JPS6167901A - 抵抗組成物及びそれよりなる厚膜抵抗体 - Google Patents
抵抗組成物及びそれよりなる厚膜抵抗体Info
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- JPS6167901A JPS6167901A JP59190411A JP19041184A JPS6167901A JP S6167901 A JPS6167901 A JP S6167901A JP 59190411 A JP59190411 A JP 59190411A JP 19041184 A JP19041184 A JP 19041184A JP S6167901 A JPS6167901 A JP S6167901A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
監１」２化五１」υＬ
本発明は、絶縁基板上に焼付けして厚膜抵抗体を形成す
るための抵抗組成物、特にアルミナ系セラミック以外の
、熱膨張率の異なる種々の絶縁基板に適合する抵抗組成
物及びそれから製造される厚膜抵抗体に関する。
るための抵抗組成物、特にアルミナ系セラミック以外の
、熱膨張率の異なる種々の絶縁基板に適合する抵抗組成
物及びそれから製造される厚膜抵抗体に関する。
従来の技術
従来よりＲＬＩ ０２ 、Ｒｕ系多成分酸化物、Ａ（１
、Ｐｄなとの導電成分と、ガラス質フリットと、必要に
応じて添加剤とを有機ビヒクル中に分散させた抵抗組成
物をアルミナ等のセラミック基板上に印刷、焼成して、
厚膜抵抗体を製造することが知られている。厚膜抵抗体
の抵抗値は、導電成分とガラス質フリットの比でほぼ決
まり、金属酸化物などの添加剤を適宜用いてＴＣＰ等の
特性の調整を行っている。
、Ｐｄなとの導電成分と、ガラス質フリットと、必要に
応じて添加剤とを有機ビヒクル中に分散させた抵抗組成
物をアルミナ等のセラミック基板上に印刷、焼成して、
厚膜抵抗体を製造することが知られている。厚膜抵抗体
の抵抗値は、導電成分とガラス質フリットの比でほぼ決
まり、金属酸化物などの添加剤を適宜用いてＴＣＰ等の
特性の調整を行っている。
発明、が解決すべき問題点
近年、抵抗回路基板として磁器被覆金属基板等の絶縁し
た金属基板、炭化珪素、窒化アルミニウムなど種々の基
板が開発されており、実用に供せられるようになってき
た。
た金属基板、炭化珪素、窒化アルミニウムなど種々の基
板が開発されており、実用に供せられるようになってき
た。
ところが従来の抵抗組成物は、はとんどが９６％アルミ
ナなどのアルミナ系セラミック基板に使用することを前
提として設計されているため、上記の新しい基板に適用
すると、アルミナ基板に適用した場合とは異なる抵抗特
性を示す。この傾向は特に抵抗値及びＴＣＲ（抵抗温度
係数）特性において顕著である。このため、従来より抵
抗特性制御のために選択して添加していた金ｊｉｌ１Ｍ
化物等の添加剤や導電粒子、ガラスの粒径、組成等を再
検討し、全面的に設計し直す必要を生じるが、この作業
には困難が伴う。
ナなどのアルミナ系セラミック基板に使用することを前
提として設計されているため、上記の新しい基板に適用
すると、アルミナ基板に適用した場合とは異なる抵抗特
性を示す。この傾向は特に抵抗値及びＴＣＲ（抵抗温度
係数）特性において顕著である。このため、従来より抵
抗特性制御のために選択して添加していた金ｊｉｌ１Ｍ
化物等の添加剤や導電粒子、ガラスの粒径、組成等を再
検討し、全面的に設計し直す必要を生じるが、この作業
には困難が伴う。
本発明者らは、抵抗特性が基板によって変化するのは、
主として抵抗体と基板間の熱膨張特性の差と抵抗体−基
板間の化学的相互作用の違いによるのであり、特に基板
