JPS59185381A - 光入力装置 - Google Patents
光入力装置Info
- Publication number
- JPS59185381A JPS59185381A JP58061246A JP6124683A JPS59185381A JP S59185381 A JPS59185381 A JP S59185381A JP 58061246 A JP58061246 A JP 58061246A JP 6124683 A JP6124683 A JP 6124683A JP S59185381 A JPS59185381 A JP S59185381A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- input
- circuit
- signal
- pixel
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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- Liquid Crystal (AREA)
- Liquid Crystal Display Device Control (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は光による画像の入力が可能な配憶型アクティブ
パネルに関するものである。
パネルに関するものである。
近年マン−マシンインターフェイスとしての入力装置の
重要性は高まりつつあり、様々な方式の入力装置が提案
・研究されてきている、汁在最も広く使用されているの
が、キーボードによる命令の入力で、これらのスイッチ
及びこの組み合わせにより複雑な命令の入力を行なう。
重要性は高まりつつあり、様々な方式の入力装置が提案
・研究されてきている、汁在最も広く使用されているの
が、キーボードによる命令の入力で、これらのスイッチ
及びこの組み合わせにより複雑な命令の入力を行なう。
ＣＲＴ等を使用する固定化されたシステムでは、この外
、ライトペンによる入力、タブレットボードによる入力
等のより合理的入力装置が使用されている、小型携帯用
機器では、スイッチによるデータ、命令の入力がほとん
どで、最近表示体からの入力として表示体上に設けられ
た透明ｉ！極を使用したタヴチスイッチ、指による圧力
で液晶の配列の変化するのを容量として検知するスイッ
チ等が実現されてきており、新しい入力方法として注目
されている。１．かじながらこれらの新しい方式も所謂
スイッチの形態の変更にすぎず、結局は一伊のクイ９チ
としての機器を果すに過ぎない。
、ライトペンによる入力、タブレットボードによる入力
等のより合理的入力装置が使用されている、小型携帯用
機器では、スイッチによるデータ、命令の入力がほとん
どで、最近表示体からの入力として表示体上に設けられ
た透明ｉ！極を使用したタヴチスイッチ、指による圧力
で液晶の配列の変化するのを容量として検知するスイッ
チ等が実現されてきており、新しい入力方法として注目
されている。１．かじながらこれらの新しい方式も所謂
スイッチの形態の変更にすぎず、結局は一伊のクイ９チ
としての機器を果すに過ぎない。
小型携帯用機器におけるデータの入力は限られたもので
、測知ば画像データの入力を行なおうとすれば、非常に
複雑なスイッチの操作を要するであろう、、マたこのよ
うな画像を表示することのできる満足のゆく表示体もあ
ネｈｆｒｔへ情況である。
、測知ば画像データの入力を行なおうとすれば、非常に
複雑なスイッチの操作を要するであろう、、マたこのよ
うな画像を表示することのできる満足のゆく表示体もあ
ネｈｆｒｔへ情況である。
このよらな中、小型捜帯用機器への使用を目的とし、低
常圧拳低消費τ流駆動の可能で高品質表示の＋ｌＦ憶型
アクティブパネルが実親された。本発明は、このＰ憶型
アクティブパネルに光検知回路を′設けることにより、
ライトペン等の光信列により画像データを入力すること
が可仲々表示パネルを提供することを目的と＋る。
常圧拳低消費τ流駆動の可能で高品質表示の＋ｌＦ憶型
アクティブパネルが実親された。本発明は、このＰ憶型
アクティブパネルに光検知回路を′設けることにより、
ライトペン等の光信列により画像データを入力すること
が可仲々表示パネルを提供することを目的と＋る。
