JPS6171325A - 半導体装置 - Google Patents
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- JPS6171325A JPS6171325A JP59194157A JP19415784A JPS6171325A JP S6171325 A JPS6171325 A JP S6171325A JP 59194157 A JP59194157 A JP 59194157A JP 19415784 A JP19415784 A JP 19415784A JP S6171325 A JPS6171325 A JP S6171325A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
- H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
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- H01L31/105—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier the potential barrier being of the PIN type
- H01L31/1055—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier the potential barrier being of the PIN type the devices comprising amorphous materials of Group IV of the Periodic Table
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の利用分野」
この発明は、ライトペン等を用いて光軌跡入力しめ、マ
トリックス配列した光検出装置により古き文字等を検出
せしめたパターン書き込みをう固体書き込み装置に関す
る。
トリックス配列した光検出装置により古き文字等を検出
せしめたパターン書き込みをう固体書き込み装置に関す
る。
従来の技術」
他に、文字等の筆圧による圧力センサを平面に備する怒
圧式手書き装置よりなる固体書き込み置がある。
圧式手書き装置よりなる固体書き込み置がある。
発明が解決しようとする問題点」
本発明はこの半導体装置の作製に必要なフォトマスク数
を６〜８枚より２または３枚（１回の精密重合わせ）と
することにより、その製造歩留りの向上を図らんとする
ものである。このためアクティブエレメントとその上側
の電極とは概略同一形状としてマトリックス構成の一方
の電極リード（以下配線ともいう）とせしめている。
を６〜８枚より２または３枚（１回の精密重合わせ）と
することにより、その製造歩留りの向上を図らんとする
ものである。このためアクティブエレメントとその上側
の電極とは概略同一形状としてマトリックス構成の一方
の電極リード（以下配線ともいう）とせしめている。
加えて、感圧式の書き込み装置においては１．その圧力
に対し信号検出が人の書き込み筆圧のバラツキにより微
妙である。また応答速度が遅い。加えて、この基板側に
絶えず局部圧力を加えるため基板側の機械疲労による破
損がみられ、高い信頼性を期待し得ない。
に対し信号検出が人の書き込み筆圧のバラツキにより微
妙である。また応答速度が遅い。加えて、この基板側に
絶えず局部圧力を加えるため基板側の機械疲労による破
損がみられ、高い信頼性を期待し得ない。
「問題を解決するための手段」
本発明はかかる問題を解決するため、対称型の１−Ｖ特
性を有し、しきい値をこえると急激に電流が増大する複
合ダイオード特性を用いている。本発明はこのしきい値
をこえた領域で非単結晶半導体に固有に見られると推定
