JPS62169378A - 半導体装置作製方法 - Google Patents
半導体装置作製方法Info
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- JPS62169378A JPS62169378A JP62000292A JP29287A JPS62169378A JP S62169378 A JPS62169378 A JP S62169378A JP 62000292 A JP62000292 A JP 62000292A JP 29287 A JP29287 A JP 29287A JP S62169378 A JPS62169378 A JP S62169378A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「発明の利用分野」
この発明は、ライトベン等を用いて光軌跡入力せしめ、
マトリックス配列した光検出装置により手書き文字等を
検出せしめたパターン書き込みを行う固体書き込み装置
の作製方法に関する。
マトリックス配列した光検出装置により手書き文字等を
検出せしめたパターン書き込みを行う固体書き込み装置
の作製方法に関する。
「従来の技術」
他に、文字等の筆圧による圧力センサを平面に具備する
怒圧式手書き装置よりなる固体書き込み装置がある。
怒圧式手書き装置よりなる固体書き込み装置がある。
「発明が解決しようとする問題点」
本発明はこの半導体装置の作製に必要なフォトマスク数
を6〜8枚より2または3枚(1回の精密重合わせ)と
することにより、その製造歩留りの向上を図らんとする
ものである。このためアクティブエレメントとその上側
の電極とは概略同一形状としてマトリックス構成の一方
の電極リード(以下配線ともいう)とせしめている。
を6〜8枚より2または3枚(1回の精密重合わせ)と
することにより、その製造歩留りの向上を図らんとする
ものである。このためアクティブエレメントとその上側
の電極とは概略同一形状としてマトリックス構成の一方
の電極リード(以下配線ともいう)とせしめている。
加えて、怒圧式の書き込み装置においては、その圧力に
対し信号検出が人の古き込み筆圧のバラツキにより微妙
である。また応答速度が遅い。加えて、この基板側に絶
えず局部圧力を加えるため基板側の機械疲労による破損
がみられ、高い信頼性を期待し得ない。
対し信号検出が人の古き込み筆圧のバラツキにより微妙
である。また応答速度が遅い。加えて、この基板側に絶
えず局部圧力を加えるため基板側の機械疲労による破損
がみられ、高い信頼性を期待し得ない。
「問題を解決するための手段」
本発明はかかる問題を解決するため、グイナミソク交流
駆動方式を採用したためのアモルファス半導体等の水素
またはハロゲン元素が添加された非単結晶半導体よりな
る複合ダイオードを用いたことを主としている。
駆動方式を採用したためのアモルファス半導体等の水素
またはハロゲン元素が添加された非単結晶半導体よりな
る複合ダイオードを用いたことを主としている。
かかる本発明の光検出素子は一対のそれぞれの電極とは
オーム接触性を有するが、逆向整流特性を構成する複合
ダイオード構成の素子よりなるもので、その代表例は、
N型半導体−■型(以下真性または実質的に真性という
)半導体−N型半導体を積層して設けた旧N構造、即ち
N【接合とIN接合とが電気的に逆向きに連結され、か
つ半導体として一体化したNININ接合する半導体を
はじめ、それに類似の接合であるNN−N、 NP−N
、 PIP、 PP−P、 PN−P。
オーム接触性を有するが、逆向整流特性を構成する複合
ダイオード構成の素子よりなるもので、その代表例は、
N型半導体−■型(以下真性または実質的に真性という
)半導体−N型半導体を積層して設けた旧N構造、即ち
N【接合とIN接合とが電気的に逆向きに連結され、か
つ半導体として一体化したNININ接合する半導体を
はじめ、それに類似の接合であるNN−N、 NP−N
、 PIP、 PP−P、 PN−P。
接合構造が好ましい。さらに電流を多量に流し得す、接
合の数が多いため製造しにくいがNIPINまたはPI