始めに簡ｍＶｒＦ憶型アクティフパネルの謄明をする。
埴１図Ｋｎ’ｅ＋ｌｌ型アクティブパネルの画素の構成
を示す回路図を掲げた。ｎｅ憶梨型アクティブパネル画
素は、この画素での表示内容をスタティックにＭＰ憶す
るＭＦ’情回路１と、このに憶回路の情報により液晶に
印加される信号を制御すみ制御回路２によって構成され
る。
を示す回路図を掲げた。ｎｅ憶梨型アクティブパネル画
素は、この画素での表示内容をスタティックにＭＰ憶す
るＭＦ’情回路１と、このに憶回路の情報により液晶に
印加される信号を制御すみ制御回路２によって構成され
る。
同図はＣＭ（１８回路による例である。３．４はＤＡＴ
Ａ及びＤＡＴＡ信号であり、これは画素選釈信号５によ
ｈＮチャンネル電界効果トランジスタ６゜７をＯＮ状態
にし、インバータ８．９によって構成されるメモリーセ
ル内に書き込まれる。同様にして、画素選釈信号５によ
りこのメモリーセル内のデーよけ外部へ読人出される。
Ａ及びＤＡＴＡ信号であり、これは画素選釈信号５によ
ｈＮチャンネル電界効果トランジスタ６゜７をＯＮ状態
にし、インバータ８．９によって構成されるメモリーセ
ル内に書き込まれる。同様にして、画素選釈信号５によ
りこのメモリーセル内のデーよけ外部へ読人出される。
液晶駆動信号（コモン信号１０）は、Ｈ２憶回路が３の
信号１１．１２により、クロックドインバータ１３．１
４’！ｒ開閉することによね制御され、液晶を駆動する
為の画素雫梗１５に印加される。信号１６目上ガラス上
に形成された透明［（ｉ９１７に印加されるコエン信号
であり、１８け液晶層を表わす。信号１１．１２にニヨ
幻クロックドインバータ１３がＯＮ状態で、クロ・ソク
ドインバータ１４がＯＦＦ状態のとき、画素電極１５に
はコモン信号の反転した信号が印加される為、液晶には
交互にこのコモン信号の電圧がかかる。逆にクロックド
インバータ１３がＯＦＦ状態で、クロックドインバー−
’Ｘ１４がＯＮす態のとき、画素電極１５にはコモン信
号が印加される為、液晶には電圧がかからない。この液
晶に印力口される電圧の差を利用し、液晶の配列を制御
して表示を行なわせることができる、 さて、本発明けこのような言ｅ憶型アクティブパネルに
おいて、各画素に光を検知し得る受光素子を有ｌ２、こ
の検知された信号を各画素内の配情回路ＶＣ書六込むこ
とのできる光入力可能なＨｅ憶吊型アクティブパネル関
するものである。
信号１１．１２により、クロックドインバータ１３．１
４’！ｒ開閉することによね制御され、液晶を駆動する
為の画素雫梗１５に印加される。信号１６目上ガラス上
に形成された透明［（ｉ９１７に印加されるコエン信号
であり、１８け液晶層を表わす。信号１１．１２にニヨ
幻クロックドインバータ１３がＯＮ状態で、クロ・ソク
ドインバータ１４がＯＦＦ状態のとき、画素電極１５に
はコモン信号の反転した信号が印加される為、液晶には
交互にこのコモン信号の電圧がかかる。逆にクロックド
インバータ１３がＯＦＦ状態で、クロックドインバー−
’Ｘ１４がＯＮす態のとき、画素電極１５にはコモン信
号が印加される為、液晶には電圧がかからない。この液
晶に印力口される電圧の差を利用し、液晶の配列を制御
して表示を行なわせることができる、 さて、本発明けこのような言ｅ憶型アクティブパネルに
おいて、各画素に光を検知し得る受光素子を有ｌ２、こ
の検知された信号を各画素内の配情回路ＶＣ書六込むこ
とのできる光入力可能なＨｅ憶吊型アクティブパネル関
するものである。
第２図に、本発明による光入力可能なＦ憶型アクティブ
ハネルの画素の構成を示す。同図において１〜１８１ｄ
笛１図と同様であれ、雷恒的信号によりメモリーセルＫ
ｎ示データを入力し、表示を行なう部分である。本発明
の画素ではこの外、光を検知し得る受光素子１９を持ち
、この受光素子からの信号を検知しこれを一旦保持する
光検知回路２０持つ。この光検知回路内のデータは、光
書き込入信４４７１により、Ｎチャンネルトランジスタ
２２．＞３をＯＮ状態とすることにより、ａｅ憶回路１
へ書き込まれる。光を検知し、新たにデータの書き込＋
ｆＮた画素では、クロックド／ｙ’−）１３゜１４の開
閉状態が豐化し、したがって表示が変わる。
ハネルの画素の構成を示す。同図において１〜１８１ｄ
笛１図と同様であれ、雷恒的信号によりメモリーセルＫ
ｎ示データを入力し、表示を行なう部分である。本発明
