JPS6170806A - 熱保護回路 - Google Patents
熱保護回路Info
- Publication number
- JPS6170806A JPS6170806A JP59192829A JP19282984A JPS6170806A JP S6170806 A JPS6170806 A JP S6170806A JP 59192829 A JP59192829 A JP 59192829A JP 19282984 A JP19282984 A JP 19282984A JP S6170806 A JPS6170806 A JP S6170806A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transistor
- turned
- voltage
- thermal protection
- circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/52—Circuit arrangements for protecting such amplifiers
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、たとえば、半導体集積回路装置の発熱や異常
な外部の温度上昇の際に、前記回路装置の機能を停止さ
せ、前記回路装置を保護するこ−とができる熱保護回路
に関するものである。
な外部の温度上昇の際に、前記回路装置の機能を停止さ
せ、前記回路装置を保護するこ−とができる熱保護回路
に関するものである。
従来例の構成とその問題点
熱保護回路は通常、基準電圧回路と温度検出装置とヒス
テリシスコンパレータで構成されている、第１図はこの
種の従来例回路図である。同図において、１は基準電圧
回路、２は温度検出装置、３はヒステリシスコンパレー
タ、４ｉｊ：出力回路、６は電源電圧端子、６は出力端
子である。
テリシスコンパレータで構成されている、第１図はこの
種の従来例回路図である。同図において、１は基準電圧
回路、２は温度検出装置、３はヒステリシスコンパレー
タ、４ｉｊ：出力回路、６は電源電圧端子、６は出力端
子である。
この回路構成では、素子数が多く、消費電流も多く、チ
ップ占有面積も大きくなる等の欠点を有していた。
ップ占有面積も大きくなる等の欠点を有していた。
発明の目的
本発明は回路素子数を最小限にとどめると共に、消費電
力の低減可能な熱保護回路を提供するものである。
力の低減可能な熱保護回路を提供するものである。
発明の構成
電流ミラー対の第１．第２の各トランジスタのコレクタ
ーに、それぞれ、第１．第２の各抵抗を接続し、前記第
１．第２の各抵抗の他端を共通接続し、この共通接続部
を、第３のトランジスタのコレクタに接続し、前記第３
のトランジスタのベースは、前記第２のトランジスタの
コレクタに接続し、前記第２のトランジスタのエミッタ
に第３の抵抗を接続し、前記第１のトランジスタのエミ
ッタと前記第３の抵抗の他端と前記第３のトランジスタ
のエミッタを共通接続し、この共通接続部を第４の抵抗
と、第４のトランジスタのコレクタを接続し、前記第４
の抵抗の他端と、前記第４のトランジスタのエミッタを
共通接地したもので、前記第４のトランジスタにより、
前記第４の抵抗に発生する電圧を切換えることにより発
生する電圧をヒステリシスとして利用する熱保護回路で
あり、このことにより最小限の回路素子数で、低消費電
力の回路を実現することができる。
ーに、それぞれ、第１．第２の各抵抗を接続し、前記第
１．第２の各抵抗の他端を共通接続し、この共通接続部
を、第３のトランジスタのコレクタに接続し、前記第３
のトランジスタのベースは、前記第２のトランジスタの
コレクタに接続し、前記第２のトランジスタのエミッタ
に第３の抵抗を接続し、前記第１のトランジスタのエミ
ッタと前記第３の抵抗の他端と前記第３のトランジスタ
のエミッタを共通接続し、この共通接続部を第４の抵抗
と、第４のトランジスタのコレクタを接続し、前記第４
の抵抗の他端と、前記第４のトランジスタのエミッタを
共通接地したもので、前記第４のトランジスタにより、
前記第４の抵抗に発生する電圧を切換えることにより発
生する電圧をヒステリシスとして利用する熱保護回路で
あり、このことにより最小限の回路素子数で、低消費電
力の回路を実現することができる。
実施例の説明
第２図は本発明の実施例回路図であり、以下本発明をこ
の実施例により詳しく述べる。
の実施例により詳しく述べる。
トランジスタＱ Ｑ Ｑ、抵抗Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３１
