WO2014183402A1 - 光学传感式内嵌触摸屏及显示装置 - Google Patents

光学传感式内嵌触摸屏及显示装置 Download PDF

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Abstract

摘要提供了一种光学传感式内嵌触摸屏及显示装置。该光学传感式内嵌触摸屏包括具有呈矩阵排列的多个像素单元的阵列基板,所述阵列基板具有位于相邻行的像素单元之间的触控扫描线;所述阵列基板具有位于相邻列的像素单元之间的触控读取线;所述阵列基板具有位于所述触控扫描线和所述触控读取线所限定区域内的感光晶体管和触控切换单元;所述感光晶体管的漏极与所述触控切换单元相连,所述触控切换单元分别与所述触控扫描线和所述触控读取线相连,以控制所述感光晶体管的漏极和所述触控读取线之间的导通/截止状态。

Description

光学传感式内嵌触摸屏及显示装置 技术领域

本发明的实施例涉及一种光学传感式内嵌触摸屏及显示装置。 背景技术

随着显示技术的飞速发展, 触摸屏( Touch Screen Panel ) 已经逐渐遍及 人们的生活中。 目前, 按照原理分类, 触摸屏大致包括: 电阻传感式触摸屏、 电容传感式触摸屏、 光学传感式触摸屏等。 按照组成结构分类, 触摸屏大致 包括: 触摸屏外挂在显示面板上的触摸屏 (Out-cell touch panel)、 触摸屏在显 示面板上面的触摸屏 (On-cell touch panel) , 触摸屏内嵌在面板中的触摸屏 (In-cell touch panel)。 触摸屏内嵌在面板中的结构既可以减薄触摸屏整体的厚 度, 又可以大大降低触摸屏的制作成本, 受到各大面板厂家青睐。

目前, 主要通过电阻传感式、 电容传感式或光学传感式的方式, 实现触 摸屏内嵌在面板内部的设计。 电阻传感式属于低端传感技术, 制作出的产品 一般寿命较短; 电容传感式发展较快也备受欢迎, 但是电容传感式触摸屏主 要适用于中小尺寸的显示装置, 例如 10寸或 10寸以下的产品, 对于较大尺 寸的显示装置, 电容传感式触摸屏会产生信号干扰和信号延迟的问题; 而光 学传感式触摸屏作为下一代触摸传感技术, 在屏幕的尺寸上不受限制, 制作 出的产品寿命较长, 且相对稳定, 能够解决信号干扰、 信号延迟的问题。 发明内容

本发明实施例提供了一种一种光学传感式内嵌触摸屏, 包括具有呈矩阵 排列的多个像素单元的阵列基板, 其中:

所述阵列基板具有位于相邻行的像素单元之间的触控扫描线;

所述阵列基板具有位于相邻列的像素单元之间的触控读取线;

所述阵列基板具有位于所述触控扫描线和所述触控读取线所限定区域内 的感光晶体管和触控切换单元; 所述感光晶体管的漏极与所述触控切换单元 相连, 所述触控切换单元分别与所述触控扫描线和所述触控读取线相连, 以 控制所述感光晶体管的漏极和所述触控读取线之间的导通 /截止状态。

本发明实施例提供的一种显示装置, 包括本发明实施例提供的光学传感 式内嵌触摸屏。

本发明实施例提供的一种光学传感式内嵌触摸屏及显示装置, 在阵列基 板位于相邻行的像素单元之间设置触控扫描线, 在阵列基板位于相邻列的像 素单元之间设置触控读取线, 并在阵列基板位于触控扫描线和触控读取线所 限定区域内设置感光晶体管和触控切换单元; 感光晶体管的漏极与触控切换 单元相连, 触控切换单元分别与触控扫描线和触控读取线相连; 在触控扫描 线控制触控切换单元处于开启状态时, 激光笔照射到感光晶体管所产生的触 控信号通过导通的触控切换单元输出到触控读取线, 实现光学传感式触控功 能, 相对于电容传感式内嵌触摸屏, 在大尺寸时不会产生信号干扰和信号延 迟的问题。 附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案, 下面将对实施例的附图作 筒单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅涉及本发明的一些实施例, 而非对本发明的限制。