NIP接合構造を有せしめた複合ダイオードであっても
よい。
合の数が多いため製造しにくいがNIPINまたはPI
NIP接合構造を有せしめた複合ダイオードであっても
よい。
かかる複合ダイオードは、ダイオード特性を互いに逆向
きに相対せしめ、そのビルドイン(立ち上がり)電圧(
しきい値)はNl接合のN型半導体と■型半導体との差
(第4図(21) 、 (22) )または1型半導体
に添加するPまたはN型の不純物の濃度で決めることが
できる。
きに相対せしめ、そのビルドイン(立ち上がり)電圧(
しきい値)はNl接合のN型半導体と■型半導体との差
(第4図(21) 、 (22) )または1型半導体
に添加するPまたはN型の不純物の濃度で決めることが
できる。
さらにこのNININ接合いて、I型半導体をSiでは
なく、水素またはハロゲン元素が添加された5ixC+
□(0<X<1)とし、N型半導体を珪素とする5i(
N) SIMCI −x (L N−またはP−)−
Si(N)としても、しきい値を制御し得る。
なく、水素またはハロゲン元素が添加された5ixC+
□(0<X<1)とし、N型半導体を珪素とする5i(
N) SIMCI −x (L N−またはP−)−
Si(N)としても、しきい値を制御し得る。
本発明は、1つの大きな基板にマトリックス構成せしめ
て、面としての光軌跡検出を実行させ得る。その際複合
ダイオードの外周辺とマトリックスを構成するX方向の
電極リード (第1図においてX方向をY方向と言い換
えてもいいが、ここでは図面の横軸をX方向と簡単のた
めに記す)とが概略同一形状を有し、1回のマスク合わ
せを行うのみで完成してしまうため、2枚のみ(1回の
精密なマスク合わせ)でプロセスさせることができる。
て、面としての光軌跡検出を実行させ得る。その際複合
ダイオードの外周辺とマトリックスを構成するX方向の
電極リード (第1図においてX方向をY方向と言い換
えてもいいが、ここでは図面の横軸をX方向と簡単のた
めに記す)とが概略同一形状を有し、1回のマスク合わ
せを行うのみで完成してしまうため、2枚のみ(1回の
精密なマスク合わせ)でプロセスさせることができる。
この構造の代表例を第2図、第4図に示しである。
「作用」
光軌跡を基板上を前述した如く時間的に移動させ、光書
き込み方式として使用し得るに加えて、他の方法として
、所定の位置に複数の光点または光軌跡のON、OFF
の光信号を与えることにより、キーボードを筆圧方式よ
り光タッチ方式のキーボードとすることができる。
き込み方式として使用し得るに加えて、他の方法として
、所定の位置に複数の光点または光軌跡のON、OFF
の光信号を与えることにより、キーボードを筆圧方式よ
り光タッチ方式のキーボードとすることができる。
以下に実施例に従って本発明を説明する。
「実施例1」
第1図は本発明の固体表示装置および固体占き込み装置
の等価回路(2×2のマトリックスの場合)を示す。
の等価回路(2×2のマトリックスの場合)を示す。
図面において、基板上に設けられた光検出素子(フォト
センサ)(10)がマトリックス構成で配列されている
。アドレス線(3)に光検出素子の第2の電極(2)が
連結し、他方、光検出素子(10)の他の電極(第1の
電極)(1)は基板上の透光性導電膜により設けられた
Y配線リード(5)に連結している。このX配線、Y配
線は同一絶縁基板代表的にはガラス基板(第4図(B)
、 (C)における(20) )上に設けられて光検
出素子をマトリックス構成させている。
センサ)(10)がマトリックス構成で配列されている
。アドレス線(3)に光検出素子の第2の電極(2)が
連結し、他方、光検出素子(10)の他の電極(第1の
電極)(1)は基板上の透光性導電膜により設けられた
Y配線リード(5)に連結している。このX配線、Y配
線は同一絶縁基板代表的にはガラス基板(第4図(B)
、 (C)における(20) )上に設けられて光検
出素子をマトリックス構成させている。
図面では2×2とした。これはスケール・アップした表
示装置例えば(アクティブエレメント数が640 X5
25)としても同一技術思想である。
