JPS6169985A - 水システムにおける改良された金属腐食防止 - Google Patents
水システムにおける改良された金属腐食防止Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、水処理システムにおいて金属の腐食防止に使
用するための、有機アミノホスホン駿およびマンガンイ
オンを有する組成物に関する。
用するための、有機アミノホスホン駿およびマンガンイ
オンを有する組成物に関する。
水カニ学で生ずる主な問題の一つは、処理および未処理
の両方の冷却水システムにおける金属の腐食である。一
般に水システムに見られる鋼、アルミニウム、黄銅、お
よび銅のような金属の腐食は、主として溶解した酸素お
よび炭酸ガスによるものである。亜硫酸ナトリウムやあ
るいはヒドラジンのような酸素を除去する物質は、経済
性がなくまた技術的にも不充分なものである。従って金
属表面に保護フィルムを形成するためにＺｎ＋＋、クロ
ム酢塩、モリブデン酸塩、ポリリンじ塩、オルンーリン
酸塩、および有機−ホスホン酸塩を冷却水に添加してい
る。クロム酸塩は、非常に有効な腐食防止剤であるが、
よく知られているように壽性があるため項境上望ましく
ないＣとが多い。
の両方の冷却水システムにおける金属の腐食である。一
般に水システムに見られる鋼、アルミニウム、黄銅、お
よび銅のような金属の腐食は、主として溶解した酸素お
よび炭酸ガスによるものである。亜硫酸ナトリウムやあ
るいはヒドラジンのような酸素を除去する物質は、経済
性がなくまた技術的にも不充分なものである。従って金
属表面に保護フィルムを形成するためにＺｎ＋＋、クロ
ム酢塩、モリブデン酸塩、ポリリンじ塩、オルンーリン
酸塩、および有機−ホスホン酸塩を冷却水に添加してい
る。クロム酸塩は、非常に有効な腐食防止剤であるが、
よく知られているように壽性があるため項境上望ましく
ないＣとが多い。
ＺｒＬ＋＋は、同様な環境上の問題があり、更にそのオ
ルト−リン酢塩、水酸化物および炭酸塩は溶解度が小さ
く、腐食を促進するスラッジおよび析出物を形成する。
ルト−リン酢塩、水酸化物および炭酸塩は溶解度が小さ
く、腐食を促進するスラッジおよび析出物を形成する。
ポリリン酸塩は、クロム酸塩はど効果がなく、冷却水環
境下で不安定でありこのため別水分解によりオルンーお
よびピローリン酸塩に分解Ｌ、しばしば、スラッジおよ
び析出物の原因となる。オルンーリン酸塩もまたクロム
酸塩はど有効でなく、充分にコノトロールされない場合
にスラッジや析出物を形成する。Ｍ機ホスホン酸塩はあ
る程度ｇ食防止性を有するカ瓢クロム酸塩にはおよばな
い。
境下で不安定でありこのため別水分解によりオルンーお
よびピローリン酸塩に分解Ｌ、しばしば、スラッジおよ
び析出物の原因となる。オルンーリン酸塩もまたクロム
酸塩はど有効でなく、充分にコノトロールされない場合
にスラッジや析出物を形成する。Ｍ機ホスホン酸塩はあ
る程度ｇ食防止性を有するカ瓢クロム酸塩にはおよばな
い。
本発明の組成物は、驚くことにはクロム酸塩に匹敵する
金属腐食防止を提供するのである。
金属腐食防止を提供するのである。
本発明は、窒素とリンとがアルキレ／ラジカルにより連
結されている有機アミノ−ホスホン酸導導体とマンガン
イオンを提供しうるマンガン化合物との組合せから成る
水処理システムにおける金属腐食防止に有用な組成物に
関する。
結されている有機アミノ−ホスホン酸導導体とマンガン
イオンを提供しうるマンガン化合物との組合せから成る
水処理システムにおける金属腐食防止に有用な組成物に
関する。
これらのアミノホスホン酸誘導体は、更に他の官能基例
えば、カルボキシル、第四アミン、ヒトａキシアルヤル
基等を含有することができる。マンガン化合物は、水シ
ステムにおいてマンガンイオンを供給することができる
ものでなければならない。
えば、カルボキシル、第四アミン、ヒトａキシアルヤル
基等を含有することができる。マンガン化合物は、水シ
ステムにおいてマンガンイオンを供給することができる
ものでなければならない。
硬水あるいは脱イオン水中で単独（マンガン添加せず）
テストした数多くのアミノアルキレンホスホン酸誘導体
は、本発明の組成物のような腐食防止効果を示さない。
テストした数多くのアミノアルキレンホスホン酸誘導体
は、本発明の組成物のような腐食防止効果を示さない。
従ってアミノアルキレンホスホン酸誘導体による金属腐
食防止性は、マンガンイオン源を供給するマンガン化合
物の添加により高められるのである。
食防止性は、マンガンイオン源を供給するマンガン化合
物の添加により高められるのである。
マンガンイオンの存在下で金属腐食防止に有用であると
見出された有機ホスホン酸誘導体は、一般式； （式中、ＸおよびＹは、独立に水素、ヒドロキシル、カ
ルボキシル、ホスホン、酸ラジカルの塩、あるいは炭素
原子が１〜１２個の炭化水素ラジカル：かつ、ルは１〜
３であり、ル〉１場合、各ＸおよびＹは、いかなる炭素
についてもいかなる他のＸあるいはＹと同じものであっ
てもあるいは異なるものであってもよい条件である） を有するアルキレン基あるいは置換アルキレン基により
、窒素とリンとが連結されている、アミノホスホン酸誘
導体である。
見出された有機ホスホン酸誘導体は、一般式； （式中、ＸおよびＹは、独立に水素、ヒドロキシル、カ
ルボキシル、ホスホン、酸ラジカルの塩、あるいは炭素
原子が１〜１２個の炭化水素ラジカル：かつ、ルは１〜
３であり、ル〉１場合、各ＸおよびＹは、いかなる炭素
についてもいかなる他のＸあるいはＹと同じものであっ
てもあるいは異なるものであってもよい条件である） を有するアルキレン基あるいは置換アルキレン基により