される低い電界での電流増殖作用（アバランシェプラズ
マ効果）を利用している。このため、アモルファス半導
体等の水素またはハロゲン元素が添加された非単結晶半
導体よりなる複合ダイオード構造を有する光検出素子で
あることを主としている。
性を有し、しきい値をこえると急激に電流が増大する複
合ダイオード特性を用いている。本発明はこのしきい値
をこえた領域で非単結晶半導体に固有に見られると推定
される低い電界での電流増殖作用（アバランシェプラズ
マ効果）を利用している。このため、アモルファス半導
体等の水素またはハロゲン元素が添加された非単結晶半
導体よりなる複合ダイオード構造を有する光検出素子で
あることを主としている。
かかる本発明の光検出素子は一対のそれぞれの電極とは
オーム接触性を有するが、逆向整流特性を構成する複合
ダイオード構成の素子よりなるもので、その代表例は、
Ｎ型半導体−Ｉ型（以下真性または実質的に真性という
）半導体−Ｎ型半導体を積層して設けたＮＩＮ構造、即
ちＮｌ接合とＩＮ接合とが電気的に逆向きに連結され、
かつ半導体として一体化したＮＩＮ接合を有する半導体
をはじめ、それに類似の接合であるＮＮ−Ｎ、 ＮＩ”
Ｎ、 ＰＩＰ、 ＰＰ−Ｐ、 ＰＮ−Ｐ接合構造が好ま
しい。
オーム接触性を有するが、逆向整流特性を構成する複合
ダイオード構成の素子よりなるもので、その代表例は、
Ｎ型半導体−Ｉ型（以下真性または実質的に真性という
）半導体−Ｎ型半導体を積層して設けたＮＩＮ構造、即
ちＮｌ接合とＩＮ接合とが電気的に逆向きに連結され、
かつ半導体として一体化したＮＩＮ接合を有する半導体
をはじめ、それに類似の接合であるＮＮ−Ｎ、 ＮＩ”
Ｎ、 ＰＩＰ、 ＰＰ−Ｐ、 ＰＮ−Ｐ接合構造が好ま
しい。
さらに電流を多量に流し得す、接合の数が多いが、それ
ぞれの導電型の不純物を互いにプロセス中に混合しやす
く、対称のダイオード特性を得にくいため、製造しにく
いがＮＩＰＩＮまたはＰＩＮＩＰ接合構造またはそれに
類似の構造（ＮＩＰ−ＩＮ、 ＮＮ−ＰＮ−Ｎ。
ぞれの導電型の不純物を互いにプロセス中に混合しやす
く、対称のダイオード特性を得にくいため、製造しにく
いがＮＩＰＩＮまたはＰＩＮＩＰ接合構造またはそれに
類似の構造（ＮＩＰ−ＩＮ、 ＮＮ−ＰＮ−Ｎ。
ＰＮ−ＮＮ−Ｐ、ＰＩＮ−ＩＰ）を有せしめた複合ダイ
オードであってもよい。
オードであってもよい。
かかる複合ダイオードは、ダイオード特性を互いに逆向
きに相対せしめ、そのビルドイン（立ち上がり）電圧（
しきい値）はそれぞれのＮｌ接合のＮ型半導体とＩ型半
導体との差（第４図（２１） 、 （２２） ）または
Ｉ型半導体に添加するＰまたはＮ型の不純物の濃度で決
めることができる。
きに相対せしめ、そのビルドイン（立ち上がり）電圧（
しきい値）はそれぞれのＮｌ接合のＮ型半導体とＩ型半
導体との差（第４図（２１） 、 （２２） ）または
Ｉ型半導体に添加するＰまたはＮ型の不純物の濃度で決
めることができる。
さらにこのＮＩＮ接合において、Ｉ型半導体をＳｉでは
なく、水素またはハロゲン元素が添加された５ｉｘＣ＋
□（０＜Ｘ＜１）とし、Ｎ型半導体を珪素とする５ｉ（
Ｎ） −５ｉｘＣ＋−ｘ （１，Ｎ−またはＰ−） −
Ｓｉ （Ｎ）としても、しきい値を制御し得る。
なく、水素またはハロゲン元素が添加された５ｉｘＣ＋
□（０＜Ｘ＜１）とし、Ｎ型半導体を珪素とする５ｉ（
Ｎ） −５ｉｘＣ＋−ｘ （１，Ｎ−またはＰ−） −
Ｓｉ （Ｎ）としても、しきい値を制御し得る。
本発明は、１つの大きな基板にマトリックス構成せしめ
て、面としての光軌跡検出を実行させ得る。その際複合
ダイオードの外周辺とマトリックスを構成するＸ方向の
電極リード （第１図においてＸ方向をＹ方向と言い換
えてもいいが、ここでは図面の横軸をＸ方向と簡単のた
めに記す）とが概略同一形状を有し、１回のマスク合わ
せを行うのみで完成してしまうため、２枚のみ（１回の