示装置例えば(アクティブエレメント数が640 X5
25)としても同一技術思想である。
かくの如き1つのNININ接合する半導体の積層体に
よる光検出素子の構成及び特性の例を第2図に示してい
る。
よる光検出素子の構成及び特性の例を第2図に示してい
る。
第2図(A)は実際の光検出素子構造の縦断面図を示し
ている。
ている。
即ち第2図(八)において、ガラス基板(20)上の透
光性導電膜(1)よりなる第2の電極(1)、N(11
)[(12)N(13)半導体積層体よりなるNIN接
合型複合ダイオード(10)、遮光用クロムマスク(1
4L アルミニューム導体(15)よりなる100μ口
の面積の第2の電極(2)よりなっている。
光性導電膜(1)よりなる第2の電極(1)、N(11
)[(12)N(13)半導体積層体よりなるNIN接
合型複合ダイオード(10)、遮光用クロムマスク(1
4L アルミニューム導体(15)よりなる100μ口
の面積の第2の電極(2)よりなっている。
この作製方法を略記する。即ち、絶縁性基板を有する基
板、代表的にはガラス板(20)上に500〜5000
人の厚さの酸化スズ、ITO等の透光性導電膜(CTF
と略す)(1)を第1のフォトマスク■を用いて形成す
る。
板、代表的にはガラス板(20)上に500〜5000
人の厚さの酸化スズ、ITO等の透光性導電膜(CTF
と略す)(1)を第1のフォトマスク■を用いて形成す
る。
次ぎにこの上面に公知のプラズマ気相反応、光CVD法
を用いてシランまたはシランにN型不純物用のフォスヒ
ンを添加して、第1のN型半導体層(10)(700人
)、I型半導体層(12) (4000人)、N型半導
体層(13) (700人)を漸次積層して形成した。
を用いてシランまたはシランにN型不純物用のフォスヒ
ンを添加して、第1のN型半導体層(10)(700人
)、I型半導体層(12) (4000人)、N型半導
体層(13) (700人)を漸次積層して形成した。
さらに遮光用及びアルミニュームと半導体との反応防止
用にクロム(14)を500〜3000人の厚さに形成
した。
用にクロム(14)を500〜3000人の厚さに形成
した。
アルミニューム(15)を0.5〜1.5μの厚さに形
成した。
成した。
かくして、NIN構造が設けられ、第2図(B)にその
等価記号が記されている。即ちフォトトランジスタ構造
においても、1−V特性としてコレクタ電圧−コレクタ
電流特性に対応するが、コレクタの電流がトランジスタ
では飽和するが、本発明の光検出素子においては、第2
図(C)に示す如く、概略対称型の複合ダイオード特性
を得る。このため、第2図(B)の如き等価回路として
示した。
等価記号が記されている。即ちフォトトランジスタ構造
においても、1−V特性としてコレクタ電圧−コレクタ
電流特性に対応するが、コレクタの電流がトランジスタ
では飽和するが、本発明の光検出素子においては、第2
図(C)に示す如く、概略対称型の複合ダイオード特性
を得る。このため、第2図(B)の如き等価回路として
示した。
第2図(A)の構成によって得られた特性を第2図(C
)に示す。
)に示す。
この特性は、(16)、 (17)の原点に対し概略対
称型のI−V特性を示していた。
称型のI−V特性を示していた。
図面において(16) 、 (17)は「暗の時」の■
−シ特性である。さらに、ここに450Lx (室内灯
)を照射すると、それでは曲!1a(16″)、(17
°)に変化する。
−シ特性である。さらに、ここに450Lx (室内灯
)を照射すると、それでは曲!1a(16″)、(17
°)に変化する。
さらに55001X(白熱灯)を加えると、(16”
)+ (17” )にそれぞれ変化した。
)+ (17” )にそれぞれ変化した。
第3図(A)〜(D)に本発明の光検出素子の動作原理
の概要を示す。
の概要を示す。
この第3図(八)のNIN半導体(10)ニ+Vまたは
−Vの電圧を加え、第3図(C) 、 (D)のバンド
構成において、光(100)の照射によりホール(25
) 、 (25’ )と電子(24) 、 (24’)
が生じ、ともにドリフトして電流が増巾されるとバリア