图 1为本发明实施例提供的光学传感式内嵌触摸屏中阵列基板的结构示 意图之一;

图 2为发明实施例提供的光学传感式内嵌触摸屏的剖面图;

图 3为本发明实施例提供的光学传感式内嵌触摸屏中阵列基板的结构示 意图之二;

图 4a为本发明实施例提供的光学传感式内嵌触摸屏应用于 ADS模式时 的一个亚像素单元的具体结构示意图之一;

图 4b为本发明实施例提供的光学传感式内嵌触摸屏应用于 ADS模式时 的一个亚像素单元的具体结构示意图之二;

图 5为本发明实施例提供的光学传感式内嵌触摸屏中阵列基板的结构示 意图之三。 具体实施方式 为使本发明实施例的目的、 技术方案和优点更加清楚, 下面将结合本发 明实施例的附图,对本发明实施例的技术方案进行清楚、 完整地描述。显然, 所描述的实施例是本发明的一部分实施例, 而不是全部的实施例。 基于所描 述的本发明的实施例, 本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获 得的所有其他实施例, 都属于本发明保护的范围。

本发明实施例提供的一种光学传感式内嵌触摸屏, 如图 1所示, 包括具 有呈矩阵排列的多个像素单元 01的阵列基板 1。

阵列基板 1 具有位于相邻行的像素单元 01之间的触控扫描线 Scan N (N=l,2,3…… )。

阵列基板 1具有位于相邻列的像素单元 01之间的触控读取线 Read out N

(N=l,2,3…… )。

阵列基板 1具有位于触控扫描线 Scanl和 Scan2和触控读取线 Read outl 和 Read out2所限定区域内的感光晶体管 02和触控切换单元 03 (图 1中未示 出感光晶体管 02和触控切换单元 03的具体结构 )。感光晶体管 02的漏极与 触控切换单元 03相连,触控切换单元 03分别与触控扫描线 Scan N和触控读 取线 Read out N相连。

在触控扫描线 Scan N控制触控切换单元 03处于开启状态时, 激光笔照 射感光晶体管 02所产生的触控信号通过导通的触控切换单元 03输出到触控 读取线 Read out N。 也就是说, 触控切换单元连接于感光晶体管的漏极和触 控读取线之间,能够控制感光晶体管的漏极和触控读取线之间的导通 /截止状 态。

在具体实施时, 本发明实施例提供的上述触摸屏, 如图 2所示, 可以应 用于彩色滤光片 04设置在与阵列基板 1相对的对向基板 2即彩膜基板的结 构, 各彩色滤光片 04通过黑矩阵 05相互隔开; 当然, 也可以应用于彩色滤 光片设置在阵列基板中的结构, 在此不做限定。 下面以对向基板 2为彩膜基 板的结构为例对本发明实施例提供的上述触摸屏进行说明。 如图 2所示, 在 具体实施时, 黑矩阵 05在与感光晶体管 02对应的区域需要设置开口区域, 开口区域为图 2中虚线框所示, 这样外部光线即激光笔发射的激光就可以从 该开口区域照射到感光晶体管 02, 实现触控功能。

例如,如图 1所示,在阵列基板 1中设置位于相邻列的像素单元 01之间 的触控读取线 Read out N时, 可以将各触控读取线 Read out N与阵列基板中 的数据信号线 Data N同层设置且相互绝缘, 即在制备各数据信号线 Data N 的同时制备出与其相互绝缘的触控读取线 Read out N, 这样, 在制备阵列基 板时不需要增加额外的制备工序, 只需要通过一次构图工艺即可形成数据信 号线 Data N和触控读取线 Read out N的图形, 能够节省制备成本,提升产品 附加值。 当然也可以分别制备触控读取线 Read out N和数据信号线 Data N, 在此不做限定。

同理,如图 1所示,在阵列基板中设置位于相邻行的像素单元 01之间的 触控扫描线 Scan N时, 同样可以将各触控扫描线 Scan N与阵列基板中的栅 极信号线 Gate N同层设置且相互绝缘, 在此不作赘述。

