JPS6178124A - 半導体ウエハの自動洗浄装置 - Google Patents
半導体ウエハの自動洗浄装置Info
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- JPS6178124A JPS6178124A JP19949884A JP19949884A JPS6178124A JP S6178124 A JPS6178124 A JP S6178124A JP 19949884 A JP19949884 A JP 19949884A JP 19949884 A JP19949884 A JP 19949884A JP S6178124 A JPS6178124 A JP S6178124A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
- H01L21/3046—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting using blasting, e.g. sand-blasting
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明はＬＳＩ、超ＬＳＩなどの半導体装置の調造に
用いられる半導体ウニ・・の純水等による洗浄装置、特
に自動洗浄装置における洗浄処理槽に関するものである
。
用いられる半導体ウニ・・の純水等による洗浄装置、特
に自動洗浄装置における洗浄処理槽に関するものである
。
（従来の技術）
従来、このような半導体ウェハの純水洗浄工程において
は、作業者が半導体ウェハの入つたバスケットをハンド
ルにて保持し、処理槽に搬入した後、洗浄シーケンスの
スタートを操作し、純水等による洗浄作業を行なってい
た。
は、作業者が半導体ウェハの入つたバスケットをハンド
ルにて保持し、処理槽に搬入した後、洗浄シーケンスの
スタートを操作し、純水等による洗浄作業を行なってい
た。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながらプロセスの微細化に伴ない、作業者の介在
：ｔよる塵埃の付着があるとこと及び誤操作の可能性が
ある等の欠点があった。この欠点を解決するため出願人
が昭和５９年９月４日に高度の清浄度が得られる特殊な
洗浄技術として提案した半導体ウェハの洗浄方法を実現
する洗浄装置があるが、これは自動化されていないとい
う欠点があった。
：ｔよる塵埃の付着があるとこと及び誤操作の可能性が
ある等の欠点があった。この欠点を解決するため出願人
が昭和５９年９月４日に高度の清浄度が得られる特殊な
洗浄技術として提案した半導体ウェハの洗浄方法を実現
する洗浄装置があるが、これは自動化されていないとい
う欠点があった。
（問題点を解決するための手段）
この発明は純水処理槽底部に取付けられた大口径の排水
弁と槽下部に純水給水弁及び内部に発泡治具を有し、給
水・発泡・排水のシーケンスを繰返す洗浄装置において
、純水が満たされたことを検知する純水上限検出センサ
と処理槽に搬入されたウェハバスケット内の半導体ウェ
ハを検知するキャリア検出センサとを有し、予め給水・
発泡・排水時間を記憶せしめたメモリを有する制御器に
よって上記洗浄７−ケンスを行なわしめるようＫしたも
のである。
弁と槽下部に純水給水弁及び内部に発泡治具を有し、給
水・発泡・排水のシーケンスを繰返す洗浄装置において
、純水が満たされたことを検知する純水上限検出センサ
と処理槽に搬入されたウェハバスケット内の半導体ウェ
ハを検知するキャリア検出センサとを有し、予め給水・
発泡・排水時間を記憶せしめたメモリを有する制御器に
よって上記洗浄７−ケンスを行なわしめるようＫしたも
のである。
（作用）
このようにするとウェハバスケット搬送にロボット等を
用いて自動的に洗浄シーケンスを行なわせることができ
る。
用いて自動的に洗浄シーケンスを行なわせることができ
る。
（実施例）
第１図は本発明半導体ウェハの自動洗浄装置における純
水処理槽の正面図の一例で、処理槽１の底部には大口径
の排水弁２と槽下部にｊ純水給水弁３及び内部に発泡治
具４が設けられ、この治具４にＮ２供給弁５を介してＮ
２ガスが送られる。次に６はウェハバスケットで、その
中に半導体ウェハ７が収納され、このクエハバスケッ）
６！’ｉ：搬送口ピット（図示せず）により槽内に搬入
