JPS6269554A - 半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 「発明の利用分野」 この発明は、アクティブマトリックス方式による表示パ
ネル好ましくは液晶表示パネルを設けることにより、マ
イクロコンピュータ、ワードプロセッサまたはテレビ等
の表示部の固体化を図る半導体装置に関するものである
。

この発明は、かかる固体表示装置を同一基板に一体化せ
しめ、ライトペン等を用いて光軌跡入力せしめ、マトリ
ックス配列した光検出装置により手書き文字等を検出せ
しめたパターン書き込みを行う固体書き込み装置に関す
る。

「従来の技術」 固体表示パネルは各絵素を独立に制御する方式が大面積
用として有効である。このようなアクティブ素子を用い
たパネルとして、１つの絶縁ゲイト型電界効果半導体装
１ｆ（ｔｃｐという）とそれに直列に連結した液晶素子
とよりなるｌ絵素を構成せしめ、これをＸ、Ｙ配線に連
結したマトリックス構成よりなるものがある。

また、固体書き込み装置としては文字等の筆圧による圧
力センサを平面に具備する感圧式手書き装置よりなるも
のがある。

「発明が解決しようとする問題点−１ しかし、このＴＧＦを用いた表示パネルにおいて、その
重合わせを伴う製造プロセスに必要なフォトマスク数は
６〜８枚もなり、そのため製造歩留りが低くなってしま
うことが予想される。

加えて、従来公知の感圧式の書き込み装置においては、
その圧力に対し信号検出が人の書き込み筆圧のバラツキ
により微妙である。また応答速度が遅い。加えて、この
基板側に絶えず局部圧力を加えるため基板側の疲労によ
る破ｆＪ４がみられ、高い信軟性を期待し得ない。さら
に、この固体表示素子と感圧書き込みを一体化−１んと
すると、書き込みの筆圧がその下面に設けられている液
晶にも加わり、結果として液晶自体の疲労または液晶の
上下電極間に揺らぎが生ずることによる液晶の表示コン
トラストのバラツキが発生ずる等の大きな信頼性低下の
要因を本質的に内在している。

「問題を解決するだめの手段」 本発明はかかる問題を解決するため、アクティブ素子を
制御する系としてＩＧＦを用いず、非線型素子としてア
モルファス半導体等の水素またはハロゲン元素が添加さ
れた非単結晶半導体よりなる複合ダイオードを用いたこ
とを主としている。本発明は本発明人による特許側（特
願昭５９−１８９１８２昭和５９年９月１０日）を更に
改定したものである。

本発明はこのフォトマスク数を６〜８枚より３枚（１回
の精密重合わ廿）とすることにより、その製造歩留りの
向上を図らんとするものである。

そして固体表示装置に設けられた光検出素子（フォトト
ランジスタまたはフォトセンサともいう）に対し液晶側
より光信号を与えんとしたものである。その結果、この
光検出素子と固体表示装置に連結する非線型素子とを同
時に設け、またこの２つの素子が基板側より上方に林立
し、その一部の素子が破壊することがないようその側周
辺特にその中挟の面に対し絶縁物好ましくは有機樹脂で
補強して設けたものである。

さらにこの絶縁物を設けることにより、非線型素子に連
結する画素の一方の電極および光検出素子の光検出面（
受光面）側をも滑らかに連結するまたは概略同一面とし
て設けたものである。

かかる本発明に用いる非線形素子及び光検出素子は、１
つのＰＩＮ接合とその−Ｌ下にコンタク］・を有する電
極より構成されるダイオードを複数個用いるのではなく
、一対のそれぞれの電極とはオーム接触性を有するが、
逆向整流特性を構成する複合ダイオード構成の素子より
なるもので、その代表例は、Ｎ型半導体−Ｉ型（以下真
性または実質的に真性という）半導体−Ｎ型半導体を積
層して設けたＮＩＮ構造、即ちＮｌ接合とＩＮ接合とが
電気的に逆向きに連結され、かつ半導体として一体化し
たＮＩＮ接合を有する半導体をはじめ、その変形でであ
るＮＮ−Ｎ、　ＮＰ−Ｎ、　ＰＩＰ、　ＰＰ−Ｐ、　Ｐ
Ｎ−Ｐ、　ＮＴＰＩＮまたはＰＴＮＩＰ接合構造を有せ
しめた複合ダイオードである。