の画素ではこの外、光を検知し得る受光素子１９を持ち
、この受光素子からの信号を検知しこれを一旦保持する
光検知回路２０持つ。この光検知回路内のデータは、光
書き込入信４４７１により、Ｎチャンネルトランジスタ
２２．＞３をＯＮ状態とすることにより、ａｅ憶回路１
へ書き込まれる。光を検知し、新たにデータの書き込＋
ｆＮた画素では、クロックド／ｙ’−）１３゜１４の開
閉状態が豐化し、したがって表示が変わる。
光による入力状態では、パネルに均一に当って ５−
いる弱い光を入力信号（光入力）のケい状態とし他のラ
イトペン等による強い光を入力することにより、受光素
子に信号を送わ、これを入力信号のある状態と判１１’
ｆｉ＋る。光入力可能な状態に移るには、ナベでの画素
でのデータの書き込み、読み出１を中小し、光検知回路
内に保持されているデータをリセットし、次に信Ｍ２１
によｈＮチャンネルトランジスタ２２．２３をＯＮ状態
にし、光検知回路からの信号を記憶回路に書き込むこと
のできる状態とする。このときパネルにけ書き込み用の
光入力のない状態であり、光検知回路に保持されている
信号により、全画面が自作たは黒の均一となる。この状
態で光を入力すると受光素子がこれを受けとｈ、光検知
回路でこのレベルを調整しこれを保持する。このとき光
検知回路からの信号は反転し、Ｈｅ憶回路１内のデータ
も反転する。これに伴ない白表示のときけ黒に、黒表示
のときは白Ｖｃｉ示が変わる。このような光入力を、集
光された強い光の出るライトペンで行なえば、このライ
トペンを走らせた部分の表示が反転し、画像を描６− 〈ことができる、 第２図１９の受光素子Ｊけ、フォト〃゛イオード、フォ
トトランジスタ等を用いることがで缶るが、筆３図には
、受光素子と１７′７フオトトランＳ２スタを使用１７
を場合の光検知回路の例を示り、−ｆｒ、、７層手？Ｚ
が１のフォトトランジスタ２４をコレクタ接地で用いた
例であｈｌ ２５け狛荷担抗、２６けＴ−ＴＴＧ）Ｔｖ
ヘル（Ｖｎｎ ）、２７１ｄ ＴＪＯＷ レベル（Ｖ
ｓｓｌ Ｉ Ｔ する。インバータ２８のゲート入力レ
ベル２９け、光の入力のない９ｖ＠でｉｄ ＴＪＯＷレ
ベル（ｙｌＩｓｌ）であるが、光（３０）がフォトトラ
ンジスタのベース領竣ニ当るンキャリアが発生し２、光
電離３１が負荷抵抗２５を流れる為、このゲート入力レ
ベル２９は、ＨＴＧＨ（Ｖｎｎ）とｈる。インバータ２
８の出力信号３２は、ラッチ回路３３に送られ一旦保持
される。
イトペン等による強い光を入力することにより、受光素
子に信号を送わ、これを入力信号のある状態と判１１’
ｆｉ＋る。光入力可能な状態に移るには、ナベでの画素
でのデータの書き込み、読み出１を中小し、光検知回路
内に保持されているデータをリセットし、次に信Ｍ２１
によｈＮチャンネルトランジスタ２２．２３をＯＮ状態
にし、光検知回路からの信号を記憶回路に書き込むこと
のできる状態とする。このときパネルにけ書き込み用の
光入力のない状態であり、光検知回路に保持されている
信号により、全画面が自作たは黒の均一となる。この状
態で光を入力すると受光素子がこれを受けとｈ、光検知
回路でこのレベルを調整しこれを保持する。このとき光
検知回路からの信号は反転し、Ｈｅ憶回路１内のデータ
も反転する。これに伴ない白表示のときけ黒に、黒表示
のときは白Ｖｃｉ示が変わる。このような光入力を、集
光された強い光の出るライトペンで行なえば、このライ
トペンを走らせた部分の表示が反転し、画像を描６− 〈ことができる、 第２図１９の受光素子Ｊけ、フォト〃゛イオード、フォ
トトランジスタ等を用いることがで缶るが、筆３図には
、受光素子と１７′７フオトトランＳ２スタを使用１７
を場合の光検知回路の例を示り、−ｆｒ、、７層手？Ｚ
が１のフォトトランジスタ２４をコレクタ接地で用いた
例であｈｌ ２５け狛荷担抗、２６けＴ−ＴＴＧ）Ｔｖ
ヘル（Ｖｎｎ ）、２７１ｄ ＴＪＯＷ レベル（Ｖ
ｓｓｌ Ｉ Ｔ する。インバータ２８のゲート入力レ
ベル２９け、光の入力のない９ｖ＠でｉｄ ＴＪＯＷレ
ベル（ｙｌＩｓｌ）であるが、光（３０）がフォトトラ
ンジスタのベース領竣ニ当るンキャリアが発生し２、光
電離３１が負荷抵抗２５を流れる為、このゲート入力レ
ベル２９は、ＨＴＧＨ（Ｖｎｎ）とｈる。インバータ２
８の出力信号３２は、ラッチ回路３３に送られ一旦保持
される。
このラッチ回路からの信＠３４．３５が第２図２２．２