精密なマスク合わせ）でプロセスさせることができる。
て、面としての光軌跡検出を実行させ得る。その際複合
ダイオードの外周辺とマトリックスを構成するＸ方向の
電極リード （第１図においてＸ方向をＹ方向と言い換
えてもいいが、ここでは図面の横軸をＸ方向と簡単のた
めに記す）とが概略同一形状を有し、１回のマスク合わ
せを行うのみで完成してしまうため、２枚のみ（１回の
精密なマスク合わせ）でプロセスさせることができる。
この構造の代表例を第２図、第４図に示しである。
「作用」
光軌跡を基板上を前述した如く時間的に移動させ、光書
き込み方式として使用し得るに加えて、他の方法として
、所定の位置に複数の光点または光軌跡のＯＮ、ＯＦＩ
’の光信号を与えることにより、キーボードを筆圧方式
より光タッチ方式のキーボードとすることができる。
き込み方式として使用し得るに加えて、他の方法として
、所定の位置に複数の光点または光軌跡のＯＮ、ＯＦＩ
’の光信号を与えることにより、キーボードを筆圧方式
より光タッチ方式のキーボードとすることができる。
以下に実施例に従って本発明を説明する。
「実施例１」
第１図は本発明の固体表示装置および固体書き込み装置
の等価回路（２×２のマトリックスの場合）を示す。
の等価回路（２×２のマトリックスの場合）を示す。
図面において、基板上に設けられた光検出素子（フォト
センザ）（１０）がマトリックス構成で配列されている
。アドレスＭｌ（３）に光検出素子の第２の電極（２）
が連結し、他方、光検出素子（１０）の他の電極（第１
の電極）（Ｉ）は基板上の透光性導電膜により設けられ
たＹ配線リード（５）に連結している。このＸ配線、Ｙ
配線は同一絶縁基板代表的にはガラス基板（第４図（Ｂ
） 、 （Ｃ）における（２０））上に設けられて光検
出素子をマトリックス構成させている。
センザ）（１０）がマトリックス構成で配列されている
。アドレスＭｌ（３）に光検出素子の第２の電極（２）
が連結し、他方、光検出素子（１０）の他の電極（第１
の電極）（Ｉ）は基板上の透光性導電膜により設けられ
たＹ配線リード（５）に連結している。このＸ配線、Ｙ
配線は同一絶縁基板代表的にはガラス基板（第４図（Ｂ
） 、 （Ｃ）における（２０））上に設けられて光検
出素子をマトリックス構成させている。
図面では２×２とした。これはスケール・アップした表
示装置例えば（アクティブエレメント数が６４０ ｘ５
２５）としても同一技術思想である。
示装置例えば（アクティブエレメント数が６４０ ｘ５
２５）としても同一技術思想である。
かくの如き１つのＮＩＮ接合を有する半導体の積層体に
よる本発明の光検出素子の構成及び特性の例を第２図に
示している。
よる本発明の光検出素子の構成及び特性の例を第２図に
示している。
第２図（Ａ）は実際の光検出素子構造の縦断面図を示し
ている。
ている。
即ち第２図（八）において、ガラス基板（２０）上の透
光性導電膜（１）よりなる第２の電極（１） 、Ｎ（１
１） Ｉ（１２） Ｎ （１３）半導体積層体よりなる
ＮＩＮ接合型複合ダイオード（１０）、遮光用クロムマ
スク（１４）、アルミニューム導体（１５）よりなる１
００μ口の面積の第２の電極（２）よりなっている。
光性導電膜（１）よりなる第２の電極（１） 、Ｎ（１
１） Ｉ（１２） Ｎ （１３）半導体積層体よりなる
ＮＩＮ接合型複合ダイオード（１０）、遮光用クロムマ
スク（１４）、アルミニューム導体（１５）よりなる１
００μ口の面積の第２の電極（２）よりなっている。
この作製方法を略記する。即ち、絶縁性基板を有する基
板、代表的にはガラス板（２０）上に５００〜５０００
人の厚さの酸化スズ、ＩＴＯ等の透光性導電膜（ＣＴＦ
と略す）（１）を第１のフォトマスクのを用いて形成す
る。
板、代表的にはガラス板（２０）上に５００〜５０００
人の厚さの酸化スズ、ＩＴＯ等の透光性導電膜（ＣＴＦ
