JPH0633471B2 - 水システムにおける改良された金属腐食防止 - Google Patents

水システムにおける改良された金属腐食防止

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JPH0633471B2
JPH0633471B2 JP60180891A JP18089185A JPH0633471B2 JP H0633471 B2 JPH0633471 B2 JP H0633471B2 JP 60180891 A JP60180891 A JP 60180891A JP 18089185 A JP18089185 A JP 18089185A JP H0633471 B2 JPH0633471 B2 JP H0633471B2
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、水が通る配管システムにおいて金属の腐食防
止に使用するための、有機アミノホスホン酸およびマン
ガンイオンを有する組成物に関する。
本発明は更に窒素とリンとがアルキレンラジカルにより
連結されている有機アミノホスホン酸誘導体とマンガン
イオンを提供することができるマンガン化合物との反応
から成る水が通る配管システムにおける金属腐食防止に
有用なコンプレックスにも関する。
水力工学で生ずる主な問題の一つは、処理および未処理
の両方の冷却水システムにおける金属の腐食である。一
般に水システムに見られる鋼、アルミニウム、黄銅、お
よび銅のような金属の腐食は、主として溶解した酸素お
よび炭酸ガスによるものである。亜硫酸ナトリウムやあ
るいはヒドラジンのような酸素を除去する物質は、経済
性がなくまた技術的にも不充分なものである。従つて金
属表面に保護フイルムを形成するためにＺｎ ＋＋、クロ
ム酸塩、モリブデン酸塩、ポリリン酸塩、オルソ−リン
酸塩、および有機−ホスホン酸塩を冷却水に添加してい
る。クロム酸塩は、非常に有効な腐食防止剤であるが、
よく知られているように毒性があるため環境上望ましく
ないことが多い。Zn ++は、同様な環境上の問題があり、
更にそのオルト−リン酸塩、水酸化物および炭酸塩は溶
解度が小さく、腐食を促進するスラツジおよび析出物を
形成する。ポリリン酸塩は、クロム酸塩ほど効果がな
く、冷却水環境下で不安定でありこのため加水分解によ
りオルソ−およびピロ−リン酸塩に分解し、しばしば、
スラツジおよび析出物の原因となる。オルソ−リン酸塩
もまたクロム酸塩ほど有効でなく、充分にコントロール
されない場合にスラツジや析出物を形成する。有機ホス
ホン酸塩はある程度腐食防止性を有するが、クロム酸塩
にはおよばない。
本発明の組成物は、驚くことにはクロム酸塩に匹敵する
金属腐食防止を提供するのである。
本発明は、窒素とリンとがアルキレンラジカルにより連
結されている有機アミノ−ホスホン酸導導体とマンガン
イオンを提供しうるマンガン化合物との組合せから成る
水が通る配管システムにおける金属腐食防止に有用な組
成物に関する。
これらのアミノホスホン酸誘導体は、更に他の官能基例
えば、カルボキシル、第四アミン、ヒドロキシアルキル
基等を含有することができる。マンガン化合物は、水シ
ステムにおいてマンガンイオンを供給することができる
ものでなければならない。
硬水あるいは脱イオン水中で単独（マンガン添加せず）
テストした数多くのアミノアルキレンホスホン酸誘導体
は、本発明の組成物のような腐食防止効果を示さない。
従つてアミノアルキレンホスホン酸誘導体による金属腐
食防止性は、マンガンイオン源を供給するマンガン化合
物の添加により高められるのである。
マンガンイオンの存在下で金属腐食防止に有用であると
見出された有機ホスホン酸誘導体は、一般式； （式中、ＸおよびＹは、独立に水素、ヒドロキシル、カ
ルボキシル、ホスホン、酸ラジカルの塩、あるいは炭素
原子が１〜１２個の炭化水素ラジカル；かつ、ｎは１〜