(21) 、 (22)がそれぞれ(21°)。
−Vの電圧を加え、第3図(C) 、 (D)のバンド
構成において、光(100)の照射によりホール(25
) 、 (25’ )と電子(24) 、 (24’)
が生じ、ともにドリフトして電流が増巾されるとバリア
(21) 、 (22)がそれぞれ(21°)。
(23”)と低くなる。そのため電子(23) 、 (
23’)がこのバアをこえて流れるため対称性を有する
ダイオード特性が得られる。
23’)がこのバアをこえて流れるため対称性を有する
ダイオード特性が得られる。
さらに電界(+Vまたは−V)によりIJI中で一部ア
バランシエ効果をも誘発し得るため、電流はフォトトラ
ンジスタの如く飽和することなく、電流はしきい値をこ
えると急激に増大するため、第2図(C)の如き特性が
得られるものと推定される。
バランシエ効果をも誘発し得るため、電流はフォトトラ
ンジスタの如く飽和することなく、電流はしきい値をこ
えると急激に増大するため、第2図(C)の如き特性が
得られるものと推定される。
これらの信号をマトリックス構成をした第1図ではデコ
ーダ(8)のトランジスタ(7)で受けて出力(5゛)
または(6′)に取り出せばいい。
ーダ(8)のトランジスタ(7)で受けて出力(5゛)
または(6′)に取り出せばいい。
「実施例2」
この実施例は本発明の半導体装置の作製工程を■■■の
フォトマスクの順序に従って示す。
フォトマスクの順序に従って示す。
第4図にその平面図(A)及び縦断面図(B) 、 (
C)を示す。
C)を示す。
さらに第4図(B) 、 (C)は(A)におけるそれ
ぞれA−A”、B−8’ での縦断面図を記す。
ぞれA−A”、B−8’ での縦断面図を記す。
図面において、透光性絶縁基板として無アルカリガラス
(20)を用いた。この上面に、スパッタ法または電子
ビーム蒸着法により導電膜であるITOまたは酸化スズ
膜等のCTFを0.1〜0.5μの厚さに、積層形成し
た。この後、この導電膜にバターニングをし、電極リー
ドとする。即ち光検出素子(10)用の下側電極(第1
の電極)即ち透光性導電膜(1)を第1のマスク■によ
り不要部を除去して形成した。
(20)を用いた。この上面に、スパッタ法または電子
ビーム蒸着法により導電膜であるITOまたは酸化スズ
膜等のCTFを0.1〜0.5μの厚さに、積層形成し
た。この後、この導電膜にバターニングをし、電極リー
ドとする。即ち光検出素子(10)用の下側電極(第1
の電極)即ち透光性導電膜(1)を第1のマスク■によ
り不要部を除去して形成した。
この後、透光性導電膜のみによるリードのシート抵抗を
下げるための金属ここてはクロムを形成し、光検出素子
となる領域(10)の第1の電極(1)上のクロムを(
32)を第2のマスク■を用いプラズマ気相反応により
除去した。
下げるための金属ここてはクロムを形成し、光検出素子
となる領域(10)の第1の電極(1)上のクロムを(
32)を第2のマスク■を用いプラズマ気相反応により
除去した。
以上の結果、光検出素子(10)の下側電極(1)(第
1の電極)はCTFのみとなり、リード配線には遮光用
のクロム(32)が設けられ、ライトベンの光またはそ
の他の光を遮光している。
1の電極)はCTFのみとなり、リード配線には遮光用
のクロム(32)が設けられ、ライトベンの光またはそ
の他の光を遮光している。
この後、これらの全面に公知のプラズマ気相反応法また
は光気相反応法により光検出素子例えばNIN構造を有
する水素またはハロゲン元素が添加された非単結晶半導
体よりなる複合ダイオードを形成した。即ちN型半導体
(11)をシランを水素にて3〜5倍に希釈し、13.
56M)IzO高周波グロー放電を行うことにより20
0〜250℃に保持された基板上の被形成面上に、微結
晶構造を有する非単結晶半導体を作る。その電気伝導度
は10−4〜10(9cm)−’を有し300〜100
0人の厚さとした。
は光気相反応法により光検出素子例えばNIN構造を有
する水素またはハロゲン元素が添加された非単結晶半導
体よりなる複合ダイオードを形成した。即ちN型半導体
(11)をシランを水素にて3〜5倍に希釈し、13.