３のＮチャンネル電界効果トランジスタを経て、同図１
の言ｅ憶回路に書き込士れる。３６けこのラッチ回路を
初期設定する信号である。
３のＮチャンネル電界効果トランジスタを経て、同図１
の言ｅ憶回路に書き込士れる。３６けこのラッチ回路を
初期設定する信号である。
このフォトトランジスタを含む光検知回路は、光入力の
不要な場合でも常ＫＮ流が流れる為、消費電流の増大を
招く。したがって、このフォトトランジスｐＫよる光検
知回路部分け、仙の回路とけ別のＷ源とされ、２７のＬ
ＯＷレベルは光入力可仙な状ｖＡ匂、外でけｙＤｎに接
続され、との部分でのリーク雪原をなく十とともできる
。
不要な場合でも常ＫＮ流が流れる為、消費電流の増大を
招く。したがって、このフォトトランジスｐＫよる光検
知回路部分け、仙の回路とけ別のＷ源とされ、２７のＬ
ＯＷレベルは光入力可仙な状ｖＡ匂、外でけｙＤｎに接
続され、との部分でのリーク雪原をなく十とともできる
。
筆４図には、フォトトランジスタの構造を示十断面図を
あげた。、１ｌｉＰ憶型アクテイブパネルは、２層のア
ルミを持つ０ＭＯｓプロセスで作られ、フォトトランジ
スタ本こわと同時に作られる。３７はｎ型シリコン基板
であり、Ｃ！ＭＯＥＩのｐウエル工程でＰ拡散層のベー
ス領域３８が形成される。
あげた。、１ｌｉＰ憶型アクテイブパネルは、２層のア
ルミを持つ０ＭＯｓプロセスで作られ、フォトトランジ
スタ本こわと同時に作られる。３７はｎ型シリコン基板
であり、Ｃ！ＭＯＥＩのｐウエル工程でＰ拡散層のベー
ス領域３８が形成される。
ソース、ドレインあるいけストッパーの工程ではエミッ
ター領域３９及び基板であるコレクタに電位を取る拡散
層４０が形成される。４１け工＋ −／〃−信号、４２
けコレクタ信号を増ね出す第１層目のアルミ膜である。
ター領域３９及び基板であるコレクタに電位を取る拡散
層４０が形成される。４１け工＋ −／〃−信号、４２
けコレクタ信号を増ね出す第１層目のアルミ膜である。
４３けフィールド酸化膜、４４け層間絶縁膜である。４
５け坑２層目のアルミ膜であり、これは液晶駆動信号の
印加される画素＠極として用いられる、図に示すように
、この画素電極は、フォトトランジスタのペース領域ノ
十部でｌｌ去られ、光４６がベースへ入射するよらに設
計されている。４７け筑２層目のアルミ膜４５と液晶の
直接の接触を防イ°為の保護膜である。
５け坑２層目のアルミ膜であり、これは液晶駆動信号の
印加される画素＠極として用いられる、図に示すように
、この画素電極は、フォトトランジスタのペース領域ノ
十部でｌｌ去られ、光４６がベースへ入射するよらに設
計されている。４７け筑２層目のアルミ膜４５と液晶の
直接の接触を防イ°為の保護膜である。
各画素に設けられたフォトトランジスタの受光部分は、
画素内の特定の狭い範囲内に限定されることけ不適当で
あわ、第５図に示すよらに、画素内に適当に分散される
。４８が画素であり、４９け分散されたフォトトランジ
スタのベースＩｆｆｊ域である。これらのフォトトラン
ジスタは、並列接続され、これらのフォトトランジスタ
に当る光量の和とｌ、て光を検知する。このように分散
させることにより、受光部分のａｈ＜よる入力シスをな
くすことができる、 ｆＩＸ６図には、ライトペンによる光信号の入力の方法
と、ライトペンの構造について示した。５０がライトペ
ンの断面であわ、５１が光源となる電球で、５２が光を
集光する為のレンズである。５３は本発明のパネルのシ
リコン基板であわ、５４は ９− 上ガラス、５５けこれらの間に゛封入された液晶である
。本発明の光入力回部、なｌ！ｊ１′憶型アクティブパ
ネルの光入力装置としてのライトペンけ、ＣＲＴで使用
される複維なものとけ異なり、その先端をパネル上面に
接触させたとき、電球の光５６が丁度パネルのシリコン
基板＋５７に、適当なスポット径のもとに集光すれば十
分である。この電球の点滅をライトペンに取り付けたス
イツチにより行ならことによね、これを点燈させ動かし
てそのライトペンの軌跡により画像データを入力するこ
とができ乙。
画素内の特定の狭い範囲内に限定されることけ不適当で
あわ、第５図に示すよらに、画素内に適当に分散される
。４８が画素であり、４９け分散されたフォトトランジ
スタのベースＩｆｆｊ域である。これらのフォトトラン
ジスタは、並列接続され、これらのフォトトランジスタ