、窒素とリンとが連結されている、アミノホスホン酸誘
導体である。
この誘導体は、公知の数多くの合成法によりつくること
ができる。特に重要なものは、反応性アミン水素を含有
する化合物とカルボニル化合物（アルデヒド、あるいは
ケトン）および亜リン酸あるいはその誘導体との反応で
ある。この詳細な方法は、アメリカ特許４３，２８８，
８４６に記載されている。
ができる。特に重要なものは、反応性アミン水素を含有
する化合物とカルボニル化合物（アルデヒド、あるいは
ケトン）および亜リン酸あるいはその誘導体との反応で
ある。この詳細な方法は、アメリカ特許４３，２８８，
８４６に記載されている。
本発明の腐食防止にＭｎ←イオンとの組合せで使用しう
るコンプレックス配位子のいくつかは、以下の構造式に
より表わされる。
るコンプレックス配位子のいくつかは、以下の構造式に
より表わされる。
！
（式中、Ａ、Ｂ、Ｃ％Ｄ、ＥおよびＦは、独立に、０−
’ｒクシ−−（）！Ｊアルキルアンモニウムハライド）
プロピルおよび２−ヒドロキシプロピルスルホン酸基あ
るいは酸ラジカルの塩；ｘ、ｙおよびルは前述のもの：
Ｘ′ およびＹ′は、独立に水素、メチルあるいはエチ
ルラジカル：ｎ’Ｆｉ２ｆ）るいＦｉ３：かつルおよび
ｍ′はそれぞれＯ〜２５００であり、アミン水素の少な
くとも約５０％は、前述のようなリン含有基により置換
されている柴件である：更に、ＲＦｉ、線状、分校状、
環式、複素環式、置換複素環式、あるいは縮合環式タイ
プの構造の炭化水素残基であり：ＦＦＬあるい＃ｉｍ’
＞１の場合、ＥおよびＦ置換基は、いかなる他の窒素原
子のいかなる他の置換基と同じものであってもあるいは
異なるものであってもよく、かつ各Ｒは、いかなる他の
Ｒと同じものであってもあるいは異なるものであっても
よいと云う条件である）。
’ｒクシ−−（）！Ｊアルキルアンモニウムハライド）
プロピルおよび２−ヒドロキシプロピルスルホン酸基あ
るいは酸ラジカルの塩；ｘ、ｙおよびルは前述のもの：
Ｘ′ およびＹ′は、独立に水素、メチルあるいはエチ
ルラジカル：ｎ’Ｆｉ２ｆ）るいＦｉ３：かつルおよび
ｍ′はそれぞれＯ〜２５００であり、アミン水素の少な
くとも約５０％は、前述のようなリン含有基により置換
されている柴件である：更に、ＲＦｉ、線状、分校状、
環式、複素環式、置換複素環式、あるいは縮合環式タイ
プの構造の炭化水素残基であり：ＦＦＬあるい＃ｉｍ’
＞１の場合、ＥおよびＦ置換基は、いかなる他の窒素原
子のいかなる他の置換基と同じものであってもあるいは
異なるものであってもよく、かつ各Ｒは、いかなる他の
Ｒと同じものであってもあるいは異なるものであっても
よいと云う条件である）。
特に限定するものではないが、上述の構造に含まれる化
合物の例としては、ビス（アミノメチル）シンクロイン
タジエンテトラ（メチレンホスホン酸）、ビス（アミノ
メチル）ビシクロへブタンテトラ（メチレンホスホン酸
）、エチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）
（Ｅ Ｄ Ａ−ＴＭＰ）、ジエチレントリアミン−ｅツ
タ（メチレンホスホン酸）（ＤＥＴＡ−ＰＭＰ）、 ヒ
ドロキシエチルエチレンジアミントリ（メチレンホスホ
ン酸）（ＨＥＥＤＡ−ＴＭＰ）、−’！ンタエチレンヘ
キサミンオクタ・（メチレンホスホン酸）、ヘキサメチ
レンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）、鎖中にピ
ーラジン環を含有する分子量が約１００．０００以上ま
でのホスホノメチル化ポリアルキレンポリアミン、（Ｎ
−（３−トリアルキルアンモニウム−２−ヒドロキシプ
ロピル）ジエチレントリアミ、ンテトラ（メチレンホス
ホン酸）〕りａラミライジエチレントリアミンモノカル
ボキシメチルテトラ（メチレンホスホン酸）、エチレン
ジアミンモノ−２−ヒトミキシプロピルスルホントリ（
メチレンホスホン酸）、ピペラジンジメチレンホスホン
酸である。ジシクロ４ンタジエンおよびビシクロへブタ
ンの誘導体は、それぞれ、ジメチルトリシクロデカンお
よびジメチルノルボルネン基を含有している。
合物の例としては、ビス（アミノメチル）シンクロイン
タジエンテトラ（メチレンホスホン酸）、ビス（アミノ
メチル）ビシクロへブタンテトラ（メチレンホスホン酸
）、エチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）
（Ｅ Ｄ Ａ−ＴＭＰ）、ジエチレントリアミン−ｅツ
タ（メチレンホスホン酸）（ＤＥＴＡ−ＰＭＰ）、 ヒ
ドロキシエチルエチレンジアミントリ（メチレンホスホ
ン酸）（ＨＥＥＤＡ−ＴＭＰ）、−’！ンタエチレンヘ
キサミンオクタ・（メチレンホスホン酸）、ヘキサメチ
レンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）、鎖中にピ
ーラジン環を含有する分子量が約１００．０００以上ま
でのホスホノメチル化ポリアルキレンポリアミン、（Ｎ
−（３−トリアルキルアンモニウム−２−ヒドロキシプ
ロピル）ジエチレントリアミ、ンテトラ（メチレンホス
ホン酸）〕りａラミライジエチレントリアミンモノカル
ボキシメチルテトラ（メチレンホスホン酸）、エチレン
ジアミンモノ−２−ヒトミキシプロピルスルホントリ（
メチレンホスホン酸）、ピペラジンジメチレンホスホン
酸である。ジシクロ４ンタジエンおよびビシクロへブタ
ンの誘導体は、それぞれ、ジメチルトリシクロデカンお
よびジメチルノルボルネン基を含有している。
マンガンイオンの存在下で金属防食剤に有用なその他の
化合物は、”ジシクロ４ンタジ工ン誘導体ヘースの新規
金属イオンコントａ−ル剤″（アメリカ特許屑４．５０
