JPS6167263A - 半導体装置作製方法 - Google Patents
半導体装置作製方法Info
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- JPS6167263A JPS6167263A JP59189184A JP18918484A JPS6167263A JP S6167263 A JPS6167263 A JP S6167263A JP 59189184 A JP59189184 A JP 59189184A JP 18918484 A JP18918484 A JP 18918484A JP S6167263 A JPS6167263 A JP S6167263A
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- type semiconductor
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- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/135—Liquid crystal cells structurally associated with a photoconducting or a ferro-electric layer, the properties of which can be optically or electrically varied
- G02F1/1354—Liquid crystal cells structurally associated with a photoconducting or a ferro-electric layer, the properties of which can be optically or electrically varied having a particular photoconducting structure or material
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
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- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/1365—Active matrix addressed cells in which the switching element is a two-electrode device
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
ｌ門
「途喋ち利用分野」
この発明は、アクティブマトリックス方式による表示パ
ネル好ましくは液晶表示パネルを設けることにより、マ
イクロコンピュータ、ワードプロセッサまたはテレビ等
の表示部の固体化を図る半導体装置の作製方法に関する
ものである。
ネル好ましくは液晶表示パネルを設けることにより、マ
イクロコンピュータ、ワードプロセッサまたはテレビ等
の表示部の固体化を図る半導体装置の作製方法に関する
ものである。
この発明は、かかる固体表示装置と同一基板にライトベ
ン等を用いた光軌跡人力せしめ、マトリックス配列した
光検出装置により手書き文字等を検出せしめたパターン
書き込みを行う固体書き込み装置の作製方法に関する。
ン等を用いた光軌跡人力せしめ、マトリックス配列した
光検出装置により手書き文字等を検出せしめたパターン
書き込みを行う固体書き込み装置の作製方法に関する。
「従来の技術」
固体表示パネルは各絵素を独立に制御する方式が大面積
用として有効である。このようなアクティブ素子を用い
たパネルとして、１つの絶縁ゲイト型電界効果半導体装
置（ＩＧＦという）とそれに直列に連結した液晶素子と
よりなる１絵素を構成せしめ、これをＸ、Ｙ配線に連結
したマトリックス構成よりなるものがある。
用として有効である。このようなアクティブ素子を用い
たパネルとして、１つの絶縁ゲイト型電界効果半導体装
置（ＩＧＦという）とそれに直列に連結した液晶素子と
よりなる１絵素を構成せしめ、これをＸ、Ｙ配線に連結
したマトリックス構成よりなるものがある。
また、他の固体書き込み装置は文字等の筆圧による圧力
センサを平面に具備する感圧式手書き装置よりなるもの
がある。
センサを平面に具備する感圧式手書き装置よりなるもの
がある。
「発明が解決しようとする問題点」
しかし、このＩＧＦを用いた表示パネルにおいて、その
重合わせを伴う製造プロセスに必要なフォトマスク数は
６〜８枚も有し、そのため製造歩留りが低くなってしま
うことが予想される。
重合わせを伴う製造プロセスに必要なフォトマスク数は
６〜８枚も有し、そのため製造歩留りが低くなってしま
うことが予想される。
本発明はこのフォトマスク数を６〜８枚より３枚（１回
の精密重合わせ）とすることにより、その製造歩留りの
向上を図らんとするものである。
の精密重合わせ）とすることにより、その製造歩留りの
向上を図らんとするものである。
このためアクティブエレメントとその上側の電極とは概
略同一形状としてマトリックス構成の一方の電極・リー
ドとせしめている。
略同一形状としてマトリックス構成の一方の電極・リー
ドとせしめている。
加えて、感圧式の書き込み装置においては、その圧力に
対し信号検出が人の書き込み筆圧のバラツキにより微妙
である。また応答速度が遅い。加えて、この基板側に絶
えず局部圧力を加えるため基板側の疲労による破損がみ
られ、高い信頼性を期待し得ない。さらに、この固体表
示素子と感圧書き込みを一体化せんとすると、書き込み
の筆圧がその下面に設けられている液晶にも加わり、結
果として液晶自体の疲労または液晶の上下電極間に揺ら
ぎが生ずることによる液晶の表示コントラストのバラツ
