JPS6269553A

JPS6269553A - 半導体装置

Info

Publication number: JPS6269553A
Application number: JP60209748A
Authority: JP
Inventors: Shunpei Yamazaki; 舜平山崎
Original assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Current assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority date: 1985-09-20
Filing date: 1985-09-20
Publication date: 1987-03-30

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】「発明の利用分野」この発明は、アクティブマトリックス方式による表示パ
ネル好ましくは液晶表示パネルを設けることにより、マ
イクロコンピュータ、ワードプロセッサまたはテレビ等
の表示部の固体化を図る半導体装置に関するものである
。

この発明は、かかる固体表示装置を同一基板に一体化せ
しめ、ライトペン等を用いて光軌跡入力せしめ、マトリ
ックス配列した光検出装置により手書き文字等を検出せ
しめたパターン書き込みを行う固体書き込み装置に関す
る。

「従来の技術」固体表示パネルは各絵素を独立に制御する方式が大面積
用として有効である。このようなアクティブ素子を用い
たパネルとして、１つの絶縁ゲイト型電界効果半導体装
置ＯＧＦという）とそれに直列に連結した液晶素子とよ
りなる１絵素を構成せしめ、これをＸ、Ｙ配線に連結し
たマトリックス横成よりなるものがある。

また、固体書き込み装置としては文字等の筆圧による圧
力センサを平面に具備する感圧式手書き装置よりなるも
のがある。

「発明が解決しようとする問題点」しかし、このＩＧＦを用いた表示パネルにおいて、その
重合わせを伴う製造プロセスに必要なフォトマスク数は
６〜８枚もなり、そのため製造歩留りが低くなってしま
うことが予想される。

加えて、従来公知の感圧式の書き込み装置においては、
その圧力に対し信号検出が人の書き込み筆圧のバラツキ
により微妙である。また応答速度が遅い。加えて、この
基板側に絶えず局部圧力を加えるため基板側の疲労によ
る破１員がみられ、高い信鮎性を期待乙得ない。さらに
、この固体表示素子と感圧書き込みを一体化せんとする
と、書き込みの筆圧がその下面に設けられている液晶に
も加わり、結果として液晶自体の疲労または液晶の上下
電極間に揺らぎが生ずることによる液晶の表示コントラ
ストのバラツキが発生ずる等の大きな信顧性低下の要因
を本質的に内在している。

「問題を解決するための手段」本発明はかかる問題を解決するため、アクティブ素子を
制御する系としてｒＧＦを用いず、非線型素子としてア
モルファス半導体等の水素またはハロゲン元素が添加さ
れた非単結晶半導体よりなる複合ダイオードを用いたこ
とを主としている。本発明は本発明人による特許ＩＪＩ
　（特願昭５９−１８９１８２昭和５９年９月１０日）
を更に改定したものである。

本発明はこのフォトマスク数を６〜８枚より３枚（１回
の精密重合わせ）とすることにより、その製造歩留りの
向上を図らんとするものである。

そして固体表示装置に設けられた光検出素子（フォトト
ランジスタまたはフォトセンサともいう）に対し液晶側
より光信号を与えんとしたものである。その結果、この
光検出素子と固体表示装置に連結する非線型素子とを同
時に設け、またこの２つの素子が基板側より上方に林立
し、その一部の素子が破壊することがないようその側周
辺特にその中挟の面に対し絶縁物好ましくは有機樹脂で
補強して設けたものである。

さらにこの絶縁物を設けることにより、非線型素子に連
結する画素の一方の電極および光検出素子の光検出面（
受光面）側をも滑らかに連結するまたは概略同一面とし
て設けたものである。

かかる本発明に用いる非線形素子及び光検出素子は、１
つのＰＩＮ接合とその上下にコンタクトを有する電極よ
り構成されるダイオードを複数個用いるのではなく、一
対のそれぞれの電極とはオーム接触性を有するが、逆向
整流特性を構成する複合ダイオード構成の素子よりなる
もので、その代表例は、Ｎ型半導体−Ｉ型（以下真性ま
たは実質的に真性という）半導体−Ｎ型半導体を積層し
て設けたＮＴＮ構造、即ちＮｌ接合とＩＮ接合とが電気
的に逆向きに連結され、かつ半導体として一体化したＮ
ＩＮ接合を有する半導体をはじめ、その変形でであるＮ
Ｎ−Ｎ、　ＮＰ−Ｎ、　ＰＩＰ、　ＰＰ−Ｐ、　ＰＮ−
Ｐ、　ＮＩｒ’ＩＮまたはＰＴＮＩＰ接合構造を有せし
めた複合ダイオードである。