ア ２＋ ３ により、バンドギャップ方式と呼ばれる基準電圧回路を
構成している。この基準電圧ｖｒｅｆはエミッタホロワ
トランジスタＱ５を介し、抵抗Ｒ５と同Ｒ′６とで分割
されて、トランジスタＱ６と出力トランジスタＱ７とに
供給される。トランジスタＱ６は、トランジスタＱ４の
ベース電流工、を切換えて、トランジスタＱ４のＯＮ状
態とＯＦＦ状態を切換える。
ア ２＋ ３ により、バンドギャップ方式と呼ばれる基準電圧回路を
構成している。この基準電圧ｖｒｅｆはエミッタホロワ
トランジスタＱ５を介し、抵抗Ｒ５と同Ｒ′６とで分割
されて、トランジスタＱ６と出力トランジスタＱ７とに
供給される。トランジスタＱ６は、トランジスタＱ４の
ベース電流工、を切換えて、トランジスタＱ４のＯＮ状
態とＯＦＦ状態を切換える。
トランジスタＱ４がＯＮ状態の時、トランジスタＱ６の
ベース電圧ＶＢ（ＯＮ）は次式で表わされる。
ベース電圧ＶＢ（ＯＮ）は次式で表わされる。
ただし、■ｃＥｓＡＴ４：トランジスタＱ のコレクタ
エミッタ間飽和電圧、ｋ：ボルツマン定数、ｑ：電子の
電荷、Ｔ：接合温度、ＩＦ５：トランジスタＱ のエミ
ッタ電流、Ｉ °トランジスヨＱ５３
Ｒ５゛のエミッタ電流、Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３
，Ｒ５，Ｒ６：抵抗Ｒ、同Ｒ、同Ｒ３，同Ｒ５，同Ｒ６
の各抵抗値である。各トランジスタの特性は揃っており
、ベース電流は無視できるとする。
エミッタ間飽和電圧、ｋ：ボルツマン定数、ｑ：電子の
電荷、Ｔ：接合温度、ＩＦ５：トランジスタＱ のエミ
ッタ電流、Ｉ °トランジスヨＱ５３
Ｒ５゛のエミッタ電流、Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３
，Ｒ５，Ｒ６：抵抗Ｒ、同Ｒ、同Ｒ３，同Ｒ５，同Ｒ６
の各抵抗値である。各トランジスタの特性は揃っており
、ベース電流は無視できるとする。
次に、トランジスタＱ４がＯＦＦ状態の時、トランジス
タＱ６のベース電圧ＶＢ（ＯＦＦ）は（２）次式で表わ
される。
タＱ６のベース電圧ＶＢ（ＯＦＦ）は（２）次式で表わ
される。
・・・・・・・・・・・・（２）
ただし、Ｒ４：抵抗Ｒ４の抵抗値、１１：定電流源ＣＣ
１の電流値である。
１の電流値である。
トランジスタＱ６及び出力トランジスタＱ７がＯＮ状態
ニナルヘース電圧ｖＢ６（ＯＮ）、及ヒｖＢ７（ＯＮ）
は（３）式、（４）式で表わせる。
ニナルヘース電圧ｖＢ６（ＯＮ）、及ヒｖＢ７（ＯＮ）
は（３）式、（４）式で表わせる。
ただし、工ｓ ：トランジスタのベースエミッタ間の逆
バイアス時の飽和電流、■ｏ ：熱保護時引込み電流、
工、二定電流源ＣＣ２の電流値である。
バイアス時の飽和電流、■ｏ ：熱保護時引込み電流、
工、二定電流源ＣＣ２の電流値である。
各抵抗値及び電流値を適切に選ぶことにより、低温で、
ＶＢ（ＧＪ）＜ｖＢ（ＯＦＦ）＜Ｖｋ（ＧＪ）くＶＢ７
（ＯＮ）とすると、トランジスタＱ４はＯＮ状態となり
、トランジスタＱ６及び、出力トランジスタＱ７はＯＦ
Ｆ状態になる。
（ＯＮ）とすると、トランジスタＱ４はＯＮ状態となり
、トランジスタＱ６及び、出力トランジスタＱ７はＯＦ
Ｆ状態になる。
次に高温になりＶＢ（α０＜ｖＢｓ（ＯＮ）となると、
トランジスタＱ６はＯＦＦ状態からＯＮ状態になる。
トランジスタＱ６はＯＦＦ状態からＯＮ状態になる。
この時、トランジスタＱ４はＯＮ状態からＯＦＦ状態に
なり、出力トランジスタＱ７のペース電圧ハＶ
、！：すりＶＢ （ＯＦＦ ） ＞ ＶＢ７ （ＯＮ）
トすルコＢ（ＯＦＦ） とができ、出力トランジスタＱ７がＯＮ状態にな＝Ｖ す、熱保護状態とナル。ＶＢ（ＯＮ） Ｂｅ５（ＯＮ
） となる接合温度熱保護動作温度Ｔ ｃ ＜００と
する。
なり、出力トランジスタＱ７のペース電圧ハＶ
、！：すりＶＢ （ＯＦＦ ） ＞ ＶＢ７ （ＯＮ）
トすルコＢ（ＯＦＦ） とができ、出力トランジスタＱ７がＯＮ状態にな＝Ｖ す、熱保護状態とナル。ＶＢ（ＯＮ） Ｂｅ５（ＯＮ
） となる接合温度熱保護動作温度Ｔ ｃ ＜００と
する。
次に、熱保護状態から温度が下り、ＶＢ（ＯＦＦ）＜Ｖ
Ｂ６（σ）となると、トランジスタＱ６はＯＮ状態から
ＯＦＦ状態になり、トランジスタＱ４は再びＯＮ状態と
なる。コノ時、ＶＢ （ＯＮ ） ＜ ＶＢ７ （ＯＮ
）であるから、出力トランジスタＱ７はＯＦＦ状態ニ
ナリ、熱（１ｉは解除さｈる。ＶＢ （ＯＦＦ ）＝ｖ
Ｂｅ （ＯＮ ）となる接合温度を熱保護解除温度”Ｃ
（ＯＦＦ）とする。
Ｂ６（σ）となると、トランジスタＱ６はＯＮ状態から