キが発生する等の大きな信頬性低下の要因を本質的に内
在している。
対し信号検出が人の書き込み筆圧のバラツキにより微妙
である。また応答速度が遅い。加えて、この基板側に絶
えず局部圧力を加えるため基板側の疲労による破損がみ
られ、高い信頼性を期待し得ない。さらに、この固体表
示素子と感圧書き込みを一体化せんとすると、書き込み
の筆圧がその下面に設けられている液晶にも加わり、結
果として液晶自体の疲労または液晶の上下電極間に揺ら
ぎが生ずることによる液晶の表示コントラストのバラツ
キが発生する等の大きな信頬性低下の要因を本質的に内
在している。
「問題を解決するための手段」
本発明はかかる問題を解決するため、アクティブ素子を
制御する系としてＩＧＦを用いず、ダイナミック交流駆
動方式を採用したための非線型素子としてアモルファス
半導体等の水素またはハロゲン元素が添加された非単結
晶半導体よりなる複合ダイオードを用いたことを主とし
ている。
制御する系としてＩＧＦを用いず、ダイナミック交流駆
動方式を採用したための非線型素子としてアモルファス
半導体等の水素またはハロゲン元素が添加された非単結
晶半導体よりなる複合ダイオードを用いたことを主とし
ている。
かかる本発明に用いる非線形素子は、１つのＰＩＮ接合
とその上下にコンタクトを有する電極より構成されるダ
イオードを複数個用いるのではなく、一対のそれぞれの
電極とはオーム接角虻性を有するが、逆向整流特性を構
成する複合ダイオード構成の素子よりなるもので、その
代表例は、Ｎ型半導体−Ｉ型（以下真性または実質的に
真性という）半導体−Ｎ型半導体を積層して設けたＮＩ
Ｎ構造、即ちＮｌ接合とＩＮ接合とが電気的に逆向きに
連結され、かつ半導体として一体化したＮＩＮ接合を有
する半導体をはじめ、その変形であるＮＮ−Ｎ、ＮＰ−
Ｎ、ＰＩＰ。
とその上下にコンタクトを有する電極より構成されるダ
イオードを複数個用いるのではなく、一対のそれぞれの
電極とはオーム接角虻性を有するが、逆向整流特性を構
成する複合ダイオード構成の素子よりなるもので、その
代表例は、Ｎ型半導体−Ｉ型（以下真性または実質的に
真性という）半導体−Ｎ型半導体を積層して設けたＮＩ
Ｎ構造、即ちＮｌ接合とＩＮ接合とが電気的に逆向きに
連結され、かつ半導体として一体化したＮＩＮ接合を有
する半導体をはじめ、その変形であるＮＮ−Ｎ、ＮＰ−
Ｎ、ＰＩＰ。
ＰＰ−Ｐ、 ＰＮ−Ｐ、ＮＩＰＩＮまたはＰＩＮＩＰ接
合構造を有せしめた複合ダイオードである。
合構造を有せしめた複合ダイオードである。
かかる複合ダイオードは、ダイオード特性を互いに逆向
きに相対せしめ、そのビルドイン（立ち上がり）電圧（
しきい値）はＮｌ接合のＮ型半導体とＩ型半導体との差
（第４図（４１） 、 （４２） ）ま°たはＩ型半導
体に添加するＰまたはＮ型の不純物の濃度で決めること
ができる。さらにＮＩＰＩＮ接合とする場合はＮＩＰ接
合のしきい値電圧で決めることができる。このため、製
造プロセスを制御することにより、所望のしきい値電圧
を有する素子を作り得る。
きに相対せしめ、そのビルドイン（立ち上がり）電圧（
しきい値）はＮｌ接合のＮ型半導体とＩ型半導体との差
（第４図（４１） 、 （４２） ）ま°たはＩ型半導
体に添加するＰまたはＮ型の不純物の濃度で決めること
ができる。さらにＮＩＰＩＮ接合とする場合はＮＩＰ接
合のしきい値電圧で決めることができる。このため、製
造プロセスを制御することにより、所望のしきい値電圧
を有する素子を作り得る。
さらにこのＮＩＮ接合を有する半導体は、同様に光検出
素子（フォトセンサともいう）としても併用させ得る。
素子（フォトセンサともいう）としても併用させ得る。
このためこのフォトセンサを同じ基板上に何等の余分の
プロセス（厳密には固体表示装置に用いられる非線型素
子の遮光用の金属電極を除去する工程を加えるのみ）を
必要とせず、ライトペン等を用いた光軌跡を検知する固
体書き込みを実行することができる。
プロセス（厳密には固体表示装置に用いられる非線型素
子の遮光用の金属電極を除去する工程を加えるのみ）を
必要とせず、ライトペン等を用いた光軌跡を検知する固
体書き込みを実行することができる。
本発明は、１つの大きな基板にマトリックス構成せしめ
て、面としての固体表示、光軌跡検出を実行させ得る。
て、面としての固体表示、光軌跡検出を実行させ得る。
その際複合ダイオードの外周辺とマトリックスを構成す
るＸ方向の電極・リード（第１図においてＸ方向をＹ方
向と言い換えてもいいが、ここでは図面の横軸をＸ方向
と簡単のために記す）とが概略同一形状を有する１つの
マスク合わ廿を行うのみで完成してしまうため、一方の
基板側に設けられる液晶表示の一方の電極（第１の電極
）と連結した非線型素子およびそれに連結したＸ配線の
形成に必要なマスクの数は３枚のみ（１回の精密なマス
ク合わせ）でプロセスさせることができる。この構造の
代表例を第２図、第５図及び第ε図に示しである。
るＸ方向の電極・リード（第１図においてＸ方向をＹ方
向と言い換えてもいいが、ここでは図面の横軸をＸ方向
と簡単のために記す）とが概略同一形状を有する１つの
マスク合わ廿を行うのみで完成してしまうため、一方の
基板側に設けられる液晶表示の一方の電極（第１の電極
）と連結した非線型素子およびそれに連結したＸ配線の
形成に必要なマスクの数は３枚のみ（１回の精密なマス
ク合わせ）でプロセスさせることができる。この構造の
代表例を第２図、第５図及び第ε図に示しである。
このため、固体表示素子である例えば液晶に対し、交流
バイアスを液晶の他方の電極（第６の電極）リードに印
加しそのレベルを制御することにより階調制御も可能で
あるという特徴を有する。
バイアスを液晶の他方の電極（第６の電極）リードに印
加しそのレベルを制御することにより階調制御も可能で
あるという特徴を有する。
「作用」
本発明は、光軌跡方式による固体書き込み装置と固体表
示装置とが一体化している。このため、これまでのマイ