かかる複合ダイオ−Ｉ′ば、ダイオード特性を互いに逆
向きに相対せしめ、そのビルドイン（立ち上がり）電圧
（しきい値）はＮｌ接合のＮ型半導体と■型半導体との
差（第４図（４１Ｌ　（４２））で決め得る。

さらにこの非線型素子（ＮＩＮ接合ともいう）を有する
半導体は、同様に光検出素子（フォトセンサともいう）
としても併用させ得る。このためこのフォトセンサは同
じ基板上の光検出素子に用いられる非線型素子の遮光用
の金属電極を除去し、その下側には半導体に密接してク
ロム−シリサイド等の非酸化物透光性導電膜を界面での
信顛性向上用に設ける工程を加えるのみである。

さらに本発明は、そのディバイス構造としてそれぞれの
素子を少数同一基板に併設することも可能である。しか
しその最も効果的な構成は１つの大きな基板にマトリッ
クス構成せしめて、面としての固体表示、光軌跡検出を
実行させ得る。

「作用」 本発明は、光軌跡方式による固体書き込み装置と固体表
示装置とが一体化している。このため、これまでのマイ
ク１：１コンピユータの如き目の位置と指の位置が異な
る場合に生じた作業者の首の疲労がなくなり、また指も
キーボードではなくライトペン方式を用いた新筆が伴う
光軌跡を利用する方式であるため、ワードプロセッサを
学習に使用する在宅学習システムに対し、文字等をライ
トベンで書く作業を伴うため学習効果を高め得る。

また光軌跡を基板上を前述した如く時間的に移動させる
のではなく、所定の位置に複数の光１飄または光軌跡を
与えることにより、キーボードを筆圧方式より光タッチ
方式のキーボードとすることができる。

以下に実施例に従って本発明を説明する。

「実施例１」 第１図は本発明の固体表示装置および固体書き込み装置
の等価回路（２×２の７トリソクスの場合）を示す。図
面において、矩形で囲んだ１〜６の数字は第１の電極〜
第６の電極を示す。

基板上に設けられた１つのアクティブエレメント（１）
は光検出素子（フォトセンサ）（４）と非線型素子（２
）と液晶（３）とよりなっている。このエレメントの非
線型素子（２）はＸ配線（リードともいう＞　（１６）
に第１の電極（７）により連結し、またこのＸ配線は同
時にフォトセンサ（４）の第４の電極（８）に連結して
いる。このフォトセンサの配線を他のＸ配線として独立
して設けてもよい。さらにこのフォトセンサ（４）に直
列に非線型素子（２）をクロストークを防ぐため設けて
もよい。他方、フォトセンサ（４）の他の電極（第５の
電極）（９）は基板上の透光性導電膜により設けられた
Ｘ配線り−ド（１８）に連結し、その結果、フォトセン
サはＸ（１８）。

Ｙ（１６）マトリックスを構成した配線の交点に位置せ
しめることができる。他方、液晶（３）の一方の電極（
１０）（第３の電極）とそれに連結した非線型素子（２
）の電極（第２の電極）（５）が設けられる。

液晶（３）の第６の電極（６）（対抗電極ともいう）は
相対する他の基板上に設けられた透光性のＺ配線（１４
）に連結している。このＸ配線、Ｘ配線は同一絶縁基板
代表的にはガラス基板（第５図（＾）、（Ｂ）。

（Ｃ）、第６図（Ａ）　、　（Ｂ）における（２０））
　Ｊ二に設けられてフォトセンサをマＩ・リソクス構成
させている。

また、液晶（３）はＸ配線を有する基板（２０）とＺ配
線（１４）を有する他の基板（２０”）とではさまれて
マトリックス構成せしめている。

かかるアクティブエレメントをマトリックス構成せしめ
、図面では２×２とした。これはスケール・アンプした
表示装置例えば（アクティブエレメント数が６４０　Ｘ
４００）としても同−技術思思である。

かくの如き１つのＮＩＮ接合を有する半導体非線型素子
の積層体により、一方の固体表示素子の制御用と、他方
のフォトセンサの半導体として用いたものである。かか
る非線型素子及びフォトセンサとの構成及び特性の例を
第２図、第３図に示している。

この第２図を以下に略記する。

第２図（Ａ）は実際の非線型素子構造の縦断面図を示し
ている。

この第２図（＾）は第６図（Ａ）における図で囲んだ１
に対応する。第２図（八）においてガラス基板Ｃ９） （２０）上のＹ方向のリードおよび電極としての金属導
体（７）よりなる第１の電極（７）、Ｎ（３１）Ｉ（３
２）Ｎ（３３）半導体積層体よりなる旧Ｎ接合型複合ダ
イオード（２）、オーム接触用合金層（３４）遮光用を
兼ねた金属電極（５）、液晶の一方の電極（第３の電極
）（１０）よりなる。この１つのセルはここでは１００
　μ口の面積とした。