と略す）（１）を第１のフォトマスクのを用いて形成す
る。
次ぎにこの上面に公知のプラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法
を用いてシランまたはシランにＮ型不純物用のフォスヒ
ンを添加して、第１のＮ型半導体層（１０）（７００人
）、Ｉ型半導体層（１２） （４０００人）、Ｎ型半導
体層（１３） （７００人）を漸次積層して形成した。
を用いてシランまたはシランにＮ型不純物用のフォスヒ
ンを添加して、第１のＮ型半導体層（１０）（７００人
）、Ｉ型半導体層（１２） （４０００人）、Ｎ型半導
体層（１３） （７００人）を漸次積層して形成した。
さらに遮光用及びアルミニュームと半導体との反応防止
用にクロム（１４）を５００〜３０００人の厚さに形成
した。
用にクロム（１４）を５００〜３０００人の厚さに形成
した。
アルミニューム（１５）を０．５〜１．５μの厚さに形
成した。
成した。
かくして、ＮＩＮ構造が設けられ、第２図（Ｂ）にその
等価記号が記されている。即ちフォトトランジスタ構造
においても、Ｉ−ｖ特性としてコレクタ電圧−コレクタ
電流特性に対応するが、コレクタの電流がトランジスタ
では飽和するが、本発明の光検出素子においては、第２
図（Ｃ）に示す如く、概略対称型の複合ダイオード特性
を得る。このため、第２図（Ｂ）の如き等価回路として
示した。
等価記号が記されている。即ちフォトトランジスタ構造
においても、Ｉ−ｖ特性としてコレクタ電圧−コレクタ
電流特性に対応するが、コレクタの電流がトランジスタ
では飽和するが、本発明の光検出素子においては、第２
図（Ｃ）に示す如く、概略対称型の複合ダイオード特性
を得る。このため、第２図（Ｂ）の如き等価回路として
示した。
第２図（Ａ）の構成によって得られた特性を第２図（Ｃ
）に示す。
）に示す。
この特性は、（１６） 、 （１７）の原点に対し概略
対称型の■−ｖ特性を示していた。
対称型の■−ｖ特性を示していた。
図面において（１６） 、 （１７）は「暗の時」のＩ
−Ｖ特性である。さらに、ここに４５０Ｌｘ （室内灯
）を照射すると、それでは曲線（１６’）、 （１７°
）に変化する。
−Ｖ特性である。さらに、ここに４５０Ｌｘ （室内灯
）を照射すると、それでは曲線（１６’）、 （１７°
）に変化する。
さらニ５５００ＬＸ（白熱灯）を加えると、（１６”
）、 （１７” ）にそれぞれ変化した。
）、 （１７” ）にそれぞれ変化した。
第３図（八）〜（Ｄ）に本発明の光検出素子の動作原理
の概要を示す。
の概要を示す。
コノ第３図（Ａ）のＮＩＮ半導体（１ＯＮ、１ｍ＋Ｖま
たは−Ｖの電圧を加え、第３図（Ｃ） 、 （Ｄ）のバ
ンド構成において、光（１００）の照射によりホール（
２５） 、 （２５”）と電子（２４） 、 （２４”
）が生じ、ともにドリフトして電流が増巾されるとバリ
ア（２１） 、 （２２）がそれぞれ（２１″）。
たは−Ｖの電圧を加え、第３図（Ｃ） 、 （Ｄ）のバ
ンド構成において、光（１００）の照射によりホール（
２５） 、 （２５”）と電子（２４） 、 （２４”
）が生じ、ともにドリフトして電流が増巾されるとバリ
ア（２１） 、 （２２）がそれぞれ（２１″）。
（２３′）と低くなる。そのため電子（２３） 、 （
２３’ ）がこのバアをこえて流れるため対称性を有す
るダイオード特性が得られる。
２３’ ）がこのバアをこえて流れるため対称性を有す
るダイオード特性が得られる。
さらに電界（＋Ｖまたは−Ｖ）により１層中で一部アバ
ランシエ効果をも誘発し得るため、電流はフォトトラン
ジスタの如く飽和することなく、電流はしきい値をこえ
ると急激に増大するため、第２図（Ｃ）の如き特性が得
られるものと推定される。
ランシエ効果をも誘発し得るため、電流はフォトトラン
ジスタの如く飽和することなく、電流はしきい値をこえ
ると急激に増大するため、第２図（Ｃ）の如き特性が得