56M)IzO高周波グロー放電を行うことにより20
0〜250℃に保持された基板上の被形成面上に、微結
晶構造を有する非単結晶半導体を作る。その電気伝導度
は10−4〜10(9cm)−’を有し300〜100
0人の厚さとした。
さらにシランのみ、または水素と弗化珪素(SiF、。
11+siF、 1hsihまたは5iFz)をプラズ
マ反応炉内に導入し、プラズマ反応をさせ、■型の水素
またはハロゲン元素が添加された非単結晶半導体(12
)を0.2〜1μの厚さにN型半導体(11)上に積層
して形成した。さらに、再び、同様のN型半導体(13
)を微結晶構造として、300〜1ooo人の厚さに積
層してNIN接合とした。この■型半導体中に、ホウ素
またはリンをBzHb/SiH4,Plh/SiJ =
10−’〜10−4の割合で混入させ、P−またはN
−の導電型の半導体をその一部または全部にわたって形
成してもよい。
マ反応炉内に導入し、プラズマ反応をさせ、■型の水素
またはハロゲン元素が添加された非単結晶半導体(12
)を0.2〜1μの厚さにN型半導体(11)上に積層
して形成した。さらに、再び、同様のN型半導体(13
)を微結晶構造として、300〜1ooo人の厚さに積
層してNIN接合とした。この■型半導体中に、ホウ素
またはリンをBzHb/SiH4,Plh/SiJ =
10−’〜10−4の割合で混入させ、P−またはN
−の導電型の半導体をその一部または全部にわたって形
成してもよい。
かくすると、NP−N、NN−Nとすることができる。
この後、この上面に遮光用のクロム(500〜1500
人”) (14) 、さらにリードとして動作させるア
ルミニューム(厚さ0.1〜2μ> (15)を電子ビ
ーム蒸着法またはスパッタ法により積層した。さらにこ
の後、X方向のリード(3)、光検出素子(10)とし
て設ける領域を除き、他部を第3のフォトマスク■を精
密マスク合わせをしてフォトエツチング法により除去し
た。
人”) (14) 、さらにリードとして動作させるア
ルミニューム(厚さ0.1〜2μ> (15)を電子ビ
ーム蒸着法またはスパッタ法により積層した。さらにこ
の後、X方向のリード(3)、光検出素子(10)とし
て設ける領域を除き、他部を第3のフォトマスク■を精
密マスク合わせをしてフォトエツチング法により除去し
た。
即ちレジストにより第4図に示す如く、アルミニューム
(15)をCCl4を用い、プラズマエツチングした。
(15)をCCl4を用い、プラズマエツチングした。
さらにクロム(14)をさらに半導体(16)をエツチ
ングして除去し、X方向のリード(3) 、 (4)
、第2の電極の外側周辺(第4図(CX40))と、そ
の下の半導体の外周辺((第4図(C) (40’ )
)とを概略同一形状とした。
ングして除去し、X方向のリード(3) 、 (4)
、第2の電極の外側周辺(第4図(CX40))と、そ
の下の半導体の外周辺((第4図(C) (40’ )
)とを概略同一形状とした。
かくして1回の精密な重合わせプロセスを行う第3のマ
スク■により、X方向のリード(3)、第2の電極(2
)とその下側に位置する光検出素子の半導体(10)と
を概略同一形状にし得た。
スク■により、X方向のリード(3)、第2の電極(2
)とその下側に位置する光検出素子の半導体(10)と
を概略同一形状にし得た。
以上のことより、1つの基板の一主面上にアクティブエ
レメントとしての光検出素子の電極を設け、かつリード
はX方向およびY方向に配設せしめている。この工程に
必要なマスクは■を略すると2種類のマスクを用いるの
みですみ、かつ精密なマスク合わせは1回の第3のマス
クのみでよい。
レメントとしての光検出素子の電極を設け、かつリード
はX方向およびY方向に配設せしめている。この工程に
必要なマスクは■を略すると2種類のマスクを用いるの
みですみ、かつ精密なマスク合わせは1回の第3のマス
クのみでよい。
「効果」
本発明は以上に示す如く、同一基板上に非線型素子であ
る複合ダイオードを用いてAC駆動を行うことにより、
手書き用の書き込み装置をライトベン(発光部はペン側
)としてマトリックスを構成せしめたものである。この
半導体装置の製造工程に余分な半導体を作る工程等を有
しない。さらに半導体とその上の電極リードとが一体化
しているため、きわめて少ないマスク(2枚)(精密な
重合わせは1回)でパターニングを行うことができ、製
造歩留りを向上させることができる。
る複合ダイオードを用いてAC駆動を行うことにより、
手書き用の書き込み装置をライトベン(発光部はペン側
)としてマトリックスを構成せしめたものである。この
半導体装置の製造工程に余分な半導体を作る工程等を有
しない。さらに半導体とその上の電極リードとが一体化
しているため、きわめて少ないマスク(2枚)(精密な
重合わせは1回)でパターニングを行うことができ、製
造歩留りを向上させることができる。
光検出素子に同一半導体材料を用い、かつこの半導体は
NIN接合の順方向電流を用いるため、I型半導体表面
での寄生チャネルが形成される等による特性のバラツキ
が少ない。
NIN接合の順方向電流を用いるため、I型半導体表面
での寄生チャネルが形成される等による特性のバラツキ
が少ない。
本発明の光検出素子は交流駆動方式であり、特にそのダ
イオードのしきい値を気相反応法を用いた半導体層の積
層時におけるプロセス条件により制御し得る。
イオードのしきい値を気相反応法を用いた半導体層の積
層時におけるプロセス条件により制御し得る。
本発明における複合ダイオードはその形成後、そのダイ
オード部を含んで0.53〜1.06μの波長のパルス
光レーザ等により強光アニールを行い、水素またはハロ
ゲン元素が添加された多結晶半扉体としてもよい。
オード部を含んで0.53〜1.06μの波長のパルス
光レーザ等により強光アニールを行い、水素またはハロ
ゲン元素が添加された多結晶半扉体としてもよい。
本発明方法において、I、N−またはP−の半導体を単