このＮＴＮ型の半導体は公知のプラズマＣｖＤ法または
光ＣＶＤ法を用い、水素またはハロゲン元素が添加され
たアモルファスシリコン半導体を主成分として用いた。

さらに１層に対しＰ型用不純物を少し添加した実質的に
真性として、ＮｒＮ構造とした。

第２図（八）の構成によって得られた特性例を第３図（
＾）に示す。

第３図（八）のＩ−Ｖ（電圧−電流）特性は第３図にお
ける（４６）　、　（４７）の原点に対し対称型のｒ−
ｖ特性を得ることができた。

この値は、意図した画素の液晶（例えば強誘電性液晶）
に対し５ｖを印加してオン状態とする時、この画素の隣
に位置する画素（例えば第１図（２°））にかかる電圧
はこの］／３である。この１／３の電圧により隣の画素
がオン状態Ｕ疲ｆらないためには、１．７ｖ以下におい
て電流が流れないことが必要である。第３図（＾）ばし
きい値として２．７ｖを有し、これを十分満足させるこ
とができる。即ち非線型素子として十分有効に動作し得
る。

第４図（Ａ）〜（ｒｌ）に本発明の非線型素子の動作原
理の概要を示す。

第４図（＾）はＮ（３１）Ｔ（３２）Ｎ（３３）構造を
有する半導体（２）である。例えば水素を含む珪素を」
；成分とする非単結晶半導体である。その厚さはＮ（３
１）は７００　人、　＋（３２）　４ｊ：８０００八、
Ｎ（３３）は７００　人とした。

この場合の電圧が電極（５）　、　（７）間に印加され
ていない場合におけるエネルギバンド図を第４図（１１
）に示す。これに対し、もし電極（５）に比べて（７）
に正の電圧がかかると、第４図（Ｃ）のエネルギバンド
構造となる。すると、電子（４３）ぽ障壁（４１）が（
旧″）にその高さを低くするに準じて順方向の電流とし
て流れる。

また、逆に、電極（５）に対しく７）に負の電圧が加わ
ると、障壁（４２°）が（４２）に比べ低くなり、その
Ｎ型半導体層（３５）の電子（４３°）が（７）より（
５）へと流れる。

結果として、第３図（Ａ）に示すごとき非線型特性（４
６）　、　（４７）を第４図（Ｃ）、（ｒｌ）に対応し
て有せしめることができる。

他方、第２図（Ｃ）　、　（［１）に示す光検出素′：
Ｆ−（フォトセンサ）は第１図（Ｂ）における口で囲ん
だ４に対応する。この素子につき、その動作を略記する
。

このＮ（３１）Ｔ（３２）Ｎ（３３）の半導体積層体は
、第２図（Ａ）の非線型素子と同一半導体材料で同一プ
ロセスにより形成される。

即ちガラス基板（２ＯＬ＋−の金属導体の電極（８）（
第４の電極）上の半導体（４）とその上にクロムシリサ
イドの非酸化物導電性導電膜（３４）およびＩＴＯ等の
透光性酸化物導電膜の上側電極（９）（第５の電極）よ
りなっている。

この半導体（３３）と金属との間に設けられる非酸化物
導電膜（３４）は例えばクロム・シリサイドであす、厚
さ３０〜１００人で透光性であり、きわめて熱的、化学
的に安定である。そのため、電流パルスを加えても、そ
の上のＩＴＯと半導体とが互いに進行性反応をして劣化
しないように保護することができる。この発明はかかる
構造を有しているため、ライトペンよりの光（１００）
は（第５図（Ｃ）におりる対抗電極（６）側に対応）上
方より照射される。

この光の上方より即ら利用者の１１の側より印加するこ
とは液晶表示装置におけるバンクライトの影響をフォト
センサが避けることができる点できわめて重要である。

このフォトセンサの等価回路を第２図（ｒｌ）に示す。

項中作用は必ずしもあるとは限らないが、みかけ上第２
図（Ｄ）に示ずフォ］−トランジスタ構成で略記する。

即ち照射光（１００）によるベースへの注入により電流
が大きくなる。

その−例の特性を第３図（Ｂ）に示している。図面にお
いて（４６）　、　（４７）は「暗の時ｊ（＋）Ｉ−Ｖ
特性である。さらに、ここに４５０１、に（室内灯）を
照射する（Ｉ３） と、それでは曲線（４６”）、（４７’）に変化する。