较佳地, 在本发明实施例提供的触摸屏中, 如图 3所示, 用于连接感光 晶体管 02和触控读取线 Read out N的触控切换单元 03例如可以是一个薄膜 晶体管( TFT )器件。 该 TFT器件的栅极与触控扫描线 Scan N相连, 漏极与 触控读取线 Read out N相连,源极与感光晶体管 02相连。在触控扫描线 Scan N加载扫描信号即高电位信号时, 作为触控切换单元 03的 TFT器件开启, 若此时有激光笔照射感光晶体管 02, 感光晶体管 02的活性层中载流子浓度 会增大, 感光晶体管 02会通过开启的 TFT器件输出触控信号到对应的触控 读取线 Read out N。

在具体实施时, 作为触控切换单元 03的 TFT器件的各个部件可以和阵 列基板中现有的控制像素单元开关的 TFT器件中各个部件同层制备,这样不 用增加新的制备工艺, 仅需变更对应的各个膜层的构图即可实现, 节省了生 产成本,提高了生产效率。 当然在具体实施时, 触控切换单元 03也可以是其 他结构, 在此不作详述。

较佳地, 本发明实施例提供的触摸屏在具体实施时, 可以将阵列基板中 的至少一条栅极信号线作为触控扫描线, 避免在阵列基板中增加新的布线, 这样可以保证触摸屏具有较大的开口率, 并且, 使用栅极信号线作为触控扫 描线,还可以避免增加单独控制触控扫描线的驱动芯片 IC,能节省制作成本。

下面都是以阵列基板中的至少一条栅极信号线 Gate N作为触控扫描线 Scan N为例进行说明。

一般地, 组成触摸屏的阵列基板中的各像素单元都是由多个亚像素单元 组成, 而这些亚像素单元中一般包含蓝色亚像素单元。 这样, 本发明实施例 提供的上述触摸屏在具体实施时, 可以将感光晶体管设置在触控扫描线和触 控读取线所限定区域内的蓝色亚像素单元处。 由于蓝色亚像素单元的透光率 比较高,将感光晶体管设置在蓝色亚像素单元区域内,可以提高触控灵敏度。 当然还可以根据需要将感光晶体管设置在其他的亚像素单元区域内, 在此不 做限定。

具体地, 在本发明实施例提供的上述触摸屏中, 为了避免感光晶体管由 于非激光笔照射而产生触控信号造成误判的问题, 如图 3所示, 可以将感光 晶体管 02的栅级和源极分别与恒压信号线 Vss N相连,该恒压信号线 Vss N 向感光晶体管 02施加反向偏置电压使感光晶体管 02在无激光照射的情况下 无信号输出, 并且恒压信号线 Vss N位于相邻像素单元之间的间隙处。 在具 体实施时,可以在恒压信号线 Vss N上加载恒定的电压例如加载 -8V的电压。 这样, 感光晶体管 02的工作原理为: 在没有激光笔照射感光晶体管 02时, 感光晶体管 02由于恒压信号线 Vss N加载的反向电压一直处于反向偏置状 态, 即感光晶体管 02上没有触控信号输出; 当有激光笔照射感光晶体管 02 时, 感光晶体管 02所受光强增大, 感光晶体管 02的活性层中载流子浓度增 大, 感光晶体管 02输出触控信号到触控切换单元 03, 并在触控切换单元 03 处于开启状态时,触控切换单元 03将触控信号输出到触控读取线 Read out N。 并且,感光晶体管 02输出的触控信号与激光笔照射的光强有关,激光笔照射 光强越大, 感光晶体管 02输出到触控切换单元 03的触控信号就越大。

例如, 感光晶体管 02构造为在反向偏置下接收到大于预定强度的光时, 感光晶体管 02 才能够在光照下产生的感光信号从其漏极输出。 在实际使用 时, 所使用的激光笔发射的激光光强一般远大于环境光的光强, 因此, 上述 感光晶体管 02可以有效地方式误判的情形。

具体地, 恒压信号线可以设置在相邻列的像素单元之间的间隙处, 较佳 地, 可以将各恒压信号线与阵列基板中的数据信号线同层设置且相互绝缘。 恒压信号也可以设置在相邻行的像素单元之间的间隙处, 较佳地, 可以将各 恒压信号线与阵列基板中的栅极信号线同层设置且相互绝缘,在此不作赘述。

