CN102441542A - 一种去离子水槽 - Google Patents

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Inventor
陈勇志
邢杰
王贝易
倪立华
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Shanghai Huali Microelectronics Corp
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Shanghai Huali Microelectronics Corp
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Abstract

本发明提供一种外表面带有防水挡板的去离子水槽,其包括水槽主体,过渡传感器,上挡板和侧挡板。过渡传感器固定在离子水槽的外表面上,上挡板固定在过渡传感器的上方,侧挡板与上挡板相连接,固定在过渡传感器的两侧。使水槽内溢出来的水流向发生改变而不经过晶圆过渡传感器,不但延长传感器密封圈的寿命,也保护了传感器正常工作,避免晶圆误被探测而发出报警信号中断整个研磨过程,导致晶圆研磨的不持续性,造成晶圆存在表面缺陷,非常适于实用。

Description

一种去离子水槽
技术领域    
本发明涉及一种去离子水槽,特别是涉及一种外表面带有防水挡板的去离子水槽。
背景技术    
在研磨工艺中,晶圆在研磨结束后都必须经过清洗和干燥的后处理工艺,以确保能够充分的去除晶圆表面在研磨过程中留下来的残余杂质,并得到干燥的晶圆表面,才能够传送回原来晶圆存放的晶舟里。晶圆干燥的工艺主要是在干燥槽模块内晶圆被传送到去离子水水槽内浸泡,在水槽内的晶圆过渡传感器即时侦测晶圆所处的位置,并把晶圆的位置信号传输给执行机构,由执行机构把晶圆过渡到高温槽,在这个过渡的程中,一定量配比的异丙醇和氮气混合后,喷洒在晶圆表面,由于分散后的异丙醇具有较强的表面张力和扩散性,加速了晶圆表面去离子水的流动和蒸发,达到了初步干燥的目的。然而,在干燥槽模块的去离子水槽中,晶圆过渡传感器由于密封圈老化,密封效果减弱水进过渡传感器而使其表面受阻挡,导致晶圆误被探测而发出报警信号,这时整个研磨工艺中断,从而导致晶圆研磨的不持续性,造成晶圆存在表面缺陷。
晶圆过渡传感器通过磁铁吸附在干燥槽模块中的去离子水槽的外表面,通过密封圈隔离溢流水的进入,由于去离子水槽中的水流沿着槽外壁时时不断的流经过晶圆过渡传感器的表面,长时间暴露在去离子水中导致传感器密封圈加速老化,密封效果减弱水进入过渡传感器表面引起误报警。
本发明提供一种外表面带有防水挡板的去离子水槽,使水槽内溢出来的水流向发生改变而不经过晶圆过渡传感器,不但延长传感器密封圈的寿命,也保护了传感器正常工作。本发明所提供并仅仅作为示例但不对发明构成限制的优选实施例在具体实施方式中有所体现。
发明内容    
鉴于上述问题,本发明的目的在于提供一种外表面带有防水挡板的去离子水槽。使水槽内溢出来的水流向发生改变而不经过晶圆过渡传感器,不但延长传感器密封圈的寿命,也保护了传感器正常工作。本发明对提高设备的稳定性,对研磨工艺的持续性有良好的效果,非常适于实用。
本发明的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。
本发明提出的一种去离子水槽,其包括水槽主体,过渡传感器,上挡板和侧挡板。过渡传感器固定在离子水槽的外表面上,上挡板固定在过渡传感器的上方,侧挡板与上挡板相连接,固定在过渡传感器的两侧。
本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。
前述的去离子水槽,其过渡传感器通过磁铁吸附去离子水槽的外表面。
前述的去离子水槽,其挡板材质为聚偏氟乙烯板(PVDF板)。
前述的去离子水槽,其侧挡板与上挡板的连接设置成自上而下的斜坡状。
前述的去离子水槽,其上挡板为平板,或呈波浪形,或呈几何形。
上述说明仅是本发明技术方案的概述,为了能够更清楚了解本发明的技术手段,而可依照说明书的内容予以实施,并且为了让本发明的上述和其他目的、特征和优点能够更明显易懂,以下特举较佳实施例,并配合附图,详细说明如下。
附图说明    
参考所附附图,以更加充分的描述本发明的实施例。然而,所附附图仅用于说明和阐述,并不构成对本发明范围的限制。
图1绘示外表面带有防水挡板的去离子水槽结构图。
图2绘示图1去离子水槽的A向视图。
具体实施方式   
为更进一步阐述本发明为达成预定发明目的所采取的技术手段及功效,以下结合附图及较佳实施例,对依据本发明提出外表面带有防水挡板的去离子水槽,详细说明如下。
本发明的不同实施例将详述如下,以实施本发明的不同的技术特征,可理解的是,以下所述的特定实施例的单元和配置用以简化本发明,其仅为范例而不限制本发明的范围。
如图1所示,图1绘示了外表面带有防水挡板的去离子水槽结构图。其中1为去离子水槽主体,2为上挡板,3为侧挡板,4为过渡传感器。过渡传感器通过磁铁吸附去离子水槽的外表面。在过渡传感器上方固定上挡板,在过渡传感器两侧固定侧挡板,上挡板与侧挡板密封连接,从而将过渡传感器固定在一个独立的密闭空间里,使液体从去离子水槽中溢出时向下流动的方向发生改变,过渡传感器就不会与向下流动的液体接触,从而避免了由于晶圆过渡传感器密封圈老化,密封效果减弱水进入过渡传感器使其表面被阻挡,导致晶圆误被探测而发出报警信号中断整个研磨过程,导致晶圆研磨的不持续性,造成晶圆存在表面缺陷。
本发明所涉及的挡板可为聚偏氟乙烯板(PVDF板)。侧挡板与上挡板的连接设置成自上而下的斜坡状,以便于液体向下流动。上挡板为平板,或呈波浪形,或呈几何形,以利于液体向下流动。
通过说明和附图,给出了具体实施方式的特定结构的典型实施例。尽管上述发明提出了现有的较佳实施例,然而,这些内容并不作为局限。对于本领域的技术人员而言,阅读上述说明后,各种变化和修正无疑将显而易见。因此,所附的权利要求书应看作是涵盖本发明的真实意图和范围的全部变化和修正。在权利要求书范围内任何和所有等价的范围与内容,都应认为仍属本发明的意图和范围内。

Claims (5)

1.一种去离子水槽,其包括水槽主体,过渡传感器,上挡板和侧挡板,其特征在于,过渡传感器固定在离子水槽的外表面上,上挡板固定在过渡传感器的上方,侧挡板与上挡板相连接,固定在过渡传感器的两侧。
2.如权利要求1所述的去离子水槽,其特征在于,过渡传感器通过磁铁吸附去离子水槽的外表面。
3.如权利要求1所述的去离子水槽,其特征在于,挡板材质为聚偏氟乙烯板(PVDF板)。
4.如权利要求1所述的去离子水槽,其特征在于,侧挡板与上挡板的连接设置成自上而下的斜坡状。
5.如权利要求1所述的去离子水槽,其特征在于,上挡板为平板,或呈波浪形,或呈几何形。
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