に水素またはハロゲン元素が添加された珪素とするので
はな(、この中に炭素または窒素を添加した5ixC+
−x (0<X<1)、5ixN4−x (0<X<4
) として耐圧の向上を図ることおよび印加電圧をO
vとした時の電流(ゼロ電流)を10− ” A/10
0μ0以下とすることばは有効である。
に水素またはハロゲン元素が添加された珪素とするので
はな(、この中に炭素または窒素を添加した5ixC+
−x (0<X<1)、5ixN4−x (0<X<4
) として耐圧の向上を図ることおよび印加電圧をO
vとした時の電流(ゼロ電流)を10− ” A/10
0μ0以下とすることばは有効である。
以上の説明において光は下側の基板側よりの入射とした
。しかし逆に上側電極を透光性とし、上側からの入射と
してもよい。
。しかし逆に上側電極を透光性とし、上側からの入射と
してもよい。
第1図は本発明の光検出素子を用いた2×2マトリツク
スの回路図を示す。 第2図は本発明の光検出素子の縦断面(^)およびその
等価記号(B)、I−V特性(C)を示す。 第3図は光検出素子の動作原理を示す。 第4図は本発明のアクティブエレメント構造を示す。
スの回路図を示す。 第2図は本発明の光検出素子の縦断面(^)およびその
等価記号(B)、I−V特性(C)を示す。 第3図は光検出素子の動作原理を示す。 第4図は本発明のアクティブエレメント構造を示す。
Claims (1)
- 基板上に光感性半導体装置を形成するに際し、前記基板
上に第1の電極を形成する工程と、該電極上にNまたは
P型半導体、真性または実質的に真性の半導体およびN
またはP型半導体を積層してNINまたはPIP接合を
有する非単結晶半導体を形成する工程と、該半導体上か
つ前記第1の電極上方に第2の電極を形成せしめ、該第
2の電極をマスクとして該第2の電極以外の領域の前記
非単結晶半導体を除去することにより概略同一形状に形
成するとともに、前記真性または実質的に真性の半導体
で感光せしめるべく前記第1または第2の電極の一方は
透光性を有することを特徴とする半導体装置作製方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62000292A JPS62169378A (ja) | 1987-01-05 | 1987-01-05 | 半導体装置作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62000292A JPS62169378A (ja) | 1987-01-05 | 1987-01-05 | 半導体装置作製方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59194158A Division JPS6171665A (ja) | 1984-09-17 | 1984-09-17 | 半導体装置作製方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62169378A true JPS62169378A (ja) | 1987-07-25 |
Family
ID=11469828
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62000292A Pending JPS62169378A (ja) | 1987-01-05 | 1987-01-05 | 半導体装置作製方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62169378A (ja) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS56135980A (en) * | 1980-03-28 | 1981-10-23 | Canon Inc | Photoelectric conversion element |
JPS5764986A (en) * | 1980-10-08 | 1982-04-20 | Ricoh Co Ltd | Manufacture of thin film photodiode |
JPS58118143A (ja) * | 1982-01-06 | 1983-07-14 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
JPS58139464A (ja) * | 1982-02-15 | 1983-08-18 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
-
1987
- 1987-01-05 JP JP62000292A patent/JPS62169378A/ja active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS56135980A (en) * | 1980-03-28 | 1981-10-23 | Canon Inc | Photoelectric conversion element |
JPS5764986A (en) * | 1980-10-08 | 1982-04-20 | Ricoh Co Ltd | Manufacture of thin film photodiode |
JPS58118143A (ja) * | 1982-01-06 | 1983-07-14 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
JPS58139464A (ja) * | 1982-02-15 | 1983-08-18 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
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