本发明实施例提供的上述触摸屏可以应用于扭转向列 (TN , Twisted Nematic )型液晶屏、 平面内开关( IPS , In-Plane Switch )液晶屏和高级超维 场开关(ADS, Advanced Super Dimension Switch )液晶屏, 在此不做限定。 具体地, 本发明实例提供的触摸屏在应用于 ADS 型液晶屏时, 为了进 一步保证触摸屏具有较大的开口率,如图 4a所示可以将阵列基板中的至少一 条公共电极信号线 Vcom设置为恒压信号线 Vss N,相比于图 4b所示的在阵 列基板中单独布置恒压信号线 Vss N, 可以进一步增大开口率。 值得注意的 是,与感光晶体管 02的栅极和源极分别相连的公共电极信号线 Vcom在具体 实施时, 可以指与像素电极相对的透明公共电极, 也可以指采用金属材料制 备的公共电极信号线, 在此不做限定。

最佳地, 为了能够最大限度的保证大尺寸的触摸屏的开口率, 本发明实 施例提供的触摸屏的阵列基板中的像素结构在具体实施时可以采用双栅结 构,如图 5所示,其中 Data N(N=l,2,3... ... )表示阵列基板的数据信号线, Gate

N(N=1,2,3... ... )表示阵列基板的栅极信号线, 图 5中未示出感光晶体管 02和 触控切换单元 03 , 在双栅结构中, 阵列基板上的相邻行的像素单元之间具有 两个栅极信号线, 例如 Gatel和 Gate2、 Gate3和 Gate4、 Gate5和 Gate6, 且 每相邻的两列像素单元为一列, 共用一个位于该两列像素单元之间的数据信 号线 Datel、 Date2、 Date3。 将双栅结构通过增加一倍数量的栅极信号线, 减 少了数据信号线及源极驱动 ic的数量, 从而降低显示器整体成本。

进一步地, 如图 5所示的双栅结构通过变更相邻两行像素单元的栅极信 号线和 TFT开关的位置, 可以节省出相邻像素单元列之间数据信号线的位 置。 这样, 如图 5所示, 就可以在相邻像素单元列之间的间隙处设置各触控 读取线 Read out N, 即各触控读取线 Read out N具体位于相邻的像素单元列 之间的间隙处, 这样可以进一步减少像素单元的占用率, 保证触摸屏具有较 大的开口率。

进一步地,在阵列基板 1具有向感光晶体管 02施加反向偏置电压的恒压 信号线 Vss N, 还可以将各恒压信号线 Vss N具体设置于除设置有触控读取 线 Read out N以外的相邻像素单元列之间的间隙处, 以便进一步保证触摸屏 开口率。

以上实施例以触摸屏应用于液晶屏为例进行了描述, 然而, 本发明实施 例的内嵌式触摸屏并不限于液晶屏。 例如, 该触摸屏结构可以应用于有机发 光显示器。 在基于有机发光显示器结构的内嵌式触摸屏中, 上述实现触摸功 能的结构也形成于阵列基板中。

基于同一发明构思, 本发明实施例还提供了一种显示装置, 包括本发明 实施例提供的上述光学传感式内嵌触摸屏, 该显示装置可以为: 手机、 平板 电脑、 电视机、 显示器、 笔记本电脑、 数码相框、 导航仪等任何具有显示功 能的产品或部件。 该显示装置的实施可以参见上述光学传感式内嵌触摸屏的 实施例, 重复之处不再赘述。

本发明实施例提供的一种光学传感式内嵌触摸屏及显示装置, 在阵列基 板位于相邻行的像素单元之间设置触控扫描线, 在阵列基板位于相邻列的像 素单元之间设置触控读取线, 并在阵列基板位于触控扫描线和触控读取线所 限定区域内设置感光晶体管和触控切换单元; 感光晶体管的漏极与触控切换 单元相连, 触控切换单元分别与触控扫描线和触控读取线相连; 在触控扫描 线控制触控切换单元处于开启状态时, 激光笔照射感光晶体管所产生的触控 信号通过导通的触控切换单元输出到触控读取线,实现光学传感式触控功能, 相对于电容传感式内嵌触摸屏, 在大尺寸时不会产生信号干扰和信号延迟的 问题。

以上所述仅是本发明的示范性实施方式, 而非用于限制本发明的保护范 围, 本发明的保护范围由所附的权利要求确定。

Claims

权利要求书
1、一种光学传感式内嵌触摸屏, 包括具有呈矩阵排列的多个像素单元的 阵列基板, 其中:
所述阵列基板具有位于相邻行的像素单元之间的触控扫描线; 所述阵列基板具有位于相邻列的像素单元之间的触控读取线; 所述阵列基板具有位于所述触控扫描线和所述触控读取线所限定区域内 的感光晶体管和触控切换单元; 所述感光晶体管的漏极与所述触控切换单元 相连, 所述触控切换单元分别与所述触控扫描线和所述触控读取线相连, 以 控制所述感光晶体管的漏极和所述触控读取线之间的导通 /截止状态。
2、如权利要求 1所述的光学传感式内嵌触摸屏, 其中, 所述触控切换单 元为薄膜晶体管 TFT器件; 所述 TFT器件的栅极与所述触控扫描线相连, 漏极与所述触控读取线相连, 源极与所述感光晶体管的漏极相连。
3、如权利要求 1或 2所述的光学传感式内嵌触摸屏,还包括与所述阵列 基板相对设置的对向基板, 所述阵列基板上设置有布置在每个像素单元周围 的黑矩阵, 且所述黑矩阵中具有对应于所述感光晶体管的开口。
4、 如权利要求 1-3任一项所述的光学传感式内嵌触摸屏, 其中, 阵列基 板中的至少一条栅极信号线为所述触控扫描线。
5、 如权利要求 1-4任一项所述的光学传感式内嵌触摸屏, 其中, 各所述 像素单元由包含蓝色亚像素单元的多个亚像素单元组成; 所述感光晶体管位 于所述触控扫描线和所述触控读取线所限定区域内的蓝色亚像素单元处。
6、 如权利要求 1-5任一项所述的光学传感式内嵌触摸屏, 其中, 所述阵 列基板具有向所述感光晶体管施加反向偏置电压的恒压信号线; 所述感光晶 体管的栅极和源极分别与所述恒压信号线相连, 所述恒压信号线位于相邻像 素单元之间的间隙处。
7、如权力要求 6所述的光学传感式内嵌触摸屏, 其中, 阵列基板中的至 少一条公共电极信号线为所述恒压信号线。
8、 如权利要求 1-5任一项所述的光学传感式内嵌触摸屏, 其中, 在所述 阵列基板相邻行的像素单元之间具有两条栅极信号线, 且以相邻的两列像素 单元为一组像素单元列, 每组像素单元列共用一条位于该两列像素单元之间 的数据信号线。
9、如权利要求 8所述的光学传感式内嵌触摸屏, 其中,各所述触控读取 线具体位于相邻列的像素单元列之间的间隙处。
10、 如权利要求 9所述的光学传感式内嵌触摸屏, 还包括: 所述阵列基 板具有向所述感光晶体管施加反向偏置电压的恒压信号线, 各所述恒压信号 线位于除设置有所述触控读取线以外的相邻列的像素单元列之间的间隙处。
11、 如权利要求 1-10所述的光学传感式内嵌触摸屏, 其中, 在所述触控 扫描线控制所述触控切换单元处于开启状态时, 激光笔照射到所述感光晶体 管所产生的触控信号通过导通的触控切换单元输出到所述触控读取线。
12、 如权利要求 1-11所述的光学传感式内嵌触摸屏, 其中, 所述对向基 板为彩膜基板。
13、如权利要求 6或 10所述的光学传感式内嵌触摸屏,所述感光晶体管 构造为在所述反向偏置下接收到大于预定强度的光时, 所述感光晶体管在光 照下产生的感光信号从其漏极输出。
14、一种显示装置, 包括如权利要求 1-13任一项所述的光学传感式内嵌 触摸屏。
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