０，４７０）：”第四アンモニウムおよびメチレンホス
ホン酸基を含有す名新規化合物”（アメリカ特許４４，
４５９，２４１）：１ポリマ一性アルキレンホスホン酸
ピイラジン誘導体”（アメリカ特許涜４，４８９，２０
３）：および“ノルボルネンベースの新規金属イオンコ
ントロール化合物″（アメリカ特許／Ｉ６４．５００，
４６９）：に記載されている。
化合物は、”ジシクロ４ンタジ工ン誘導体ヘースの新規
金属イオンコントａ−ル剤″（アメリカ特許屑４．５０
０，４７０）：”第四アンモニウムおよびメチレンホス
ホン酸基を含有す名新規化合物”（アメリカ特許４４，
４５９，２４１）：１ポリマ一性アルキレンホスホン酸
ピイラジン誘導体”（アメリカ特許涜４，４８９，２０
３）：および“ノルボルネンベースの新規金属イオンコ
ントロール化合物″（アメリカ特許／Ｉ６４．５００，
４６９）：に記載されている。
アルヤレンホスホ／酸基の他に窒素ｔρ換剤のような他
の官詣基を含有するオルガノホスホン［誘導体（アメリ
カ特許４３，２８８，８４６ ）は、以下の方法により
つくられる。
の官詣基を含有するオルガノホスホン［誘導体（アメリ
カ特許４３，２８８，８４６ ）は、以下の方法により
つくられる。
ヒドロキシアルキル基はアメリカ特許１６３，３９８．
１９８に記載されているように水性媒体中でアルキレン
オキシド例えばプロピレンオキシド（１゜２−二ポキン
プロパン）とアミンとを反応させることにより、アミン
の水素とか換することができる。
１９８に記載されているように水性媒体中でアルキレン
オキシド例えばプロピレンオキシド（１゜２−二ポキン
プロパン）とアミンとを反応させることにより、アミン
の水素とか換することができる。
アルキルスルホン酸基は、アミンと重亜硫酸ナトリウム
およびアルデヒド、例えばホルムアルデヒドの混合物と
を反応させることによりアミンと置換させアミン化合物
の窒素に置換したアルキレンスルホン酸基を得ることが
できる。この反応は、” Ｐｒｅｐａｒｄｔｉｏｎ ａ
ｎｄ Ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ ｏｆ Ａｒｎｉｎｏ−ｒ
ｎｇｔｈ、ｙｌｅｎｇｓｕｌｆｏｎｉｃ Ａｃ１ｄｓ
−（Ｊ、Ａｍ、Ｃんｇｍ、Ｓｏｃ。
およびアルデヒド、例えばホルムアルデヒドの混合物と
を反応させることによりアミンと置換させアミン化合物
の窒素に置換したアルキレンスルホン酸基を得ることが
できる。この反応は、” Ｐｒｅｐａｒｄｔｉｏｎ ａ
ｎｄ Ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ ｏｆ Ａｒｎｉｎｏ−ｒ
ｎｇｔｈ、ｙｌｅｎｇｓｕｌｆｏｎｉｃ Ａｃ１ｄｓ
−（Ｊ、Ａｍ、Ｃんｇｍ、Ｓｏｃ。
７７ ５５１２−１５（１９５５））に記載されている
。その他のアルキルスルホ７ＷＲｕ導体は、アミンとり
０ロアルキルスルホ／酸との反応により、あるいはアメ
リカ特許４４，０８５，１３４記依のようにプロパンス
ルホンとアミンとの反応によりつくられる。
。その他のアルキルスルホ７ＷＲｕ導体は、アミンとり
０ロアルキルスルホ／酸との反応により、あるいはアメ
リカ特許４４，０８５，１３４記依のようにプロパンス
ルホンとアミンとの反応によりつくられる。
カルボキシアルキル基は、アルカリ媒体中で有機ホスホ
ンアミン誘導体のアルカリ金属塩とα。
ンアミン誘導体のアルカリ金属塩とα。
β−不飽和カルボン酸あるいはその無水物、エステルあ
るいはニトリルとの反応により水素と置換することがで
きる。この方法は、アメリカ特許層４．３０７，０３８
に詳述されている。
るいはニトリルとの反応により水素と置換することがで
きる。この方法は、アメリカ特許層４．３０７，０３８
に詳述されている。
アミン窒素の置換物としてカルボキシアルキル基を得る
他の方法は、アメリカ特許／１６３，７２６，９１２に
記載されている。
他の方法は、アメリカ特許／１６３，７２６，９１２に
記載されている。
２−ヒドロキシプロピルスルホ／酸基は、苛性（ＮｃＬ
ＯＨ）の存在下で水浴液中アミンと３−り０ロー２−ヒ
ドロキシ−１−フＱパンスルホン酸トの反応によりアミ
ン水素と置換することができる。
ＯＨ）の存在下で水浴液中アミンと３−り０ロー２−ヒ
ドロキシ−１−フＱパンスルホン酸トの反応によりアミ
ン水素と置換することができる。
ヒドロキシプロピルナトリウムスルホネート基は、窒素
置換物である。酸が所望される場合、強酸例えばＭＣＩ
による酸性化によりナトリウム塩を酸に充分転化するこ
とができる。この反応は、アメリカ特許／１６３．０９
１，５２２に記載されている。
置換物である。酸が所望される場合、強酸例えばＭＣＩ
による酸性化によりナトリウム塩を酸に充分転化するこ
とができる。この反応は、アメリカ特許／１６３．０９
１，５２２に記載されている。
ヒドロキシプロピルトリメチルアンモニウムクロライド
基は、ホスホ／酸誘導体製造の反応前に、アミンと３−
りＣｌＣｌ−２−ヒドロキシプロピルトリメチルアンモ
ニウムクロライド水溶液との反応によりアミン水素と置
換することができる。
基は、ホスホ／酸誘導体製造の反応前に、アミンと３−
りＣｌＣｌ−２−ヒドロキシプロピルトリメチルアンモ
ニウムクロライド水溶液との反応によりアミン水素と置
換することができる。
本発明の目的においては、ここに記載した有効なアミノ
ホスホン酸誘導体とその塩は同等のものであると考えら
れる。関連する塩は、少なくとも１個のアミノホスホン
酸誘導体の酸基と塩を形成する塩基の酸付加塩である。
ホスホン酸誘導体とその塩は同等のものであると考えら
れる。関連する塩は、少なくとも１個のアミノホスホン
酸誘導体の酸基と塩を形成する塩基の酸付加塩である。