かかる複合ダイオードは、ダイオード特性を互いに逆向
きに相対せしめ、そのビルドイン（立ち上がり）電圧（
しきい値）はＮｌ接合のＮ型半導体とＩ型半導体との差
（第４図（４１）、　（４２））で決め得る。

さらにこの非線型素子（ＮＩＮ接合ともいう）を有する
半導体は、同様に光検出素子（フォトセンサともいう）
としても併用させ得る。このためこのフォトセンサは同
じ基板上の光検出素子に用いられる非線型素子の遮光用
の金属電極を除去し、その下側には半導体に密接してク
ロム−シリサイド等の非酸化物透光性導電膜を界面での
信顛性向上用に設ける工程を加えるのみである。

さらに本発明は、そのディバイス構造としてそれぞれの
素子を少数同一基板に併設することも可能である。しか
しその最も効果的な構成は１つの大きな基板にマトリッ
クス構成せしめて、面としての固体表示、光軌跡検出を
実行させ得る。

「作用」本発明は、光軌跡方式による固体書き込み装置と固体表
示装置とが一体化している。このため、これまでのマイ
クロコンピュータの如き目の位置と指の位置が異なる場
合に生じた作業者の首の疲労がなくなり、また指もキー
ボードではなくライトペン方式を用いた新筆が伴う光軌
跡を利用する方式であるため、ワードプロセッサを学習
に使用する在宅学習システムに対し、文字等をライトベ
ンで書く作業を伴うため学習効果を高め得る。

また光軌跡を基板上を前述した如く時間的に移動させる
のではなく、所定の位置に複数の光点または光軌跡を与
えることにより、キーボードを筆圧方式より光タッチ方
式のキーボー１゛とすることができる。

以下に実施例に従って本発明を説明する。

「実施例１」第１図は本発明の固体表示装置および固体書き込み装置
の等価回路（２×２のマトリックスの場合）を示す。図
面において、矩形で囲んだ１〜６の数字は第１の電極〜
第６の電極を示す。

基板上に設けられた１つのアクティブエレメント（１）
は光検出素子（フォトセンサ）（４）と非線型素子（２
）と液晶（３）とよりなっている。このエレメントの非
線型素子（２）はＸ配線（リードともいう）　（１６）
に第１の電極（７）により連結し、またこのＸ配線は同
時にフォトセンサ（４）の第４の電極（８）に連結して
いる。このフォトセンサの配線を他のＸ配線として独立
して設けてもよい。さらにこのフォトセンサ（４）に直
列に非線型素子（２）をクロストークを防ぐため設けて
もよい。他方、フォトセンサ（４）の他の電極（第５の
電極）（９）は基板上の透光性導電膜により設けられた
Ｘ配線リード（１８）に連結し、その結果、フォトセン
サはＸ（１８）。

Ｙ（１６）マトリックスを構成した配線の交点に位置せ
しめることができる。他方、液晶（３）の一方の電極（
１０）　（第３の電極）とそれに連結した非線型素子（
２）の電極（第２の電極）（５）が設けられる。

液晶（３）の第６の電極（６）（対抗電極ともいう）は
相対する他の基板」二に設けられた透光性のＸ配線（１
４）に連結している。このＸ配線、Ｘ配線は同一絶縁基
板代表的にはガラス基板（第５図（Ａ）　、　（Ｂ）　
。

（Ｃ）、第６図（Ａ）　、　（Ｂ）における（２０））
上に設けられてフォトセンサをマトリックス構成させて
いる。

また、液晶（３）はＸ配線を有する基板（２ｏ）とＸ配
線（１４）を有する他の基板（２０°）とではさまれて
マトリックス構成せしめている。

かかるアクティブエレメントをマトリックス構成せしめ
、図面では２×２とした。これはスケール・アンプした
表示装置例えば（アクティブエレメント数が６４０　Ｘ
４００）としても同一技術思想である。

かくの如き１つのＮＩＮ接合を有する半導体非線型素子
の積層体により、一方の固体表示素子の制御用と、他方
のフォトセンサの半導体として用いたものである。かか
る非線型素子及びフォトセンサとの構成及び特性の例を
第２図、第３図に示している。

