1985-09-11 | ニトリル基含有不飽和ポリマーの水素化方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4631315A (ja) |
EP (1) | EP0174576B1 (ja) |
JP (1) | JPS6178802A (ja) |
CA (1) | CA1260197A (ja) |
DE (2) | DE3433392A1 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63113065A (ja) * | 1986-10-31 | 1988-05-18 | Mitsubishi Kasei Corp | 水素化アクリロニトリル−ブタジエンゴム加硫組成物 |
JP2021532208A (ja) * | 2018-07-23 | 2021-11-25 | アランセオ・ドイチュランド・ゲーエムベーハー | 水素化ニトリルゴムを製造するための方法及びそのhnbr組成物 |
Families Citing this family (121)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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