適当な塩基は例えば、苛性ソーダ、苛性カリ、水酸化カ
ルシウム、炭酸カリウム、重炭酸ナトリウム、炭酸マグ
ネシウム等のようなアルカリ金属およびアルカリ土類金
属の水酸化物、炭酸塩および重炭酸塩、アンモニア、第
一、第二および第三アミノ等である。これらの塩は、少
なくとも１個の酸基を有するアミノホスホン酸誘導体を
適当な塩基により処理することによりつくることができ
る。
ルシウム、炭酸カリウム、重炭酸ナトリウム、炭酸マグ
ネシウム等のようなアルカリ金属およびアルカリ土類金
属の水酸化物、炭酸塩および重炭酸塩、アンモニア、第
一、第二および第三アミノ等である。これらの塩は、少
なくとも１個の酸基を有するアミノホスホン酸誘導体を
適当な塩基により処理することによりつくることができ
る。
水処理システムで銅含有あるいは鉄含有合金を腐食防止
するための好適なアミノアルキレンホスホン酸誘導体の
量は、酸として約２〜５０ ｐｐｍである。使用量は、
１ｐｐｒｒＬから約３００１）Ｔ）ｍである。
するための好適なアミノアルキレンホスホン酸誘導体の
量は、酸として約２〜５０ ｐｐｍである。使用量は、
１ｐｐｒｒＬから約３００１）Ｔ）ｍである。
このような水処理システムでのアミノホスホン酸誘導体
へのマンガン化合物の添加は、意外にも腐蝕防止を向上
せしめる。マンガン化合物の使用量は、水溶液に対し約
０．１〜３０ ＰＴＪｒｎＣ重ｔ）のマンガン量である
。好適なせは、約０．２〜１０１）ＦＪＩ＆である。マ
ンガンイオン源として使用される代表的オマンガン化合
物は、Ｍ ｒＬＱ 、 Ｍ ｎ０２ 、ＭｎＣ４−４Ｈ
，０，ＫＭ、Ｏ，、ＭｒＬ（ＣＭ、Ｃ００）ｔ−４＆０
等である。
へのマンガン化合物の添加は、意外にも腐蝕防止を向上
せしめる。マンガン化合物の使用量は、水溶液に対し約
０．１〜３０ ＰＴＪｒｎＣ重ｔ）のマンガン量である
。好適なせは、約０．２〜１０１）ＦＪＩ＆である。マ
ンガンイオン源として使用される代表的オマンガン化合
物は、Ｍ ｒＬＱ 、 Ｍ ｎ０２ 、ＭｎＣ４−４Ｈ
，０，ＫＭ、Ｏ，、ＭｒＬ（ＣＭ、Ｃ００）ｔ−４＆０
等である。
マンガン化合物は、アミノホスホン酸誘導体と共に添加
することもできるし、あるいは水とは別に添加すること
もできる。その他に水の添加前にマンガンをアミノホス
ホ／酸化合物によりコンプレックス化することもできる
。
することもできるし、あるいは水とは別に添加すること
もできる。その他に水の添加前にマンガンをアミノホス
ホ／酸化合物によりコンプレックス化することもできる
。
従って本発明は、更に窒素とリンとがアルキレ／ラジカ
ルにより連結されている有機アミノホスホン酸誘導体と
マンガンイオンを提供することができるマンガン化合物
との反応から成るコンプレックスの製造法についてであ
る。
ルにより連結されている有機アミノホスホン酸誘導体と
マンガンイオンを提供することができるマンガン化合物
との反応から成るコンプレックスの製造法についてであ
る。
アミノホスホ／酸誘導体対マンガンの比は少なくとも約
２対１である組成物が好適である。
２対１である組成物が好適である。
亜鉛化合物は、本技術のアミノホスホン酸誘導体との併
用で使用されてきたが、マンガン化合物とアミノホスホ
ン酸誘導体との併用が意外にすぐれた結果を提供するの
である。そのいくつ〃・の比較を第２表に示す。
用で使用されてきたが、マンガン化合物とアミノホスホ
ン酸誘導体との併用が意外にすぐれた結果を提供するの
である。そのいくつ〃・の比較を第２表に示す。
以下の実施例により本発明を説明する。
実施例１゜
本実施例に、市販のＤＥＴＡ−ＰＭＰ累浴液とマンガン
とを用いておこなった１０１８炭素鋼の防食効果の向上
を示すものである。
とを用いておこなった１０１８炭素鋼の防食効果の向上
を示すものである。
つぎの物性の”水道水”を８１のタンクに満した。
水の性質
電導度（μｍｈ ｏ ｓ ／３ ）
７５−Ｑアルカリ度ＣＣａｃｏｓとしてのｐｐｒｎ）
１２０全便度（ＣａＣＯ５としてのＴ）７１ｍ）
’ １７８Ｃａ硬度（ＣａＣ０，としての２％
） １３６Ｆａ Ｃ１０）ｍ）
０．２８ＳＯ４−Ｃ７）７）ｍ）
８５Ｃ１−Ｃｐｐｒｎ）
１２６９Ｈ７，４ タンクの一端にとりつけ、タンクの底まで延ばしである
ガラス管により空気ｆ（１０ＳＣＦＨで吹き込んだ。こ
の空気吹込みにより水を循環させ、水に酸素を吹き込み
、かつ蒸発を助けた。タンク甲の水は、重力送りシステ
ムにより自動コントロールし、水ｔｉ電気浸漬ヒーター
により加熱した。
７５−Ｑアルカリ度ＣＣａｃｏｓとしてのｐｐｒｎ）
１２０全便度（ＣａＣＯ５としてのＴ）７１ｍ）
’ １７８Ｃａ硬度（ＣａＣ０，としての２％
） １３６Ｆａ Ｃ１０）ｍ）
０．２８ＳＯ４−Ｃ７）７）ｍ）
８５Ｃ１−Ｃｐｐｒｎ）
１２６９Ｈ７，４ タンクの一端にとりつけ、タンクの底まで延ばしである
ガラス管により空気ｆ（１０ＳＣＦＨで吹き込んだ。こ
の空気吹込みにより水を循環させ、水に酸素を吹き込み
、かつ蒸発を助けた。タンク甲の水は、重力送りシステ
ムにより自動コントロールし、水ｔｉ電気浸漬ヒーター
により加熱した。
水温は、白金ＲＴＤ（抵抗温区計）により測定し、浸漬
ヒーターに作動する“オン／オフ”コントローラーによ
り１２５下（５１，７℃）に調整した。
ヒーターに作動する“オン／オフ”コントローラーによ
り１２５下（５１，７℃）に調整した。
水のｐＨは苛性（５０％ンの添加によりｐＨ８，０に調
節し、ｐＨの上昇に応じてタンクへＩｆＣｌを供給する
コントローラーにより自動的に８．０に、保持した。
節し、ｐＨの上昇に応じてタンクへＩｆＣｌを供給する
コントローラーにより自動的に８．０に、保持した。
ＤＥＴＡ−ＰＭＰ （１００ｐｐｍ）をタンク（１）お