される。８は純水上限検出センサで純水が満たされたこ
とを検知する。また、図には示さないが処理槽１に搬入
されたウェハバスケット６内の半導体ウェハ７を検知す
るキャリア検出センサ（投光器と受光器よシ成る）がウ
ェハ７に対して一対設けられている。なお、処理槽１は
光軸に対して透過性を具備する。
水処理槽の正面図の一例で、処理槽１の底部には大口径
の排水弁２と槽下部にｊ純水給水弁３及び内部に発泡治
具４が設けられ、この治具４にＮ２供給弁５を介してＮ
２ガスが送られる。次に６はウェハバスケットで、その
中に半導体ウェハ７が収納され、このクエハバスケッ）
６！’ｉ：搬送口ピット（図示せず）により槽内に搬入
される。８は純水上限検出センサで純水が満たされたこ
とを検知する。また、図には示さないが処理槽１に搬入
されたウェハバスケット６内の半導体ウェハ７を検知す
るキャリア検出センサ（投光器と受光器よシ成る）がウ
ェハ７に対して一対設けられている。なお、処理槽１は
光軸に対して透過性を具備する。
第２図は、その処理槽を動作させる制御系の！ロック図
で、前記上限検出センサ８ （７ｏ −） スイッチ５
Ｗｌ）と図示しないキャリア検出センサＳＷ２の２つの
信号入力を受けて制御器Ｃが動作し、予め給水・発泡・
排水時間を記憶せしめたメモリによって出力する制御器
Ｃにょシ給水弁３．排水弁２．Ｎ２供給弁５分開閉する
よりになっている。
で、前記上限検出センサ８ （７ｏ −） スイッチ５
Ｗｌ）と図示しないキャリア検出センサＳＷ２の２つの
信号入力を受けて制御器Ｃが動作し、予め給水・発泡・
排水時間を記憶せしめたメモリによって出力する制御器
Ｃにょシ給水弁３．排水弁２．Ｎ２供給弁５分開閉する
よりになっている。
そして、先ず通常、処理槽１１Ｃは純水が満たされてお
り、（フロートスイッチｓｗ１がＯＮ）ウェハ７を収納
したウェハバスケット６が搬送口ｙＫｙ）Ｋより投入さ
れてキャリア検出センサｓｗ２よりの信号と共に、給水
のオーバーフローが行なわれ、Ｎ２供給弁５が開き、Ｎ
２発泡治具４にて一定時間パブリングされ、Ｎ２供給弁
５が閉じて、大型排水弁２にて一気に排水される。排出
された信号を得て大型排水弁２は閉じ、純水供給弁３に
て、上限検出センサ８（フロートスインチＳＷ、 ）が
０Ｎ−ｊるまで供給されて弁３が閉じ、Ｎ２供給弁５が
開いて、発泡治具４にてバブリングさせる。このように
して上記のシーケンスを各薬品処理によって数回繰返す
。第３図はそのサイクルの一例で、第４図はウェハの薬
品処理工程を示す概略図である。即ちウェハを収納した
バスケット２が搬送０＆ノドＲで第１の薬品処理＊ Ａ
ｌに移送され、薬品処理後、次の処理槽１１で純水処
理を行ない、次いで第２゜第３の薬品処理槽−Ａ ２
ｚ Ａ ３で薬品処理し、最後に再度純水処理槽１２
で処理後、乾燥機りにて乾燥され、取出し位置に移送す
る工程で、本発明はこの工程における純水処理槽１．．
１２の装置に使用される。
り、（フロートスイッチｓｗ１がＯＮ）ウェハ７を収納
したウェハバスケット６が搬送口ｙＫｙ）Ｋより投入さ
れてキャリア検出センサｓｗ２よりの信号と共に、給水
のオーバーフローが行なわれ、Ｎ２供給弁５が開き、Ｎ
２発泡治具４にて一定時間パブリングされ、Ｎ２供給弁
５が閉じて、大型排水弁２にて一気に排水される。排出
された信号を得て大型排水弁２は閉じ、純水供給弁３に
て、上限検出センサ８（フロートスインチＳＷ、 ）が
０Ｎ−ｊるまで供給されて弁３が閉じ、Ｎ２供給弁５が
開いて、発泡治具４にてバブリングさせる。このように
して上記のシーケンスを各薬品処理によって数回繰返す
。第３図はそのサイクルの一例で、第４図はウェハの薬
品処理工程を示す概略図である。即ちウェハを収納した
バスケット２が搬送０＆ノドＲで第１の薬品処理＊ Ａ
ｌに移送され、薬品処理後、次の処理槽１１で純水処
理を行ない、次いで第２゜第３の薬品処理槽−Ａ ２
ｚ Ａ ３で薬品処理し、最後に再度純水処理槽１２
で処理後、乾燥機りにて乾燥され、取出し位置に移送す
る工程で、本発明はこの工程における純水処理槽１．．
１２の装置に使用される。
さらに、本発明純水洗浄処理槽の一例を第５図のフロー
チャートにより説明する。
チャートにより説明する。
■ スタート信号が入るとキャリア検出が。Ｎである時
、処理シーケンスへとグロダラムが進むが、２つの入力
条件（スタート信号ＯＮ。
、処理シーケンスへとグロダラムが進むが、２つの入力