の熱膨張係数が抵抗値とＴＣＲに大きな影響を与えるこ
とを見出した。即ち、従来の抵抗組成物ではおよそ６０
〜７５Ｘ１０−”７℃の熱膨張係数を有するガラス質フ
リットを用いているが、これを他の基板に適用した場合
、中抵抗〜高抵抗域において、鉄、ステンレス鋼、銅な
ど熱膨張係数がアルミナ系セラミック（約７５’ＸＩＯ
”’／’Ｃ）より大きい基板ではアルミナ基板に比べて
シート抵抗がやや小さく、かつＴＣＰが＋側にシフトし
、ムライト、炭化珪素、窒化アルミニウム等熱膨張係数
がアルミナより小ざい基板では逆にシート抵抗がやや高
めに、ＴＣＲは一側に大きくシフトする。更にアルミナ
以外では、高抵抗域で抵抗値が一般に楊めて不安定にな
る。例えばＴＣＲと抵抗値の関係を調べると、第１図に
示すごとく、基板の熱膨張係数の違いによって変化する
傾向がある。第１図は、ＲＩｊＯｚ／ガラス質フリット
質重リット５０１５０〜１０／９０の範囲で、添加剤に
よるＴＣＲ調整をしていない従来のＲＩＪ ０２系抵抗
組成物（ガラスの熱膨張係数約７０ｘ１０−’／’Ｃ）
をアルミナ基板（■〉、アルミナより膨張率の大きいス
テンレス鋼基板（■）、及び小さいムライト基板（■）
上にそれぞれ印刷、焼付けし、シート抵抗値とＴＣＲの
関係を調べたものである。（但し、基板はいずれも抵抗
体−基板間の反応を同一条件にするため、グレーズしで
ある。、） 抵抗特性が上述のように変化する理由は、次のように考
えられる。
主として抵抗体と基板間の熱膨張特性の差と抵抗体−基
板間の化学的相互作用の違いによるのであり、特に基板
の熱膨張係数が抵抗値とＴＣＲに大きな影響を与えるこ
とを見出した。即ち、従来の抵抗組成物ではおよそ６０
〜７５Ｘ１０−”７℃の熱膨張係数を有するガラス質フ
リットを用いているが、これを他の基板に適用した場合
、中抵抗〜高抵抗域において、鉄、ステンレス鋼、銅な
ど熱膨張係数がアルミナ系セラミック（約７５’ＸＩＯ
”’／’Ｃ）より大きい基板ではアルミナ基板に比べて
シート抵抗がやや小さく、かつＴＣＰが＋側にシフトし
、ムライト、炭化珪素、窒化アルミニウム等熱膨張係数
がアルミナより小ざい基板では逆にシート抵抗がやや高
めに、ＴＣＲは一側に大きくシフトする。更にアルミナ
以外では、高抵抗域で抵抗値が一般に楊めて不安定にな
る。例えばＴＣＲと抵抗値の関係を調べると、第１図に
示すごとく、基板の熱膨張係数の違いによって変化する
傾向がある。第１図は、ＲＩｊＯｚ／ガラス質フリット
質重リット５０１５０〜１０／９０の範囲で、添加剤に
よるＴＣＲ調整をしていない従来のＲＩＪ ０２系抵抗
組成物（ガラスの熱膨張係数約７０ｘ１０−’／’Ｃ）
をアルミナ基板（■〉、アルミナより膨張率の大きいス
テンレス鋼基板（■）、及び小さいムライト基板（■）
上にそれぞれ印刷、焼付けし、シート抵抗値とＴＣＲの
関係を調べたものである。（但し、基板はいずれも抵抗
体−基板間の反応を同一条件にするため、グレーズしで
ある。、） 抵抗特性が上述のように変化する理由は、次のように考
えられる。
抵抗体焼成後、常温まで冷却すると、膨張率が抵抗組成
物中のガラス質フリットより大きい基板は、熱収縮が大
きいため抵抗体に圧縮応力がかかる。この抵抗体を常温
から昇温すると、応力が少し解放され、抵抗値が高くな
る方向に、即ちＴＣＲが十にシフトする。基板の膨張係
数の方が小さい場合は、逆に冷却後常温では抵抗体は引
張り応力を受は抵抗値は高めにでるが、温度が上がると
引張り応力は少し解放されて抵抗値が低くなる方向に、
即ちＴＣＰが一側にシフトする。又、ガラスと基板間の
熱膨張の差が大きいと抵抗体にかかる応力も大きくなり
、わずかな温度差によって抵抗値が変動し易く、安定し
た抵抗値を示さなくなるものと思われる。
物中のガラス質フリットより大きい基板は、熱収縮が大