３であり、ｎ＞１場合、各ＸおよびＹは、いかなる炭素
についてもいかなる他のＸあるいはＹと同じものであつ
てもあるいは異なるものであつてもよい条件である） を有するアルキレン基あるいは置換アルキレン基によ
り、窒素とリンとが連結されている、アミノホスホン酸
誘導体である。
この誘導体は、公知の数多くの合成法によりつくること
ができる。特に重要なものは、反応性アミン水素を含有
する化合物とカルボニル化合物（アルデヒド、あるいは
ケトン）および亜リン酸あるいはその誘導体との反応で
ある。この詳細な方法は、アメリカ特許No.３,２８８,
８４６に記載されている。
本発明の腐食防止にMn ++イオンとの組合せで使用しうる
コンプレツクス配位子のいくつかは、以下の構造式によ
り表わされる。
（式中、Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、ＥおよびＦは、独立に、水
素、 ２−ヒドロキシ−３−（トリアルキルアンモニウムハラ
イド）プロピルおよび２−ヒドロキシプロピルスルホン
酸基あるいは酸ラジカルの塩；Ｘ、Ｙおよびｎは前述の
もの；Ｘ′およびＹ′は、独立に水素、メチルあるいは
エチルラジカル；ｎ′は２あるいは３；かつｎおよび
ｍ′はそれぞれ０〜２５００であり、アミン水素の少な
くとも５０％は、前述のようなリン含有基により置換さ
れている条件である；更に、Ｒは、線状、分岐状、環
式、複素環式、置換複素環式、あるいは縮合環式タイプ
の構造の炭化水素残基であり；ｍあるいはｍ′＞１の場
合、ＥおよびＦ置換基は、いかなる他の窒素原子のいか
なる他の置換基と同じものであつてもあるいは異なるも
のであつてもよく、かつ各Ｒは、いかなる他のＲと同じ
ものであつてもあるいは異なるものであつてもよいと云
う条件である）。
特に限定するものではないが、上述の構造に含まれる化
合物の例としては、ビス（アミノメチル）ジシクロペン
タジエンテトラ（メチレンホスホン酸）、ビス（アミノ
メチル）ビシクロヘプタンテトラ（メチレンホスホン
酸）、エチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）
（ＥＤＡ−ＴＭＰ）、ジエチレントリアミンペンタ（メ
チレンホスホン酸）（ＤＥＴＡ−ＰＭＰ）、ヒドロキシ
エチルエチレンジアミントリ（メチレンホスホン酸）
（ＨＥＥＤＥ−ＴＭＰ）、ペンタエチレンヘキサミンオ
クタ（メチレンホスホン酸）、ヘキサメチレンジアミン
テトラ（メチレンホスホン酸）、鎖中にピペラジン環を
含有する分子量が１００，０００以上までのホスホノメ
チル化ポリアルキレンポリアミン、〔Ｎ−（３−トリア
ルキルアンモニウム−２−ヒドロキシプロピル）ジエチ
レントリアミンテトラ（メチレンホスホン酸）〕クロラ
イド、ジエチレントリアミンモノカルボキシメチルテト
ラ（メチレンホスホン酸）、エチレンジアミンモノ−２
−ヒドロキシプロピルスルホントリ（メチレンホスホン
酸）、ピペラジンジメチレンホスホン酸である。ジシク
ロペンタジエンおよびピシクロヘプタンの誘導体は、そ
れぞれ、ジメチルトリシクロデカンおよびジメチルノル
ボルネン基を含有している。
マンガンイオンの存在下で金属防食剤に有用なその他の
化合物は、“ジシクロペンタジエン誘導体ベースの新規
金属イオンコントロール剤”（アメリカ特許No.４,５０
０,４７０）：“第四アンモニウムおよびメチレンホス
ホン酸基を含有する新規化合物”（アメリカ特許No.４,
４５９,２４１）；“ポリマー性アルキレンホスホン酸
ピペラジン誘導体”（アメリカ特許No.４,４８９,２０
３）；および“ノルボルネンベースの新規金属イオンコ
ントロール化合物”（アメリカ特許No.４,５００,４６
９）：に記載されている。
アルキレンホスホン酸基の他に窒素置換剤のような他の
官能基を含有するアルガノホスホン酸誘導体（アメリカ
特許No.３,２８８,８４６）は、以下の方法によりつく
られる。