られるものと推定される。
これらの信号をマトリックス構成をした第１図ではデコ
ーダ（８）のトランジスタ（７）で受けて出力（５“）
または（６゛）に取り出せばいい。
ーダ（８）のトランジスタ（７）で受けて出力（５“）
または（６゛）に取り出せばいい。
「実施例２」
この実施例は本発明の半導体装置の作製工程を■■■の
フォトマスクの順序に従って示す。
フォトマスクの順序に従って示す。
第４図にその平面図（＾）及び縦断面図（Ｂ） 、 （
Ｃ）を示す。
Ｃ）を示す。
さらに第４図（ＩＩ） 、 （Ｃ）は（Ａ）におけるそ
れぞれＡ−Ａ’ 、 Ｂ−８’での縦断面図を記す。
れぞれＡ−Ａ’ 、 Ｂ−８’での縦断面図を記す。
図面において、透光性絶縁基板として無アルカリガラス
（２０）を用いた。この上面に、スパッタ法または電子
ビーム蒸着法により導電膜であるＩＴＯまたは酸化スズ
膜等のＣＴＦを０．１〜０．５ μの厚さに、積層形成
した。この後、この導電膜にパターニングをし、電極リ
ードとする。即ち光検出素子（１０）用の下側電極（第
１の電極）即ち透光性導電膜（１）を第１のマスク■に
より不要部を除去して形成した。
（２０）を用いた。この上面に、スパッタ法または電子
ビーム蒸着法により導電膜であるＩＴＯまたは酸化スズ
膜等のＣＴＦを０．１〜０．５ μの厚さに、積層形成
した。この後、この導電膜にパターニングをし、電極リ
ードとする。即ち光検出素子（１０）用の下側電極（第
１の電極）即ち透光性導電膜（１）を第１のマスク■に
より不要部を除去して形成した。
この後、透光性導電膜のみによるリードのシート抵抗を
下げるための金属ここではクロムを形成し、光検出素子
となる領域（１０）の第１の電極（１）上のクロムを（
３２）を第２のマスク■を用いプラズマ気相反応により
除去した。
下げるための金属ここではクロムを形成し、光検出素子
となる領域（１０）の第１の電極（１）上のクロムを（
３２）を第２のマスク■を用いプラズマ気相反応により
除去した。
以上の結果、光検出素子（１０）の下側電極（１）（第
１の電極）はＣＴＦのみとなり、リード配線には遮光用
のクロム（３２）が設けられ、ライトペンの光またはそ
の他の光を遮光している。
１の電極）はＣＴＦのみとなり、リード配線には遮光用
のクロム（３２）が設けられ、ライトペンの光またはそ
の他の光を遮光している。
この後、これらの全面に公知のプラズマ気相反応法また
は光気相反応法により光検出素子例えばＮＴＮ構造を有
する水素またはハロゲン元素が添加された非単結晶半導
体よりなる複合ダイオードを形成した。即ちＮ型半導体
（１１）をシランを水素にて３〜５倍に希釈し、１３．
５６ＭＨｚの高周波グロー放電を行うことにより２００
〜２５０℃に保持された基板上の被形成面上に、微結晶
構造を有する非単結晶半導体を作る。その電気伝導度は
１０−４〜１０（９ｃｍ） ”’を有し３００〜１００
０人の厚さとした。
は光気相反応法により光検出素子例えばＮＴＮ構造を有
する水素またはハロゲン元素が添加された非単結晶半導
体よりなる複合ダイオードを形成した。即ちＮ型半導体
（１１）をシランを水素にて３〜５倍に希釈し、１３．
５６ＭＨｚの高周波グロー放電を行うことにより２００
〜２５０℃に保持された基板上の被形成面上に、微結晶
構造を有する非単結晶半導体を作る。その電気伝導度は
１０−４〜１０（９ｃｍ） ”’を有し３００〜１００
０人の厚さとした。
さらにシランのみ、または水素と弗化珪素（ＳｉＦ４．
。
。
Ｈ３ＳｉＦ、Ｈ２Ｓ１Ｆｚまたは５ｉＦｚ）をプラズマ
反応炉内に導入し、プラズマ反応をさせ、■型の水素ま
たはハロゲン元素が添加された非単結晶半導体（１２）
を０．２〜１μの厚さにＮ型半導体（１１）上に積層し
て形成した。さらに、再び、同様のＮ型半導体（１３）
を微結晶構造として、３００−１０００人の厚さに積層