に当る光量の和とｌ、て光を検知する。このように分散
させることにより、受光部分のａｈ＜よる入力シスをな
くすことができる、 ｆＩＸ６図には、ライトペンによる光信号の入力の方法
と、ライトペンの構造について示した。５０がライトペ
ンの断面であわ、５１が光源となる電球で、５２が光を
集光する為のレンズである。５３は本発明のパネルのシ
リコン基板であわ、５４は ９− 上ガラス、５５けこれらの間に゛封入された液晶である
。本発明の光入力回部、なｌ！ｊ１′憶型アクティブパ
ネルの光入力装置としてのライトペンけ、ＣＲＴで使用
される複維なものとけ異なり、その先端をパネル上面に
接触させたとき、電球の光５６が丁度パネルのシリコン
基板＋５７に、適当なスポット径のもとに集光すれば十
分である。この電球の点滅をライトペンに取り付けたス
イツチにより行ならことによね、これを点燈させ動かし
てそのライトペンの軌跡により画像データを入力するこ
とができ乙。
炬７図のよへに未発明のパネル５８にライトペン５９の
先端を接触させ、電球を点燈して、３１の隼を描くと、
その部分の表示が変化し、文隼を書き込むことができる
。
先端を接触させ、電球を点燈して、３１の隼を描くと、
その部分の表示が変化し、文隼を書き込むことができる
。
以上述べてきたようｖｃｉｉｉ：ｌ憶型アクティブパネ
ルの各画素に、光を検知し得る受光素子とこの受光素子
からの信号を検知し言ｅ憶回路に書き込むことのできる
光検知回路を作り込むことにより、ライトペン等による
画像データーの入力が可能となる。
ルの各画素に、光を検知し得る受光素子とこの受光素子
からの信号を検知し言ｅ憶回路に書き込むことのできる
光検知回路を作り込むことにより、ライトペン等による
画像データーの入力が可能となる。
１０−
このような画像データの入力を行々う方法のひとつにイ
メージセンサ−を使用＋るものがあるが、このような装
置でけ婁六込十れたデータを即座に請み出し別の場所で
保持する必要があり、またライトペン等による一連の書
き込みでは書き込−ｒｈた分だはを随時仙の場所へ転送
し、これらのデータの和と１２でひとつの画像を構成す
る必要があｈ周辺回路も複雑となる。ヰな、本発明のよ
うに記憶型アクティフパネルを表示体と１．て用いるこ
とによれ、光入力されたデー４はその場で表示され普通
のペンで紙に描くのと回様に実際に目で確認しながらデ
ー４を入力することがで六る。このように本発明により
他に類を見ない新しい入力方法を実現することがで六る
。
メージセンサ−を使用＋るものがあるが、このような装
置でけ婁六込十れたデータを即座に請み出し別の場所で
保持する必要があり、またライトペン等による一連の書
き込みでは書き込−ｒｈた分だはを随時仙の場所へ転送
し、これらのデータの和と１２でひとつの画像を構成す
る必要があｈ周辺回路も複雑となる。ヰな、本発明のよ
うに記憶型アクティフパネルを表示体と１．て用いるこ
とによれ、光入力されたデー４はその場で表示され普通
のペンで紙に描くのと回様に実際に目で確認しながらデ
ー４を入力することがで六る。このように本発明により
他に類を見ない新しい入力方法を実現することがで六る
。
第１図は、配憶型アクティブパネルの画素の回路図であ
る、 第２図は、本発明による受光素子と光検知回路を併りせ
持つ光入力可柿な配憶型アクティブパネルの画素の構成
を示す図である、 第３図は、受光素子と１．てフォトトランジス〃を使用
した場合の光検知回路の例である。 竿４図は、フォトトランジスタの構造を示す断面図であ
る。 第５図は、画素内に分散されたフォ））ランジスタの様
子を示す図である。 第６図は、ライトペンによる光信上の入力の方法と、ラ
イトペンの構造について示した。 第７図は、本発明の光入力回部な記憶型アクティブパネ
ルのライトペンによる入力の様子を示した図である。 以 上 出願人 株式会社 諏訪精工舎 第１図 ＼ り２ 第６図 ５３ 第７Ｌ
る、 第２図は、本発明による受光素子と光検知回路を併りせ
持つ光入力可柿な配憶型アクティブパネルの画素の構成
を示す図である、 第３図は、受光素子と１．てフォトトランジス〃を使用
した場合の光検知回路の例である。 竿４図は、フォトトランジスタの構造を示す断面図であ
る。 第５図は、画素内に分散されたフォ））ランジスタの様
子を示す図である。 第６図は、ライトペンによる光信上の入力の方法と、ラ