ヒドロキシアルキル基はアメリカ特許No.３,３９８,１
９８に記載されているように水性媒体中でアルキレンオ
キシド例えばプロピレンオキシド（１，２−エポキシプ
ロパン）とアミンとを反応させることにより、アミンの
水素と置換することができる。
アルキルスルホン酸基は、アミンと重亜硫酸ナトリウム
およびアルデヒド、例えばホルムアルデヒドの混合物と
を反応させることによりアミンと置換させアミン化合物
の窒素に置換したアルキレンスルホン酸基を得ることが
できる。この反応は、“Prepardtion and Properties o
f Aminomethylenesulfonic Acids”(J.Am.Chem.Soc.７
７ ５５１２−１５（１９５５））に記載されている。
その他のアルキルスルホン酸誘導体は、アミンとクロロ
アルキルスルホン酸との反応により、あるいはアメリカ
特許No.４,０８５,１３４記載のようにプロパンスルホ
ンとアミンとの反応によりつくられる。
カルボキシアルキル基は、アルカリ媒体中で有機ホスホ
ンアミン誘導体のアルカリ金属塩とα，β−不飽和カル
ボン酸あるいはその無水物、エステルあるいはニトリル
との反応により水素と置換することができる。この方法
は、アメリカ特許No.４,３０７,０３８に詳述されてい
る。
アミン窒素の置換物としてカルボキシアルキル基を得る
他の方法は、アメリカ特許No.３,７２６,９１２に記載
されている。
２−ヒドロキシプロピルスルホン酸基は、苛性（ＮａＯ
Ｈ）の存在下で水溶液中アミンと３−クロロ−２−ヒド
ロキシ−１−プロパンスルホン酸との反応によりアミン
水素と置換することができる。ヒドロキシプロピルナト
リウムスルホネート基は、窒素置換物である。酸が所望
される場合、強酸例えばHClによる酸性化によりナトリ
ウム塩を酸に充分転化することができる。この反応は、
アメリカ特許No.３,０９１,５２２に記載されている。
ヒドロキシプロピルトリメチルアンモニウムクロライド
基は、ホスホン酸誘導体製造の反応前に、アミンと３−
クロロ−２−ヒドロキシプロピルトリメチルアンモニウ
ムクロライド水溶液との反応によりアミン水素と置換す
ることができる。
本発明の目的においては、ここに記載した有効なアミノ
ホスホン酸誘導体とその塩は同等のものであると考えら
れる。関連する塩は、少なくとも１個のアミノホスホン
酸誘導体の酸基と塩を形成する塩基の酸付加塩である。
適当な塩基は例えば、苛性ソーダ、苛性カリ、水酸化カ
ルシウム、炭酸カリウム、重炭酸ナトリウム、炭酸マグ
ネシウム等のようなアルカリ金属およびアルカリ土類金
属の水酸化物、炭酸塩および重炭酸塩、アンモニア、第
一、第二および第三アミン等である。これらの塩は、少
なくとも１個の酸基を有するアミノホスホン酸誘導体を
適当な塩基により処理することによりつくることができ
る。
水が通る配管システムで銅含有あるいは鉄含有合金を腐
食防止するための好適なアミノアルキレンホスホン酸誘
導体の量は、酸として２〜５０ ppmである。使用量は、
１ ppmから３００ ppmである。このような水処理システ
ムでのアミノホスホン酸誘導体へのマンガン化合物の添
加は、意外にも腐蝕防止を向上せしめる。マンガン化合
物の使用量は、水溶液に対し０．１〜３０ ppm（重量）
のマンガン量である。好適な量は、０．２〜１０ ppmで
ある。マンガンイオン源として使用される代表的なマン
ガン化合物は、ＭnＯ、ＭnＯ2、ＭnＣｌ2・４Ｈ2Ｏ、Ｋ
ＭnＯ4、Ｍn（ＣＨ3ＣＯＯ）2・４Ｈ2Ｏ等である。マン
ガン化合物は、アミノホスホン酸誘導体と共に添加する
こともできるし、あるいは水とは別に添加することもで
きる。その他に水の添加前にマンガンをアミノホスホン
酸化合物によりコンプレックス化することもできる。
アミノホスホン酸誘導体対マンガンの比は少なくとも２
対１である組成物が好適である。
亜鉛化合物は、本技術のアミノホスホン酸誘導体との併
用で使用されてきたが、マンガン化合物とアミノホスホ
ン酸誘導体との併用が意外にすぐれた結果を提供するの
である。そのいくつかの比較を第２表に示す。
以下の実施例により本発明を説明する。
実施例 1. 本実施例は、市販のＤＥＴＡ−ＰＭＰ水溶液とマンガン
とを用いておこなつた１０１８炭素鋼の防食効果の向上
を示すものである。
つぎの物性の“水道水”を８のタンクに満した。
タンクの一端にとりつけ、タンクの底まで延ばしてある
ガラス管により空気を１０ＳＣＦＨで吹き込んだ。この
空気吹込みにより水を循環させ、水に酸素を吹き込み、
かつ蒸発を助けた。タンクの中の水は、重力送りシステ
ムにより自動コントロールし、水は電気浸漬ヒーターに
より加熱した。水温は、白金ＲＴＤ（抵抗温度計）によ
り測定し、浸漬ヒーターに作動する“オン／オフ”コン
トローラーにより１２５゜F（５１．７℃）に調整し
た。水のｐＨは苛性（５０％）の添加によりｐＨ８．０
に調節し、ｐＨの上昇に応じてタンクへHClを供給する
コントローラーにより自動的に８．０に、保持した。
ＤＥＴＡ−ＰＭＰ（１００ppm）をタンク(1)および(2)
のそれぞれへ添加した。ＭnＣｌ2・４Ｈ2Ｏとしてマン
ガン（５ ppm）をタンク(1)だけに添加した。各タンク
のｐＨは最初、ＮａＯＨで８．０に調整した。
１：１HClで洗浄し、３２０グレードのサンドペーパー
で磨き、表面のすべての酸化物を除去した炭素鋼（１０
１８）電極を３本の電極腐食プローブへつなぎタンクに
浸漬した。腐食速度はポテンシオスタテイツク腐食速度
計を用いて感知した。特にことわりがなければ、テスト
は５日間実施した。この時の浴中の塩濃度は供給水の４
倍であつた。
終了時、すべてのテストによる平均腐食速度は、タンク
(1)で０．５mpy（一年間あたりの金属ロスのnil）、タ
ンク(2)で２．４５mpyであつた。
対照例Ａ、Ｂ、およびＣは、実施例１で用いたと同じ温
度、ｐＨ条件下で同じ水および金属を用いて、それぞ
れ、マンガン無添加、アミノホスホン酸無添加、添加剤
無添加で実施した。これらはすべて５日後に評価した。
結果を第１表に示す。本発明の実施例は、すべて数字に
より示し対照例は記号により示す。
実施例２および3. 実施例１の方法で、同じアミノホスホン酸誘導体と異な
るマンガン源とを用いてテストを実施した。結果を第１
表に示す。MnO あるいはその他の不溶性のマンガン源を
使用したケースでは、その化合物が溶解するホスホン酸
誘導体溶液へ添加してから水システムへ添加した。
実施例4. アドミラルテイ黄銅（ Brass ＣＤＡ−４４３）の腐食
速度に関する影響を調べるため、ＤＥＴＡ−ＰＭＰおよ
びMnCl2・４H2O としてのマンガンイオンを用いたテス
ト、および処理しない対照テストを実施した。これらの
テストは、９日間実施したことおよびアドミラルテイ黄
銅電極を使用したことを除いて実施例１の方法によりお
こなつた。このテストの平均腐食速度を第１表に示す。
実施例ＤおよびＥは、アドミラルテイ黄銅を用いて実施
例４と比較したものである。
実施例5. エチレンアミンＥ−１００＊（Ｅ−１００−ＭＰ）は、
実質上完全にホスホノメチル化されたものでこれを用い
て、実施例１記載の方法でテストした。結果を第１表に
示す。
＊ エチレンアミンＥ−１００は、ペンタエチレンヘキ
サミンおよびそれより高級のエチレンアミンの混合物で
あるDow Chemical Company の製品で、これらのポリマ
ーは平均分子量が約２７５、ピペラジン構造を有してい
る。
実施例6. 水道水に代えて脱イオン水を使用して実施例５の方法に
よりテストした。更に、マンガンを使用しない比較テス
ト（実施例Ｆ）もおこなつた。結果を第１表に示す。
実施例7. アミン水素の１０mol％が、２−ヒドロキシ−３−（ト
リメチルアンモニウムクロライド）プロピル基で置換さ
れ、その残りの実質上全部が、メチレンホスホン酸基に
より置換されたエチレンアミンＥ−１００（Ｅ−１００