きいため抵抗体に圧縮応力がかかる。この抵抗体を常温
から昇温すると、応力が少し解放され、抵抗値が高くな
る方向に、即ちＴＣＲが十にシフトする。基板の膨張係
数の方が小さい場合は、逆に冷却後常温では抵抗体は引
張り応力を受は抵抗値は高めにでるが、温度が上がると
引張り応力は少し解放されて抵抗値が低くなる方向に、
即ちＴＣＰが一側にシフトする。又、ガラスと基板間の
熱膨張の差が大きいと抵抗体にかかる応力も大きくなり
、わずかな温度差によって抵抗値が変動し易く、安定し
た抵抗値を示さなくなるものと思われる。
間 １、を解決するための手段
本発明者らは、抵抗組成物に用いるガラスの熱膨張特性
を検討した結果、絶縁基板の熱膨張係数に極めて近い熱
膨張係数を有するガラス質フリットを用いれば、アルミ
ナ以外の基板を用いた場合にもアルミナ上とほぼ同じ抵
抗特性を示すことを見出した。これにより、当技術分野
において既に確立され常用されている、アルミナ基板を
用いた場合の抵抗体の製造技術を、他の基板にそのまま
適用できるという重要な効果がもたらされる。
を検討した結果、絶縁基板の熱膨張係数に極めて近い熱
膨張係数を有するガラス質フリットを用いれば、アルミ
ナ以外の基板を用いた場合にもアルミナ上とほぼ同じ抵
抗特性を示すことを見出した。これにより、当技術分野
において既に確立され常用されている、アルミナ基板を
用いた場合の抵抗体の製造技術を、他の基板にそのまま
適用できるという重要な効果がもたらされる。
即ち本発明は、導電性微粉末とガラス質フリットとを主
成分とする抵抗組成物において、熱膨張係数が絶縁基板
の熱膨張係数と略々等しいガラス質フリットを用いるこ
とを特徴とする抵抗組成物、及びこの組成物を絶縁基板
上に焼付けてなる厚膜抵抗体に関するものである。
成分とする抵抗組成物において、熱膨張係数が絶縁基板
の熱膨張係数と略々等しいガラス質フリットを用いるこ
とを特徴とする抵抗組成物、及びこの組成物を絶縁基板
上に焼付けてなる厚膜抵抗体に関するものである。
熱膨張係数は完全に一致させる必要はなく、はぼ同等で
あれば、抵抗値が安定し、従来の抵抗組成物とアルミナ
基板の組み合わせで得られる抵抗特性と近似の関係が、
それぞれの基板に対して保たれる。ガラス質フリットの
熱膨張係数の許容範囲は、基板やガラスの性質によって
も異なるが、およそ（基板の熱膨張係数）±（１５×１
０−７／℃）程度であり、望ましくは±１０Ｘ１０−’
／’Ｃ１特に±５Ｘ１０−’／℃の範囲がよい。ガラス
の熱膨張係数が基板より小さい方が、特性的にはより良
好である。
あれば、抵抗値が安定し、従来の抵抗組成物とアルミナ
基板の組み合わせで得られる抵抗特性と近似の関係が、
それぞれの基板に対して保たれる。ガラス質フリットの
熱膨張係数の許容範囲は、基板やガラスの性質によって
も異なるが、およそ（基板の熱膨張係数）±（１５×１
０−７／℃）程度であり、望ましくは±１０Ｘ１０−’
／’Ｃ１特に±５Ｘ１０−’／℃の範囲がよい。ガラス
の熱膨張係数が基板より小さい方が、特性的にはより良
好である。
具体的には、例えば熱膨張係数の大きい鉄基板（約１２
０ｘ１０−’／’Ｃ） 、フェライト系やマルテンサイ
ト系ステンレス鋼板、（９５〜１００Ｘ１０−’／’Ｃ
）、磁器被覆鋼基板（１００〜１３０Ｘ１０−’／’Ｃ
）などの場合、ガラス質フリットも８５〜１３０Ｘ１０
−’／”０位の大きいものを用いる。しかしあまり膨張
率の大きいガラスは、化学組成の関係で抵抗用としての
他の特性が適当でないことが多いので、オーステナイト
系ステンレス鋼板や銅（約１７０×１０−７／℃）など
の場合でも、実際には１１０〜１４０Ｘ１０−’／’Ｃ
程度までが限界である。一方低膨張のムライト質セラミ
ック（４０〜５５Ｘ１０−’／”Ｃ）の場合は、４０〜
６５ｘｌＯ−’／”Ｃ程度、炭化珪素系セラミック（約
４０ｘ１０−’／’Ｃ）で４０〜５５Ｘ１０−’／℃程
度、窒化アルミニウム系セラミック（約４０〜５０Ｘ１
０−’／’Ｃ）で４０〜６０ｘ１０−’／’Ｃ程度のガ
ラス質フリットを使用する。
０ｘ１０−’／’Ｃ） 、フェライト系やマルテンサイ
ト系ステンレス鋼板、（９５〜１００Ｘ１０−’／’Ｃ
）、磁器被覆鋼基板（１００〜１３０Ｘ１０−’／’Ｃ
）などの場合、ガラス質フリットも８５〜１３０Ｘ１０
−’／”０位の大きいものを用いる。しかしあまり膨張
率の大きいガラスは、化学組成の関係で抵抗用としての
他の特性が適当でないことが多いので、オーステナイト
系ステンレス鋼板や銅（約１７０×１０−７／℃）など
の場合でも、実際には１１０〜１４０Ｘ１０−’／’Ｃ
程度までが限界である。一方低膨張のムライト質セラミ
ック（４０〜５５Ｘ１０−’／”Ｃ）の場合は、４０〜
６５ｘｌＯ−’／”Ｃ程度、炭化珪素系セラミック（約
４０ｘ１０−’／’Ｃ）で４０〜５５Ｘ１０−’／℃程
度、窒化アルミニウム系セラミック（約４０〜５０Ｘ１
０−’／’Ｃ）で４０〜６０ｘ１０−’／’Ｃ程度のガ
ラス質フリットを使用する。
抵抗組成物を適用する絶縁基板は、金属基板であればグ
レーズや琺瑯被覆によって絶縁化したものを用いる。セ
ラミック系基板はグレーズしたものでもグレーズしてい
ないものでも、効果は変わらない。
レーズや琺瑯被覆によって絶縁化したものを用いる。セ
ラミック系基板はグレーズしたものでもグレーズしてい
ないものでも、効果は変わらない。
抵抗組成物には従来から用いられている添加剤を適宜配
合して、ＴＣＲ，耐湿性、耐摩耗性、レーザトリミング
性など種々の特性を改善することができる。代表的な添
加剤としてはＣＬＩ、Ａｌ、Ｔｉ１Ｍｎ１Ｚｒ、Ｓｂ、
Ｓｉ、Ｔｈ、Ｌａ。
合して、ＴＣＲ，耐湿性、耐摩耗性、レーザトリミング
性など種々の特性を改善することができる。代表的な添
加剤としてはＣＬＩ、Ａｌ、Ｔｉ１Ｍｎ１Ｚｒ、Ｓｂ、
Ｓｉ、Ｔｈ、Ｌａ。
Ｎｄ 、Ｐａ 、Ｓｍ等の金属の酸化物などが挙げられ
る。
る。
実施例
次に実施例によって本発明を説明する。
尚、比較のために用いた従来の抵抗組成物（以下Ｘシリ
ーズという。）は、熱膨張係数約７０×１０−’／’Ｃ
の硼珪酸鉛系ガラス質フリットと、Ｒｔｌ ０２微粉末
、及び必要により添加剤を抵抗値に応じて適宜配合し、
有機ビヒクル中に分散させてペースト状にしてなるもの
である。添加剤は、ＴＣＲがほぼＯに近くなるように、
低抵抗域ではＭｒ１０２及びＴｉ ０２ 、高抵抗域で
はＬａ２Ｏ３とＣｕＯをそれぞれおよそ０．５〜４重量
％の範囲で用い、中間抵抗域ではこれらを混合するが又
は全く添加しないものを用いた。
ーズという。）は、熱膨張係数約７０×１０−’／’Ｃ
の硼珪酸鉛系ガラス質フリットと、Ｒｔｌ ０２微粉末
、及び必要により添加剤を抵抗値に応じて適宜配合し、
有機ビヒクル中に分散させてペースト状にしてなるもの
である。添加剤は、ＴＣＲがほぼＯに近くなるように、
低抵抗域ではＭｒ１０２及びＴｉ ０２ 、高抵抗域で
はＬａ２Ｏ３とＣｕＯをそれぞれおよそ０．５〜４重量
％の範囲で用い、中間抵抗域ではこれらを混合するが又
は全く添加しないものを用いた。
実施例１
重量％でＰｂ０２０．５ｉ０２４２、Ｂ２Ｏ３３、Ａｌ
２０３５、Ｃａ０１８、Ｋ２Ｏ１、Ｂａ０４、Ｍり０２
からなる熱膨張係数約９８Ｘ１０−’／’Ｃのガラス質
フリット、ＲＵＯ２微粉末、及び必要により添加剤を混
合し、有機ビヒクル中に分散させて、約１０Ω／口〜１
ＭΩ／口の間の種々のシート抵抗を有する６種の抵抗組
成物を作った。添加剤はＸシリーズと同じものを用いて
、ＴＣＲがほぼＯに近くなるように調整した。
２０３５、Ｃａ０１８、Ｋ２Ｏ１、Ｂａ０４、Ｍり０２
からなる熱膨張係数約９８Ｘ１０−’／’Ｃのガラス質
フリット、ＲＵＯ２微粉末、及び必要により添加剤を混
合し、有機ビヒクル中に分散させて、約１０Ω／口〜１
ＭΩ／口の間の種々のシート抵抗を有する６種の抵抗組
成物を作った。添加剤はＸシリーズと同じものを用いて
、ＴＣＲがほぼＯに近くなるように調整した。
これらの抵抗組成物をグレーズしたステンレス鋼板（Ｓ
ＵＳ４３０．熱膨張係数約９５Ｘ１０−’／’Ｃ）上に
それぞれ印−〇、乾燥俊、８５０℃で焼成して抵抗体を
製造した。
ＵＳ４３０．熱膨張係数約９５Ｘ１０−’／’Ｃ）上に
それぞれ印−〇、乾燥俊、８５０℃で焼成して抵抗体を
製造した。
それぞれの抵抗体について、シート抵抗と２５゜℃〜１
２５℃におけるＴＣＰを測定し、その関係を第２図に曲
線Ａで示した。
２５℃におけるＴＣＰを測定し、その関係を第２図に曲
線Ａで示した。
比較として、Ｘシリーズの抵抗組成物を同様にグレーズ
したステンレス鋼板上に焼付けし、シート抵抗とＴＣＰ
の関係を、第２図に併せて曲線Ｂで示した。
したステンレス鋼板上に焼付けし、シート抵抗とＴＣＰ
の関係を、第２図に併せて曲線Ｂで示した。
尚、Ｘシリーズの抵抗組成物を９６％アルミナ基板上に
焼付けしたときの結果も、比較のため同様に曲線Ｃで示
した。
焼付けしたときの結果も、比較のため同様に曲線Ｃで示
した。
第２図から明らかなように、熱膨張係数の小さいガラス
質フリットを用いた場合は、曲線ＢのようにＴＣＲが大
きく子方向にずれる。又高抵抗側では、抵抗値が僅かな
温度の変化で変動し安定しないため、測定不可能であっ
た。これに対し本発明では、曲線へのように熱膨張係数
がステンレス鋼板に極めて近いガラス質フリットを用い
ることにより、従来の抵抗組成物をアルミナ基板に焼付
けたときの曲線Ｃとほぼ同等のＴＣＰ特性を示し、ＴＣ
ＲがＯ±５０１）ｌ）ｌの良好な抵抗体を製造すること
ができた。
質フリットを用いた場合は、曲線ＢのようにＴＣＲが大
きく子方向にずれる。又高抵抗側では、抵抗値が僅かな
温度の変化で変動し安定しないため、測定不可能であっ
た。これに対し本発明では、曲線へのように熱膨張係数
がステンレス鋼板に極めて近いガラス質フリットを用い
ることにより、従来の抵抗組成物をアルミナ基板に焼付
けたときの曲線Ｃとほぼ同等のＴＣＰ特性を示し、ＴＣ
ＲがＯ±５０１）ｌ）ｌの良好な抵抗体を製造すること
ができた。
実施例２
重ω％でＰｂ０３０．５ｉ０２５８．８２０３５、Ａｌ
２０３１、Ｃａ１ｌ、Ｋ２Ｏ３からなる熱膨張係数的８
５ｘ１０−’／’Ｃのガラス質フリット、ＲＬＩ０２微
粉末、添加剤を混合し、有機ビヒクル中に分散させて、
実施例１と同様に約１０〜１ＭΩ／口の間のシート抵抗
を有する６種の抵抗組成物を作った。
２０３１、Ｃａ１ｌ、Ｋ２Ｏ３からなる熱膨張係数的８
５ｘ１０−’／’Ｃのガラス質フリット、ＲＬＩ０２微
粉末、添加剤を混合し、有機ビヒクル中に分散させて、
実施例１と同様に約１０〜１ＭΩ／口の間のシート抵抗
を有する６種の抵抗組成物を作った。
これらの抵抗組成物を、実施例１と同様にグレーズした
ステンレス鋼板上に焼付けして抵抗体を製造し、シート
抵抗と２５℃〜１２５℃におけるＴＣＰを測定して第２
図に曲線Ａで示した。
ステンレス鋼板上に焼付けして抵抗体を製造し、シート
抵抗と２５℃〜１２５℃におけるＴＣＰを測定して第２
図に曲線Ａで示した。
比較としてＸシリーズの抵抗組成物を同様にステンレス
鋼板上に焼付けし、ＴＣＰとシート抵抗の関係を第３図
に曲線Ｂで示した。
鋼板上に焼付けし、ＴＣＰとシート抵抗の関係を第３図
に曲線Ｂで示した。
第３図から明らかなように、本発明の抵抗組成物により
ＴＣＲＯ±５０ ＤＩ）ｌの良好な抵抗体が得られた。
ＴＣＲＯ±５０ ＤＩ）ｌの良好な抵抗体が得られた。
実施例３
重量％でｐｂｏｉｏ、５ｉ０２４５、Ｂ２Ｏ３３、Ａｌ
２０３５、Ｃａ０１５、Ｂａ０１５、Ｋ２Ｏ３からなる
熱膨張係数的１１０Ｘ１０−’／”Ｃのガラス質フリッ
ト、ＲＬＩ ０２微粉末、添加剤を混合し、有機ビヒク
ル中に分散させて、実施例１と同様に６種の抵抗組成物
を作った。
２０３５、Ｃａ０１５、Ｂａ０１５、Ｋ２Ｏ３からなる
熱膨張係数的１１０Ｘ１０−’／”Ｃのガラス質フリッ
ト、ＲＬＩ ０２微粉末、添加剤を混合し、有機ビヒク
ル中に分散させて、実施例１と同様に６種の抵抗組成物
を作った。
これらの抵抗組成物、及び比較としてＸシリーズの抵抗
組成物を、実施例１と同様にグレーズしたステンレス鋼
板上にそれぞれ焼付けして抵抗体を製造し、シート抵抗
とＴＣＲの関係を第４図に曲線Ａ、８で示゛した。
組成物を、実施例１と同様にグレーズしたステンレス鋼
板上にそれぞれ焼付けして抵抗体を製造し、シート抵抗
とＴＣＲの関係を第４図に曲線Ａ、８で示゛した。
実施例４
実施例３で用いた抵抗組成物、及び比較としてＸシリー
ズの抵抗組成物を、磁器被覆鋼基板（熱膨張係数的１１
０ＸＩ Ｏ−’／’Ｃ）上にそれぞれ印刷し、乾燥後、
８５０℃で焼成して抵抗体を製造し、シート抵抗とＴＣ
Ｒの関係を第５図に曲線Ａ、Ｂで示した。
ズの抵抗組成物を、磁器被覆鋼基板（熱膨張係数的１１
０ＸＩ Ｏ−’／’Ｃ）上にそれぞれ印刷し、乾燥後、
８５０℃で焼成して抵抗体を製造し、シート抵抗とＴＣ
Ｒの関係を第５図に曲線Ａ、Ｂで示した。
実施例５
重量％でＰｂ０４１．５ｉ０２３９、Ｂ２０３１０、Ａ
ｌ２０３９、Ｋ２Ｏ１かうなる熱膨張係数的５５Ｘ１０
−’／Ｃ：のガラス質フリット、ＲｕＯ２微粉末、添加
剤を混合し、有機ビヒクル中に分散させて、実施例１と
同様にして６種の抵抗組成物を作った。
ｌ２０３９、Ｋ２Ｏ１かうなる熱膨張係数的５５Ｘ１０
−’／Ｃ：のガラス質フリット、ＲｕＯ２微粉末、添加
剤を混合し、有機ビヒクル中に分散させて、実施例１と
同様にして６種の抵抗組成物を作った。
これらの抵抗組成物、及び比較としてＸシリーズの抵抗
組成物を、グレーズしたムライト系セラミック基板（熱
膨張係数的５５Ｘ１０−’／’Ｃ）上にそれぞれ印刷し
、乾燥後、８５０℃で焼成して抵抗体を製造し、ＴＣＲ
とシート抵抗の関係を第６図に曲線Ａ、Ｂで示した。
組成物を、グレーズしたムライト系セラミック基板（熱
膨張係数的５５Ｘ１０−’／’Ｃ）上にそれぞれ印刷し
、乾燥後、８５０℃で焼成して抵抗体を製造し、ＴＣＲ
とシート抵抗の関係を第６図に曲線Ａ、Ｂで示した。
第６図から明らかなように、従来のガラス質フリットを
用いた場合は、ＴＣＲが大きく一方向にずれ、又高抵抗
側で抵抗値が安定しないが、ムライトに極めて近い熱膨
張係数を有するガラス質フリットを用いることにより、
従来の抵抗組成物をアルミナ基板に焼付けたときとほぼ
同等のＴＣＰ特性を示し、ＴＣＲがＯ±５０１）ｌ）ｌ
の優れた抵抗体を製造することができた。
用いた場合は、ＴＣＲが大きく一方向にずれ、又高抵抗
側で抵抗値が安定しないが、ムライトに極めて近い熱膨
張係数を有するガラス質フリットを用いることにより、
従来の抵抗組成物をアルミナ基板に焼付けたときとほぼ
同等のＴＣＰ特性を示し、ＴＣＲがＯ±５０１）ｌ）ｌ
の優れた抵抗体を製造することができた。
尚、実施例はすべてＲｕ ０２系抵抗を用いたが、他の
導電成分を使用したものでも効果は変わらない。
導電成分を使用したものでも効果は変わらない。
効果
本発明によれば、抵抗組成物中のガラス質フリットの熱
膨張係数を絶縁基板と合せることにより、広範囲の抵抗
域で極めて安定な抵抗値を示し、かつ従来のアルミナ基
板系の場合とほぼ同等のＴＣＲ特性が保たれるから、本
質的に抵抗組成物の設計を変える必要がなく、従来と同
じ技術を用いてＴＣＰを調整できる。従って異なる基板
に対しても、通常の導電成分／ガラス比、シート抵抗が
数Ω／口〜数ＭΩ／口の範囲でほぼＯに近いＴＣＰを有
する優れた抵抗シリーズを容易に製造することができ、
基板の多様化に迅速に対応することが可能となる。
膨張係数を絶縁基板と合せることにより、広範囲の抵抗
域で極めて安定な抵抗値を示し、かつ従来のアルミナ基
板系の場合とほぼ同等のＴＣＲ特性が保たれるから、本
質的に抵抗組成物の設計を変える必要がなく、従来と同
じ技術を用いてＴＣＰを調整できる。従って異なる基板
に対しても、通常の導電成分／ガラス比、シート抵抗が
数Ω／口〜数ＭΩ／口の範囲でほぼＯに近いＴＣＰを有
する優れた抵抗シリーズを容易に製造することができ、
基板の多様化に迅速に対応することが可能となる。
第１図は、熱膨張係数の異なる基板上に、ＴＣＲ調整を
していない従来の抵抗組成物を適用した場合の、シート
抵抗とＴＣＰの関係を示すグラフである。 第２図〜第６図は、実施例１〜５で製造された抵抗体の
シート抵抗とＴＣＨの関係を示すグラフであり、曲［Ｉ
Ａは本発明の抵抗組成物を、曲線Ｂは従来の抵抗組成物
を用いたもの、曲線Ｃは従来の抵抗組成物をアルミナ基
板に適用した場合である。 特許出願人 昭栄化学工業株式会社（フ。７ｕ＋ｄ
ｄ）８つ上 （つ。／ｕＪｄｄ）ｄつ上
していない従来の抵抗組成物を適用した場合の、シート
抵抗とＴＣＰの関係を示すグラフである。 第２図〜第６図は、実施例１〜５で製造された抵抗体の
シート抵抗とＴＣＨの関係を示すグラフであり、曲［Ｉ
Ａは本発明の抵抗組成物を、曲線Ｂは従来の抵抗組成物
を用いたもの、曲線Ｃは従来の抵抗組成物をアルミナ基
板に適用した場合である。 特許出願人 昭栄化学工業株式会社（フ。７ｕ＋ｄ
ｄ）８つ上 （つ。／ｕＪｄｄ）ｄつ上
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １．導電性微粉末とガラス質フリットと所望により添加
剤とからなる抵抗組成物において、熱膨張係数が絶縁基
板の熱膨張係数と略々等しいガラス質フリットを用いる
ことを特徴とする抵抗組成物。 ２．添加剤がＣｕ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｍｎ、Ｚｒ、Ｓｂ、Ｓ
ｉ、Ｔｈ、Ｌａ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍの酸化物から選ばれ
る１種又は２種以上である特許請求の範囲第１項記載の
抵抗組成物。 ３．絶縁基板と、その上に焼付けた導電性微粉末とガラ
スと所望により添加剤とからなる抵抗被膜より構成され
る抵抗体において、ガラスの熱膨張係数が絶縁基板の熱
膨張係数と略々等しいことを特徴とする厚膜抵抗体。 ４ 添加剤がＣｕ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｍｎ、Ｚｒ、Ｓｂ、Ｓ
ｉ、Ｔｈ、Ｌａ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍの酸化物から選ばれ
る１種又は２種以上である特許請求の範囲第３項記載の
厚膜抵抗体。 ５．絶縁基板として、アルミナ系セラミック以外の基板
を用いる特許請求の範囲第３項又は第４項記載の厚膜抵
抗体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59190411A JPS6167901A (ja) | 1984-09-11 | 1984-09-11 | 抵抗組成物及びそれよりなる厚膜抵抗体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59190411A JPS6167901A (ja) | 1984-09-11 | 1984-09-11 | 抵抗組成物及びそれよりなる厚膜抵抗体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6167901A true JPS6167901A (ja) | 1986-04-08 |
Family
ID=16257693
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59190411A Pending JPS6167901A (ja) | 1984-09-11 | 1984-09-11 | 抵抗組成物及びそれよりなる厚膜抵抗体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6167901A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08304200A (ja) * | 1995-05-09 | 1996-11-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 感歪み抵抗体ペーストおよびこれを用いた力学量センサ |
| US7282163B2 (en) | 2002-11-21 | 2007-10-16 | Tdk Corporation | Resistor paste, resistor, and electronic device |
| US7397340B2 (en) | 2003-11-04 | 2008-07-08 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Load sensor and its manufacturing method |
| JP2017043033A (ja) * | 2015-08-28 | 2017-03-02 | 住友金属鉱山株式会社 | 厚膜抵抗体およびサーマルヘッド |
| JP2017045906A (ja) * | 2015-08-28 | 2017-03-02 | 住友金属鉱山株式会社 | 厚膜抵抗体ペースト |
-
1984
- 1984-09-11 JP JP59190411A patent/JPS6167901A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08304200A (ja) * | 1995-05-09 | 1996-11-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 感歪み抵抗体ペーストおよびこれを用いた力学量センサ |
| US7282163B2 (en) | 2002-11-21 | 2007-10-16 | Tdk Corporation | Resistor paste, resistor, and electronic device |
| US7397340B2 (en) | 2003-11-04 | 2008-07-08 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Load sensor and its manufacturing method |
| JP2017043033A (ja) * | 2015-08-28 | 2017-03-02 | 住友金属鉱山株式会社 | 厚膜抵抗体およびサーマルヘッド |
| JP2017045906A (ja) * | 2015-08-28 | 2017-03-02 | 住友金属鉱山株式会社 | 厚膜抵抗体ペースト |
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