してＮＵＮ接合とした。このＩ型半導体中に、ホウ素ま
たはリンをＢＪｂ／５ｉｔｌｎ、 Ｐｌｂ／ＳｉＨ４”
１０−’〜１０−４の割合で混入させ、Ｐ−またはＮ
−の導電型の半導体をその一部または全部にわたって形
成してもよい。
反応炉内に導入し、プラズマ反応をさせ、■型の水素ま
たはハロゲン元素が添加された非単結晶半導体（１２）
を０．２〜１μの厚さにＮ型半導体（１１）上に積層し
て形成した。さらに、再び、同様のＮ型半導体（１３）
を微結晶構造として、３００−１０００人の厚さに積層
してＮＵＮ接合とした。このＩ型半導体中に、ホウ素ま
たはリンをＢＪｂ／５ｉｔｌｎ、 Ｐｌｂ／ＳｉＨ４”
１０−’〜１０−４の割合で混入させ、Ｐ−またはＮ
−の導電型の半導体をその一部または全部にわたって形
成してもよい。
かくすると、ＮＰ−Ｎ、 ＮＮ−Ｎとすることができる
。
。
この後、この上面に遮光用のクロム（５００〜１５００
人） （１４） 、さらにリードとして動作させるアル
ミニューム（厚さ０．１〜２μ”） （１５）を電子ビ
ーム薫着法またはスパッタ法により積層した。さらにこ
の後、Ｘ方向のリード（３）、光検出素子（１０）とし
て設ける領域を除き、他部を第３のフォトマスク■を精
密マスク合わせをしてフォトエツチング法により除去し
た。
人） （１４） 、さらにリードとして動作させるアル
ミニューム（厚さ０．１〜２μ”） （１５）を電子ビ
ーム薫着法またはスパッタ法により積層した。さらにこ
の後、Ｘ方向のリード（３）、光検出素子（１０）とし
て設ける領域を除き、他部を第３のフォトマスク■を精
密マスク合わせをしてフォトエツチング法により除去し
た。
即ちレジストにより第４図に示す如く、アルミニューム
（１５）をＣＣｌ４を用い、プラズマエツチング□した
。さらにクロム（１４）をさらに半導体（１６）をエツ
チングして除去し、Ｘ方向のリード（３） 、 （４）
、第２の電極の外側周辺（第４図（Ｃ） （４０））
と、その下の半導体の外周辺（（第４図（Ｃ） （４０
”））とを概略同一形状とした。
（１５）をＣＣｌ４を用い、プラズマエツチング□した
。さらにクロム（１４）をさらに半導体（１６）をエツ
チングして除去し、Ｘ方向のリード（３） 、 （４）
、第２の電極の外側周辺（第４図（Ｃ） （４０））
と、その下の半導体の外周辺（（第４図（Ｃ） （４０
”））とを概略同一形状とした。
かくして１回の精密な重合わせプロセスを行う第３のマ
スク■により、Ｘ方向のリード（３）、第２の電極（２
）とその下側に位置する光検出素子の半導体（１０）と
を概略同一形状にし得た。
スク■により、Ｘ方向のリード（３）、第２の電極（２
）とその下側に位置する光検出素子の半導体（１０）と
を概略同一形状にし得た。
以上のことより、１つの基板の一生面上にアクティブエ
レメントとしての光検出素子の電極を設け、かつリード
はＸ方向およびＹ方向に配設せしめている。この工程に
必要なマスクは■を略すると２種類のマスクを用いるの
みですみ、かつ精密なマスク合わせは１回の第３のマス
クのみでよい。
レメントとしての光検出素子の電極を設け、かつリード
はＸ方向およびＹ方向に配設せしめている。この工程に
必要なマスクは■を略すると２種類のマスクを用いるの
みですみ、かつ精密なマスク合わせは１回の第３のマス
クのみでよい。
「効果」
本発明は以上に示す如く、同一基板上に非線型素子であ
る複合ダイオードを用いてＡＣ駆動を行うことにより、
手書き用の書き込み装置をライトペン（発光部はペン側
）としてマトリックスを構成せしめたものである。この
半導体装置の製造工程に余分な半導体を作為工程等を有
しない。さらに半導体とその上の電極リードとが一体化
しているため・きわめて少ないマスク（２枚）（精密な
重合わせは１回）でパターニングを行うことができ、製
造歩留りを向」ニさせることができる。
る複合ダイオードを用いてＡＣ駆動を行うことにより、