−ＱＭＰ）を用い、実施例１記載と同条件下でテストし
た。タンク(3)（本実施例）および(4)（実施例Ｇ）に活
性な生成物１００ppmを仕込み、タンク(3)には、更にMn
Cl2・４H2Oをマンガン５ppmとして添加した。１０１８
炭素鋼電極の５日後の平均腐食速度は、タンク(3)で
０．７５mpy、タンク(4)で１．７mpyであつた。
実施例8. アミン水素の２５mol％が、２−ヒドロキシプロピルス
ルホン酸で置換され、その残りのアミン水素の実質上全
部が、メチレンホスホン酸基で置換されたエチレンジア
ミン（ＥＤＡ−ＨＰＳ−ＭＰ）を用い実施例１の方法に
よりテストした。テストは活性物質のみ１５０ppmおよ
びMnCl2・４H2O をマンガン７．５ppmとして併用で実施
した。マンガンを添加しない（実施例Ｈ）場合の５日後
の炭素鋼１０１８の平均腐食速度は１．５mpyであり、
マンガン添加の場合（本実施例）は、０．７mpyであつ
た。
実施例9. アミン水素の２５mol％が、２−ヒドロキシ−３−（ト
リメチルアンモニウムクロライド）プロピル基で置換さ
れ、かつその残りのアミン水素の実質上全部が、メチレ
ンホスホン酸基により置換された分子量１００，０００
以上の＊ポリアルキレンポリアミン（ＰＡＰＡ−ＱＭ
Ｐ）を用い実施例１の方法によりテストした。このテス
トは、このホスホン酸誘導体９４ppm単独使用（実施例
Ｉ）とこれとMnCl2・４H2O をマンガン５ppmとしての併
用との両方でおこなつた。テスト終了後の炭素鋼の平均
腐食速度は、マンガン無添加で２．５mpy、Ｍｎ添加の
場合０．３mpyであつた。
＊ このポリアルキレンポリアミンは、上述のＥ−１０
０生成物とエチレンジクロライド（ＥＤＣ）とを反応
し、分枝構造および環状リング例えばピペラジンを有す
る高分子量生成物を生成させることによりつくつた。
実施例10. 実施例５に記載の実質上完全にホスホノメチル化したエ
チレンアミンＥ−１００生成物とKMnO4とを使用し実施
例１の方法に従いテストを行なつた。ホスホノメチル化
エチレンアミンＥ−１００生成物の添加濃度は１００pp
m、KMnO4はマンガンとして５ppmの添加濃度であつた。
１０１８炭素鋼電極の最終平均腐食速度は、０．５８mp
yであつた。
つぎの対照例（ＪおよびＫ）では、非アミンベースのホ
スホン酸を使用したが、マンガンイオンを使用しても、
これらの誘導体による改良は見られなかつた。（第１表
参照）。
実施例ＪおよびＫ（両者共対照例） １−ヒドロキシエチリデン−１，１−ジホスホン酸（Ｈ
ＥＤＰ）およびＭnＣｌ2・４H2Oとしてマンガンイオン
を使用し、実施例１記載の方法によりテストをおこなつ
た。このテストではタンク(1)(K)および(2)(J)の両方に
活性ＨＥＤＰを１００ppm添加した。タンク(2)には、更
にMnCl2・４H2Oをマンガンとして５ppm添加した。炭素
鋼電極の平均腐食速度は、タンク(1)で７．８mpy、タン
ク(2)で８．２mpyであつた。
本発明ホスホン酸誘導体とＭn ++との併用による結果お
よび同じ誘導体とＺn ++との併用による結果を第２表に
示す。本発明による実施例を数字にて記し、対照例を第
１表と同じように記号にて示す。
実施例１１〜１４およびＬ−Ｐ いくつかのホスホノメチル化有機アミンとＭn ++イオン
とを併用（実施例５および１１〜１４）して実施例１の
方法によりテストをおこなつた。更に比較のために同じ
化合物を従来技術で一般的に記載されているＺn ++イオ
ンとを併用（実施例Ｌ−Ｐ）してテストした。これらの
化合物は、実施例５のＥ−１００−ＭＰ、実施例４のＤ
ＥＴＡ−ＰＭＰ、第２表の脚注に記載のポリＡＥＰ−Ｍ
Ｐ、実施例９のＰＡＰＡ−ＰＭＱおよびＨＥＥＤＡ−Ｔ
ＭＰである。マンガンイオンおよび亜鉛イオンは、同じ
モルベース（９×１０-5mol/）で比較した。
本発明に使用される有機アミノホスホン酸誘導体および
マンガンイオンは更に、一般的に冷却水システムに使用
される他の添加剤の存在下においても処理可能である。
勿論これらは、組合せ使用による悪影響がないものであ
る。代表的な添加剤は、ポリアクリレート、ポリメタク
リレート、ポリ無水マレイン酸、アクリレート／メタク
リレートおよびアクリレート／アクリルアミドのコポリ
マーのような分散剤：２，２−ジブロモ−２−ニトリロ
プロピオアミド、ビス（トリブチルスズ）オキシド、塩
素、二酸化塩素および塩化臭素、のような殺菌剤；消泡
剤等である。先に指摘したように悪影響がなければ、リ
ン酸エステル、ホスホネートおよびスルホネートのよう
なその他のイオンコントロール剤および亜鉛、ポリホス
ホネート、トリルトリアゾール等のような腐食防止剤を
併用することができる。
実施例15. ＤＥＴＡ−ＰＭＰ濃度３〜１０ppmでかつマンガンイオ
ン濃度０．２〜１．０ppmにした本発明品を工業スケー
ルの開放系循環冷却システムに応用した。更にスライム
および藻の繁殖を防止するため、冷却システム水を塩素
処理した。更に市販のポリアクリル酸ベースの分散剤、
非酸化性殺菌剤および消泡剤を添加した（必要量だけ添
加した）。炭素鋼およびアドミラルテイ黄銅の腐食速度
をポテンシオスタテイツク法および腐食サンプル片によ
り測定した。両者の測定結果、炭素鋼の最大腐食速度は
１．５mpyより小さく、アドミラルテイ黄銅のそれは、
０．１mpyより小さかつた。
フロントページの続き (72)発明者 ウイリアム・ドイス・スピアーズ アメリカ合衆国テキサス州77486，ウエス ト・コランビア，ウツドヘイバン・ドライ ブ 228 (56)参考文献 特開 昭51−75642（ＪＰ，Ａ) 特開 昭51−93742（ＪＰ，Ａ) 特開 昭51−93743（ＪＰ，Ａ)

Claims (21)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】窒素とリンとがアルキレンラジカルにより
    連結されている有機アミノホスホン酸誘導体とマンガン
    イオンを提供しうるマンガン化合物との組合せを含むこ
    とを特徴とする水が通る配管システムにおける金属腐食
    防止に有用な組成物。
  2. 【請求項２】連結アルキレンラジカルが、 （式中、ＸおよびＹは、独立に水素、ヒドロキシル、カ
    ルボキシル、ホスホン、その酸ラジカルの塩、あるい
    は、炭素原子が１〜１２個の炭化水素ラジカル；かつｎ
    は１〜３であり、ｎ＞１の場合、各ＸおよびＹは、いか
    なる炭素上に存在する他のＸあるいはＹと同じものであ
    ってもあるいは異なるものであってもよい条件である） である特許請求の範囲第１項記載の組成物。
  3. 【請求項３】有機アミノホスホン酸誘導体が、 （式中、Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ，ＥおよびＦは、独立に、 水素、 ２−ヒドロキシ−３− （トリアルキルアンモニウムハライド）プロピル、およ
    び２−ヒドロキシプロピルスルホン酸基あるいはこれら
    の酸ラジカルの塩；Ｘ，Ｙおよびｎは、前述のもの；
    Ｘ′およびＹ′は独立に水素、メチルあるいはエチルラ
    ジカル；ｎ′は、２あるいは３；かつｍおよびｍ′は、
    それぞれ０〜２５００であり、アミン水の少なくとも５
    ０％は、上述のようなリン含有基により置換されている
    条件である；更にＲは、線状、分岐状、環式、複素環
    式、置換複素環式、あるいは縮合環式−タイプ構造の炭
    化水素残基であり；ｍあるいはｍ′１の場合、Ｅおよ
    びＦ置換基は、いかなる他の窒素原子の他の置換基と同
    じものであってもあるいは異なるものであってもよく、
    かつ各Ｒは、いかなる他のＲと同じであってもあるいは
    異なるものであってもよいと云う条件である。） の構造を有する特許請求の範囲第１項記載の組成物。