よび（２）のそれぞれへ添加した。ＭｒＬＣｌｔ・４
Ｈｔ ＯとしてマンガンＣ５ｐｐｍ）をタンク（１）だ
けに添加した。
よび（２）のそれぞれへ添加した。ＭｒＬＣｌｔ・４
Ｈｔ ＯとしてマンガンＣ５ｐｐｍ）をタンク（１）だ
けに添加した。
各タンクのｐＨ／ｄ最初、ＮａＯＨで８．０に調整した
。
。
１ ： Ｉ ＭＣＩで洗浄し、３２０グレードのサンド
ペーパーで磨き、表面のすべての酸化物を除去した炭素
鋼（１０１８）電極を３本の電標腐食プローブへつなぎ
タンクに浸漬した。腐食速度はボテンクオスタティック
腐食速度計を用いて感知した。
ペーパーで磨き、表面のすべての酸化物を除去した炭素
鋼（１０１８）電極を３本の電標腐食プローブへつなぎ
タンクに浸漬した。腐食速度はボテンクオスタティック
腐食速度計を用いて感知した。
特にことわりがなければ、テストは５日間実施し起。こ
の時の浴中の塩濃度は供給水の約４倍であった。
の時の浴中の塩濃度は供給水の約４倍であった。
終了時、すべてのテストによる平均腐食速度は、タンク
１１）で０．５ ｒｎｐｙ（−年間あたりの金属ロスの
ｒＬｉｌ）、タンク（２）で２．４５ ｎ’Ｌ’ｌｌ”
／であった。
１１）で０．５ ｒｎｐｙ（−年間あたりの金属ロスの
ｒＬｉｌ）、タンク（２）で２．４５ ｎ’Ｌ’ｌｌ”
／であった。
対照例Ａ％Ｂ１およびＣは、実施例１で用いたと同じ温
度、ｐＨ＋件下で同じ水および金属を用いて、それぞれ
、マンガン無添加、アミノホスホン酸無添加、添加剤無
添加で実施した。これらはすべて５日後に評価した。
度、ｐＨ＋件下で同じ水および金属を用いて、それぞれ
、マンガン無添加、アミノホスホン酸無添加、添加剤無
添加で実施した。これらはすべて５日後に評価した。
結果を第１表に示す。本発明の実施例は、すべて数字に
より示し対照例は記号により示す。
より示し対照例は記号により示す。
実施例２および３゜
実施例１の方法で、同じアミノホスホン酸誘導体と異な
るマンガン源とを用いてテストを実施した。結果を第１
表に示す。Ｍ、０ あるいはその他の不溶性のマンガン
源を使用したケースでは、その化合物が溶解するホスホ
ン酸誘導体溶液へ添加してから水システムへ添加した。
るマンガン源とを用いてテストを実施した。結果を第１
表に示す。Ｍ、０ あるいはその他の不溶性のマンガン
源を使用したケースでは、その化合物が溶解するホスホ
ン酸誘導体溶液へ添加してから水システムへ添加した。
実施例４゜
アドミラルティ黄銅（Ｂｒａｓｓ ＣＤＡ−４４３）の
ン腐食速度に関する影響を調べるため、ＤＥＴＡ−ＰＭ
ＰおよびＭｎＣ１３２・４ Ｈ２Ｏとしてのマンガンイ
オンを用いたテスト、訃よび処理しない対照テストを実
施した。これらのテストは、９日間実施しｔことおよび
アドミラルテイ黄銅電極を使用したことを除いて実施例
１の方法によりおこなつ九。
ン腐食速度に関する影響を調べるため、ＤＥＴＡ−ＰＭ
ＰおよびＭｎＣ１３２・４ Ｈ２Ｏとしてのマンガンイ
オンを用いたテスト、訃よび処理しない対照テストを実
施した。これらのテストは、９日間実施しｔことおよび
アドミラルテイ黄銅電極を使用したことを除いて実施例
１の方法によりおこなつ九。
このテストの平均腐食速度を第１表に示す。実施例りお
よびＥは、アドミラルテイ黄銅を用いて実施例４と比較
したものである。
よびＥは、アドミラルテイ黄銅を用いて実施例４と比較
したものである。
実施例５゜
エチレンアミ７ｇ−１００’ ＣＢ−１００−ＭＰ）は
、実質上完全にホスホノメチル化されたものでこれを用
いて、実施例１記載の方法でテストした。結果を第１表
に示す。
、実質上完全にホスホノメチル化されたものでこれを用
いて、実施例１記載の方法でテストした。結果を第１表
に示す。
来 エチレンアミンＥ−１００は、インタエチレンへキ
サミンおよびそれより高級のエチレンアミンの混合物で
あるＤｏｗ ＣｈｔｔｒｎｉｃａＬ Ｃｏｒｎｐａｎ’
／の製品で、これらのポリマーは平均分子量が約２７５
゜ピイラジン構造を有している。
サミンおよびそれより高級のエチレンアミンの混合物で
あるＤｏｗ ＣｈｔｔｒｎｉｃａＬ Ｃｏｒｎｐａｎ’
／の製品で、これらのポリマーは平均分子量が約２７５
゜ピイラジン構造を有している。
実施例６゜
水道水に代えて脱イオン水を使用して実施例５０方法に
よりテストした。更に、マンガンを使用しない比較テス
ト（実施例Ｆ）もおこなった。結果を第１表に示す。
よりテストした。更に、マンガンを使用しない比較テス
ト（実施例Ｆ）もおこなった。結果を第１表に示す。
実施例７゜
アミン水素の１ Ｏｒｎｏｌ１％が、２−ヒドロキシ−
３〜（トリメチルアンモニウムクロライド）プロピル基
で置換され、その残りの実買上全部が、メチレンホスホ
ン醒基により置換されたエチレンアミンＥ−Ｚｏｏ（Ａ
’−１００−ＱＭＰ）を用い、実施例１記我と同条件下
でテストした。タンク（３）（本実施例）および（４）
（実施例Ｇ）に活性な生成物１００ ｐｐｍを仕込み、
タンク（３）には、更にＭ、ＣＩ、・４Ｈ，０ｆ−ｑン
ガン５ ｐｐｍとして添加した。１０１８炭素鋼電極の
５日後の平均腐食速度は、タンク（３）で０．７５ ｍ
ｐｙ、タンク（４）で１．７ ｒｎｐ’／であった。
３〜（トリメチルアンモニウムクロライド）プロピル基
で置換され、その残りの実買上全部が、メチレンホスホ
ン醒基により置換されたエチレンアミンＥ−Ｚｏｏ（Ａ
’−１００−ＱＭＰ）を用い、実施例１記我と同条件下
でテストした。タンク（３）（本実施例）および（４）
（実施例Ｇ）に活性な生成物１００ ｐｐｍを仕込み、
タンク（３）には、更にＭ、ＣＩ、・４Ｈ，０ｆ−ｑン
ガン５ ｐｐｍとして添加した。１０１８炭素鋼電極の
５日後の平均腐食速度は、タンク（３）で０．７５ ｍ