手書き用の書き込み装置をライトペン（発光部はペン側
）としてマトリックスを構成せしめたものである。この
半導体装置の製造工程に余分な半導体を作為工程等を有
しない。さらに半導体とその上の電極リードとが一体化
しているため・きわめて少ないマスク（２枚）（精密な
重合わせは１回）でパターニングを行うことができ、製
造歩留りを向」ニさせることができる。
光検出素子に同一半環体材料を用い、かつこの半導体は
ＮＩＮ接合の順方向電流を用いるため、■型半導体表面
での寄生チャネルが形成される等による特性のバラツキ
が少ない。
ＮＩＮ接合の順方向電流を用いるため、■型半導体表面
での寄生チャネルが形成される等による特性のバラツキ
が少ない。
本発明の光検出素子は交流駆動方式であり、特にそのダ
イオードのしきい値を気相反応法を用いた半導体層の積
層時におけるプロセス条件により制御し得る。
イオードのしきい値を気相反応法を用いた半導体層の積
層時におけるプロセス条件により制御し得る。
本発明における複合ダイオードはその形成後、そのダイ
オード部を含んで０．５３〜丁、０６μの波長のパルス
光レーザ等により強光アニールを行い、水素またはハロ
ゲン元素が添加された多結晶半導体としてもよい。
オード部を含んで０．５３〜丁、０６μの波長のパルス
光レーザ等により強光アニールを行い、水素またはハロ
ゲン元素が添加された多結晶半導体としてもよい。
本発明方法において、Ｉ、Ｎ−またはＰ−の半導体を車
に水素またはハロゲン元素が添加された珪素とするので
はなく、この中に炭素または窒素を添加した５ｉＸＣ＋
−＋ｃ （０＜×＜１）、５ｉｘＮａ−Ｘ （０＜Ｘ〈
４） として耐圧の向上を図ることおよび印加電圧をＯ
ｖとした時の電流（ゼロ電流）を１０− ” Ａ／１０
０μ口以下とすることばは有効である。
に水素またはハロゲン元素が添加された珪素とするので
はなく、この中に炭素または窒素を添加した５ｉＸＣ＋
−＋ｃ （０＜×＜１）、５ｉｘＮａ−Ｘ （０＜Ｘ〈
４） として耐圧の向上を図ることおよび印加電圧をＯ
ｖとした時の電流（ゼロ電流）を１０− ” Ａ／１０
０μ口以下とすることばは有効である。
以上の説明において光は下側の基板側よりの入射とした
。しかし逆に上側電極を透光性とし、上側からの入射と
してもよい。
。しかし逆に上側電極を透光性とし、上側からの入射と
してもよい。
第１図は本発明の光検−出素子を用いた２×２マトリツ
クスの回路図を示す。 第２図は本発明の光検出素子の縦断面（＾）およびその
等価記号（Ｂ）、Ｉ−Ｖ特性（Ｃ）を示す。 第３図は本発明の光検出素子の動作原理を示す。 第４図は本発明のアクティブエレメント構造を示す。
クスの回路図を示す。 第２図は本発明の光検出素子の縦断面（＾）およびその
等価記号（Ｂ）、Ｉ−Ｖ特性（Ｃ）を示す。 第３図は本発明の光検出素子の動作原理を示す。 第４図は本発明のアクティブエレメント構造を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、一方の透光性導電膜および他方の電極とオーム接触
性を有する一対の逆向整流特性を有する水素またはハロ
ゲン元素が添加された光照射により光起電力を発生する
非単結晶半導体よりなる光検出素子を設けることを特徴
とする半導体装置。 ２、特許請求の範囲第１項において、同一基板上にＸ方
向の配線とＹ方向の配線とが複数個設けられたマトリッ
クス構成において、前記ＸおよびＹ方向の配線の交叉部
の第１および第２の電極の間には上側配線と概略同一形
状を有する非単結晶半導体よりなる光検出素子が設けら
れたことを特徴とする半導体装置。 ３、特許請求の範囲第１項において、半導体は水素また
はハロゲン元素が添加された半導体であって、Ｎまたは
Ｐ型の半導体、Ｉ型半導体、ＮまたはＰ型半導体を積層
してＮＩＮ、ＮＮ＾−Ｎ、ＮＰ＾−Ｎ、ＰＩＰ、ＰＰ＾