イトペンの構造について示した。 第７図は、本発明の光入力回部な記憶型アクティブパネ
ルのライトペンによる入力の様子を示した図である。 以 上 出願人 株式会社 諏訪精工舎 第１図 ＼ り２ 第６図 ５３ 第７Ｌ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 各画素内１１込み・読み出しの可能なＭＦ記憶路と、該
Ｎｅ＃回路の情報により液晶に印加される電圧を制御す
る制御回路を持つ言ｅ憶型アクティブパネルにおいて、 各画素内に光の入力を検知し得る受光素子と、該受光素
子からの信号を検知しこれを保持することので六る光検
知回路を持ち、眩光検知回路内のデータを上Ｎｅ配憶回
路に書き込むことのできる光入力可能なＦ憶型アクテッ
プパネル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58061246A JPS59185381A (ja) | 1983-04-07 | 1983-04-07 | 光入力装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58061246A JPS59185381A (ja) | 1983-04-07 | 1983-04-07 | 光入力装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59185381A true JPS59185381A (ja) | 1984-10-20 |
| JPH0546553B2 JPH0546553B2 (ja) | 1993-07-14 |
Family
ID=13165678
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58061246A Granted JPS59185381A (ja) | 1983-04-07 | 1983-04-07 | 光入力装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59185381A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6269554A (ja) * | 1985-09-20 | 1987-03-30 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
| JPS62189436A (ja) * | 1986-01-30 | 1987-08-19 | メツセルシユミツト−ベルコウ−ブロ−ム・ゲゼルシヤフト・ミト・ベシユレンクテル・ハフツング | 入射光強度の異常変動に対する記憶をもつセンサ素子 |
| JPS63316026A (ja) * | 1987-06-19 | 1988-12-23 | Victor Co Of Japan Ltd | 液晶ライトバルブ |
| JPH023009A (ja) * | 1988-06-17 | 1990-01-08 | Victor Co Of Japan Ltd | 液晶表示装置 |
| JPH0678351U (ja) * | 1993-04-19 | 1994-11-04 | レンゴー株式会社 | テープの貼付装置 |
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Citations (2)
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| JPS5526615A (en) * | 1978-08-11 | 1980-02-26 | Semiconductor Res Found | Method of and apparatus for receiving or emitting light |
-
1983
- 1983-04-07 JP JP58061246A patent/JPS59185381A/ja active Granted
Patent Citations (2)
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Also Published As
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