ｐｙ、タンク（４）で１．７ ｒｎｐ’／であった。
実施例８゜
アミン水素の２５ ｍ、ｏ１％が、２−ヒドロキシプロ
ピルスルホン酸で置換され、その残りのアミン水素の実
質上全部が、メチン／ホスホン酸基で置換されたエチレ
ンジアミン（ＥＤＡ−ＨＰＳ−Ｍ Ｐ ） １ＦＩ：用
い実施例１の方法によりテストした。
ピルスルホン酸で置換され、その残りのアミン水素の実
質上全部が、メチン／ホスホン酸基で置換されたエチレ
ンジアミン（ＥＤＡ−ＨＰＳ−Ｍ Ｐ ） １ＦＩ：用
い実施例１の方法によりテストした。
テストは活性物質のみ１５０ ｐｐｍおよびＭｎＣｌ；
、・４Ｈ，Ｏをマンガン７．５ ｐｐｒｎとして併用で
実施した。
、・４Ｈ，Ｏをマンガン７．５ ｐｐｒｎとして併用で
実施した。
マンガンを添加しない（実施例Ｉ）場合の５日後の炭素
鋼１０１８の平均腐食速度はｉ、５ｒｒＬｐｙであり、
マンガン添加の場合（本実施例）は、０．７ｍｐｙであ
った。
鋼１０１８の平均腐食速度はｉ、５ｒｒＬｐｙであり、
マンガン添加の場合（本実施例）は、０．７ｍｐｙであ
った。
実施例９゜
アミン水素の２５ ｍｏ１％が、２−ヒドロキシ−３−
（）ｌ’チルアンモニウムクロライド）プロピル基で置
換され、かつその残りのアミン水素の実質上全部が、メ
チン／ホスホン酸基により置換来 された分子１１００，０００以上の ポリアルキレンポ
リアミンＣＰＡＰＡ−ＱＭＰ）を用い実施例１の方法に
よりテストした。このテストは、このホスホン酸誘導体
９４ ｐｐｍ単独使用〔実施例Ｉ〕とこれと”ｎＣｌｘ
・４Ｈ１０ｆ−ｒンガン５ ｐｐｍとしての併用との
両方でおこなった。テスト終了後の炭素鋼の平均腐食速
度は、マンガン無添加で２．５ｒｎｐ’／、 Ａｆ３添
加の場合０．３ｍｐ９１であった。
（）ｌ’チルアンモニウムクロライド）プロピル基で置
換され、かつその残りのアミン水素の実質上全部が、メ
チン／ホスホン酸基により置換来 された分子１１００，０００以上の ポリアルキレンポ
リアミンＣＰＡＰＡ−ＱＭＰ）を用い実施例１の方法に
よりテストした。このテストは、このホスホン酸誘導体
９４ ｐｐｍ単独使用〔実施例Ｉ〕とこれと”ｎＣｌｘ
・４Ｈ１０ｆ−ｒンガン５ ｐｐｍとしての併用との
両方でおこなった。テスト終了後の炭素鋼の平均腐食速
度は、マンガン無添加で２．５ｒｎｐ’／、 Ａｆ３添
加の場合０．３ｍｐ９１であった。
米 このポリアルキレンポリアミンは、上述のＥ−１０
０生成物とエチレンジクロライド（ＩＤＣ）とを反応し
、分校構造および環状リング例えばピ被うジンを有する
高分子量生成物を生成させることによりつくつ念。
０生成物とエチレンジクロライド（ＩＤＣ）とを反応し
、分校構造および環状リング例えばピ被うジンを有する
高分子量生成物を生成させることによりつくつ念。
実施例１０゜
実施例５に記載の実質上完全にホスホノメチル化したエ
チレンアミンＥ−１００生成物とＫＡｆｎＯ４とを使用
し実施例１の方法に従いテストを行なつ之。ホスホノメ
チル化エチレンアミンｚ−１ｏ。
チレンアミンＥ−１００生成物とＫＡｆｎＯ４とを使用
し実施例１の方法に従いテストを行なつ之。ホスホノメ
チル化エチレンアミンｚ−１ｏ。
生成物の添加濃度は１００９ＦＩｍ、ＫＭｎＯ＋はマン
ガンとして５ ｐｐｍの添加Ｑ度であった。１０１８炭
素鋼電他の景終平均腐食速度は、ｏ、 ｓ ｓ ＦＦＬ
ｐｙであった。
ガンとして５ ｐｐｍの添加Ｑ度であった。１０１８炭
素鋼電他の景終平均腐食速度は、ｏ、 ｓ ｓ ＦＦＬ
ｐｙであった。
つぎの対照例（ＪおよびＫ）では、非アミンベースのホ
スホン酸を使用したが、マ／ガ／イオ／を使用しても、
これらの誘導体による改良は見られなかった。（第１表
参照）。
スホン酸を使用したが、マ／ガ／イオ／を使用しても、
これらの誘導体による改良は見られなかった。（第１表
参照）。
実施例ＪおよびＫ（両者共対照例）
１−ヒトａキシエチリデン−１，１−ジホスホン酸（Ｈ
ｇｎＰ）おより ＭｎＣ１ｔ ： ４Ｈ，Ｏとしテラ／
ガンイオンを使用し、実施例１記我の方法によりテスト
をおこなった。このテストではタンク（１） Ｅ）およ
び（２） ＣＩ）の両方に活性ＥＥＤＰを１００ ｐｐ
ｒｒＬ添加した。タンク（２）Ｋは、更にＭＢＣＩ、・
４Ｈ，Ｏをマンガンとして５ ｐｐｍ添加した。炭素鋼
電極の平均腐食速度は、タンク（１）で７．８ｍｐｙ、
タンク（２）で８．２ｍｐｙであった。
ｇｎＰ）おより ＭｎＣ１ｔ ： ４Ｈ，Ｏとしテラ／
ガンイオンを使用し、実施例１記我の方法によりテスト
をおこなった。このテストではタンク（１） Ｅ）およ
び（２） ＣＩ）の両方に活性ＥＥＤＰを１００ ｐｐ
ｒｒＬ添加した。タンク（２）Ｋは、更にＭＢＣＩ、・
４Ｈ，Ｏをマンガンとして５ ｐｐｍ添加した。炭素鋼
電極の平均腐食速度は、タンク（１）で７．８ｍｐｙ、
タンク（２）で８．２ｍｐｙであった。
第１懺
実施例 有機ホスホン酸 Ａｍｔ腐
誘導体 ＜ｐｐｍ） Ｍ１源３
ＤＥＴＡ−ＰＭＰ １５０ Ｍｎ
０Ｅ ＤＥＴＡ−ＰＭＰ
−−５Ｅ−１００−ＭＰ ８７
Ｍ％Ｃ６６Ｅ−１００−ＨＰ ｌ ４２
ＭｘＣ！ｂＦ Ｅ−１００−ＭＰ
１４２ −７ Ｅ １００
ＱＭＰ ｌ ００ ＭｎＣ１＊Ｇ
Ｅ−１００−ＱＭＰ １００
−８ ＥＤＡ ＨＰＳ−ＨＰ １５０
ＭｎＣ１ｔＨＥＤＡ−ＨＰＳ −ＭＰ
ｌ ５０ −９ ＰＡＰＡ Ｑ
ＭＰ ９４ ＭｔｓＣｌｌｔＩ
ＰＡＰＡ−ＱＭＰ ９４
−１０ ｇ−１００−ＭＰ １００
□？＆０４Ｊ ＨＥＤＰ
１００ ＭｎＣ１＊Ｇ ＨＥＤＰ
１００ −Ｍ？Ｓ＋＋
腐食 ＜ｐｐｍ） ＜ｍｐｔｔ） ５．０ ０．５０ − ２．４５５．０
１ ０．００− １０
．００ ７．５ ０．３６７．５
０．３９ １ ０．０ ０．２５−
８．００ − ０．６１５．０