−ＰまたはＰＮ＾−Ｐ接合を有せしめたことを特徴とす
る半導体装置。 ４、特許請求の範囲第２項において、半導体は水素また
はハロゲン元素が添加された半導体であって、Ｎまたは
Ｐ型の半導体、Ｉ型半導体、ＮまたはＰ型半導体を積層
してＮＩＰＩＮ、ＮＰ＾−ＰＰ＾−Ｎ、ＮＩＰ＾−ＩＮ
、ＰＩＮＩＰ、ＰＩＮ＾−ＩＰ、ＰＮ＾−ＮＮ＾−Ｐ接
合を有せしめたことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59194157A JPS6171325A (ja) | 1984-09-17 | 1984-09-17 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59194157A JPS6171325A (ja) | 1984-09-17 | 1984-09-17 | 半導体装置 |
Related Child Applications (5)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62000296A Division JPS62169381A (ja) | 1987-01-05 | 1987-01-05 | 半導体装置 |
| JP62000297A Division JPS62169382A (ja) | 1987-01-05 | 1987-01-05 | 半導体装置 |
| JP62000294A Division JPS62174979A (ja) | 1987-01-05 | 1987-01-05 | 半導体装置 |
| JP62000295A Division JPS62169380A (ja) | 1987-01-05 | 1987-01-05 | 半導体装置 |
| JP62000293A Division JPS62169379A (ja) | 1987-01-05 | 1987-01-05 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6171325A true JPS6171325A (ja) | 1986-04-12 |
| JPH0471167B2 JPH0471167B2 (ja) | 1992-11-13 |
Family
ID=16319865
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59194157A Granted JPS6171325A (ja) | 1984-09-17 | 1984-09-17 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6171325A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6382326A (ja) * | 1986-09-26 | 1988-04-13 | Kanagawa Pref Gov | 紫外線センサ用素子 |
-
1984
- 1984-09-17 JP JP59194157A patent/JPS6171325A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6382326A (ja) * | 1986-09-26 | 1988-04-13 | Kanagawa Pref Gov | 紫外線センサ用素子 |
| JPH0535976B2 (ja) * | 1986-09-26 | 1993-05-27 | Kanagawa Prefecture |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0471167B2 (ja) | 1992-11-13 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |