JPH0535976B2 - - Google Patents
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- JPH0535976B2 JPH0535976B2 JP61226109A JP22610986A JPH0535976B2 JP H0535976 B2 JPH0535976 B2 JP H0535976B2 JP 61226109 A JP61226109 A JP 61226109A JP 22610986 A JP22610986 A JP 22610986A JP H0535976 B2 JPH0535976 B2 JP H0535976B2
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- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 10
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
- G01J1/42—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors
- G01J1/429—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors applied to measurement of ultraviolet light
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
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- Light Receiving Elements (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、間接受光方式の紫外線センサ用素子
に関する。
に関する。
従来、間接受光方式の紫外線用照度計として、
紫外線を硅酸亜鉛等の蛍光体で可視光線に変換
し、硫化カドミウム光導電セルや結晶シリコンフ
オトトランジスタ等の可視光検出器を用いて、紫
外線の放射照度を間接的に測定するものがある。
この種の装置は特開昭50−30574号、特開昭51−
40183号及び特開昭51−42576号に示されている。
紫外線を硅酸亜鉛等の蛍光体で可視光線に変換
し、硫化カドミウム光導電セルや結晶シリコンフ
オトトランジスタ等の可視光検出器を用いて、紫
外線の放射照度を間接的に測定するものがある。
この種の装置は特開昭50−30574号、特開昭51−
40183号及び特開昭51−42576号に示されている。
上述の如き従来の紫外線検出素子は、生産コス
トが高く、量産しにくく、小型化・集積化が難し
いという欠点があつた。
トが高く、量産しにくく、小型化・集積化が難し
いという欠点があつた。
本発明は、波長290〜320nmの領域および320〜
400nmの波長領域のそれぞれに応じて選択された
２種類のフイルタと、それぞれの紫外線を可視光
に変換する蛍光体と、非晶質シリコンを用いた２
つの可視光検出器とを設けてなり、異なる２種類
の紫外線を、同時に間接的に検出する紫外線セン
サ用素子を提供するものである。この可視光検出
器は光起電力型あるいは光導電型のいずれでもよ
い。
400nmの波長領域のそれぞれに応じて選択された
２種類のフイルタと、それぞれの紫外線を可視光
に変換する蛍光体と、非晶質シリコンを用いた２
つの可視光検出器とを設けてなり、異なる２種類
の紫外線を、同時に間接的に検出する紫外線セン
サ用素子を提供するものである。この可視光検出
器は光起電力型あるいは光導電型のいずれでもよ
い。
本発明の紫外線センサ用素子においては、前記
の２波長域の紫外線を同時に検出することがで
き、可視光検出器に非晶質シリコンを用いるた
め、安価で量産に向き、小型化・集積化が可能で
ある。また、同一基板上に複数の素子を作製でき
る。
の２波長域の紫外線を同時に検出することがで
き、可視光検出器に非晶質シリコンを用いるた
め、安価で量産に向き、小型化・集積化が可能で
ある。また、同一基板上に複数の素子を作製でき
る。
以下に、添付図面を参照して、本発明を具体的
に説明する。
に説明する。
第１図は本発明の紫外線センサ用素子に使用す
る１波長域の紫外線を検出する素子の説明図であ
る。ガラス基板１の一方の面に紫外線を可視光に
変換する蛍光体２と、その上に測定すべき紫外線
の波長に応じた帯域フイルタ３とが設けられてい
る。ガラス基板１のもう一方の面に透明電極４、
非晶質シリコン５及び金属電極６からなる可視光
検出器が形成されている。被測定光をフイルタ３
に入射すると、測定すべき波長域の紫外線だけが
透過し、蛍光体２で可視光に変換される。この可
視光はガラス基板１、透明電極４を通つて、非晶
質シリコン５に達する。非晶質シリコンは可視域
での光感度が大きいので透明電極４と金属電極６
の間の光電特性から可視光の強度を測定し、間接
的にフイルタ３を通つた紫外線の強度を測定でき
る。
る１波長域の紫外線を検出する素子の説明図であ
る。ガラス基板１の一方の面に紫外線を可視光に
変換する蛍光体２と、その上に測定すべき紫外線
の波長に応じた帯域フイルタ３とが設けられてい
る。ガラス基板１のもう一方の面に透明電極４、
非晶質シリコン５及び金属電極６からなる可視光
検出器が形成されている。被測定光をフイルタ３
に入射すると、測定すべき波長域の紫外線だけが
透過し、蛍光体２で可視光に変換される。この可
視光はガラス基板１、透明電極４を通つて、非晶
質シリコン５に達する。非晶質シリコンは可視域
での光感度が大きいので透明電極４と金属電極６
の間の光電特性から可視光の強度を測定し、間接
的にフイルタ３を通つた紫外線の強度を測定でき
る。
第１図の素子は、例えば、パイレツクスガラス
基板に透明電極としてITO膜をスパツタで作製
し、その上にプラズマCVDでノンドープ非晶質
シリコン膜を作製し、さらにその上に金属電極と