さらに５５００１、×（白熱灯）を加えると、（４６”
　）＋　（４７”）にそれぞれ変化する。

これらの信号をマトリックス構成をした第１図において
はデコーダ（１３）のトランジスタで受けて出力（１８
”）または（１９’）に俄り出せばいい。

第４図において、このフォトセンサの動作原理を示して
いる。第４図（＾）のＮＩＮ半導体（４）に＋■または
−Ｖの電圧を加え、第４図（Ｃ）　、　（ｒｌ）のバン
ド構成において、光（１００）の照射によりホール（４
５）　。

（４５’）と電子（４４）、（４４’）が生じ、ともに
ドリフトして電流が増巾される。かくして第１図（Ｂ）
に示す如く、低い電圧でも電流の増加が見られ得る。

「実施例２」 この実施例は第５図にその平面図（八）及び縦断面図（
Ｂ）　、　（Ｃ）および第６図（Ａ）　、　（Ｂ）が示
されている。液晶部分は第５図（Ｃ）のみに示し、他は
基板とその上の半導体のみを示す。

さらに第５図（Ｂ）　、　（Ｃ）は（Ａ）におけるそれ
ぞれ＾−＾’、Ｂ−Ｂ”での縦断面図を記す。加えて、
第６図（ＩＩ）　、　（Ｂ）はそれぞれ第５図（八）に
おけるＣ−Ｃ’及びＤＤ’の縦断面図を示しＣいる。

図面において、透光性絶縁２．（板とし”ζコーニング
７０５９ガラス（２０）を用いた。この」；面に、スパ
ッタ法または電子ビーム蒸着法により導電膜であるモリ
ブデンを０．１〜０．５μの厚さに形成した。

この後、これらの全面に公知のプラズマ気相反応法また
は光気相反応法により非線形半導体素子例えばＮＵＮ構
造を有する水素また番、［ハロゲン元素が添加された非
単結晶半導体よりなる複合ダイオニドを形成した。即ち
Ｎ型半導体（３１）をシランを水素にて３〜５倍に希釈
し、１３．５６ＭＩＩｚの高周波グロー放電を行うこと
により２００〜２５０°（：に保持された基板上１，の
被形成面一１−に、非１Ｆ結晶半導体を作る。その電気
伝導度は１０−ｂ〜１０２（０ｃｍ）　−’を有し３０
０〜１０００人の厚さとした。

さらにシランのみ、またはこれと弗化珪素（ＳＩＦ４１
Ｈ３ＳｉＦ、ＩＩ□ＳｉＦ、または５ｉｚＰａ）をプラ
ズマ反応炉内に導入し、プラズマ反応をさ・ｌ、■型の
水素またはハロゲン元素が添加された非Ｉｉｉ結晶半導
体（３２）を０．２〜１メツの厚さにＮ型半導体（３３
）ｌに積層して形成した。さらに、再び、同様のＮ型半
導体（３５）を３００〜１０００人の厚さに積層してＮ
ＩＮ接合とした。

このＩ型半導体中に、ホウ素をＢ、ｌＩ６／ＳｉＨ４＝
１０−６〜１０−４の割合で混入させ、Ｐ−または実質
的に真性の導電型の半導体をその一部または全部にわた
って形成してもよい。かくすると、ＮＰ−Ｎ、ＮＴ−Ｎ
の積層体とすることができる。

この後、この上面に遮光用のクロム（５００〜１５００
人）　（３５）を電子ビーム蒸着法またはスパッタ法に
より基板を１５０℃に加熱して積層した。するとこのク
ロムとその下側のアモルファス珪素との界面には化学的
に安定なりロムシリサイド（３４）を３０〜１００　人
の厚さで設けることができる。

さらにこの後、第２の電極（５）、非線型素子（２）さ
らにＹ方向の電極（７）　、　（８）およびそのリード
（４）として設ける領域を除き、他部を第１のフォトマ
スク■を用いてフォトエツチング法により除去した。

さらにこれら全体に対し、光感光性有機樹脂を塗布した
。すると、このガラス基板（２０）上の積層体（２）、
（４）　、、１ｍを含めすべてに有機樹脂がコートされ
る。この厚さは有機樹脂をキュアした後、積層体と概略
同じ高さとするようにすることが好ましい。

さらに裏側より基板を通して紫外光を照射すると、この
積層体に設けられている以外の側周辺領域の有機樹脂を
光感光させることができる。そしてこの積層体上の有機
樹脂をマスクを用いることなしに選択的に除去すること
ができる。

この有機樹脂はポリイミド系のものを用いた。

すると感光・キュアにより約１７２に厚さが減少するた
め、この厚さを考慮しておくことが重要である。かくし
て霧光の後、積層体の側周辺のみを残し他をリンスをし
、除去する。そして窒素中２００〜４００℃で所定の時
間キュアを行った。すると積層体の周辺部を透光性の有
機樹脂膜（２１）で包み、積層体（第６図（Ａ）　　２
　、（Ｂ）　　４における円で囲んだ領域）を機械的に
保護することができた。

更にこの後、第２のマスク■を用い、フォトセ（ＩＩ） ンサとなる領域のみこの上面のクロムを除去し、その下
側の非酸化物透光性導電膜を残存さゼる。

するとこのクロムシリサイドは、きわめて安定な層を形
成させている。この合金層は透光性であり、厚さは３０
〜１００　人である。

さらにこの工程の後、これら全面に第３の電極（１０）
およびフォトセンサのリード（１８）となる透光性導電
膜ここではＩＴＯを層上に形成した。

更にこの導電膜に対し第５図（Ａ）に示す如く、液晶の
一方の電極（第３の電極（１０））とフォトセンサ（４
）の電極（９）、リード（１８）を残し他を除去する。

さらにこの第３のマスク■及び有機樹脂とをマスクとし
、それぞれの半導体素子間（３５）を併せて除去する。

これは隣合った非線型素子同志のクロストークを除去す
るためである。

この工程の結果、積層体は長い機械的に丈夫な側周辺（
第５図（Ｂ））は有機樹脂で保護されていないが、中挟
の側周辺（第６図（＾）、（１’ｌ））は有機樹脂（２
１）で包むことができた。この製造工程は周辺部に有機
樹脂膜を充填する工程以外は実施例１と同−とじた。

以上の工程より明らかな如く、精密な重合わせプロセス
は第２のマスクエ稈のフォトセンサ用の穴開けのみであ
る。この画素の第３の電極（１０）と非線型素子（２）
の第２の電極（５）との相互位置は第３の電極（１０）
の１一端と下端の間、例えば３００１１即ち±１５０μ
ずれても、まったく実用上支障がない。即ち高い製造歩
留りを期待できる。

非線型素子はその一１二下面もともに遮光用の金属（５
）　、　（３７）　（第２図（＾）、第５図（Ｒ）　、
　（Ｃ）　、第６図（＾）で覆われ、また、フォトセン
サ（４）の−１−側電極（９）は透光性とするためクロ
ムが除去され、ＴＴＯ（９）およびクロムシリサイド（
３４）よりなる透光性導電膜が設けられている。（第２
図（Ｃ）、第５図（Ｂ）、第６図（Ｂ）） 本発明の半導体装置においては、第５図（Ｃ）に示す如
く、さらに相対する他の基板（２０’）の内側に設けら
れた液晶の他方の対抗電極（第６の電極）（６）、リー
ド（１４）は、他の第１のマスク■により、Ｚ方向の配
線（この配線はフォトセンサのＸ方向の配線と平行に設
けている）として形成させ液晶（３）を構成している。

そしてこの対抗電極は上下の基板の合わせ精度を考慮し
て下側の電極（１０）より中広（第５図（Ｃ））として
設けている。即ち、フォトセンサ（４）、リード（１８
）により実質的に表示画素としての有効表示面積が減少
しても、その欠点を補って２つの基板（２０）　、　（
２０’　）の合わせ精度にマージンを与えることができ
る。その結果、対抗電極（６）における１１広の分（３
６）は実質的に有効表示の電極として作用させることが
できる。もちろん第５図（Ｃ）における液晶はその厚さ
が１〜４μであり、電極（１０）　、　（６）はその１
１が１００〜１０００μであるため、液晶（３）を介し
ての隣の画素とはクロストークをまったくしない。

以上のことより、１つの基板の一主面上にアクティブエ
レメントとしての非線型素子（２）、フォトセンサ（４
）及び液晶（３）の一方の電極を設け、かつリードはＸ
方向およびＹ方向に配設せしめている。この工程に必要
なマスクは３種類のマスクを用いるのみですみ、かつ精
密なマスク合わせは１回の第２のマスクのみでよい。