  4. 【請求項４】ｍが０であり、かつＲが−ＣＨ2ＣＨ2−で
    ある、特許請求の範囲第３項記載の組成物。
  5. 【請求項５】Ａ，Ｂ，ＣおよびＤが独立に、 ２−ヒドロキシプロピルスルホン酸基あるいは、それら
    の塩である特許請求の範囲第４項記載の組成物。
  6. 【請求項６】置換基の２５ｍｏｌ％が、２−ヒドロキシ
    プロピルスルホン酸基でその残りの実質上全部が、 あるいは酸基の塩、ＸおよびＹが水素、かつｎが１であ
    る特許請求の範囲第５項記載の組成物。
  7. 【請求項７】ｍが１、Ｒが−ＣＨ2ＣＨ2−、かつｍ′が
    ０である、特許請求の範囲第３項記載の組成物。
  8. 【請求項８】置換基の実質上全部、Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄおよ
    びＥが、 その塩、あるいはそれらの混合物、ＸおよびＹがそれぞ
    れ、水素、かつｎが１である特許請求の範囲第７項記載
    の組成物。
  9. 【請求項９】窒素置換基の少なくとも１個が、 である特許請求の範囲第４項記載の組成物。
  10. 【請求項１０】Ｘ′およびＹ′がそれぞれ水素である特
    許請求の範囲第９項記載の組成物。
  11. 【請求項１１】ｎ′が２、残りの窒素置換基の実質上全
    部が、 あるいは、その塩、ＸおよびＹがそれぞれ水素かつｎが
    １である特許請求の範囲第１０項記載の組成物。
  12. 【請求項１２】有機アミノホスホン酸が、アミン水素の
    少なくとも５０％がメチレンホスホン酸基あるいはその
    塩により置換されているポリアルキレンポリアミンから
    誘導される特許請求の範囲第１項記載の組成物。
  13. 【請求項１３】アミン水素の少なくとも１０％が、２−
    ヒドロキシ−３−（トリアルキルアンモニウムハライ
    ド）プロピル基により置換されかつその残りの実質上全
    部がメチレンスルホン酸基あるいはその塩により置換さ
    れている特許請求の範囲第１２項記載の組成物。
  14. 【請求項１４】アミン水素の少なくとも２５％が、２−
    ヒドロキシ−３−（トリアルキルアンモニウムハライ
    ド）プロピル基により置換され、かつその残りの実質上
    全部がメチレンホスホン酸基あるいはその塩により置換
    されている特許請求の範囲第１２項記載の組成物。
  15. 【請求項１５】ポリアルキレンポリアミン先駆体が平均
    分子量２７５である特許請求の範囲第１３項記載の組成
    物。
  16. 【請求項１６】ポリアルキレンポリアミン先駆体が平均
    分子量１００，０００である特許請求の範囲第１４項記
    載の組成物。
  17. 【請求項１７】アミン水素の実質上全部がメチレンホス
    ホン酸基あるいはその塩により置換されている特許請求
    の範囲第１２項記載の組成物。
  18. 【請求項１８】先駆体アミンがアミノエチルピペラジン
    とエチレンジクロライドとのモル比が、それぞれ、１：
    ０．５６の反応生成物である特許請求の範囲第１７項記
    載の組成物。
  19. 【請求項１９】ポリアルキレンポリアミン先駆体が平均
    分子量２７５である特許請求の範囲第１７項記載の組成
    物。
  20. 【請求項２０】マンガンイオンが使用前にアミノホスホ
    ン酸誘導体で錯化されている、特許請求の範囲１〜１９
    項のいずれか一つに記載の組成物。
  21. 【請求項２１】窒素とリンとがアルキレンラジカルによ
    り連結されている有機アミノホスホン酸誘導体とマンガ
    ンイオンを含む水が通る配管システムにおける金属腐食
    防止に有用なコンプレックス。
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