０．４４ ５・０ ０．７７ − ６．２５５．０
０．７５ − １．７０ ７．５ ０．７０ − １．５０５．０
０．３０ − ２．５０ ５．０ ０．５８ ５．０ ８．２０ − ７．８０ 本発明のホスホン酸誘導体とＭｒ＋＋との併用による結
果および同じ誘導体とＺ、＋＋−との併用による結果を
第２表に示す。本発明による実施例を数字にて記し、対
照例を第１表上回じように記号にて示す。
誘導体 ＜ｐｐｍ） Ｍ１源３
ＤＥＴＡ−ＰＭＰ １５０ Ｍｎ
０Ｅ ＤＥＴＡ−ＰＭＰ
−−５Ｅ−１００−ＭＰ ８７
Ｍ％Ｃ６６Ｅ−１００−ＨＰ ｌ ４２
ＭｘＣ！ｂＦ Ｅ−１００−ＭＰ
１４２ −７ Ｅ １００
ＱＭＰ ｌ ００ ＭｎＣ１＊Ｇ
Ｅ−１００−ＱＭＰ １００
−８ ＥＤＡ ＨＰＳ−ＨＰ １５０
ＭｎＣ１ｔＨＥＤＡ−ＨＰＳ −ＭＰ
ｌ ５０ −９ ＰＡＰＡ Ｑ
ＭＰ ９４ ＭｔｓＣｌｌｔＩ
ＰＡＰＡ−ＱＭＰ ９４
−１０ ｇ−１００−ＭＰ １００
□？＆０４Ｊ ＨＥＤＰ
１００ ＭｎＣ１＊Ｇ ＨＥＤＰ
１００ −Ｍ？Ｓ＋＋
腐食 ＜ｐｐｍ） ＜ｍｐｔｔ） ５．０ ０．５０ − ２．４５５．０
１ ０．００− １０
．００ ７．５ ０．３６７．５
０．３９ １ ０．０ ０．２５−
８．００ − ０．６１５．０
０．４４ ５・０ ０．７７ − ６．２５５．０
０．７５ − １．７０ ７．５ ０．７０ − １．５０５．０
０．３０ − ２．５０ ５．０ ０．５８ ５．０ ８．２０ − ７．８０ 本発明のホスホン酸誘導体とＭｒ＋＋との併用による結
果および同じ誘導体とＺ、＋＋−との併用による結果を
第２表に示す。本発明による実施例を数字にて記し、対
照例を第１表上回じように記号にて示す。
実施例１１〜１４およびＬ −Ｐ
いくつかのホスホノメチル化有機アミンとＭ−１イオン
とを併用（実施例５および１１〜１４）して実施例１の
方法によりテストをおこなった。更に比較のために同じ
化合物を従来技術で一般的に記載されているＺｎ＋＋イ
オンとを併用（実施例Ｌ −Ｐ）してテストした。これ
らの化合物は、実施例５のＥ−１００−ＭＰ、実施例４
のＤＥＴＡ−ＰＭＰ、第２表の脚注に記載のポリＡＲＰ
−ＭＰ。
とを併用（実施例５および１１〜１４）して実施例１の
方法によりテストをおこなった。更に比較のために同じ
化合物を従来技術で一般的に記載されているＺｎ＋＋イ
オンとを併用（実施例Ｌ −Ｐ）してテストした。これ
らの化合物は、実施例５のＥ−１００−ＭＰ、実施例４
のＤＥＴＡ−ＰＭＰ、第２表の脚注に記載のポリＡＲＰ
−ＭＰ。
実施例９のＰＡＰＡ−ＰＭＱおよびＨＥＥＤＡ−ＴＭＰ
である。マンガンイオンおよび亜鉛イオンは、同じモル
ベース（９Ｘ １０−’ ｒｎｏｌ；／ｌ ）で比較し
た。
である。マンガンイオンおよび亜鉛イオンは、同じモル
ベース（９Ｘ １０−’ ｒｎｏｌ；／ｌ ）で比較し
た。
本発明に使用される有機アミノホスホン酸誘導体および
マンガ／イオ／は更に、一般的に冷却水システムに使用
される他の添加剤の存在下においても処理可能である。
マンガ／イオ／は更に、一般的に冷却水システムに使用
される他の添加剤の存在下においても処理可能である。
勿論これらは、組合＋！：使用による悪影響がないもの
である。代表的な添加剤は、ポリアクリレート、ポリメ
タクリレート、ポリ無水マレイン酸、アクリレート／メ
タクリレートおよびアクリレート／アクリルアミドのコ
ポリマーのような分散剤：２，２−ジブロモ−２−ニト
リロプロビオアミド、ビス（トリブチルスズ）オキシド
、塩素、二部化塩素および塩化臭素、のような殺菌剤；
消泡剤等である。先に指摘したように悪影響がなければ
、リン酸エステル、ホスホネートおよびスルホネートの
ようなその他のイオンコントロール剤および亜鉛、ポリ
ホスホネート、トリルトリアゾール等のような腐食防止
剤を併用することができる。
である。代表的な添加剤は、ポリアクリレート、ポリメ
タクリレート、ポリ無水マレイン酸、アクリレート／メ
タクリレートおよびアクリレート／アクリルアミドのコ
ポリマーのような分散剤：２，２−ジブロモ−２−ニト
リロプロビオアミド、ビス（トリブチルスズ）オキシド
、塩素、二部化塩素および塩化臭素、のような殺菌剤；
消泡剤等である。先に指摘したように悪影響がなければ
、リン酸エステル、ホスホネートおよびスルホネートの
ようなその他のイオンコントロール剤および亜鉛、ポリ
ホスホネート、トリルトリアゾール等のような腐食防止
剤を併用することができる。
実施例１５゜
Ｄ Ｅ Ｔ Ａ−ＰＭＰＱ度３〜１０ｐｐｒｎでかつマ
ンガンイオン濃度０．２〜１．ｏｐｐｍにした不発明品
を１莱スケールの開放系循環冷却システムに応用した。
ンガンイオン濃度０．２〜１．ｏｐｐｍにした不発明品
を１莱スケールの開放系循環冷却システムに応用した。
更にスライムおよび藻の繁殖を防止するため、冷却シス
テム水を塩素処理した。更に市販のポリアクリル酸ベー
スの分散剤、非酸化性殺菌剤および消泡剤を添加した（
必要量だけ添加した）。炭素鋼およびアドミラルテイ黄
銅の腐食速度をホテンシオスタティック法および腐食サ
ンプル片により測定した。両者の測定結果、炭素鋼の最
大腐食速度は１．５ｒｒＬｐ３１より小さく、アドミラ
ルテイ黄銅のそれは、０．１ ｒｎｐ’ｔより小さかっ
た。
テム水を塩素処理した。更に市販のポリアクリル酸ベー
スの分散剤、非酸化性殺菌剤および消泡剤を添加した（
必要量だけ添加した）。炭素鋼およびアドミラルテイ黄
銅の腐食速度をホテンシオスタティック法および腐食サ
ンプル片により測定した。両者の測定結果、炭素鋼の最
大腐食速度は１．５ｒｒＬｐ３１より小さく、アドミラ
ルテイ黄銅のそれは、０．１ ｒｎｐ’ｔより小さかっ
た。
−一＝ニー−１