条件（スタート信号ＯＮ。
キャリア検出ＯＮ）が満足されない場合は処理へ進まな
い。
い。
■ 処理に必要な処理条件を外部入力より取込み、内部
メモリに記憶させておく。（例えばバブリング時間、７
−ケンスの繰返しサイクル数等のンーケンス内容） ■ メモリに格納された処理シーケンスのデーター内容
を判断し、シーケンスにあった処理プログラムへと進む
。
メモリに記憶させておく。（例えばバブリング時間、７
−ケンスの繰返しサイクル数等のンーケンス内容） ■ メモリに格納された処理シーケンスのデーター内容
を判断し、シーケンスにあった処理プログラムへと進む
。
■ 最初の処理として給水オーバーフローとバブリング
を開始し、メモリに格納された設定時間を外部入力クロ
ック（ｌ ｓｅｃ ）カウントにより処理時間としカウ
ントＵＰにより次に進み、給水と・ぐブリング停止を行
なう。
を開始し、メモリに格納された設定時間を外部入力クロ
ック（ｌ ｓｅｃ ）カウントにより処理時間としカウ
ントＵＰにより次に進み、給水と・ぐブリング停止を行
なう。
■ 次に、排水をメモリに格納された設定時間カウント
ＵＰまで行なわない、排水停止となる。
ＵＰまで行なわない、排水停止となる。
■ 次に、給水を行ない槽上部にあるフロートスイッチ
（上限検出センサ８）がＯＮになることで給水停止とな
る。
（上限検出センサ８）がＯＮになることで給水停止とな
る。
■ 次に、メモリに格納された１シーケンスのサイクル
数データーをカウントし、処理の繰返しかどうか判断し
て終了でなければ■〜■まで再度行ない終了回数まで行
なう。終了となると■に戻り、次の投入待ちとなる。
数データーをカウントし、処理の繰返しかどうか判断し
て終了でなければ■〜■まで再度行ない終了回数まで行
なう。終了となると■に戻り、次の投入待ちとなる。
このようにするとロゼツトによるウエノ・ノぐスケント
の投入によシ、シーケンスをスタートさせることができ
るので、人為的な誤操作の防止、省人化及び塵埃の発生
を防止することができる。
の投入によシ、シーケンスをスタートさせることができ
るので、人為的な誤操作の防止、省人化及び塵埃の発生
を防止することができる。
（発明の効果）
以上詳細に説明したように、本発明によればウェハの洗
浄効果が従来に比べてより向上し、また洗浄時間も短縮
され、その上、ウエノ・の投入時だけ純水が効率よく供
給されるから純水の節約にもなり、その上、省人化、塵
埃の発生防止及び誤操作の防止等の効果がある。
浄効果が従来に比べてより向上し、また洗浄時間も短縮
され、その上、ウエノ・の投入時だけ純水が効率よく供
給されるから純水の節約にもなり、その上、省人化、塵
埃の発生防止及び誤操作の防止等の効果がある。
第１図は本発明半導体ウェー・の自動洗浄装置の一実施
例を示す正面図、第２図は同じく制御系のブロック図、
第３図は同じくその洗浄シーケンスサイクルの一例を示
す図、第４図はウェー・の薬品処理工程を示す概略図、
第５図は純水洗浄処理槽のフローチャートを示す図であ
る。 １・・・処理槽、２・・・大口径の排出弁、３・・・純
水給水弁、４・・・発泡治具、５・・・Ｎ２供給弁、６
・・・ウエハバスケット、７・・・ウニ・・、８・・・
純水上限検出センサ、ＳＷド・・７０−トスイノチ（上
限検出センサ８のスイッチ）、ＳＷ２・・・キャリア検
出センサのスイッチ）、Ｃ・・・制御器。 特許出願人 沖電気工業株式会社 第１図 Ｉ ′Ｉｇｚ図 第 ３ 図 鳴Ｘ
例を示す正面図、第２図は同じく制御系のブロック図、
第３図は同じくその洗浄シーケンスサイクルの一例を示
す図、第４図はウェー・の薬品処理工程を示す概略図、
第５図は純水洗浄処理槽のフローチャートを示す図であ
る。 １・・・処理槽、２・・・大口径の排出弁、３・・・純
水給水弁、４・・・発泡治具、５・・・Ｎ２供給弁、６
・・・ウエハバスケット、７・・・ウニ・・、８・・・
純水上限検出センサ、ＳＷド・・７０−トスイノチ（上
限検出センサ８のスイッチ）、ＳＷ２・・・キャリア検
出センサのスイッチ）、Ｃ・・・制御器。 特許出願人 沖電気工業株式会社 第１図 Ｉ ′Ｉｇｚ図 第 ３ 図 鳴Ｘ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 純水処理槽底部に取付けられた大口径の排水弁と槽下
部に純水給水弁及び内部に発泡治具を有し、給水・発泡
・排水のシーケンスを繰返す洗浄装置において、純水が