この第２図を以下に略記する。

第２図（Ａ）は実際の非線型素子構造の縦断面図を示し
ている。

この第２図（Ａ）は第６図（八）における図で囲んだ１
に対応する。第２図（Ａ）においてガラス基板（Ｑ）（２０）上のＹ方向のリードおよび電極としての金属導
体（７）よりなる第１の電極（７）　、　Ｎ　（３１）
　ｒ　（３２）　Ｎ　（３３）半導体積層体よりなるＮ
ＩＮ接合型複合ダイオード（２）、オーム接触用合金層
（３４）遮光用を兼ねた金属電極（５）、液晶の一方の
電極（第３の電極）（１０）よりなる。この１つのセル
はここでは１００μ口の面積とした。

このＮＩＮ型の半導体は公知のプラズマＣＶＤ法または
光ＣＶＤ法を用い、水素またはハロゲン元素が添加され
たアモルファスシリコン半導体を主成分として用いた。

さらに１層に対しＰ型用不純物を少し添加した実質的に
真性として、Ｎ１ｔｌ構造とした。

第２図（八）の構成によって得られた特性例を第３図（
Ａ）に示す。

第３図（Ａ）のＩ−Ｖ（電圧−電流）特性は第３図にお
ける（４６）　、　（４７）の原点に対し対称型のＴ−
Ｖ特性を得ることができた。

この値は、意図した画素の液晶（例えば強誘電性液晶）
に対し５ｖを印加してオン状態とする時、　　　　″こ
の画素の隣に位置する画素（例えば第１図（２”））に
かかる電圧はこの１／３である。この１／３の電圧によ
り隣の画素がオン状態にならないためには、１．７シ以
下において電流が流れないことが必要である。第３図（
Ａ）はしきい値として２．７ｖを有し、これを十分満足
させることができる。即ち非線型素子として十分有効に
動作し得る。

第４図（Ａ）〜（１１）に本発明の非線型素子の動作原
理の概要を示す。

第４図（Ａ）はＮ（３１）Ｔ（３２）Ｎ（３３）構造を
有する半導体（２）である。例えば水素を含む珪素を主
成分とする非単結晶半導体である。その厚さはＮ（３１
）は７００　人、＋（３２）は８０００人、　Ｎ　（３
３）は７００　人とした。

この場合の電圧が電極（５）　、　（７）間に印加され
ていない場合におけるエネルギバンド図を第４図（Ｒ）
に示す。これに対し、もし電極（５）に比べて（７）に
正の電圧がかかると、第４図（Ｃ）のエネルギバンド構
造となる。すると、電子（４３）は障壁（４１）が（旧
゛）にその高さを低くするに準じて順方向の電流として
流れる。

また、逆に、電極（５）に対しく７）に負の電圧が加わ
ると、障壁（４２’）が（４２）に比べ低くなり、その
Ｎ型半導体層（３５）の電子（４３’）が（７）より（
５）へと流れる。

結果として、第３図（八）に示すごとき非線型特性（４
６）　、　（４７）を第４図（Ｃ）　、　（Ｄ）に対応
して有せしめることができる。

他方、第２図（Ｃ）　、　（［＋）に示す光検出素子（
フォトセンサ）は第１図（Ｂ）における口で囲んだ４に
対応する。この素子につき、その動作を略記する。

このＮ　（３１）　Ｉ　（３２）　Ｎ　（３３）の半導
体積層体は、第２図（Ａ）の非線型素子と同一半導体材
料で同一プロセスにより形成される。

即ちガラス基板（２０）上の金属導体の電極（８）（第
４の電極）−ヒの半導体（４）とその上にクロムシリサ
イドの非酸化物導電性導電膜（３４）およびＩＴＯ等の
透光性酸化物導電膜のに側電極（９）（第５の電極）よ
りなっている。

この半導体（３３）と金属との間に設けられる非酸化物
導電膜（３４）は例えばクロム・シリサイドであ（Ｉ２
）す、厚さ３０〜１００人で透光性であり、きわめて熱的
、化学的に安定である。そのため、電流パルスを加えて
も、その上のＴＴＯと半導体とが互いに進行性反応をし
て劣化しないように保護することができる。この発明は
かかる構造を有しているため、ライトペンよりの光（１
００）は（第５図（Ｃ）における対抗電極（６）側に対
応）上方より照射される。

この光の」二方より即ち利用者の目の側より印加するこ
とは液晶表示装置におけるバンクライトの影響をフォト
センサが避けることができる点できわめて重要である。

このフォトセンサの等価回路を第２図（Ｄ）に示す。

増巾作用は必ずしもあるとは限らないが、みかけ上第２
図（Ｄ）に示すフォトトランジスタ構成で略記する。即
ち照射光（１００）によるベースへの注入により電流が
大きくなる。

その−例の特性を第３図（Ｂ）に示している。図面ニオ
イア　（４６）　、　（４７）は「暗の時Ｊ　（７）Ｉ
−Ｖ特性である。さらに、ここに４５０Ｌｘ（室内灯）
を照射すると、それでは曲線（４６’）、　（４７″）
に変化する。さらに５５００ＬＸ（白熱灯）を加えると
、（４６”　）＋　（４７”　）にそれぞれ変化する。

これらの信号をマトリックス構成をした第１図において
はデコーダ（１３）のトランジスタで受けて出力（１８
’）または（１９’）に取り出せばいい。

第４図において、このフォトセンサの動作原理を示して
いる。第４図（Ａ）のＮＩＮ半導体（４）に＋Ｖまたは
−Ｖの電圧を加え、第４図（Ｃ）　、　（Ｄ）のバンド
構成において、光（１００）の照射によりホール（４５
）。

（４５’）と電子（４４）　、　（４４”）が生じ、と
もにドリフトして電流が増巾される。かくして第１図（
Ｂ）に示す如く、低い電圧でも電流の増加が見られ得る
。

「実施例２」この実施例は第５図にその平面図（八）及び縦断面図（
Ｂ）　、　（Ｃ）および第６図（Ａ）　、　（Ｂ）が示
されている。液晶部分は第５図（Ｃ）のみに示し、他は
基板とその上の半導体のみを示す。

さらに第５図（Ｂ）　、　（Ｃ）は（八）におけるそれ
ぞれＡ−Ａ’、Ｂ−Ｂ’での縦断面図を記す。加えて、
第６図（Ａ）　、　（Ｂ）はそれぞれ第５図（＾）にお
けるｃ−ｃ’及びＤ−Ｄ’の縦断面図を示している。

図面において、透光性絶縁基板としてコーニンク７０５
９ガラス（２０）を用いた。この」−面に、スパッタ法
または電子ビーム蒸着法により導電膜であるモリブデン
を０．１〜０．５　ｐの厚さに形成した。

この後、これらの全面に公知のプラズマ気相反応法また
は光気相反応法により非線形半導体素子例えばＮＴＮ構
造を有する水素またはハロゲン元素が添加された非単結
晶半導体よりなる複合ダイオードを形成した。即ちＮ型
半導体（３１）をシランを水素にて３〜５倍に希釈し、
１３．５６Ｍ１ｌｚの高周波グロー放電を行うことによ
り２００〜２５０℃に保持された基板上の被形成面」−
に、非単結晶半導体を作る。その電気伝導度は１０−６
〜１０２（Ωｃｍ）　−’を有し３００〜１０００人の
厚さとした。

さらにシランのみ、またはこれと弗化珪素（ＳＩＦ４１
Ｈ３ＳｉＦ、ｔ１２ｓｉＦｚまたは５ｈＦｂ）をプラズ
マ反応炉内に導入し、プラズマ反応をさせ、■型の水素
またはハロゲン元素が添加された非ｔｉｉ結晶半導体（
３２）を０．２〜１μの厚さにＮ型半導体（３３）ｌに
積層して形成した。さらに、再び、同様のＮ型半導体（
３５）を３００〜１０００人の厚さに積層して旧Ｎ接合
とした。

このＩ型半導体中に、ホウ素をＢＪ６／５ｉＨ４＝　１
０−　’〜１０−４の割合で混入させ、Ｐ−または実質
的に真性の導電型の半導体をその一部または全部にわた
って形成してもよい。かくすると、ＮＰ−Ｎ、Ｎ１−Ｎ
の積層体とすることができる。

この後、この上面に遮光用のクロム（５００〜１５００
人）　（３５）を電子ビーム蒸着法またはスパッタ法に
より基板を１５０℃に加熱して積層した。するとこのク
ロムとその下側のアモルファス珪素との界面には化学的
に安定なりロムシリサイド（３４）を３０〜１００人の
厚さで設けることができる。

さらにこの後、第２の電極（５）、非線型素子（２）さ
らにＹ方向の電極（７）　、　（８）およびそのリード
（４）として設ける領域を除き、他部を第１のフォトマ
スク■を用いてフォトエツチング法により除去した。

さらにこれら全体に対し、光感光性有機樹脂を塗布した
。すると、このガラス基板（２０）上の積層体（２）　
、　（４）上を含めすべてに有機樹脂がコートされる。

この厚さは有機樹脂をキュアした後、積層体と概略同じ
高さとするようにすることが好ましい。

さらに裏側より基板を通して紫外光を照射すると、この
積層体に設けられている以外の側周辺領域の有機樹脂を
光感光させることができる。そしてこの積層体上の有機
樹脂をマスクを用いることなしに選択的に除去すること
ができる。

この有機樹脂はポリイミド系のものを用いた。

すると感光・キュアにより約１７２に厚さが減少するた
め、この厚さを考慮しておくことが重要である。かくし
て露光の後、積層体の側周辺のみを残し他をリンスをし
、除去する。そして窒素中２００夕４００℃で所定の時
間キュアを行った。すると積層体の周辺部を透光性の有
機樹脂膜（２１）で包み、積層体（第６図（＾）↓、（
Ｂ）↓における円で囲んだ領域）を機械的に保護するこ
とができた。

更にこの後、第２のマスク■を用い、フオトセンサとな
る領域のみこの上面のクロムを除去し、その下側の非酸
化物透光性導電膜を残存させる。

するとこのクロムシリサイドは、きわめて安定な層を形
成させている。この合金層は透光性であり、厚さは３０
〜１００　人である。

さらにこの工程の後、これら全面に第３の電極（１０）
およびフォトセンサのリード（１８）となる透光性導電
膜ここではＩＴＯを層上に形成した。

更にこの導電膜に対し第５図（Ａ）に示す如く、液晶の
一方の電極（第３の電極（１０））とフォトセンサ（４
）の電極（９）、リード（１８）を残し他を除去する。

さらにこの第３のマスク■及び有機樹脂とをマスクとし
、それぞれの半導体素子間（３５）を併せて除去する。

これは隣合った非線型素子同志のクロストークを除去す
るためである。

この工程の結果、積層体は長い機械的に丈夫な側周辺（
第５図（Ｂ））は有機樹脂で保護されていないが、中挟
の側周辺（第６図（Ａ）　、　（Ｂ）　）は有機樹脂（
２１）で包むことができた。この製造工程は周辺部に有
機樹脂膜を充填する工程以外は実施例１と同−とした。

以上の工程より明らかな如く、精密な重合ゎせプロセス
は第２のマスク工程のフォトセンサ用の穴開けのみであ
る。この画素の第３の電極（１ｏ）と非線型素子（２）
の第２の電極（５）との相互位置は第３の電極（１０）
の上端と下端の間、例えば３００１１即ち±１５０μず
れても、まったく実用」二支障がない。即ち高い製造歩
留りを期待できる。

非線型素子はその上下面もともに遮光用の金属（５）　
、　（３７）　（第２図（＾）、第５図（Ｂ）　、　（
Ｃ）　、第６図（Ａ）で覆われ、また、フォトセンサ（
４）の−ヒ側電極（９）は透光性とするためクロムが除
去され、ＴＴＯ（９）およびクロムシリサイド（３４）
よりなる透光性導電膜が設けられている。（第２図（Ｃ
）、第５図（Ｂ）、第６図（Ｂ））本発明の半導体装置においては、第５図（Ｃ）に示す如
く、さらに相対する他の基板（２０″）の内側に設けら
れた液晶の他方の対抗電極（第６の電極）（６）、リー
ド（１４）は、他の第１のマスク■により、Ｚ方向の配
置ｊ！（この配線はフォトセンサのＸ方向の配線と平行
に設けている）として形成させ液晶（３）を構成してい
る。

そしてこの対抗電極は上下の基板の合わせ精度を考慮し
て下側の電極（１０）より巾広（第５図（Ｃ））として
設けている。即ち、フォトセンサ（４）、リード（１８
）により実質的に表示画素としての有効表示面積が減少
しても、その欠点を補って２つの基板（２０）　、　（
２０’　）の合わせ精度にマージンを与えることができ
る。その結果、対抗電極（６）における中広の分（３６
）は実質的に有効表示の電極として作用させることがで
きる。もちろん第５図（Ｃ）における液晶はその厚さが
１〜４μであり、電極（１０）　、　（６）はその巾が
１００〜１０００μであるため、液晶（３）を介しての
隣の画素とはクロストークをまったくしない。

以上のことより、１つの基板の一主面上にアクティブエ
レメントとしての非線型素子（２）、フォトセンサ（４
）及び液晶（３）の一方の電極を設け、かつリードはＸ
方向およびＹ方向に配設せしめている。この工程に必要
なマスクは３種類のマスクを用いるのみですみ、かつ精
密なマスク合わせは１回の第２のマスクのみでよい。

表示パネルとしては、この後、２つの相対する主面に配
向処理を施し、相対する２つの基板（２０）　。

（２０’）を約１〜１０メ！の巾に離間させ、その隙間
を真空引きした後、強誘電性液晶等のスメクチック液晶
、ＴＮ液晶等の公知の液晶（３）を封入した。第１図に
示す周辺回路（１１）　、　（１２）　、　（１３）を
ハイブリッド構成として基板に単結晶ＩＣをボンディン
グして作製し得る。またコネクタを介して他のプリント
基板のＩＣと連結してデコーダ（１１）　、　（１２）
　、　（１３）とし得る。

図面において、フォトセンサ（４）、リーク（１８）に
対応してその上方に他の電極リードを設け、この一対の
電極よりこの電極間の液晶をオンまたはオフさせてもよ
い。

「効果」本発明は以上に示す如く、同一基板上に非線型素子であ
る複合ダイオードを用いて液晶のアクティブ素子化を行
うとともに、同じパネルを用い、手書き用の書き込み装
置をライトペン（発光部はペン側）としてマトリックス
を構成せしめたものである。このため２つの機能を重合
わせる方式にに比べ、表示のコントラストが不明晰にな
った。

かつそれらを必要な製造工程に余分な半導体を作る工程
等を有しない。さらに半導体とその上の電極リードとが
一体化しているため、きわめて少ないマスク（４枚）（
精密な重合わせは１回）でパターニングを行うことがで
き、製造歩留りを向上させることができる。

非線型素子及びフォトセンサに同一半導体材料を用い、
かつこの半導体はＮＩＮ接合の順方向電流を用いるため
、Ｉ型半導体表面での寄生チャネルが形成される等によ
る特性のバラツキが少ない。

本発明のフォトセンサ、表示パネルは強誘電性液晶を用
いるならば、周波数光学速度を有し、かつ液晶それ自体
が不揮発性メモリ作用を有するため、プリンタの一部に
用いることも可能である。

さらに本発明に用いる非線型素子は、特にそのダイオー
ドのしきい値を気相反応法を用いた半導体層の積層時に
おけるプロセス条件により制御し得るため、階調制御か
じゃずいという特徴を有する。

本発明方法において、Ｔ、Ｎ−またはＰ−の半導体を単
に水素またはハロゲン元素が添加された珪素とするので
はなく、この中に炭素または窒素を一部または全部に添
加した５ｉｘＣＩ−ｘ　（０＜Ｘ＜１）、５ｉｘＮ４−
１ｌ（０〈χ〈４）ＩＳＩ０２−Ｘ　　（０〈Ｘ〈２）
として耐圧の向」二を図ることおよび印加電圧をＯｖと
した時の電流（ゼロ電流）を１０−　”　Ａ／２０　Ｘ
　３００μ以下とすることは有効である。

本発明において、表示素子と光検出素子とはその数にお
いて１：１である必要はなく、光検出に必要な素子密度
を考慮して表示素子に比べて多くも少なくもし得る。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明のアクティブエレメントとして非線型素
子およびフォトセンサを用いた２×２マトリツクスの回
路図を示す。第２図は本発明の非線型素子及びフォトセンサの縦断面
（Ａ）　、　（Ｃ）およびその等価記号（１１）　、　
（ｒｌ）を示す。第３図は本発明のＬＶ特性を示す。第４図は非線形素子およびフォトセンサの動作原理を示
す。第５図及び第６図は本発明のアクティブエレメント構造
を示す。

Claims

【特許請求の範囲】１、固体表示装置に連結する非線型素子と、光信号を電
気信号に変換検出する光検出素子とが同一基板上に設け
られ、液晶が充填された対抗電極側よりライトペン等に
より光信号を入力せしめ、該信号を前記光検出素子によ
り認識せしめることを特徴とする半導体装置。２、特許請求の範囲第１項において、固体表示装置にお
ける液晶を駆動する非線型素子と光検出素子とは同一半
導体接合構造を有することを特徴とする半導体装置。３、特許請求の範囲第１項において、前記非線型素子と
前記光検出素子は周辺部に隣接して有機樹脂が設けられ
たことを特徴とする半導体装置。４、特許請求の範囲第１項において、光検出素子上面に
は非酸化物透光性導電膜が設けられたことを特徴とした
半導体装置。