代 理 人 弁理士 湯 浅 恭 三 ：一二 。
（外５名）
手続補正書
昭和６０年ｉｏ月？日
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、窒素とリンとがアルキレンラジカルにより連結され
ている有機アミノホスホン酸誘導体とマンガンイオンを
提供しうるマンガン化合物との組合せから成ることを特
徴とする水処理システムにおける金属腐食防止に有用な
組成物。 ２、連結アルキレンラジカルが、 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、ＸおよびＹは、独立に水素、ヒドロキシル、カ
ルボキシル、ホスホン、その酸ラジカルの塩、あるいは
、炭素原子が１〜１２個の炭化水素ラジカル；かつｎは
１〜３であり、ｎ＞１の場合、各ＸおよびＹは、いかな
る炭素上に存在する他のＸあるいはＹと同じものであつ
てもあるいは異なるものであつてもよい条件である） である特許請求の範囲第１項記載の組成物。 ３、有機アミノホスホン酸誘導体が、 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、ＥおよびＦは、独立に、水素
、▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式
、表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
表等があります▼、２−ヒド ロキシ−３−（トリアルキルアンモニウムハライド）プ
ロピル、および２−ヒドロキシプロピルスルホン酸基あ
るいはこれらの酸ラジカルの塩；Ｘ、Ｙおよびｎは、前
述のもの：Ｘ′およびＹ′は独立に水素、メチルあるい
はエチルラジカル；ｎ′は、２あるいは３；かつｍおよ
びｍ′は、それぞれ０〜２５００であり、アミン水素の
少なくとも約５０％は、上述のようなリン含有基により
置換されている条件である；更にＲは、線状、分枝状、
環式、複素環式、置換数素環式、あるいは縮合環式−タ
イプ構造の炭化水素残基であり；ｍあるいはｍ′＞１の
場合、ＥおよびＦ置換基は、いかなる他の窒素原子の他
の置換基と同じものであつてもあるいは異なるものであ
つてもよく、かつ各Ｒは、いかなる他のＲと同じもので
あつてもあるいは異なるものであつてもよいと云う条件
である。）の構造を有する特許請求の範囲第１項記載の
組成物。 ４、ｍが０であり、かつＲが−ＣＨ＿２ＣＨ＿２−であ
る、特許請求の範囲第３項記載の組成物。 ５、Ａ、Ｂ、ＣおよびＤが独立に、 ▲数式、化学式、表等があります▼ ２−ヒドロキシプロピルスルホン酸基あるいは、それら
の塩である特許請求の範囲第４項記載の化合物。 ６、置換基の約２５ｍｏｌ％が、２−ヒドロキシプロピ
ルスルホン酸基でその残りの実質上全部が、▲数式、化
学式、表等があります▼、あるいはＲ基の塩、Ｘおよび Ｙが水素、かつｎが１である特許請求の範囲第５項記載
の組成物。 ７、ｍが１、Ｒが−ＣＨ＿２ＣＨ＿２−、かつｍ′が０
である、特許請求の範囲第３項記載の組成物。 ８、置換基の実質上全部、Ａ、Ｂ、Ｃ、ＤおよびＥが、
▲数式、化学式、表等があります▼、その塩、あるいは
それらの混合物、ＸおよびＹがそれぞれ、水素、かつｎ
が１である特許請求の範囲第７項記載の組成物。 ９、窒素置換基の少なくとも１個が、 ▲数式、化学式、表等があります▼である特許請求の範
囲第４項記載の組成物。 １０、Ｘ′およびＹ′がそれぞれ水素である特許請求の
範囲第９項記載の組成物。 １１、ｎ′が２、残りの窒素置換基の実質上全部が、▲
数式、化学式、表等があります▼あるいは、その塩、Ｘ
および Ｙがそれぞれ水素かつｎが１である特許請求の範囲第１
０項記載の組成物。 １２、有機アミノホスホン酸が、アミン水素の少なくと
も約５０％がメチレンホスホン酸基あるいはその塩によ
り置換されているポリアルキレンポリアミンから誘導さ
れる特許請求の範囲第１項記載の組成物。 １３、アミン水素の少なくとも約１０が、２−ヒドロキ
シ−３−（トリアルキルアンモニウムハライド）プロピ
ル基により置換されかつその残りの実質上全部がメチレ
ンスルホン酸基あるいはその塩により置換されている特
許請求の範囲第１２項記載の組成物。 １４、アミン水素の少なくとも約２５％が、２−ヒドロ
キシ−３−（トリアルキルアンモニウムハライド）プロ
ピル基により置換され、かつその残りの実質上全部がメ
チレンホスホン酸基あるいはその塩により置換されてい
る特許請求の範囲第１２項記載の組成物。 １５、ポリアルキレンポリアミン先駆体が平均分子量約
２７５である特許請求の範囲第１３項記載の組成物。 １６、ポリアルキレンポリアミン先駆体が平均分子量約
１００，０００である特許請求の範囲第１４項記載の組
成物。 １７、アミン水素の実質上全部がメチレンホスホン酸基
あるいはその塩により置換されている特許請求の範囲第
１２項記載の組成物。 １８、先駆体アミンがアミノエチルピペラジンとエチレ
ンジクロライドとのモル比が、それぞれ、１：０．５６
の反応生成物である特許請求の範囲第１７項記載の化合
物。 １９、ポリアルキレンポリアミン先駆体が平均分子量約
２７５である特許請求の範囲第１７項記載の組成物。 ２０、マンガンイオンがキレート形である、前述特許請
求の範囲記載のうちのいづれか一つの組成物。 ２１、前述特許請求の範囲記載のいづれかに記載されて
いるような有機アミノホスホン酸誘導体およびマンガン
イオンから成るコンプレックス。 ２２、水処理システムにおける金属腐食防止剤として使
用される特許請求の範囲第１項記載のような組成物。
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