してアルミニウムを蒸着して、可視光検出器とす
る。基板のもう一方の側に蛍光体を塗布し、帯域
フイルタとして透過中心波長306nmまたは365nm
のものを設ける。
基板に透明電極としてITO膜をスパツタで作製
し、その上にプラズマCVDでノンドープ非晶質
シリコン膜を作製し、さらにその上に金属電極と
してアルミニウムを蒸着して、可視光検出器とす
る。基板のもう一方の側に蛍光体を塗布し、帯域
フイルタとして透過中心波長306nmまたは365nm
のものを設ける。
第２図は、本発明の紫外線センサ用素子に使用
する１波長域の紫外線を検出する別の素子の説明
図である。基板８の片面に積層した構造になつて
いる。
する１波長域の紫外線を検出する別の素子の説明
図である。基板８の片面に積層した構造になつて
いる。
実施例 １
第３図に本発明の一実施例の説明図が示されて
いる。２波長域の紫外線を同時に検出するため
に、第１図の素子でフイルタ３だけが異なるもの
を２個並べた構成になつている。両者の間には遮
光板９が設けられていて、互いに相手の光が入り
込まないようになつている。フイルタ３ａとして
皮膚に紅班を生じさせる波長290〜320nmの範囲
の中波長紫外線の一扮が透過するもの、フイルタ
３ｂとして皮膚に色素沈着を起こす波長320〜
400nmの範囲の長波長紫外線の一部が透過するも
のを用いると、皮膚に及ぼす障害の異なる２種類
の波長域の紫外線を同時に検出でき、日焼けの警
報や防止に役立つ。
いる。２波長域の紫外線を同時に検出するため
に、第１図の素子でフイルタ３だけが異なるもの
を２個並べた構成になつている。両者の間には遮
光板９が設けられていて、互いに相手の光が入り
込まないようになつている。フイルタ３ａとして
皮膚に紅班を生じさせる波長290〜320nmの範囲
の中波長紫外線の一扮が透過するもの、フイルタ
３ｂとして皮膚に色素沈着を起こす波長320〜
400nmの範囲の長波長紫外線の一部が透過するも
のを用いると、皮膚に及ぼす障害の異なる２種類
の波長域の紫外線を同時に検出でき、日焼けの警
報や防止に役立つ。
更に、実施例１のタイプの素子の別の一例につ
いて述べる。可視光検出器には、非晶質シリコン
５としてｐ−ｉ−ｎ構造の光起電力型のものを用
い、蛍光体には前記と同じものを用い、帯域フイ
ルタには前記と同じく透過中心波長306nmと
367nmのものを用いる。素子の出力である短絡電
流の測定例を第４図に示す。両方の出力とも放射
照度と共に増加しており、皮膚への作用の異なる
２種類の紫外線が検出できることがわかる。
いて述べる。可視光検出器には、非晶質シリコン
５としてｐ−ｉ−ｎ構造の光起電力型のものを用
い、蛍光体には前記と同じものを用い、帯域フイ
ルタには前記と同じく透過中心波長306nmと
367nmのものを用いる。素子の出力である短絡電
流の測定例を第４図に示す。両方の出力とも放射
照度と共に増加しており、皮膚への作用の異なる
２種類の紫外線が検出できることがわかる。
実施例 ２
第５図に本発明の他の一実施例の説明図を示さ
れている。第５図に示したものにおいては、２種
類のフイルタ３ａ及び３ｂが設けられていて、２
波長域の紫外線を同時に検出できる２つの可視光
検出器が同一基板上の片面に設けられている。こ
の場合も実施例１の場合と同様に、フイルタ３ａ
及び３ｂに波長290〜320nmの範囲の一部が透過
するものと波長320〜400nmの範囲の一部を透過
するものを用いれば、皮膚に及ぼす障害の異なる
２種類の波長域の紫外線を同時に検出でき、日焼
けの警報や防止に役立つ。
れている。第５図に示したものにおいては、２種
類のフイルタ３ａ及び３ｂが設けられていて、２
波長域の紫外線を同時に検出できる２つの可視光
検出器が同一基板上の片面に設けられている。こ
の場合も実施例１の場合と同様に、フイルタ３ａ
及び３ｂに波長290〜320nmの範囲の一部が透過
するものと波長320〜400nmの範囲の一部を透過
するものを用いれば、皮膚に及ぼす障害の異なる
２種類の波長域の紫外線を同時に検出でき、日焼
けの警報や防止に役立つ。
以上説明したように、本発明によれば、紫外線
を間接受光方式により非晶質シリコンで検出する
ので、安価で量産に向き、小型化・集積化が容易
な紫外線センサ素子が得られる利点がある。産業
上及び医療上、紫外線の強度を測定する紫外線セ
ンサ用素子として利用価値が大きい。
を間接受光方式により非晶質シリコンで検出する
ので、安価で量産に向き、小型化・集積化が容易
な紫外線センサ素子が得られる利点がある。産業
上及び医療上、紫外線の強度を測定する紫外線セ
ンサ用素子として利用価値が大きい。
第１図は本発明の紫外線センサ用素子に使用す
る１波長域の紫外線を検出する素子の説明図であ
り、第２図は１波長域の紫外線を検出する別の素
子の説明図であり、第３図は本発明の実施例の説
明図であり、第４図は本発明の一実施例における
出力特性の測定例を示す図であり、第５図は本発
明の他の実施例の説明図である。 １……ガラス基板、２……蛍光体、３，３ａ，
３ｂ……フイルタ、４……透明電極、５……非晶
質シリコン、６……金属電極、７……リード、８
……基板、９……遮光板。
る１波長域の紫外線を検出する素子の説明図であ
り、第２図は１波長域の紫外線を検出する別の素
子の説明図であり、第３図は本発明の実施例の説
明図であり、第４図は本発明の一実施例における
出力特性の測定例を示す図であり、第５図は本発
明の他の実施例の説明図である。 １……ガラス基板、２……蛍光体、３，３ａ，
３ｂ……フイルタ、４……透明電極、５……非晶
質シリコン、６……金属電極、７……リード、８
……基板、９……遮光板。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 波長290〜320nmの領域および320〜400nmの
波長領域のそれぞれに応じて選択された２種類の
フイルタと、それぞれの紫外線を可視光に変換す
る蛍光体と、非晶質シリコンを用いた２つの可視
光検出器と、両検出器の間に遮光板を設けてな