満たされたことを検知する純水上限検出センサと処理槽
に搬入されたウエハバスケット内の半導体ウエハを検知
するキャリア検出センサと処理に必要な条件を格納する
メモリとを有し、 ａ）前記純水上限検出センサおよびキャリア検出センサ
の信号により前記純水給水弁および発泡治具を作動させ
、前記メモリに格納された設定時間だけ給水オーバーフ
ローおよびバブリングを行なうバブリング手段と、 ｂ）該バブリング手段終了後、前記排水弁を作動させ排
水を行なう排水手段と、 ｃ）該排水手段終了後、前記給水弁を作動させ前記純水
上限検出センサの信号により給水を停止させる給水手段
と、 ｄ）前記ａ）〜ｃ）の手段のシーケンスがサイクル数を
カウントし、前記メモリに格納された設定回数以下だと
給水手段終了後バブリング手段を再び行ない、前記設定
回数ならば処理を終了する終了手段 とを有することを特徴とする半導体ウェハの自動洗浄装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19949884A JPS6178124A (ja) | 1984-09-26 | 1984-09-26 | 半導体ウエハの自動洗浄装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19949884A JPS6178124A (ja) | 1984-09-26 | 1984-09-26 | 半導体ウエハの自動洗浄装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6178124A true JPS6178124A (ja) | 1986-04-21 |
Family
ID=16408820
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19949884A Pending JPS6178124A (ja) | 1984-09-26 | 1984-09-26 | 半導体ウエハの自動洗浄装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6178124A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6315420A (ja) * | 1986-07-08 | 1988-01-22 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体ウエハの自動洗浄装置 |
| JPS645440U (ja) * | 1987-06-29 | 1989-01-12 | ||
| US5887604A (en) * | 1991-05-08 | 1999-03-30 | Tokyo Electron Limited | Washing apparatus, and washing method |
| CN102441542A (zh) * | 2011-08-29 | 2012-05-09 | 上海华力微电子有限公司 | 一种去离子水槽 |
| JP2013251383A (ja) * | 2012-05-31 | 2013-12-12 | Mitsubishi Electric Corp | ウェハ洗浄装置及び洗浄槽の洗浄方法 |
| CN108722984A (zh) * | 2018-04-13 | 2018-11-02 | 合肥恩锐科技有限公司 | 一种工矿用矿石洗涤装置及其工作方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57170537A (en) * | 1981-04-14 | 1982-10-20 | Toshiba Corp | Treating method and device for semiconductor wafer |
| JPS58157440A (ja) * | 1982-03-16 | 1983-09-19 | オリンパス光学工業株式会社 | 内視鏡用洗浄装置 |
-
1984
- 1984-09-26 JP JP19949884A patent/JPS6178124A/ja active Pending
Patent Citations (2)
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