クロコンピュータの如き目の位置と指の位置が異なる場
合に生じた作業者の首の疲労がなくなり、また指もキー
ボードではな（ライトペン方式を用いた新筆が伴う光軌
跡を利用する方式であるため、ワードプロセッサを学習
に使用する在宅学習システムに対し、文字等をライトペ
ンで書く作業を伴うため学習効果を高め得る。
示装置とが一体化している。このため、これまでのマイ
クロコンピュータの如き目の位置と指の位置が異なる場
合に生じた作業者の首の疲労がなくなり、また指もキー
ボードではな（ライトペン方式を用いた新筆が伴う光軌
跡を利用する方式であるため、ワードプロセッサを学習
に使用する在宅学習システムに対し、文字等をライトペ
ンで書く作業を伴うため学習効果を高め得る。
また光軌跡を基板上を前述した如く時間的に移動させる
のではなく、所定の位置に複数の光点または光軌跡を与
えることにより、キーボードを筆正方式より光タッチ方
式のキーボードとすることができる。
のではなく、所定の位置に複数の光点または光軌跡を与
えることにより、キーボードを筆正方式より光タッチ方
式のキーボードとすることができる。
本発・明において、固体表示の液晶の他方の電極を３分
割し、それぞれの分割された電極またはそれぞれのアク
ティブ素子の他方の電極（第６の電 “極）に対応して
赤（Ｒという）、緑（Ｇという）、青（Ｂとイウ）のフ
ィルタを通すことにより、フルカラー表示を行うことが
できる。加えてこの液晶の他方の電極（第６の電極リー
ド）に対し独立に電圧を加えＲ，Ｇ、Ｂに対する階調を
行うことができる。
割し、それぞれの分割された電極またはそれぞれのアク
ティブ素子の他方の電極（第６の電 “極）に対応して
赤（Ｒという）、緑（Ｇという）、青（Ｂとイウ）のフ
ィルタを通すことにより、フルカラー表示を行うことが
できる。加えてこの液晶の他方の電極（第６の電極リー
ド）に対し独立に電圧を加えＲ，Ｇ、Ｂに対する階調を
行うことができる。
以下に実施例に従って本発明を説明する。
「実施例１」
第１図は本発明の固体表示装置および固体書き込み装置
の等価回路（２×２のマトリックスの場合）を示す。
の等価回路（２×２のマトリックスの場合）を示す。
図面において基板上に設けられたアクティブエレメント
（１）は光検出素子（フォトセンサ）（４）と非線型素
子（２）と液晶（３）とよりなっている。このエレメン
トには、液晶（３）の一方の電極（１０）（第１の電極
）とそれに連結した非線型素子（２）の電極（第２の電
極）（５）が設けられる。この非線型素子はＸ配線（リ
ードともいう）のアドレス線（１６）に第３の電極（７
）により連結し、またこのＸ配線は同時にフォトセンサ
（４）の第４の電極（８）に連結している。他方、フォ
トセンサ（４）の他の電極（第５の電極）（９）は基板
上の透光性導電膜により設けられたＹ配線リード（１８
）に連結し、その結果、フォトセンサはｘＹマトリック
スを構成した配線の交点に位置せしめることができる。
（１）は光検出素子（フォトセンサ）（４）と非線型素
子（２）と液晶（３）とよりなっている。このエレメン
トには、液晶（３）の一方の電極（１０）（第１の電極
）とそれに連結した非線型素子（２）の電極（第２の電
極）（５）が設けられる。この非線型素子はＸ配線（リ
ードともいう）のアドレス線（１６）に第３の電極（７
）により連結し、またこのＸ配線は同時にフォトセンサ
（４）の第４の電極（８）に連結している。他方、フォ
トセンサ（４）の他の電極（第５の電極）（９）は基板
上の透光性導電膜により設けられたＹ配線リード（１８
）に連結し、その結果、フォトセンサはｘＹマトリック
スを構成した配線の交点に位置せしめることができる。
他方、液晶（３）の第６の電極（６）は相対する他の基
板上に設けられた透光性のＸ配線のデータ線（１４）に
連結している。このＸ＆！線、Ｙ＆！線は同一絶縁基板
代表的にはガラス基板（第５図（＾）、（Ｂ）、（Ｃ）
、第６図（＾）、（Ｂ）における（２０） ）上に設け
られてフォトセンサをマトリックス構成させている。ま
た、液晶（３）はＸ配線を有する基板（２０）とＸ配線
を有する他の基板（２１）とではさまれてマトリックス
構成せしめている。
板上に設けられた透光性のＸ配線のデータ線（１４）に
連結している。このＸ＆！線、Ｙ＆！線は同一絶縁基板
代表的にはガラス基板（第５図（＾）、（Ｂ）、（Ｃ）
、第６図（＾）、（Ｂ）における（２０） ）上に設け
られてフォトセンサをマトリックス構成させている。ま
た、液晶（３）はＸ配線を有する基板（２０）とＸ配線
を有する他の基板（２１）とではさまれてマトリックス
構成せしめている。
かかるアクティブエレメントをマトリックス構成せしめ
、図面では２×２とした。これはスケール・アップした
表示装置例えば（アクティブエレメント数が６４０ Ｘ
５２５）としても同一技術思想である。
、図面では２×２とした。これはスケール・アップした
表示装置例えば（アクティブエレメント数が６４０ Ｘ
５２５）としても同一技術思想である。
かくの如き１つのＮＩＮ接合を有する半導体の積層体に
より一方の固体表示素子の制御用を他方のフォトセンサ
の半導体として用いたものである。
より一方の固体表示素子の制御用を他方のフォトセンサ
の半導体として用いたものである。
かかる非線型素子及びフォトセンサの構成及び特性の例
を第２図、第３図に示している。
を第２図、第３図に示している。
この第２図を以下に略記する。
第２図（Ａ）は実際の非線型素子構造の縦断面図を示し
ている。
ている。
即ち第２図（八）においてガラス基板（２０）上の透光
性導電膜（３１）、 遮光用クロムマスク（３２）より
なる第２の電極（５） 、 Ｎ （３３） Ｉ （３４
） Ｎ （３５）半導体積層体よりなるＮＩＮ接合型複
合ダイオード（２） 、 遮光用クロムマスク（３６）
、アルミニューム導体（３７）よりなる１００μ口の
面積の第３の電極（７）よりなっている。
性導電膜（３１）、 遮光用クロムマスク（３２）より
なる第２の電極（５） 、 Ｎ （３３） Ｉ （３４
） Ｎ （３５）半導体積層体よりなるＮＩＮ接合型複
合ダイオード（２） 、 遮光用クロムマスク（３６）
、アルミニューム導体（３７）よりなる１００μ口の
面積の第３の電極（７）よりなっている。
この作製方法を略記する。即ち、絶縁性基板を有する基
板、代表的にはガラスｖｉ（１）上に５００〜５０００
人の厚さの酸化スズ、ＩＴＯ等の透光性導電膜（ＣＴＦ
と略す）（２）を第１のフォトマスク■を用いて形成す
る。この時、このＣＴＦ上の遮光用のクロム（４）も同
様にエツチングする。
板、代表的にはガラスｖｉ（１）上に５００〜５０００
人の厚さの酸化スズ、ＩＴＯ等の透光性導電膜（ＣＴＦ
と略す）（２）を第１のフォトマスク■を用いて形成す
る。この時、このＣＴＦ上の遮光用のクロム（４）も同
様にエツチングする。
つぎにこの上面に公知のプラズマＣＶＩ）法、光ＣＶＤ
法を用いてシランまたはシランにＮ型不純物用のフォス
ヒンを添加して、第１のＮ型半導体層（５）（７００人
）、■型半導体層（６） （４０００人）、Ｎ型半導体
層（７） （７００人）を漸次積層して形成した。さら
に遮光用及びアルミニュームと半導体との反応防止用に
クロム（８）を５００〜３０００人の厚さに形成した。
法を用いてシランまたはシランにＮ型不純物用のフォス
ヒンを添加して、第１のＮ型半導体層（５）（７００人
）、■型半導体層（６） （４０００人）、Ｎ型半導体
層（７） （７００人）を漸次積層して形成した。さら
に遮光用及びアルミニュームと半導体との反応防止用に
クロム（８）を５００〜３０００人の厚さに形成した。
アルミニューム（９）を０．５〜１．５μの厚さに形成
した。
した。
かくして、ＮＩＮ構造が設けられ場合は、第２図（Ｂ）
にその等価記号が記されており、最も代表的なものであ
る。
にその等価記号が記されており、最も代表的なものであ
る。
さらにこの１層に対しＮ型用不純物を少し添加したＮ−
、Ｐ型用不純物を少し添加したＰ−とじて、ＮＮ−Ｎ、
ＮＰ−Ｐとしてしきい値を制御することは有効である
。この工型半導体を局部的にＰ、Ｐ−とすることにより
、ＮＩＰＩＮ、ＮＩＰ−ＩＮとしてもよい。
、Ｐ型用不純物を少し添加したＰ−とじて、ＮＮ−Ｎ、
ＮＰ−Ｐとしてしきい値を制御することは有効である
。この工型半導体を局部的にＰ、Ｐ−とすることにより
、ＮＩＰＩＮ、ＮＩＰ−ＩＮとしてもよい。
またこの逆にＮ型半導体（３３） 、 （３５）をＰ型
半導体としてＰＩＰ、 ＰＰ−Ｐ、 ＰＮ−Ｐ接合とし
た複合ダイオードとしてもよい。
半導体としてＰＩＰ、 ＰＰ−Ｐ、 ＰＮ−Ｐ接合とし
た複合ダイオードとしてもよい。
第２図（Ａ）の構成によって得られた特性を第３図（Ａ
）に示す。
）に示す。
第３図（Ａ）のＩ−Ｖ（電圧−電流）特性は第３図にお
ける（４６） 、 ’（４７）の原点に対し対称型の■
−ｖ特性を得ることができた。
ける（４６） 、 ’（４７）の原点に対し対称型の■
−ｖ特性を得ることができた。
この値は、液晶（例えばＴＮ型液晶）が１．９ｖ以下に
おいてｒＯＮＪ ｒ不透明ｊ 、２．７Ｖ以上におい
てはｒＯＦＦ Ｊ ｒ透明」の一般的な特性において
、それに適したしきい値（４８）、 （４９）を例え
ば１．５〜３．Ｏｖ例えば２．ＯＶに１層中の不純物濃
度を制御して得ることができるという特長を有する。
おいてｒＯＮＪ ｒ不透明ｊ 、２．７Ｖ以上におい
てはｒＯＦＦ Ｊ ｒ透明」の一般的な特性において
、それに適したしきい値（４８）、 （４９）を例え
ば１．５〜３．Ｏｖ例えば２．ＯＶに１層中の不純物濃
度を制御して得ることができるという特長を有する。
第４図（Ａ）〜（Ｄ）に本発明の非線型素子の動作原理
の概要を示す。
の概要を示す。
第４図（＾）はＮ （３３） ！ （３４） Ｎ （３
５）構造を有する半導体（２）である。例えば水素を含
む珪素を主成分とする非単結晶半導体である。その厚さ
はＮ （３３）は７００ 人、■（３４）は４０００人
、 Ｎ （３５）は７００ 人とした。
５）構造を有する半導体（２）である。例えば水素を含
む珪素を主成分とする非単結晶半導体である。その厚さ
はＮ （３３）は７００ 人、■（３４）は４０００人
、 Ｎ （３５）は７００ 人とした。
この場合の電圧が電極（５） 、 （７）間に印加され
ていない場合におけるエネルギバンド図を第４図（Ｂ）
に示す。これに対し、もし電極（５）に比べて（７）に
正の電圧がかかると、第４図（Ｃ）のエネルギハンド構
造となる。すると、電子（４３）は障壁（４１）が（４
１’）にその高さを低くするに準じて順方向の電流とし
て流れる。この時、他の障壁（４２） （第４図（Ｂ）
）は全（障壁を構成しない。
ていない場合におけるエネルギバンド図を第４図（Ｂ）
に示す。これに対し、もし電極（５）に比べて（７）に
正の電圧がかかると、第４図（Ｃ）のエネルギハンド構
造となる。すると、電子（４３）は障壁（４１）が（４
１’）にその高さを低くするに準じて順方向の電流とし
て流れる。この時、他の障壁（４２） （第４図（Ｂ）
）は全（障壁を構成しない。
また、逆に、電極（５）に対しく７）に負の電圧が加わ
ると、障壁（４２’）が（４２）に比べ低くなり、その
Ｎ型半導体層（３５）の電子（４３’）が（７）より（
５）へと流れる。
ると、障壁（４２’）が（４２）に比べ低くなり、その
Ｎ型半導体層（３５）の電子（４３’）が（７）より（
５）へと流れる。
結果として、第３図（Ａ）に示すごとき非線型特性（４
６） 、 （４７）を第４図（Ｃ） 、 （Ｄ）に対応
して有せしめることができる。
６） 、 （４７）を第４図（Ｃ） 、 （Ｄ）に対応
して有せしめることができる。
他方、第２図（Ｃ） 、 （Ｄ）に示す光検出素子（フ
ォトセンサ）につき、その動作を略記する。
ォトセンサ）につき、その動作を略記する。
このＮ （３３） Ｉ （３４） Ｎ （３５）の半導
体積層体は、第２図（Ａ）の非線型素子と同一半導体材
料で同一プロセスにより形成される。
体積層体は、第２図（Ａ）の非線型素子と同一半導体材
料で同一プロセスにより形成される。
即ちガラス基板（２０）上の透光性導電膜（３１）の電
極（９）（第５の電極）上の半導体（４）とその上にク
ロム（３８）およびアルミニューム（３９）の上側電極
（８）（第４の電極）よりなっている。
極（９）（第５の電極）上の半導体（４）とその上にク
ロム（３８）およびアルミニューム（３９）の上側電極
（８）（第４の電極）よりなっている。
ライトペンよりの光（１００）はガラス基板（２０）側
より照射される。
より照射される。
このフォトセンサの等何回路を第２図（Ｄ）に示す。
増巾作用は必ずしもあるとは限らないが、みかけ上第２
図（Ｄ）に示すフォトトランジスタ構成で略記する。即
ち照射光（１００）によるヘースへの注入により電流が
大きくなる。
図（Ｄ）に示すフォトトランジスタ構成で略記する。即
ち照射光（１００）によるヘースへの注入により電流が
大きくなる。
その−例の特性を第３図（Ｂ）に示している。図面にお
いて（４６） 、 （４７）は「暗の時Ｊ （７）Ｉ−
Ｖ特性である。さらに、ここに４５０Ｌｘ （室内灯）
を照射すると、それでは曲線（４６”）、（４７’）に
変化する。さらに５５００ＬＸ （白熱灯）を加えると
、（４６”’）、（４７”）にそれぞれ変化する。
いて（４６） 、 （４７）は「暗の時Ｊ （７）Ｉ−
Ｖ特性である。さらに、ここに４５０Ｌｘ （室内灯）
を照射すると、それでは曲線（４６”）、（４７’）に
変化する。さらに５５００ＬＸ （白熱灯）を加えると
、（４６”’）、（４７”）にそれぞれ変化する。
これらの信号をマトリックス構成をした第１図において
はデコーダ（１３）のトランジスタで受けて出力（１８
’）または（１９”）に取り出せばいい。
はデコーダ（１３）のトランジスタで受けて出力（１８
’）または（１９”）に取り出せばいい。
第４図において、このフォトセンサの動作原理を示して
いる。第４図（Ａ）のＮＩＮ半導体（４）に＋Ｖまたは
−Ｖの電圧を加え、第４図（Ｃ） 、 （Ｄ）のバンド
構成において、光（１００）の照射によりホール（４５
） 。
いる。第４図（Ａ）のＮＩＮ半導体（４）に＋Ｖまたは
−Ｖの電圧を加え、第４図（Ｃ） 、 （Ｄ）のバンド
構成において、光（１００）の照射によりホール（４５
） 。
（４５’）と電子（４４） 、 ＜４４°）が生じ、と
もにドリフトして電流が増巾される。かくして第１図（
Ｂ）に示す如く、低い電圧でも電流の増加が見られ得る
。
もにドリフトして電流が増巾される。かくして第１図（
Ｂ）に示す如く、低い電圧でも電流の増加が見られ得る
。
「実施例２Ｊ
この実施例は半導体装置の作製工程を■■■■のフォト
マスクの順序に従って示す。
マスクの順序に従って示す。
第５図にその平面図（Ａ）及び縦断面図（Ｂ） 、 （
Ｃ）および第６図（Ａ） 、 （Ｂ）が示されている。
Ｃ）および第６図（Ａ） 、 （Ｂ）が示されている。
この図面は、第１図の回路における（１．１）番地のア
クティブエレメント（１）をパターニングした本発明の
実施例である。
クティブエレメント（１）をパターニングした本発明の
実施例である。
さらＧ已第５図（Ｂ） 、 （Ｃ）は（Ａ）におけるそ
れぞれＢ−８’、Ａ−＾°での縦断面図を記す。加えて
、第６図（Ａ） 、 ＣＢ）はそれぞれ第５図（Ａ）に
おけるＣ−Ｃ“及びＤ−Ｄ”の縦断面図を示している。
れぞれＢ−８’、Ａ−＾°での縦断面図を記す。加えて
、第６図（Ａ） 、 ＣＢ）はそれぞれ第５図（Ａ）に
おけるＣ−Ｃ“及びＤ−Ｄ”の縦断面図を示している。
図面において、透光性絶縁基板として無アルカリガラス
（２０）を用いた。この上面に、スパッタ法または電子
ビーム蒸着法により導電膜であるＩＴＯまたは酸化スズ
膜等のＣＴＦ ＪｃＯ，１〜０．５μの厚さに、さらに
この上面に遮光用クロムを５００〜２５００人の厚さに
同様に積層形成した。この後、この導電膜にパターニン
グをし、電極・リードとする。
（２０）を用いた。この上面に、スパッタ法または電子
ビーム蒸着法により導電膜であるＩＴＯまたは酸化スズ
膜等のＣＴＦ ＪｃＯ，１〜０．５μの厚さに、さらに
この上面に遮光用クロムを５００〜２５００人の厚さに
同様に積層形成した。この後、この導電膜にパターニン
グをし、電極・リードとする。
即ち液晶用の第１の電極（１０） 、これより延在した
非線型素子（２）用の下側電極（５）（第２の電極）即
ち透光性導電膜（３１）及び遮光電極（３２）よりなる
第２の電極（５）を第１のマスク■により不要部を除去
して形成した。
非線型素子（２）用の下側電極（５）（第２の電極）即
ち透光性導電膜（３１）及び遮光電極（３２）よりなる
第２の電極（５）を第１のマスク■により不要部を除去
して形成した。
この後、フォトセンサとなる領域（４）及び液晶（３）
の第１の電極（１０）上のクロムを第２のマスク■を用
いプラズマ気相反応により除去した。この時リードを構
成するＣＴＦ（１Ｂ）上には第６図（Ｂ）に示す如くク
ロムをそのリードとしてのシート抵抗を下げるため残存
させている。
の第１の電極（１０）上のクロムを第２のマスク■を用
いプラズマ気相反応により除去した。この時リードを構
成するＣＴＦ（１Ｂ）上には第６図（Ｂ）に示す如くク
ロムをそのリードとしてのシート抵抗を下げるため残存
させている。
以上の結果、フォトセンサ（４）の下側電極（９）（第
５の電極）はＣＴＦのみとなり、リード配線及び非線型
素子（２）の第２の電極（５）は遮光用のクロム（３１
）が設けられ、）イトペンの光またはその他の光を遮光
している。
５の電極）はＣＴＦのみとなり、リード配線及び非線型
素子（２）の第２の電極（５）は遮光用のクロム（３１
）が設けられ、）イトペンの光またはその他の光を遮光
している。
この後、これらの全面に公知のプラズマ気相反応法また
は光気相反応法により非線形半導体素子例えばＮＩＮ構
造を有する水素またはハロゲン元素が添加された非単結
晶半導体よりなる複合ダイオードを形成した。即ちＮ型
半導体（３３）をシランを水素にて３〜５倍に希釈し、
１３．５６ＭＨｚの高周波グロー放電を行うことにより
２００〜２５０℃に保持された基板上の被形成面上に、
微結晶構造を有する非単結晶半導体を作る。その電気伝
導度は１０−”〜１０２（９ｃｍ） −’を有し３００
〜１０００人の厚さとした。
は光気相反応法により非線形半導体素子例えばＮＩＮ構
造を有する水素またはハロゲン元素が添加された非単結
晶半導体よりなる複合ダイオードを形成した。即ちＮ型
半導体（３３）をシランを水素にて３〜５倍に希釈し、
１３．５６ＭＨｚの高周波グロー放電を行うことにより
２００〜２５０℃に保持された基板上の被形成面上に、
微結晶構造を有する非単結晶半導体を作る。その電気伝
導度は１０−”〜１０２（９ｃｍ） −’を有し３００
〜１０００人の厚さとした。
さらにシランのみ、または水素と弗化珪素（ＳｉＦ＊。
Ｈ３ＳｉＦ、ＨｚＳｉＦｚまたは５ｉＦｚ）をプラズマ
反応炉内に導入し、プラズマ反応をさせ、Ｉ型の水素ま
たはハロゲン元素が添加された非単結晶半導体（３４）
を０．２〜１μの厚さにＮ型半導体（３３）上に積層し
て形成した。さらに、再び、同様のＮ型半導体（３５）
を微結晶構造として、３００〜１０００人の厚さに積層
してＮＩＮ接合とした。このＩ型半導体中に、ホウ素ま
たはリンをＢｚＨａ／５ｉＨａ、ＰＨ：＋／５ｉＨ４＝
１０−’〜１０−４の割合で混入させ、Ｐ−またはＮ−
の導電型の半導体をその一部または全部にわたって形成
してもよい。
反応炉内に導入し、プラズマ反応をさせ、Ｉ型の水素ま
たはハロゲン元素が添加された非単結晶半導体（３４）
を０．２〜１μの厚さにＮ型半導体（３３）上に積層し
て形成した。さらに、再び、同様のＮ型半導体（３５）
を微結晶構造として、３００〜１０００人の厚さに積層
してＮＩＮ接合とした。このＩ型半導体中に、ホウ素ま
たはリンをＢｚＨａ／５ｉＨａ、ＰＨ：＋／５ｉＨ４＝
１０−’〜１０−４の割合で混入させ、Ｐ−またはＮ−
の導電型の半導体をその一部または全部にわたって形成
してもよい。
かくすると、ＮＰ−Ｎ、 ＮＮ−Ｎとすることができる
。
。
この後゛、この上面に遮光用のクロム（５００〜１５０
０人）（３６） 、 （３８）さらにリードとして動作
させるアルミニューム（厚さ０．１〜２μ） （３７）
（３９）を電子ビーム蒸着法またはスパッタ法により
積層した。さらにこの後、Ｘ方向のリード（１６）、非
線型素子（２）及びフォトセンサ（４）として設ける領
域を除き、他部を第３のフォトマスク■を精密マスク合
わせをしてフォトエツチング法により除去した。
０人）（３６） 、 （３８）さらにリードとして動作
させるアルミニューム（厚さ０．１〜２μ） （３７）
（３９）を電子ビーム蒸着法またはスパッタ法により
積層した。さらにこの後、Ｘ方向のリード（１６）、非
線型素子（２）及びフォトセンサ（４）として設ける領
域を除き、他部を第３のフォトマスク■を精密マスク合
わせをしてフォトエツチング法により除去した。
即ちレジストにより第５図に示す如く、アルミ二二、−
ム（１６） 、 （３７） 、 （３９）をＣＣｌ４を
用い、プラズマエ・７チングした。さらにクロム（３６
） 、 （３８）をさらに半導体（２）、（４）をエツ
チングして除去し、Ｘ方向のリード（１６）、第３の電
極の外側周辺（第６図（Ａ） 、 （Ｂ） （４０）
、 （４０’ ））と、その下の半導体の外周辺（（第
６図（Ａ） 、 （Ｂ） （１１） 、 （４１”））
とを概略同一形状とした。
ム（１６） 、 （３７） 、 （３９）をＣＣｌ４を
用い、プラズマエ・７チングした。さらにクロム（３６
） 、 （３８）をさらに半導体（２）、（４）をエツ
チングして除去し、Ｘ方向のリード（１６）、第３の電
極の外側周辺（第６図（Ａ） 、 （Ｂ） （４０）
、 （４０’ ））と、その下の半導体の外周辺（（第
６図（Ａ） 、 （Ｂ） （１１） 、 （４１”））
とを概略同一形状とした。
かくして１回の精密な重合わせプロセスを行う第３のマ
スク■により、Ｘ方向のリード（１６）、第３の電極（
７）１第４の電極（８）とその下側に位置する非線形素
子の半導体（２） 、 （４）と、フォトセンサの半導
体（４）とを概略同一形状にし得た。非線型素子はその
上下面もともに遮光用のクロム（３２） 。
スク■により、Ｘ方向のリード（１６）、第３の電極（
７）１第４の電極（８）とその下側に位置する非線形素
子の半導体（２） 、 （４）と、フォトセンサの半導
体（４）とを概略同一形状にし得た。非線型素子はその
上下面もともに遮光用のクロム（３２） 。
（３６）で覆われ、また、フォトセンサ（４）の下側電
極（９）は透光性とするためクロムが除去されて設けら
れている。
極（９）は透光性とするためクロムが除去されて設けら
れている。
本発明の半導体装置においては、さらに相対する他の基
板（２１）の内側に設けられた液晶の他方の電極（６）
、リード（１４）は、他の第１のマスク■により、Ｚ方
向の配線（この配線はフォトセンサのＹ方向の配線と平
行に設けている）として形成させた。
板（２１）の内側に設けられた液晶の他方の電極（６）
、リード（１４）は、他の第１のマスク■により、Ｚ方
向の配線（この配線はフォトセンサのＹ方向の配線と平
行に設けている）として形成させた。
以上のことより、１つの基板の一生面上にアクティブエ
レメントとしての非線型素子、フォトセンサおよび液晶
の一方の電極を設け、かつリードはＸ方向およびＹ方向
に配設せしめている。この工程に必要なマスクは３種類
のマスクを用いるのみですみ、かつ精密なマスク合わせ
は１回の第３のマスクのみでよい。
レメントとしての非線型素子、フォトセンサおよび液晶
の一方の電極を設け、かつリードはＸ方向およびＹ方向
に配設せしめている。この工程に必要なマスクは３種類
のマスクを用いるのみですみ、かつ精密なマスク合わせ
は１回の第３のマスクのみでよい。
表示パネルとしては、この後、２つの相対する主面に配
向処理を施して、第１図に示す周辺回路（１１） 、
（１２） 、 （１３）をハイブリッド構成として基板
に単結晶ＩＣをボンディングして作製し得る。またコネ
クタを介して他のプリント基板のＩＣと連結してデコー
ダ（１１） 、 （１２） 、 （１３）とし得る。さ
らに、相対する２つの基板（２０） 、 （２１）を約
６〜１０μの巾に離間させ、その隙間を真空引きした後
、公知の液晶（３）を封入した。
向処理を施して、第１図に示す周辺回路（１１） 、
（１２） 、 （１３）をハイブリッド構成として基板
に単結晶ＩＣをボンディングして作製し得る。またコネ
クタを介して他のプリント基板のＩＣと連結してデコー
ダ（１１） 、 （１２） 、 （１３）とし得る。さ
らに、相対する２つの基板（２０） 、 （２１）を約
６〜１０μの巾に離間させ、その隙間を真空引きした後
、公知の液晶（３）を封入した。
「効果」
本発明は以上に示す如く、同一基板上に非線型素子であ
る複合ダイオードを用いて液晶のアクティブＡＣ駆動を
行うとともに、同じパネルを用い、手書き用の書き込み
装置をライトペン（発光部はペン側）としてマトリック
スを構成せしめたものである。このため２つの機能を重
合わせる方式にに比べ、表示のコントラストが明晰にな
り、かつそれらを必要な製造工程に余分な半導体を作る
工程等を有しない。さらに半導体とその上の電極リード
とが一体化しているため、きわめて少ないマスク（３枚
）（精密な重合わせは１回）でパターニングを行うこと
ができ、製造歩留りを向上させることができる。
る複合ダイオードを用いて液晶のアクティブＡＣ駆動を
行うとともに、同じパネルを用い、手書き用の書き込み
装置をライトペン（発光部はペン側）としてマトリック
スを構成せしめたものである。このため２つの機能を重
合わせる方式にに比べ、表示のコントラストが明晰にな
り、かつそれらを必要な製造工程に余分な半導体を作る
工程等を有しない。さらに半導体とその上の電極リード
とが一体化しているため、きわめて少ないマスク（３枚
）（精密な重合わせは１回）でパターニングを行うこと
ができ、製造歩留りを向上させることができる。
非線型素子及びフォトセンサに同一半導体材料を用い、
かつこの半導体はＮＩＮ接合の順方向電流を用いるため
、Ｉ型半導体表面での寄生チャネルが形成される等によ
る特性のバラツキが少ない。
かつこの半導体はＮＩＮ接合の順方向電流を用いるため
、Ｉ型半導体表面での寄生チャネルが形成される等によ
る特性のバラツキが少ない。
本発明のフォトセンサ、表示パネルは交流駆動方式であ
り、特にそのダイオードのしきい値を気相反応法を用い
た半導体層の積層時におけるプロセス条件により制御し
得るため、階調制御がしやすいという特徴を有する。
り、特にそのダイオードのしきい値を気相反応法を用い
た半導体層の積層時におけるプロセス条件により制御し
得るため、階調制御がしやすいという特徴を有する。
本発明における複合ダイオードはその形成後、そのダイ
オード部を含んで１．０６μの波長のパルス光ＹＡＧレ
ーザ等により強光アニールを行い、水素またはハロゲン
元素が添加された多結晶半導体としてもよい。
オード部を含んで１．０６μの波長のパルス光ＹＡＧレ
ーザ等により強光アニールを行い、水素またはハロゲン
元素が添加された多結晶半導体としてもよい。
本発明方法において、Ｉ、Ｎ−またはＰ−の半導体を単
に水素またはハロゲン元素が添加された珪素とするので
はなく、この中に炭素または窒素を添加した５ｉｘＣ＋
−ｘ （０＜Ｘ＜１）、５ｉｘＮ４−ｘ （０＜Ｘ＜４
） として耐圧の向上を図ることおよび印加電圧をＯ
ｖとした時の電流（ゼロ電流）を１０− ” Ａ／１０
０μ口以下とすることばは有効である。
に水素またはハロゲン元素が添加された珪素とするので
はなく、この中に炭素または窒素を添加した５ｉｘＣ＋
−ｘ （０＜Ｘ＜１）、５ｉｘＮ４−ｘ （０＜Ｘ＜４
） として耐圧の向上を図ることおよび印加電圧をＯ
ｖとした時の電流（ゼロ電流）を１０− ” Ａ／１０
０μ口以下とすることばは有効である。
本発明において、表示素子と光検出素子とはその数にお
いて１：１である必要はなく、光検出に必要な素子密度
を考慮して表示素子に比べて多くも少なくもし得る。
いて１：１である必要はなく、光検出に必要な素子密度
を考慮して表示素子に比べて多くも少なくもし得る。
第１図は本発明のアクティブエレメントとして非線型素
子およびフォトセンサを用いた２×２マトリツクスの回
路図を示す。 第２図は本発明の非線型素子及びフォトセンサの縦断面
（Ａ） 、 （Ｃ）およびその等価記号（Ｂ’） 、
（Ｄ）を示す。 第３図は本発明のｒ−ｖ特性を示す。 第４図は非線形素子およびフォトセンサの動作原理を示
す。 第５図及び第６図は本発明のアクティブエレメント構造
を示す。
子およびフォトセンサを用いた２×２マトリツクスの回
路図を示す。 第２図は本発明の非線型素子及びフォトセンサの縦断面
（Ａ） 、 （Ｃ）およびその等価記号（Ｂ’） 、
（Ｄ）を示す。 第３図は本発明のｒ−ｖ特性を示す。 第４図は非線形素子およびフォトセンサの動作原理を示
す。 第５図及び第６図は本発明のアクティブエレメント構造
を示す。
Claims (3)
- １．絶縁表面を有する基板上に設けられた導電膜により
、表示素子の一方の第１の電極と、該電極より延在した
非線形素子用の第２の電極とを形成するとともに、光検
出素子用のＹ方向のリードおよび第５の電極を形成する
工程と、前記基板および前記第１および第２の電極上に
非線形素子および検出素子とを構成する半導体を形成す
る工程と、該半導体上に第２の導電膜を形成する工程と
、該第２の導電膜により、Ｘ方向のリードに連結した非
線型素子用の第３の電極および光検出用の第４の電極を
形成する工程と、該電極、リードと概略同一形状に前記
半導体を選択的に形成せしめ、前記第２および第３の電
極との交叉部に非線形素子および第４および第５の電極
との交叉部に光検出素子を構成せしめる工程とを有する
ことを特徴とする固体表示装置作製方法。 - ２．特許請求の範囲第１項において、半導体は水素また
はハロゲン元素が添加された半導体であって、Ｎまたは
Ｐ型の半導体、Ｉ型半導体、ＮまたはＰ型半導体を積層
してＮＩＮ，ＮＮ＾−Ｎ，ＮＰ＾−Ｎ，ＮＩＰ＾−ＩＮ
，ＮＰ＾−ＰＰ＾−ＮまたはＮＩＰＩＮ接合を有せしめ
たことを特徴とする半導体装置作製方法。 - ３．特許請求の範囲第１項において、半導体は水素また
はハロゲン元素が添加された半導体であって、Ｎまたは
Ｐ型の半導体、Ｉ型半導体、ＮまたはＰ型半導体を積層
してＰＩＰ，ＰＮ＾−Ｐ，ＰＩＮＩＰ，ＰＩＮ＾−ＩＰ
，ＰＮ＾−ＮＮ＾−Ｐ接合を有せしめたことを特徴とす
る半導体装置作製方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59189184A JPS6167263A (ja) | 1984-09-10 | 1984-09-10 | 半導体装置作製方法 |
| US07/198,699 US4917474A (en) | 1984-09-10 | 1988-05-23 | Optoelectronic panel and method of making the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59189184A JPS6167263A (ja) | 1984-09-10 | 1984-09-10 | 半導体装置作製方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6167263A true JPS6167263A (ja) | 1986-04-07 |
Family
ID=16236908
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59189184A Pending JPS6167263A (ja) | 1984-09-10 | 1984-09-10 | 半導体装置作製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6167263A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2133744A1 (en) * | 2007-04-04 | 2009-12-16 | Asahi Kasei E-materials Corporation | Photosensitive resin composition |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56135980A (en) * | 1980-03-28 | 1981-10-23 | Canon Inc | Photoelectric conversion element |
| JPS58118143A (ja) * | 1982-01-06 | 1983-07-14 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
| JPS58139464A (ja) * | 1982-02-15 | 1983-08-18 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
| JPS58210765A (ja) * | 1982-06-02 | 1983-12-08 | Hitachi Ltd | 撮像表示装置 |
-
1984
- 1984-09-10 JP JP59189184A patent/JPS6167263A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56135980A (en) * | 1980-03-28 | 1981-10-23 | Canon Inc | Photoelectric conversion element |
| JPS58118143A (ja) * | 1982-01-06 | 1983-07-14 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
| JPS58139464A (ja) * | 1982-02-15 | 1983-08-18 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
| JPS58210765A (ja) * | 1982-06-02 | 1983-12-08 | Hitachi Ltd | 撮像表示装置 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2133744A1 (en) * | 2007-04-04 | 2009-12-16 | Asahi Kasei E-materials Corporation | Photosensitive resin composition |
| EP2133744A4 (en) * | 2007-04-04 | 2010-06-16 | Asahi Kasei E Materials Corp | PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION |
| US8557498B2 (en) | 2007-04-04 | 2013-10-15 | Asahi Kasei E-Materials Corporation | Photosensitive resin composition |
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