り、異なる２種類の紫外線を、同時に間接的に検
出する紫外線センサ用素子。 ２ 波長290〜320nmの領域および320〜400nmの
波長領域のそれぞれに応じて選択された２種類の
フイルタと、それぞれの紫外線を可視光に変換す
る蛍光体と、非晶質シリコンを用いた２つの可視
光検出器とを設けてなり、これらの２つの可視光
検出器が同一基板上に設けられていることを特徴
とする異なる２種類の紫外線を同時に間接的に検
出する紫外線センサ用素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61226109A JPS6382326A (ja) | 1986-09-26 | 1986-09-26 | 紫外線センサ用素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61226109A JPS6382326A (ja) | 1986-09-26 | 1986-09-26 | 紫外線センサ用素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6382326A JPS6382326A (ja) | 1988-04-13 |
| JPH0535976B2 true JPH0535976B2 (ja) | 1993-05-27 |
Family
ID=16839973
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61226109A Granted JPS6382326A (ja) | 1986-09-26 | 1986-09-26 | 紫外線センサ用素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6382326A (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0621816B2 (ja) * | 1988-04-13 | 1994-03-23 | 山武ハネウエル株式会社 | 太陽光の紫外線センサ |
| FR2697352B1 (fr) * | 1992-10-26 | 1995-01-13 | Physique Rayon Lumie Lab | Concentrateur d'énergie électromagnétique à changement de fréquence constituant entre autre une iode électromagnétique. |
| FR2792460B1 (fr) * | 1999-04-19 | 2001-11-30 | Biocube | Generateurs photovoltaiques a cascade lumineuse et variation de flux electromagnetique |
| FR2792461B3 (fr) * | 1999-04-19 | 2001-06-29 | Biocube | Generateurs photovoltaiques a cascade lumineuse et variation de flux elecromomagnetique |
| US7554093B1 (en) * | 2008-01-11 | 2009-06-30 | Star Tech Instruments, Inc. | Uniformly responsive ultraviolet sensors |
| CN105428376A (zh) * | 2014-09-12 | 2016-03-23 | 芯视达系统公司 | 具有可见光及紫外光探测功能的单芯片影像传感器及其探测方法 |
| JP7139203B2 (ja) * | 2018-09-11 | 2022-09-20 | ローム株式会社 | 紫外線検出器 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5030574A (ja) * | 1973-07-13 | 1975-03-26 | ||
| JPS5140183A (ja) * | 1974-10-01 | 1976-04-03 | Toshiba Electric Equip | Shigaisenhoshakyodosokuteisochi |
| JPS5142576A (ja) * | 1974-10-08 | 1976-04-10 | Kyoto Daiichi Kagaku Kk | Shigaisenkenshutsuki |
| JPS6171325A (ja) * | 1984-09-17 | 1986-04-12 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
-
1986
- 1986-09-26 JP JP61226109A patent/JPS6382326A/ja active Granted
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5030574A (ja) * | 1973-07-13 | 1975-03-26 | ||
| JPS5140183A (ja) * | 1974-10-01 | 1976-04-03 | Toshiba Electric Equip | Shigaisenhoshakyodosokuteisochi |
| JPS5142576A (ja) * | 1974-10-08 | 1976-04-10 | Kyoto Daiichi Kagaku Kk | Shigaisenkenshutsuki |
| JPS6171325A (ja) * | 1984-09-17 | 1986-04-12 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6382326A (ja) | 1988-04-13 |
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