ＯＦＦ状態になり、トランジスタＱ４は再びＯＮ状態と
なる。コノ時、ＶＢ （ＯＮ ） ＜ ＶＢ７ （ＯＮ
）であるから、出力トランジスタＱ７はＯＦＦ状態ニ
ナリ、熱（１ｉは解除さｈる。ＶＢ （ＯＦＦ ）＝ｖ
Ｂｅ （ＯＮ ）となる接合温度を熱保護解除温度”Ｃ
（ＯＦＦ）とする。
”Ｃ（ＯＮ）、ＴＣ（ＯＦＦ）は近似的Ｋ（６）式、（
６）式で表わされる。
６）式で表わされる。
・・・・・・・・・・・・（６）
・・・・・・・・・・・・（６）
ただし−ｖＢＥ３＝ｖＢＥ５ ｖＣＥＳＡＴ４ Ｉ
ｖＢＥ２＋Ｔ＝”Ｃ（ＧＪ）ｔＶＢＥ２１Ｔ＝ＴＣ（Ｏ
ＦＦ）は接合温度がＴ。（ＯＮ） ”Ｃ（ＯＦＦ）
のそれぞれの温度でのトランジスタＱ のペース・エミ
ッタ間電圧である。
ｖＢＥ２＋Ｔ＝”Ｃ（ＧＪ）ｔＶＢＥ２１Ｔ＝ＴＣ（Ｏ
ＦＦ）は接合温度がＴ。（ＯＮ） ”Ｃ（ＯＦＦ）
のそれぞれの温度でのトランジスタＱ のペース・エミ
ッタ間電圧である。
この熱保護動作温度ＴＣ（αりと熱保護解除温度”Ｃ（
ＯＦＦ）は各抵抗値と各電流値を変えることにより所望
の温度に設定することができる。
ＯＦＦ）は各抵抗値と各電流値を変えることにより所望
の温度に設定することができる。
発明の効果
本発明の回路構成によれば、ヒステリシンコンレータを
用いずに熱保護回路が実現され、大幅な消費電力の減少
と回路素子数の削減ができ、チップ占有面積も大幅に縮
少でさ、半導体集積回路に好適である。
用いずに熱保護回路が実現され、大幅な消費電力の減少
と回路素子数の削減ができ、チップ占有面積も大幅に縮
少でさ、半導体集積回路に好適である。
第１図は従来例熱保護装置の回路図、第２図は本発明実
施例の回路図である。 Ｑ１〜Ｑ７・・・・・・トランジスタ、Ｒ４−Ｒ６・・
・・・・抵抗、ＣＣ１，ＣＣ２・・・・・・定電流源。
施例の回路図である。 Ｑ１〜Ｑ７・・・・・・トランジスタ、Ｒ４−Ｒ６・・
・・・・抵抗、ＣＣ１，ＣＣ２・・・・・・定電流源。
Claims (1)
- 電流ミラー対の第１、第２の各トランジスタのコレクタ
ーに、それぞれ、第１、第２の各抵抗を接続し、前記第
１、第２の各抵抗の他端を共通接続し、この共通接続部
を、第３のトランジスタのコレクタに接続し、前記第３
のトランジスタのベースは、前記第２のトランジスタの
コレクタに接続し、前記第２のトランジスタのエミッタ
に第３の抵抗を接続し、前記第１のトランジスタのエミ
ッタと前記第３の抵抗の他端と前記第３のトランジスタ
のエミッタとを共通接続し、この共通接続部を第４の抵
抗と、第４のトランジスタのコレクタとに接続し、前記
第４のトランジスタのエミッタを共通接地した回路構成
をそなえた熱保護回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59192829A JPS6170806A (ja) | 1984-09-14 | 1984-09-14 | 熱保護回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59192829A JPS6170806A (ja) | 1984-09-14 | 1984-09-14 | 熱保護回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6170806A true JPS6170806A (ja) | 1986-04-11 |
Family
ID=16297667
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59192829A Pending JPS6170806A (ja) | 1984-09-14 | 1984-09-14 | 熱保護回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6170806A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0430609A (ja) * | 1990-05-24 | 1992-02-03 | Toshiba Corp | 温度検出回路 |
-
1984
- 1984-09-14 JP JP59192829A patent/JPS6170806A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0430609A (ja) * | 1990-05-24 | 1992-02-03 | Toshiba Corp | 温度検出回路 |
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