表示パネルとしては、この後、２つの相対する主面に配
向処理を施し、相対する２つの基板（２０）。

（２０°）を約１〜１０ｐの１１に離間させ、その隙間
を真空引きした後、強誘電性液晶等のスメクチック液晶
、ＴＮ液晶等の公知の液晶（３）を封入した。第１図に
示す周辺回路（１１）　、　（１２）　、　（１３）を
ハイブリッド構成として基板に中結晶ＩＣをボンディン
グして作製し得る。またコネクタを介して他のプリント
基板のＩＣと連結してデコーダ（１１）　、　（１２）
　、　（１３＞とし得る。

図面において、フォトセンサ（４）、リーク（１８）に
対応してその上方に他の電極リードを設け、この一対の
電極よりこの電極間の液晶をオンまたはオフさせてもよ
い。

「効果」 本発明は以上に示す如く、同一基板上にに非線型素子で
ある複合ダイオードを用いて液晶のアクティブ素子化を
行うとともに、同じパネルを用い、手書き用の書き込み
装置をライトペン（発光部はペン側）としてマトリック
スを構成せしめたものである。このため２つの機能を重
合わせる方式にに比べ、表示のコントラストが不明晰に
なった。

かつそれらを必要な製造工程に余分な半導体を作る工程
等を有しない。さらに半導体とその上の電極リードとが
一体化しているため、きわめて少ないマスク（４枚）（
精密な重合わせは１回）でパターニングを行うことがで
き、製造歩留りを向上させることができる。

非線型素子及びフォトセンサに同一半導体材料を用い、
かつこの半導体は旧Ｎ接合の順方向電流を用いるため、
Ｉ型半導体表面での寄生チャネルが形成される等による
特性のバラツキが少ない。

本発明のフォトセンサ、表示パネルは強誘電性液晶を用
いるならば、周波数光学速度を有し、かつ液晶それ自体
が不揮発性メモリ作用を有するため、プリンタの一部に
用いることも可能である。

さらに本発明に用いる非線型素子は、特にそのダイオー
ドのしきい値を気相反応法を用いた半導体層の積層時に
おけるプ１１セス条件により制御し得るため、階調制御
かしや゛づいという特徴をイＪする。

本発明方法において、ｌ、Ｎ４たはＰ−の半濁体を単に
水素またはハロゲン元素が添加された珪素とするのでは
なく、この中に炭素または窒素を一部または全部に添加
した５ｉｘＣ＋−ｘ　（０＜Ｘ＜１）＋５ｉｘＮ４−ｘ
（０＜Ｘ＜４）、５ｉ０２−Ｘ（０＜Ｘ＜２）　として
耐圧の向上を図ることおよび印加電圧をＯｖとした時の
電流（ゼロ電流）を１０−”Ａ／２０　ｘ３００　ｔｔ
以下とすることは有効である。

本発明において、表示素子と光検出素子とはその数にお
いて１：１である必要はなく、光検出に必要な素子密度
を考慮して表示素子に比べて多くも少なくもし得る。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明のアクティブエ１／メントとして非線型
素子およびフＡ・ｌ−センサを用いた２×２マトリツク
スの回路図を示す。 第２図は本発明の非線型素子及びフォトセンサの縦断面
（Ａ）　、　（Ｃ）およびその等価記号（１１）　、　
（Ｄ）を示す。 第３図は本発明のｒ−ｖ特性を示す。 第４図は非線形素子およびフォトセンサの動作原理を示
す。 第５図及び第６図は本発明のアクティブエレメント構造
を示す。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、固体表示装置に連結する非線型素子と、光信号を電
   気信号に変換検出する光検出素子とが同一基板上に設け
   られ、液晶が充填された対抗電極側よりライトペン等に
   より光信号を入力せしめ、該信号を前記光検出素子によ
   り認識せしめることを特徴とする半導体装置。 ２、特許請求の範囲第１項において、固体表示装置にお
   ける液晶を駆動する非線型素子と光検出素子とは同一半
   導体接合構造を有することを特徴とする半導体装置。 ３、特許請求の範囲第１項において、前記非線型素子と
   前記光検出素子は周辺部に隣接して有機樹脂が設けられ
   たことを特徴とする半導体装置。 ４、特許請求の範囲第１項において、光検出素子上面に
   は非酸化物透光性導電膜が設けられたことを特徴とした
   半導体装置。